JPS58203615A - 磁場感応素子を有するセンサとその製造方法 - Google Patents
磁場感応素子を有するセンサとその製造方法Info
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- JPS58203615A JPS58203615A JP58079225A JP7922583A JPS58203615A JP S58203615 A JPS58203615 A JP S58203615A JP 58079225 A JP58079225 A JP 58079225A JP 7922583 A JP7922583 A JP 7922583A JP S58203615 A JPS58203615 A JP S58203615A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本光明口磁場感応素子を薄膜状に支持する基板をイ」４
るしンサに関するものであり、磁場感応系１′４星板表
面に延在する溝の側壁に溶着し、必要な導線が磁場感応
素子の電気結線を外部回路に接続するために存在づるセ
ンサに関するものである。
るしンサに関するものであり、磁場感応系１′４星板表
面に延在する溝の側壁に溶着し、必要な導線が磁場感応
素子の電気結線を外部回路に接続するために存在づるセ
ンサに関するものである。
本発明はまた磁場感応素子を有するセンサを製造りる方
法に関づ゛るものである。磁場感応素子を４＋ ！Ｊ６
Ｌ：ンリは、Ａランダ国特許出願第７４０６９６２号に
記載されたものがあり、一定の形状を有する温を基板表
面に設けた後、補助層を溝の片側の基板表面および基板
と第１角にて溝の一方の壁に溶るし７、磁場感応材料層
を溝の片側の補助層およびＭ Ｍｉと第２角にて前記壁
に向かい合って存在する満９に溶着し、次いでその十に
存在する磁場感応材料＋ｉする補助層をエツチングによ
り取り除き、渦の ｈの壁に残存する磁場感応材料層を
電気導線に接続する製法が記載されている。
法に関づ゛るものである。磁場感応素子を４＋ ！Ｊ６
Ｌ：ンリは、Ａランダ国特許出願第７４０６９６２号に
記載されたものがあり、一定の形状を有する温を基板表
面に設けた後、補助層を溝の片側の基板表面および基板
と第１角にて溝の一方の壁に溶るし７、磁場感応材料層
を溝の片側の補助層およびＭ Ｍｉと第２角にて前記壁
に向かい合って存在する満９に溶着し、次いでその十に
存在する磁場感応材料＋ｉする補助層をエツチングによ
り取り除き、渦の ｈの壁に残存する磁場感応材料層を
電気導線に接続する製法が記載されている。
向かい合って位置する渦の両側の壁がさらに基板表面に
斜めに延在する角瓜にて蒸着を用いるん払において、一
方の壁のシャドウ効果を用いると同時に他方の壁に均一
な厚さの磁場感応素ｆ合設置プることはできない。これ
は、既知の方法によ・〕て製造したセンサが基板表面に
対して直角に延白し均一な厚さを右する磁場感応素子を
有づることかできないことを意味している。しかし、多
くの応用に対しては垂直位置は必要であり、その理由は
そのときだけ磁場の一定の成分を測定することができる
からである。素子の斜めの位置を用いると、基板表面が
もはや一直線の参照としＣ役立つことができないので、
これをなすことはでさない１、ある角度で蒸着を用いる
方法の欠点はさらに、ｖＡｉ感応素子の高さを正確に調
