JPS609870A - テルル低酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学情報記録体としてのテルル低酸化物薄膜
を再現性よく形成する製造方法に関するものである。

従来例の構成と問題点 テルル低酸化物薄膜ＴｅＯｘ　（○＜Ｘ＜２）　は、高
感度で、かつ信号品質の高い光学情報記録薄膜として公
知であり（特公昭５４−３７２５）、既にこれを用いて
静止画ファイル、文書ファイル等が製品化されている。

従来、ＴｅＯｘ　（○＜Ｘ＜２）薄膜の形成手段として
は、次のようなものが知られていた。

（１）　タングステンボートあるいは、モリブデンボ５
　゛ −トにＴｅＯ２粉末を乗せて真空蒸着する方法。

この方法は、タングステンボートあるいはモリブデンボ
ートに通電、加熱して、ボート表面でＴｅＯ２との間に
還元反応をおこさせ、　ＴｅＯ２中の酸素を一部除きな
がら蒸着してＴｅＯｘ　（ｏ　＜　Ｘ　＜　２　）を得
ようというものである。この方法は極めて容易にＴｅＯ
２を得ることができるという特長が有るが、反面。

反応の進行に従ってボート表面の還元力が低下し、膜厚
方向においてＴｅ　と００組成比のズレが生じる。又毎
回ボートの交換が必要なため、その反応速度の制（財）
、再現性が難しいという点が問題であった。

（２）　ＴｅとＴｅＯ２の２つのソースを用意し、各々
のソースからの蒸着温度を制御して、基材上に同時に蒸
着し、ＴｅＯｘ　（０＜Ｘ＜２　）を合成する方法。

この方法は谷ソースの蒸着温度を制（財）することで任
意の組成比のＴｅＯｘ薄膜を得ることができ、また。

連続的に多数回の蒸着を行なうことができる等のメリッ
トが考えらｎる優ｎ、た方法である（第２８回応用物理
学関係連合講演会予稿集Ｐ１０８（１９８１））。

６・　′ ただしＴｅは非常に蒸気圧の高い物質であるため。

その蒸着速度の制御は非常に困難であり、突沸によりド
ロップアウトが生じ、特性の再現性が十分ではないとの
問題があった。

（３）　ＴｅＯ２に還元物質として金属を混合し、石英
ルツボ中でコイルヒータ等により還元反応を生じさせな
がら蒸着する方法（第２８回応用物理学関係連合講演会
予稿集Ｐ１０８（１９８１））。

この方法はＴｅＯ２粉末と還元金属の粉末とをあらかじ
め混ぜ合わせて置き、これを石英ルツボ中で加熱してＴ
ｅＯ２を還元しつつ蒸着する方法であるが、この方法も
反応が進行するにつれて還元金属の還元力が低下し、膜
厚方向の組成ずれが太きい、逆に、初期において反応が
急激に進んでソースがこぼれる等、技術的な問題があっ
た。

発明の目的 本発明は、上記各方法における。再現性、制御性、均一
性といった課題を解決し、容易に、かつ効率よく、そし
て再現性に優れた、光学情報記録材料としてのテルル低
酸化物薄膜の製造方法を提供するものである。

発明の構成 本発明は、上記目的を達成するため、以下に述べるよう
な工程で得られる焼結体を蒸着ソースとして用いること
を特徴とする。

ａ）　ＴｅＯ２と還元性物質とを混ぜ合わせる工程、ｂ
）前記混合物を熱処理して、　ＴｅＯ２の一部を還元性
物質と反応させる工程。

本発明によ几げ、熱処理によって生じたＴｅＯ２の還元
形の大部分は、還元金属の一部と結合して化合物Ｔｅ−
Ｍを形成し、未反応のＴｅＯ２および、反応の結果酸化
さｔ’Ｌ　ｆｃ　Ｍ　Ｏと−諸になって均一な焼結体を
形成する。蒸着時には、この焼結体中のＴｅＯ２と、　
Ｔｅ−Ｍ間の結合からはずれたＴｅ　とが同時に蒸着さ
几、基材上でＴｅＯｘ　（０＜ｘ＜２　）を形成するわ
けであるが、この焼結体を用いる方法は還元しながら蒸
着する方法に比べて急激な反応が無いためソースが吹き
こぼ汎るといった現象は無く、またＴｅの解離は序々に
一定の速度で進行するため膜厚方向で組成がズレること
も少ない。ｆ、り、一度に大量にソースを作成し、そこ
から分取して使用することで、他の方法に比べてはるか
に再現性よく同じ特性の膜が得られる。加えて、湿度に
対して強い膜が得られるといつ結果が観察された。

