JPS6163496A

JPS6163496A - 光記録媒体，製造法および使用法

Info

Publication number: JPS6163496A
Application number: JP59187127A
Authority: JP
Inventors: Hideo Samura; 佐村　秀夫; Hiroshi Hoshino; 星野　博史; Shunsuke Matsushita; 俊介松下; Kunikiyo Yoshio; 邦清吉尾
Original assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Current assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date: 1984-09-05
Filing date: 1984-09-05
Publication date: 1986-04-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】ｒ産業上の利用分野〕本発明は光記録媒体、製造法、および使用法に関するっ〔従来の技術］従来、テトラシアノキノジメタンのアセトニド°１ル溶
液に銅板あるいは銀板を浸漬してえられる塩の薄膜に、
レーザ照射すると、書込あるいは消去が起こることが見
出された。ロアブライド・フイジクス・レターズ４２巻
８５５１（１９８３ＩＪ〔発明が解決しようとする問題点〕しかし、この薄膜は電場の印加なしには書き込み、消去
が行えないという問題点を有していた。本発明者らは簡
便な操作で書込・消去を行える光記録媒体について鋭意
検討した結果、本発明に到達した。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は、基板および物理蒸着法または化学蒸着法によ
り形成された金属−シアノ基含有電子受容体の塩の薄膜
を必須として桔１成されることを特徴とする光記録媒体
（第１発明）、基板上にて金属およびシアノ基含有電子
受容体を物理・蒸着法または化学蒸着法によって薄膜を
形成し１蒸着中あるいは蒸着後ζ；基板を加熱して、基
板上に金属塩の簿膜を形成させることを特徴とする光記
録媒体の製造法（第２発明）、および基板、および物理
蒸着法または化学蒸着法により形成された金属−シアノ
基含有電子受容体の塩の薄膜を必須として構成される光
記録媒体に、電場を印加することなく、レーザ光を照射
するか、または加熱することに止り書込または消去を行
うことを特徴とする光記録媒体の使用法（第３発明）で
あろう本発明において、金属としては銅、銀などの第１１）元
素かあけられる。これらの混合物も使用かげ能である。

シアノ基含有電子受容体としては、下記があげられるっ（１）テトラシアノキノジメタン（以下ＴＣＮＱと略記
）およびその置換誘導体化合物。（式中、Ｉ’Ｌ、　、Ｒ，、Ｒ，、Ｒａは、そ
れぞれ独立にＨ，ＣｎＨ□。＋、　、０ＣｏＨ２，＋、
、Ｆ、　ＣＩ。

Ｂ＋、Ｉ　またはＣＮであるっ上記においてｎは１〜３
りの整数である。）具体釣船こは、ジメチルＴＣＮＱ１ジメトキシＴＣＮＱ
、テトラシアノｒ＋Ｔ（’ＮＱなと。

（２）ハロシアノベンゾキノン類。

具体的には、ジクロロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）
など。

（３）　　シアノ置換オレンイノ類具体的にはテトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）　へキサ
シアノフータジエン（ＨＣＢＤ）など。

（４）その他テトランアノナフトキノジメタン（ＴＮＡＰ）　テトラ
シアノジフェノキノジメタン（ＴＣＮＤＱ）、テトラン
アノテトラヒドロピレノキノジメタン（ＴＣＮＴＰ　）
、テトラシアノピレノキノンメタン（ＴＣＮｐ　）、テ
トラシアノアントラキノジメタン（ＴＣＮＡ　）っこれ
らのうち好ましいものは、ＴＣＮＱ、ＴＮＡＰおよびテ
トラフルオロＴＣＮＱであるっ金属とシアノ基含有電子
受容体の当量比は通常１．３　：　０．７〜０゜７　：
　１．３、好ましくは実質的にｌ：ｌであるう金属および／アノ基含有電子受容体とともに、必°及に
より曲の物質たとえば、カルボン酸（炭素数１２〜３０
の脂肪族モノカルボ／酸、例えばラウリン酸およびオレ
イン酸）、アルコール（炭素数１２〜３（」の１価アル
コールたとえばラウリルアルコールおよびオレイルアル
コール）を蒸着させること（こより薄膜を多結晶質から
非晶質に変え記録を高密度化することができろう曲の！
１７１質の量は塩と（ｌｉｔの物質の合計量に基づいて
通常ｌ〜５０％、好ましくは３〜２（）％であろう金属−／アノ基含有電子受容体の塩より成る岬ｊ漢は物
理蒸着法オたは化学蒸着法により製造できる。物理蒸着
法としては、真空蒸着法、スバタリング法、プラズマ・
イオンプロセス法などが含まれる。化学蒸着法としては
気相成長法なとが含まれるっこれらのうち好ましいもの
は真空蒸着法である。