節することができないことである。０．５μｍの幅は５
ミクロン以ｌ・の高さを有する素子を寸分正確に製造す
ることができないことを考慮しなければならない。５ミ
クロン以下、特に１ミクロン以下の高さの磁場感応素子
を有するセンサは、しかし、ミクロン範囲のごく小さい
範囲に及ぶ磁場を測定する必要がある。
斜めに延在する角瓜にて蒸着を用いるん払において、一
方の壁のシャドウ効果を用いると同時に他方の壁に均一
な厚さの磁場感応素ｆ合設置プることはできない。これ
は、既知の方法によ・〕て製造したセンサが基板表面に
対して直角に延白し均一な厚さを右する磁場感応素子を
有づることかできないことを意味している。しかし、多
くの応用に対しては垂直位置は必要であり、その理由は
そのときだけ磁場の一定の成分を測定することができる
からである。素子の斜めの位置を用いると、基板表面が
もはや一直線の参照としＣ役立つことができないので、
これをなすことはでさない１、ある角度で蒸着を用いる
方法の欠点はさらに、ｖＡｉ感応素子の高さを正確に調
節することができないことである。０．５μｍの幅は５
ミクロン以ｌ・の高さを有する素子を寸分正確に製造す
ることができないことを考慮しなければならない。５ミ
クロン以下、特に１ミクロン以下の高さの磁場感応素子
を有するセンサは、しかし、ミクロン範囲のごく小さい
範囲に及ぶ磁場を測定する必要がある。
例えば、磁気バブルの漂遊磁場を測定するかまたは磁気
７＼ツドの記録磁場を測定する。
７＼ツドの記録磁場を測定する。
また１記のことは、蒸着素子の下縁を溝の底から少なく
とも０．５ミクロンの空間に設け、磁場感１、ｉ、、’
ｔ４利か溝の底に溶着しないようにしなければなら１．
イい３．実際に、この材料は補助層をす７１へする際に
除去されむい。この場合、素子は一平面に位置しない２
つの部分から成り、従って異なる方向をｈづる磁場成分
に感応づ−る。このよに素子の高さ４調節づるために（
正確につり合った）溝の深さ４使用することは不可能で
ある。
とも０．５ミクロンの空間に設け、磁場感１、ｉ、、’
ｔ４利か溝の底に溶着しないようにしなければなら１．
イい３．実際に、この材料は補助層をす７１へする際に
除去されむい。この場合、素子は一平面に位置しない２
つの部分から成り、従って異なる方向をｈづる磁場成分
に感応づ−る。このよに素子の高さ４調節づるために（
正確につり合った）溝の深さ４使用することは不可能で
ある。
本発明はり椴表面に対して少なくともほぼ垂直に延在す
る満の側壁の全高を越えて均一な厚さに溶るしたｖＡｍ
感応素子を有するセンサを提供するしのである。本発明
によれば、極めて正確に調節（さ、極小の高さ寸法と高
抵抗値を有する「垂直」センサへの通か開かれる。
る満の側壁の全高を越えて均一な厚さに溶るしたｖＡｍ
感応素子を有するセンサを提供するしのである。本発明
によれば、極めて正確に調節（さ、極小の高さ寸法と高
抵抗値を有する「垂直」センサへの通か開かれる。
本発明はまた基板表面に延在する溝壁に設けた磁場感応
素子を有するセンサを製造する方法に関づるものである
。
素子を有するセンサを製造する方法に関づるものである
。
本発明による方法は、次の工程により：反応性イオンエ
ツチングプロしスによ）で、Ｕ板表面に対して少なくと
もほぼ垂直に延在づる側壁を有し、設置される磁場感応
素子の所望の高さに相当する深さを有する溝を基板に設
け；磁場感応材料層を、基板表面全体゛および溝のＩＩ