実施例の説明 第１〜第３図は、本発明による焼結体を作る工程の例を
示す。

１は、乳鉢の断面である。この中に、ＴｅＯ２粉末３と
還元性物質４を入れ乳鉢２でよく混合する。

混合は、ボールミルを用いることも可能である。

又、アルコール、アセトン等を加えて混合することで均
一にすることが容易になる。混合した粉末５は、乾燥し
た後、第２図に示すように石英ボート６に乗せ、第３図
に示すように電気炉で熱処理する。第３図中、７は石英
の炉心管、８はヒーター、９は断熱材、１０は外壁、１
１は熱電対を示す。熱処理の際はＮ２．Ａｒ等の不活性
ガス雰囲気中で行なう。１２はガスインレット、１３は
ガスアウトレットを示す。熱処理温度は還元物質によっ
て異なるが、おおよそ４０ｏ℃から１ＱＯｏ℃の間で十
分反応し、き几いな焼結体を得ることができた。熱処理
温度が４ｏ○℃以下では反応が十分進行せず、１０００
℃以上では処理中にＴｅ成分が蒸着してし１い好寸しく
ない。

還元性物質としては、Ａｌ、　Ｓｉ、　Ｔｉ、　Ｖ、　
Ｃｄ、　Ｉｎ。

Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｏｒ、　Ｍｎ、　Ｆｅ
、　Ｇｏ＋　Ｎｉ、　（ｕ、　Ｚｎ。

Ｇｅ　、　Ｍｏ　、　Ｂｉ　、　Ｐｂ　等の金属又は半
金属またはＳ。

Ｓｓ、Ｃ等を用いろことができる。上記還元性物質は、
熱処理によってＴｅＯ２と反応し、例えばｍＴｅＯ２＋
　ｎＭ　−＋　ＴｅＭ　＋　ＭＯ＋ＴｅＯ２のよつな模
式で示される変化をおこす。すなわち。

ＴｅＯ２の一部は還元性物質Ｍの一部によって還元され
Ｔｅ　となり、同時にＭは、０を奪ってＭＯ。

Ｍ２Ｏ３，ＭＯ２といった形の酸化物となる。この時、
還元されて生じｆ（Ｔｅ３　の大部分は、未反応で残さ
れていｆｒＭと結合しＭ２Ｔｅ　、　ＭＴｅ　、　Ｍ２
Ｔｅ３　、　ＭＴｅ２のような形をとり、焼結体中に含
まれろ。従って、熱処理の結果、得られる焼結体は、Ｍ
−Ｔｅ合金。

Ｍ−０酸化物、　ＴｅＯ２の集合体になっていると言え
る。

１０　′ 前述の還元性物質の中で、Ｃｕ、　Ｓｂ、　Ｐｂ、　Ａ
ｌ、Ｉｎ。

Ｚｎ　、　Ｂｉ　、　Ｇｅ　、　Ｓｅ　、　Ｃｄ　は、
二酸化テルルを適度な速度で還元するばかりでなく、還
元されて生じるＴｅ　との相溶性が良く均一な焼結体を
得ることができ７ｔｏとりわけＣｕ、　Ａｌ、　Ｓｂ、
　Ｐｂ、　Ｉｎの各元素は、Ｔｅとの相溶性が非常に高
く、極めて均一な焼結体が得られることがわかった。

還元剤の混合比は１５ｍ０１％ないし８０　ｍ０１％が
適当であった。混合比が１５ｎｌＯ１係以下では還元が
十分に進行せず、この焼結体を用いて蒸着したテルル低
酸化物薄膜は、後に述べるように非常にＯ成分の多い膜
で、光吸収係数が小さく記録前後の光学的変化が不十分
であった。′！、た、混合比が８０係以上では、還元が
進みすぎて、この焼結体を用いて蒸着したテルル低酸化
物薄膜は、非常にＴｅ成分の多い膜となり熱的に不安定
な特性となって光学情報記録膜としては使用できなかっ
た。混合比が１５　ｎｏ１％から８０　ｍ０１％の間で
は、適度にＴｅＯ２の還元が進んだ焼結体が得らｎｌそ
れを用いて混合比に応じた特性の光学情報記録体として
のテル１１−“ ル低酸化物薄膜が得られることがわかった。