真空蒸着は基板子で行われろ。この基板としては既知の
ものでよく、使用レーザに対して透明、または不透明の
いずれでもよい。基板の材質としては、ガラス、セラミ
ックス、プラスチックス、板状または箔状の金１６なと
の一般に使用されている記録材料の支持体があげられる
。

上記プラスチックスとしては、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリヵーボイ、−ト樹脂な
とがあげられるっこれらのうち、軽量性、加工性、コス
トなどの点からはプラスチックスか好ましく、また、平
１０１精度などの点からはガラスか好ましい。

真空蒸着させる方法としては（イ）／アノ基含有電子受容体および必要に応じて他の
物質と金属とをこの順に真空蒸着させる方法。

（ロ）金属シアノ基含有電子受容体および必要により他
の物質とをこの順に真空蒸着させる方法つ（ハ）シアノ基含有電子受容体および必要により他の物
質と金属とを同時に真空蒸着させる方法。

があげられるうまた、上記方法をさら番こ繰り返し多層
を形成するように行うこともできるっ真空蒸着に際して
は、塩を充分に生成させる点から、蒸Ｉγ１中をこ基板
を加熱して行う。加熱ｔＪ度は、通常７　（１〜２００
　℃、好ましくは１３０〜１８ｔＪ℃であろうまた、蒸着中に基板加熱しないで、蒸着後、アニール（
加熱）してもよいっ真空蒸着の際の真空度は、通常１　ｔＪ”、〜１ｔＪ−
３ｔｕｒｒ、好ましくはｌ　Ｏ−６〜ｌ　Ｏ−’　ｔｕ
ｒｒである。基板上の金属−シアノ基含有電子受容体の
塩の薄膜は通常０．０１〜５μ、好ましくは００５〜（
）５μであるうえられた塩の薄膜（記録ＷＪ）は、長時間使用中に酸化
され性能が劣化する恐れがあるので、通常、保護層を設
けるうこの保護層（こ用いられる材料としては、レーザ
光に対して透明であり、機械的強度か大で、記録層と反
応しにくく被覆性が良いものであれば種々のものを使用
することができる。たとえば、無機材料としては、ＡＬ
０！、ＳｉＯＳｉｏ−１ＳｉＯ１％７．ｎ０１Ｍ　ｇＦ
　ｒ、Ｃｕ　Ｆ　ｒ　　などがあげられる。保護層の膜
厚は通常５０〜５０旧ＩＡ、好ましくは１０（１〜２旧
）ＯＡ　である。

また、光記録媒体による書込・消去を反’ｌｌ４、式に
行う場合には、反射層を設けることもある。

この反射層（こ用いられる材料としては銅、銀、アルミ
ニウムなどがあげられろう保護層および反射層の作成方法としては前記の真空蒸着
によって行うことかできる。

本発明の光記録媒体の構成を図に示すっ図においてｌは
基板、２は記録層および３は保護層である。

本発明の記録媒体は、レーザ光を照射することによって
書込・消去を行うっ光記録媒体に使用されるレーザ光としては、Ｎｔ　、［
（ｅ　　ｃａ　％Ａｒ、Ｈｅ　　Ｎｅｓ　　ルビー、半
導体、色素レーザなどがあげられる。好ましいものはＡ
　ｒ　、Ｈｅ−Ｎｅおよび半導体レーザであるっ光記録
媒体への書込・消去は次のように行うことかできる。