（および壁に溶着し； 基板表面および溝底に設けた層を、基板表面）−横断し
て入射するイオンビームを用いるイ４ンｌッチングプロ
セスによって除去し、磁場感応８１１層は溝壁に対して
残し； ２個の接続コンダクタを設は溝壁の−ｈに溶着した磁場
感応材料層の２部分に電気的に接続りることを特徴どす
る。
ツチングプロしスによ）で、Ｕ板表面に対して少なくと
もほぼ垂直に延在づる側壁を有し、設置される磁場感応
素子の所望の高さに相当する深さを有する溝を基板に設
け；磁場感応材料層を、基板表面全体゛および溝のＩＩ
（および壁に溶着し； 基板表面および溝底に設けた層を、基板表面）−横断し
て入射するイオンビームを用いるイ４ンｌッチングプロ
セスによって除去し、磁場感応８１１層は溝壁に対して
残し； ２個の接続コンダクタを設は溝壁の−ｈに溶着した磁場
感応材料層の２部分に電気的に接続りることを特徴どす
る。
磁場感応材料層を、溝壁全部の底を含む基板表面全体に
、蒸着またはスパッタリングによって１−全体に」設け
ることができる。溝壁全部を被覆づるので、磁場感応材
料を基板表面と斜めの角度で設けるシｉ？ドウ技術を使
用する必要がないが、磁場感応材料は基板に向かい合っ
て配置した電極からのスパッタリングによって設置ノる
と有利である１゜ ｉ／Ａンヒームによる次のエツチングプロセスは基板表
面および溝底の材料全部を取り除くことを１１能にりる
一ｈ、溝壁は既知の方法によるようなリノｌ−Ａフ技術
によって補助層を除去する必要が／、ｉく被覆されたま
まにしでおく。この結果、既知の方法の使用に由来する
磁場感応素子の摩損が回避される。
、蒸着またはスパッタリングによって１−全体に」設け
ることができる。溝壁全部を被覆づるので、磁場感応材
料を基板表面と斜めの角度で設けるシｉ？ドウ技術を使
用する必要がないが、磁場感応材料は基板に向かい合っ
て配置した電極からのスパッタリングによって設置ノる
と有利である１゜ ｉ／Ａンヒームによる次のエツチングプロセスは基板表
面および溝底の材料全部を取り除くことを１１能にりる
一ｈ、溝壁は既知の方法によるようなリノｌ−Ａフ技術
によって補助層を除去する必要が／、ｉく被覆されたま
まにしでおく。この結果、既知の方法の使用に由来する
磁場感応素子の摩損が回避される。
接続１ンダクタは基板表面にスパッタリング、蒸義よｌ
こは電気めっきによってあとで設けられるが、ｍ ｄｉ
表面に沈む間に先に設けることが好ましい。
こは電気めっきによってあとで設けられるが、ｍ ｄｉ
表面に沈む間に先に設けることが好ましい。
このために、本発明による方法の実施例は、設置される
磁場感応素子の所望の幅に相当する間隔を少りくとも１
個所に有づる２個のチャンネルを、基板表面にエツチン
グし、チャンネルを導電性材料（充てんし、反応性イオ
ンエツチングプロレス（二重・）２個のチャンネルと前
記個所を共に横切つて延イＩ’−Ｊる壁を有する溝を基
板表面に］−ツヂングツることを特徴とする。
磁場感応素子の所望の幅に相当する間隔を少りくとも１
個所に有づる２個のチャンネルを、基板表面にエツチン
グし、チャンネルを導電性材料（充てんし、反応性イオ
ンエツチングプロレス（二重・）２個のチャンネルと前
記個所を共に横切つて延イＩ’−Ｊる壁を有する溝を基
板表面に］−ツヂングツることを特徴とする。
垂直壁を有する溝を及応性イオンＬツチングノ′ロセス