第４図は、上記のようにして得た焼結体を用いて、テル
ル低酸化物薄膜を形成する方法を示したものである。真
空系１２の真空度は１０　Ｔｏｒｒ〜７ １（＋Ｔｏｒｒ　程度で良いが、１０Ｔｏｒｒ以下では
。

付着性の高い、強い膜が得られる。例えば、前記焼結体
１９を石英容器１７に入れ、コイルヒーター１６で外部
から加熱して支指台１４上に設置さｆ′Ｌり基材１，３
上に、テルル低酸化物薄膜を蒸着して形成する。ヒータ
一温度は５００℃〜１０００℃が適当であり、この間で
蒸着速度、膜組成を制（財）することができる。コイル
ヒーターは電極１５を介して外部電源１８に接続され、
通電加熱する仕組みになっている。

焼結体ソースは大量に製造して粉砕し、そこから分取し
て使用することで均質になり、更に再現性を高めること
ができる。

加熱方法としては、前記のようにヒーターで外側から全
体を加熱する方法以外に、電子線ビームを用いて局所的
に急加熱する方法がある。この場合にはソースとして焼
結体を固めた第５図のようなペレット状のもの２０を用
いる方が加熱がしやすい。このペレットは、第６図に示
すような治具２１を用いて形成する。治具は、押え棒部
２１ａ。

本体２１ｂ、底部２ＩＣから成る。この中に焼結体を粉
砕した粉末２２を入れて、プレスし、粉末を押し固め整
形する。電子線ビームによる方法はヒータを用いる場合
に比べて、（イ）ペレットの温度を急激にかつ局所的に
昇温させることか可能であり、ヒータで全体を加熱する
場合よりも組成ズレがより少なくなる。（ロ）応答が速
いので蒸着速度のコントロールが容易であるといった利
点に加えて、（ハ）後に述べるように、更に耐湿性が改
善向上することがわかった。焼結体を用いる方法で作っ
た膜は、他の方法による膜よりも、膜の構造が緻密であ
り、そのため外気の影響を受けにくいと考えらｎるが、
電子線ビームによる薄膜は、膜構造が更に緻密かつ均質
で、外気の影響がほとんどおよげないため湿度劣化が小
さいと考えられる。

次に、更に具体的な例をもって、本発明を説明　３ する。

実施例１ 出発原料として、ＴｅＯ２粉末と、Ｃｕ粉末を用い、Ｔ
ｅ０２を１１１．７２ｇ（約０．７　ｍｏｌ　）　、　
Ｃｕを１９．６８ｇ（約０．３ｍｏｌ）の割合で第１図
に示したような方法で少量のアルコールを用いて混合す
る。混合粉末１０ｏｇを石英ボートに乗せ、第３図の電
気炉を用いて熱処理する。炉心管に試料を入れて２１／
Ｈ８度のＮ２ガスを流しながら、炉の温度を上げて約３
０分間で７００’Ｃとし、その″ｉ寸約２Ｈ保持したの
ち、試料を炉の低温部に引き出して冷却した。約１Ｈ後
、炉から取り出したところ黒カッ色のガラス状の固形物
が得られた。

この固形物を石英ボートから取り出し、その一部を用い
て第４図の系によって蒸着を行なった。

真空度ば１Ｘ１０　Ｔｏｒｒ、モータ温度７ｏ○℃とし
、石英容器に前記固形物の小さい同寸り約２００ツを入
ｎ、加熱（−たところ、膜厚が約１２００人でやや黄色
味をおびたカッ色の透明なＴｅＯｘ薄膜がアクリル樹脂
基村上に形成さｎた。この薄膜にλ１４−′　、 ＝９０ｏｎｍの半導体レーザ２４光を第７図に示す光学
系を用いて集光し、照射すると照射部が黒化変態するこ
とが確かめられた。