Ｃａｌ書込金属−シアノ基含有電子受容体の塩の薄膜（こレーザ光
を直径数十μｍ以下に絞ってパルス状をこ照射し、塩を
解離させて書込を行うっＬ、　　−ｆＪ）、皮１ｊ　ｊ
ｊ　１１丁（ｌ、１尾（ｔｌ　ｌ　〜（１，Ｈｌ＋　−
１カ；’ｃモー　ドで［車用されろっ１））ｆ１去１１：１へみＬｉｉこ々ν、体（こレーザ照’Ｈｉ’　
ｒ、：　１４　ＪＪｌｌ　２．”：・、たとえばｌ　３
０−１７ｔＪＣ，救十秒〜数分）（こより塩を再生させ
ろ、レーザＩＨ：（肘の場合１よ町硯光または赤外光で
、　、ｊｐ常０．１〜５ｓのビーム１↑で行われ、熱モ
ードで進行するっまｔ：、は、口１場２反・配させてδ
込を熱モード、ｌｉ′ｉ六を光モードで行うことも町ｎ
トであるうトイ３　ＪＪｌｌの光１記録媒体は下記式Ｅ
こよって書き込み、消去か行われるとそえられろっ　（
ただし。

弐番工金属としてＣｕを、／アノ裁含有電子受容体とし
てＴＣＮＱを用いた場合を示す）ｒＣｕ”（ＴＣＮＱ７
））！。

Ｃｕ０．　＋　ＣＣｕ”　ＣＴＣＮＱ”　）］　ｎ−，
＋　（ＴＣＮＱ’ｌ。

ここで左辺は青緑色、右辺は淡黄色に呈色するっ１実血例１以十実血ＩＴＡＩｉこより本発明をさも番こ説明するか
、本発明はこれに限定されろものではない。

実施例【厚さ１）のカラス基板上）こ１　（１−’丁Ｏｒｒの真
空度で銅を蒸着、これに続いてＴ（？ＮＱを％　７７ｆ
したっ真空中で１３０℃でυ１熱処理し、均質なＣｕ　
　Ｔ　Ｃｉ”Ｊ　Ｑ塩の簿膜を得た。これとＨｅ　−Ｎ
ｃＬ／　−４ｆ　ｉ　２μｍζニーｅｌＱハｔレス幅３
　ａ　ｓａｃ　、　　パルス開隔５ｚｓｅｃで試トド面
でのパワ〜を５ｚ〜゛）こして試料をＩＭ／ｓｅｃで移
動させなから記録したつ半導体レーザを用いて透過光を
光ダイオードで光の強弱を読取ったっ消去には、フォーカスを絞らないで、レーザ光を照射し
たつこれを１０回以上繰返すことによつ書込・消去にお
いて可逆性のあることを確認したつ実施例２厚さｌ　ｆｆのガラス基板上に１０−’丁０「「真空度
でＴＣＮＱを蒸着し、これに続いて銀を蒸着した。真空
系から取り出し１４０　℃で５分アニールし、銀の床護
層をもつ均質なＡｇ−ＴＣＮＱ塩の薄膜を得たつこれを
Ａ＋レーザでｌｐｍのビームｊソζこＬ１パルス幅３ａ
ｓｅｃ、パルス間隔５筑５ｅ（で試料面での）＜ワーを
３九Ｗにし、試料をＨｚ／ｓｅＣの速さで移動させなか
ら記録した。