によって基板にエツチングすることができる事実に基づ
く上記方法を用いることに五つ（、基板表面に垂直に延
在し均一な厚さを科する溝壁にのみ溶着するだけでなく
、さらに基板表面の１センネルに溶着した２個の］ンダ
クタと電気接触する磁場感応素子が得られる。そこでこ
れにより所望のセンサを製造する。
によって基板にエツチングすることができる事実に基づ
く上記方法を用いることに五つ（、基板表面に垂直に延
在し均一な厚さを科する溝壁にのみ溶着するだけでなく
、さらに基板表面の１センネルに溶着した２個の］ンダ
クタと電気接触する磁場感応素子が得られる。そこでこ
れにより所望のセンサを製造する。
すでに溶着した磁場感応層に保護層（ｆｊ束）を設（Ｊ
るために、上述のプロセスの最後の２段階を問題の保護
材料を用いてくり返すことがでさる、１上記方法は磁場
感応素子の高さがその厚さよりも十分に大きい限り良い
結果を導く。しかし、これが等しい次数、すなわらナノ
メーターの範囲になる場合、問題が起る。しかし、本発
明はまた前記問題を避ける極めてうまい方法を提供づる
。
るために、上述のプロセスの最後の２段階を問題の保護
材料を用いてくり返すことがでさる、１上記方法は磁場
感応素子の高さがその厚さよりも十分に大きい限り良い
結果を導く。しかし、これが等しい次数、すなわらナノ
メーターの範囲になる場合、問題が起る。しかし、本発
明はまた前記問題を避ける極めてうまい方法を提供づる
。
このために、磁場感応素子を有するセンサを製造りる本
発明による方法の別の方法は、磁ｍ感応（イ籾層を基板
表面に溶着し、誘電材料層を前記層（ご溶指し、基板表
面に対しＣ少なくともほぼ垂直に延在づる壁を右りる溝
を、反応性イオンＬツチングｌロセスによって誘電材料
層に設け、この溝は毎に界應１，６祠斜層に達しておら
ず、溝壁をマスキング材料層で被覆し、誘電材料層を磁
場感応材料―ま（エツチングして除去し、その結果マス
４ング＋４１１のＩ自を有する突出部が磁場感応材料上
に残り、磁場感応材料層をマスクとして突出部を用いる
］ツチングプロセスによって構成することを特徴とする
。
発明による方法の別の方法は、磁ｍ感応（イ籾層を基板
表面に溶着し、誘電材料層を前記層（ご溶指し、基板表
面に対しＣ少なくともほぼ垂直に延在づる壁を右りる溝
を、反応性イオンＬツチングｌロセスによって誘電材料
層に設け、この溝は毎に界應１，６祠斜層に達しておら
ず、溝壁をマスキング材料層で被覆し、誘電材料層を磁
場感応材料―ま（エツチングして除去し、その結果マス
４ング＋４１１のＩ自を有する突出部が磁場感応材料上
に残り、磁場感応材料層をマスクとして突出部を用いる
］ツチングプロセスによって構成することを特徴とする
。
この／ｊ法Ｃ実現される磁場感応材料の線構造は、ｆ
ＩＩＩ ｔｘスの初期に溶着した層の厚さに相当する高
さお上び溝壁に溶着した導電層の厚さに相当するＩＩ８
！さをｈする。３０〜４０ｎｌｌｌ程度の薄い層の厚さ
を容易に実現することができるので、磁場感応素子をｈ
−１７数１ｎｍの高さと厚さの寸法をｈするセンサを本
発明による方法によって実現することができる。
ＩＩＩ ｔｘスの初期に溶着した層の厚さに相当する高
さお上び溝壁に溶着した導電層の厚さに相当するＩＩ８
！さをｈする。３０〜４０ｎｌｌｌ程度の薄い層の厚さ
を容易に実現することができるので、磁場感応素子をｈ
−１７数１ｎｍの高さと厚さの寸法をｈするセンサを本