実施例２ 実施例１においてＣｕの混合比を○〜１００　ｍｏ１％
の間で変えて同様の実験を行なった結果、混合比が０〜
ｇ　□　ｍｏ１％の範囲に渡って黒カッ色の均一な焼結
体が得られた。この焼結体を用いて実施例１と同様に蒸
着した結果、混合比がＱ〜１５ｍｏ１％の間では非常に
光学的濃度の小さい膜で、半導体レーザ光の照射によっ
ても大きい濃度変化が得られなかった。また、混合比が
ｓ　□　ｍｏ１％以」二になると、光学的濃度は上がる
が、膜として不安定であって、蒸着　分はカッ色の透明
膜であるが、室温でどんどん変化し、不透明なややメタ
リックな黒色の膜になってしまった。混合比が１５〜８
０ｍ０１％の間では、安定な黄色味をおびたカッ色透明
な膜が得られ、半導体レーザ光により黒化変態した。

オージェ電子分光法を用いて組成分析した結果膜厚方向
の組成ズレはほとんど無く均質であり、１５ また混合比が少ないものから多いものにかけて０／Ｔｅ
の値が減少していることがわかった。

実施例３ Ｃｕ粉末に代えて、Ａｌ、　Ｓｉ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃ
ｄ、　Ｉｎ、Ｓｎ。

Ｓｂ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｏｒ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｇｏ
、　Ｎｉ、　Ｚｎ、（ｒｅ、　Ｍｏ。

Ｓ、Ｓｅ、Ｃの谷元素を用い、実施例１，２と同様の実
験を行ない、それぞれ焼結体を得ることができり。乙の
中で、Ｓｂ、　Ｐｂ、　ＡＩ、　Ｉｎ、　Ｚｎ、　Ｂｉ
、　Ｇｅ。

Ｓｓ、Ｃｄを用いた場合は、そ几ぞれ黒色、黄カッ色、
黒色、黒カッ色、黒色、灰カッ色、黄カッ色。

赤カッ色、灰カッ色のガラス状で均質な焼結体が得らｔ
ｌ、　ｆｃ　。特にＡｌ　、　Ｓｂ　、　Ｐｂ、　Ｉｎ
　を用いた場合は、Ｃｕの場合と同様に広い混合比に渡
って均質なガラス状の焼結体を得ることができた。反対
に、　Ｓｉ　。

Ｃ，Ｍｎを用いた場合は、やや不均質な焼結体しか得ら
れなかった。

これらの焼結体を真空中で加熱して、それぞれＴｅＯｘ
　（ｏ＜ｘ　＜２　）薄膜が得らｎｆｃ。

実施例４　。

次に、複数の還元物質を用いて得るべきＴｅＯｘ薄膜の
特性を細かく制御する方法を検討した。実施例３に述べ
た還元性物質は、その還元能力はどれも同じというわけ
では無く、Ｍｏ２あるいはＭ２Ｏ３のように酸化され比
較的還元能力の高い激しい反応をするものと、ＭＯ１Ｍ
２０のようにしか酸化されず、比較的還元能力の低い、
おだやかな反応をするものに分かれる。従って、この両
者を組み合わせて細かい制（財）をすることができる。

実施例３の結果、前者の代表としてＡｌ、後者の代表と
してＣｕが特に使い易いことがわかった。

そこで、ＴｅＯ２に、Ａｌ、Ｃｕをそ几ぞれ混合比を変
えて混合し、各７００℃、Ｎ２ガス雰囲気で２Ｈ熱処理
して黒カッ色の焼結体を得た。これらの焼結偉容２０ｏ
ｑを用いて１０−”　Ｔｏｒｒの真空度でヒータで加熱
した結果、混合比のわずかな変化に対応した特性の膜が
得らｆ′ｌ−タ。この結果を半導体レーザで照射して詳
しく調べて、Ａ１の混合比ＸγおよびＣｕの混合比Ｘδ
が、１６≦Ｘγ≦６０．かっ２゜≦Ｘδ≦６ｏｍｏ１％
　で％また２成分を同時に混合するときには５ｏ≦ＸＩ
　＋　Ｘδ≦ｓ□　ｍｏ１％　の領域にお　７　− いて特に光学的情報の記録特性に適した薄膜が得られる
ことがわかった。

実施例５ 実施例４で得た焼結体のうち、出発組成が（ＴｅＯ２）
ｓｏ（Ａｌ）５ｏ（Ｃｕ）＋ｏ　ｍｏ１％の焼結体を選
び、これを粉砕して粉末化した。この粉末を約２ｇに秤
量し、第６図の治具を用いて直径２０＋１１Ｊ　厚さ約
１５賭のペレットにプレス整形した。プレス圧力は５ｔ
／ＣＪ　である。