次）ここれを半導体レーザ（７８ｆ３７Ｌｍ、）を用い
て照射すると消去することができた。書込・消去をこう
してｌり回以上繰返すことにより可逆性のあることを確
１認したつ実屯［列　３厚さ１ｍのガラス基板上にｔｏ−’丁Ｉ）＋ｒの真空度
でＴＣＮＱを真空蒸着し、続いて銅を真空、ｐ・音した
っ匹空系から取出Ｌ　１５　ｏ℃で１分アニールし、銅
の保、？ＱＪｆＶｔをもつ均質なＣｕ　　ＴＣＮＱ塩の
薄膜を得たつこれをＨｅ　−Ｎｃ　　レーザで５μｍノ
つビーム１子にＬ、ＸＦ）面とのパワーを７雇〜Ｖにし
て試料を１０フ７５ｃｃ　　の速さで移動させなから記
録したつ次昏こ試１′１を１５　ｔＩ　Ｃで１分間υ０
熱する二と）こより、書込まれたｔ、！ｉｌをＣ肖すこ
とかできｔ二っ　１電己の一１Ｆ込　の＋’Ｆ込　、１
１去操作を１サイクルとして、試１”）ツノ同一場所を
５サイクル以」ニ繰返して行うことができた。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体は下記の効果を奏するっ（１）膜を
薄くすることができ、電場を印加しなくてもレーザある
いは加熱のみで書込　消去かできろう（２）膜を薄くすることができるので低エイ・ルギーで
光酸化還元反応を可能番こする界面効果を利用下るもの
であるう（３）淋換え可能な光記録媒体であろっ（４）分解節が
大きいう

【図面の簡単な説明】

第１図は光記録媒体の断面図であるっ ■　　・・・・・　シち　板　　　　　　　　　２　・
・・・　Ｊｃ！　録１層３・・・・・保護層第１図手続補正用 ■（和５９年１０月分日！−シ・）゛）

Claims

【特許請求の範囲】１、基板、および物理蒸着法または化学蒸着法により形
成された金属−シアノ基含有電子受容体の塩の薄膜を必
須として構成されることを特徴とする光記録媒体。２、金属が銅および銀から成る群より選ばれる元素であ
る特許請求の範囲第１項記載の媒体。３、シアノ基含有電子受容体がテトラシアノキノジメタ
ン、テトラシアノナフトキノジメタン、ジクロロジシア
ノベンゾキノン、テトラシアノエチレン、ヘキサシアノ
ブタジエンおよびテトラシアノキノジメタンの誘導体か
ら成る群より選ばれる化合物である特許請求の範囲第１
項または第２項記載の媒体。４、基板上にて金属およびシアノ基含有電子受容体を物
理蒸着法または化学蒸着法によつて薄膜を形成し、蒸着
中あるいは蒸着後に基板を加熱して、基板上に金属塩の
薄膜を形成させることを特徴とする光記録媒体の製造法
。５、基板の加熱を７０〜２００℃で行う特許請求の範囲
第４項に記載の方法。６、物理蒸着法が真空蒸着法である特許請求の範囲第４
項または第５項に記載の方法。７、真空蒸着を、金属、シアノ基含有電子受容体の順、
またはシアノ基含有電子受容体、金属の順、またはそれ
らを交互に繰り返し多層を形成するように行う特許請求
の範囲第６項記載の方法。８、金属とシアノ基含有電子受容体を同時に真空蒸着を
行う特許請求の範囲第６項記載の方法。９、金属が銅および銀より成る群より選ばれる元素であ
る特許請求の範囲第４〜第８項のいずれか１項に記載の
方法。１０、シアノ基含有電子受容体がテトラシアノキノジメ
タン、テトラシアノナフトキノジメタン、ジクロロジシ
アノベンゾキノン、テトラシアノエチレン、ヘキサシア
ノブタジエン、およびテトラシアノキノジメタンの誘導
体から成る群より選ばれる化合物である特許請求の範囲
第４〜第９項のいずれか１項に記載の方法。１１、基板、および物理蒸着法または化学蒸着法により
形成された金属−シアノ基含有電子受容体の塩の薄膜を
必須として構成される光記録媒体に、電場をかけること
なく、レーザ光を照射するかまたは加熱することにより
書込または消去を行うことを特徴とする光記録媒体の使
用法。