発明による方法によって実現することができる。
（イ利と基板を正しく選択づると、数上程麿の単一のた
めの一１法（３ｎｍ）も可能である。
めの一１法（３ｎｍ）も可能である。
以下、図面に基づき本発明実施例を詳細ｋＴ １２明づ
る。
る。
本発明によるセンサを実現するために、フｓ ｌ−リト
グラフ法に、よって、（透明な）ＳｉＯ２，ｈｉ＆１に
、反応性イオンエツチング（ＰＩＦ）によくヂＶンネル
３をエツチングするためのンスクとして役立つラッカー
パターン２を設ける（第１８、ｌ ｂ図）。次いでラッ
カーパターン２１よアルミ−ラム４の蒸着によって１ツ
チングした満３を光（んする際に［リフトされる１基板
として役＼″ｔつ（第１０．１ｄ図）。溝３を充てんづ
るための他の適当な材料の例はＡＵである。
グラフ法に、よって、（透明な）ＳｉＯ２，ｈｉ＆１に
、反応性イオンエツチング（ＰＩＦ）によくヂＶンネル
３をエツチングするためのンスクとして役立つラッカー
パターン２を設ける（第１８、ｌ ｂ図）。次いでラッ
カーパターン２１よアルミ−ラム４の蒸着によって１ツ
チングした満３を光（んする際に［リフトされる１基板
として役＼″ｔつ（第１０．１ｄ図）。溝３を充てんづ
るための他の適当な材料の例はＡＵである。
第２ａ図はコンダクタ材料で充てんした２個のこのよう
なチャンネル６．７を設けた基板５を小づ図である。こ
のようにして得た構造にフォトリトグラフ法によってラ
ッカーパターンを設（Ｊる１、このパターンに、Ｒｌｒ
によって、■ツヂング用ンスクとして溝８を用い、この
中に磁場感応−Ａｒを設ける。素子の操作上の幅Ｗを２
チヤンネル（ｉ、７間の距離によって決定し、高さをエ
ツチングしＩＪ渦と３の深さによって決定する（第３ｂ
図）。
なチャンネル６．７を設けた基板５を小づ図である。こ
のようにして得た構造にフォトリトグラフ法によってラ
ッカーパターンを設（Ｊる１、このパターンに、Ｒｌｒ
によって、■ツヂング用ンスクとして溝８を用い、この
中に磁場感応−Ａｒを設ける。素子の操作上の幅Ｗを２
チヤンネル（ｉ、７間の距離によって決定し、高さをエ
ツチングしＩＪ渦と３の深さによって決定する（第３ｂ
図）。
−ノツカー４除いた後、磁場感応材料層９（Ｎｉｃｅま
たはＮ１ＣＯ）を基板５の表面に溶もする７１次いで前
記層を再度、スバツタエッチンソ、したはＲ，ｒ、Ｅに
よって、例えばスパッタリング装メで基板と電極との間
の電圧を逆転することＧＪ、 Ｊ、 −）−’Ｃ除ムす
る。第２Ｃ図は満８をエツチングしＩ、：後ｊ′ルミニ
ウムを残した状態を示しており、満と３の ｌｊの壁は
いわばチｔ７ンネル６．７を迂回しＣいる。、ｉＭ８は
基板５の全幅にわたって延在する３、この／ｊ払の結束
、■ツヂング後、磁場感応月利１０は１に８の壁に残留
し、基板５に設けたコンブ９タロ、７に電気的に接触す
る（第３ｂ図）。最ｊ（（ご、磁場感応素子１０を、磁
場感応材料９の代り＋Ｊ絶縁＋Ａ１１（例えばＳｉ ０
２ ）を用いて上記方法をくり返して絶縁することかで
きる（第４ａ。
たはＮ１ＣＯ）を基板５の表面に溶もする７１次いで前
記層を再度、スバツタエッチンソ、したはＲ，ｒ、Ｅに
よって、例えばスパッタリング装メで基板と電極との間
の電圧を逆転することＧＪ、 Ｊ、 −）−’Ｃ除ムす
る。第２Ｃ図は満８をエツチングしＩ、：後ｊ′ルミニ
ウムを残した状態を示しており、満と３の ｌｊの壁は
いわばチｔ７ンネル６．７を迂回しＣいる。、ｉＭ８は