このペレットを、１つは第４図のような系でヒータ加熱
により、１つは電子線ビーム加熱によりパイレックスガ
ラス基板上に蒸着したところ、やや黄色っぽいカッ色の
ＴｅＯｘ　薄膜が得られた。この２種の膜を５０’Ｃ，
９０Ｈ％の恒温、恒湿槽内に放置し、その透過率変化を
定期的に調べたところ第８図に示すように、電子線ビー
ムによる膜すはヒーター加熱による膜ａに比べて変化が
少なく、湿度の影響を受けにくく、より安定であること
がわかった。

実施例６ １　Ｂ゛：’ １６０１ＴＩＴｌで回転する１、１　ｔ、２００φのＰ
ＭＭＡ樹脂基材上に、実施例５で用いた電子線ビームの
系を用い、出発組成Ｔｅ０２３ｏＡ１３ｏ［有］４ｏの
ペレットを用いて、３人／ｓｅｃの速度で厚さ約１２０
０へのＴｅＯｘ　（ｏ＜ｘ　＜２）薄膜を蒸着し、光デ
ィスクを試作した。

このディスクを用い、第９図のような系で記録実験を行
なった。半導体レーザ３９を出た光は、第１のレンズ３
７によって疑似平行光４０となり、第２のレンズ３６で
丸く整形した後、第３のレンズ３５で再び平行光になり
、ハーフミラ−３３を介して第４のレンズ３１で、波長
限界約０・８μの大きさのスポット４２に集光される。

この円スポットによって照射されたディスク３０上の記
録膜は黒化変態し記録が行なわれる。ここで半導体レー
ザを変調してディスク上に情報信号を記録することがで
きる。

信号の検出は、ディスク面３ｏからの反射光４１を・・
−フミラー３２を介して受け、レンズ３４を通じて光感
応ダイオードで行なった。

１９”’ 半導体レーザ光を単一周波数５計で変調し、照射パワー
８ｍＷで１８ｏＯ−で回転４３するディスク面を照射し
たところ、記録が行なわれた。スペクトルアナライザー
を用いてＣ／Ｎを測定し、６０ｄＢ　が得られた。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、従来のテルル低酸化物
薄膜の製造方法に比べて。

（１）特性の再現性に優れている （２）組成ずれがおきにくい （３）突沸によるドロップ・アウトが無い（４）湿度劣
化が小さい （５）特性の制（財）、蒸着が容易 等の特徴をもつテルル低酸化物薄膜を得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の蒸着ソースとしての焼結体を得る一つ
の課程で％出発原料の混合のようすを示す断面図、第２
図は焼結前の混合粉末の斜視図、第３図は焼結に用いる
電気炉の断面図、第４図は本発明の焼結体を用いてテル
ル低酸化物薄膜を製造する装置の断面図、第５図は蒸着
ソースをペレット状にした一形態を示す斜視図、第６図
はペレットをプレスして作る治具の断面図、第７図は本
発明で得たテルル低酸化物薄膜に記録する記録装置の概
略図、第８図はテルル低酸化物薄膜の蒸着方法の違いに
よる耐湿特性の差を示す図、第９図は本発明の製造方法
で形成した光ディスクに情報信号を記録・再生する装置
の概略図である。 ２４・・・・・・半導体レーザ、２５・・・・・・レー
ザ光、２６・・・・・・対物レンズ１．２７・・・・・
・対物レンズ２．２８・・・・・・ＴｅＯｘ薄膜、２９
・・・・・・基材。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第３図 第４図 １（／　１３　／？ ４ ７ ５ ７〆 第５図　□ 第６図 第７図 第８図 ／　／ｌ／　／／ｌ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）二酸化テルルに還元性物質としてＡｌ　、　Ｓｉ
   　、　Ｔｉ。 Ｖ、　Ｗ、　Ｏｒ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｇｏ、　Ｎｉ、
   　Ｃｕ、　Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ。 Ｃｄ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ、　Ｂｉ、　Ｐ
   ｂ　（７）金属、半金属捷たはＳ、Ｓｅ、Ｃの中の少な
   くとも一種を混合して、Ｔｅ０２１ＴｅＯ２１ｏｏ−ｘ
   ａ＜ｘａ≦８ｏｍｏ１％、Ｍは還元性物質Ｍ１＋　Ｍ２
   　＋・・・・・・２Ｍｎの集合体でｘ１＋ｘ２＋・・・
   ・・・＋ｘｎ＝ｘα）の形で熱処理を行ない、二酸化テ
   ルルの一部が還元された形で含寸れる焼結体を得、この
   焼結体を真空中で加熱して基板上に光学情報記録体とし
   てのテルル低酸化物薄膜ＴｅＯｘβ（０＜Ｘβ〈２）を
   形成することを特徴とするテルル低酸化物薄膜の製造方
   法。 （２）還元性物質の添加量を１５くｘα≦ｓ　ｏ　ｍｏ
   １％とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のテルル低酸化物薄膜の製造方法。 （３）還元性物質として、Ｃｕ、　Ｓｂ、　Ｐｂ、　Ａ
   ｌ、　Ｉｎ、Ｚｎ。 ２　′ Ｂｉ　、　Ｇｅ　、　Ｓｅ　、　Ｃｄ　の中から選んだ
   少なくとも一種の還元性物質を用いることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のテルル低酸化物薄膜の製造
   方法。 （４）還元性物質としてＣｕ、Ａｌを選び、同時に混合
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテル
   ル低酸化物薄膜の製造方法。 （５）　ＡｌおよびＣｕの組成比Ｘｙ＋Ｘδがそれぞれ
   １６≦Ｘγ≦５０１２０≦Ｘδ≦６０．５０≦Ｘγ＋Ｘ
   δ≦８゜ｍｏ１％であることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項記載のテルル低酸化物薄膜の製造方法。 （６）熱処理を、不活性ガス中で行なうことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載のテルル低酸化物薄膜の製
   造方法。 Ｃ７）熱処理温度を４ｏ○℃〜１ｏｏｏ℃の間で行うこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテルル低酸
   化物薄膜の製造方法。 （８）真空度をｌＸ１０　Ｔｏｒｒ程度以下に設定する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテルル低
   酸化物薄膜の製造方法。 （９）二酸化テルルに還元性物質としてＡｌ　、　Ｓｉ
   、　Ｔｉ　。 Ｖ　、　Ｗ　、　Ｃｒ　、　Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｇｏ
   　、　Ｎｉ　、　Ｃｕ　、　Ｚｎ　、　Ｇｅ　、　Ｍｏ
   　。 Ｃｃｉ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ　の金属、半
   金属寸りはＳ。 Ｓｓ、Ｃの中の少なくとも一種を混合して、ＴｅＯ２Ｍ
   ｘα（０＜　Ｘａ　＜ｓ　Ｏｍｏ１％１Ｍは還元性１ｏ
   ｏ−ｘａ 物質Ｍｌ　＋　Ｍ２　＋・・・・・・２Ｍｎの集合体で
   Ｘｊ　＋　ｘ２＋・・・・・・十ｘ、１＝ｘα）の形で
   熱処理を行ない、二酸化テルルの一部が還元された形で
   含まｎる焼結体を得、この焼結体を粉砕した後、加圧整
   形して得た物体を真空中で加熱して基板上に光学情報記
   録体としてのテルル低酸化物薄膜ＴｅＯｘβ（○〈Ｘａ
   〈２）を形成することを特徴とするテルル低酸化物薄膜
   の製造方法。 （１０）二酸化テルルに還元性物質としてＡｌ　、　Ｓ
   ｉ、　Ｔｉ　。 Ｖ、Ｗ、Ｏｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｎｉ、０１１．Ｚｎ
   、Ｇｅ、Ｍｏ。 Ｃｄ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ　の金属、半金
   属１　ｆｃはＳ。 Ｓｅ、Ｃの中の少なくとも一種を混合して、ＴｅＯ２Ｍ
   Ｘａ　（０＜ｘａ＜ｓｏｍｏ１％、Ｍは還元性＋０Ｏ−
   Ｘａ 物質Ｍ１＋　Ｍ２　＋・・・・・・２Ｍｎの集合体でｘ
   １＋ｘ２＋・・・・・・＋　Ｘｎ＝　Ｘａ）の形で熱処
   理を行ない、二酸化テルルの一部が還元された形で含１
   れる焼結体を得、この焼結体を粉砕した後、加圧整形し
   て得た物体を真空中で、電子線ビームを用いて加熱して
   、基板上に光学情報記録体としてのテルル低酸化物薄膜
   ＴｅＯｘβ（○くｘａ〈２）を形成することを特徴とす
   るテルル低酸化物薄膜の製造方法。