基板５の全幅にわたって延在する３、この／ｊ払の結束
、■ツヂング後、磁場感応月利１０は１に８の壁に残留
し、基板５に設けたコンブ９タロ、７に電気的に接触す
る（第３ｂ図）。最ｊ（（ご、磁場感応素子１０を、磁
場感応材料９の代り＋Ｊ絶縁＋Ａ１１（例えばＳｉ ０
２ ）を用いて上記方法をくり返して絶縁することかで
きる（第４ａ。
・１１）図）。
本弁明による方法の他の実施例を第５〜１２図に小慎。
１、〜さ１ミク［］ンの石英層を化学蒸着（ＣＶＤ）に
五つＣ（シリコンの）Ｍ板２０に設りる１、（ｌさｌ−
Ｕ＋Ｊの磁場感応導電材料層２２を前記層に設（Ｊる。
五つＣ（シリコンの）Ｍ板２０に設りる１、（ｌさｌ−
Ｕ＋Ｊの磁場感応導電材料層２２を前記層に設（Ｊる。
スパッタ溶着または蒸着は薄層２２を設（］るために特
に適した方法である。マスクを、７Ｉ＋〜リトグラフ法
によって層２２に設け、ホール２３を第５ａ 、５ｂ図
に示すようにコンダクタ層２２に］、ツチング覆る。使
用した■ツーインクＩＪ ’ｒＬは湿式化学方法である
が、スパッタ１ツチングまたは反応性イオンエツヂング
（ＲＩ ｌ）ｂ；！た用いられる。
に適した方法である。マスクを、７Ｉ＋〜リトグラフ法
によって層２２に設け、ホール２３を第５ａ 、５ｂ図
に示すようにコンダクタ層２２に］、ツチング覆る。使
用した■ツーインクＩＪ ’ｒＬは湿式化学方法である
が、スパッタ１ツチングまたは反応性イオンエツヂング
（ＲＩ ｌ）ｂ；！た用いられる。
Ｈ，ｆリブデンー金−モリブデンリンドウｒソｆ（約３
０００人の厚さ）を層２２にスパッタした後、接触領域
２４．２４′ を、小トリトゲラフ方法、例 １えば
湿式化学エツチングによって形成づる。Ｉａ触領領域２
４２４′ 間の距離、従−）Ｃ磁場感応素子の操作長さ
をマスクによって変えることかて゛さる。
０００人の厚さ）を層２２にスパッタした後、接触領域
２４．２４′ を、小トリトゲラフ方法、例 １えば
湿式化学エツチングによって形成づる。Ｉａ触領領域２
４２４′ 間の距離、従−）Ｃ磁場感応素子の操作長さ
をマスクによって変えることかて゛さる。
■、数゛１ミク［コンから精々１ミク【］ンまＣのＪ！
、ｌさを有づる石英の誘電層２５を次いで溶着する１３
次いて・小１〜リトグラフＴ稈を内爪（１って、層２２
に小−ル２３をエツチングづるために必要であったと１
０１しフッカ−パターンを設ける。このパターンを配列
りると同時に層２２のパターンに関しく（吊か（こジッ
トさせる。このラッカーパターンは、ＣＩＩ Ｉ’ Ｓ
／△１゛ガス混合物において反応性イオン１ソ１ング
（ＲＩＥ）によって、■に敷いた５ｒｏ２層２５に異方
性をしって移動づる。形成した７７％２８の壁２６．２
７は垂直である。）茜２８の深さは精々層２５）の厚さ
に等しい。層２５をエツチングづる間に層２２に達する
ことが確実に避けられるイｆらは、満２８は全く層２２
に達しでいないことが法器される。
、ｌさを有づる石英の誘電層２５を次いで溶着する１３
次いて・小１〜リトグラフＴ稈を内爪（１って、層２２
に小−ル２３をエツチングづるために必要であったと１
０１しフッカ−パターンを設ける。このパターンを配列
りると同時に層２２のパターンに関しく（吊か（こジッ
トさせる。このラッカーパターンは、ＣＩＩ Ｉ’ Ｓ
／△１゛ガス混合物において反応性イオン１ソ１ング
（ＲＩＥ）によって、■に敷いた５ｒｏ２層２５に異方
性をしって移動づる。形成した７７％２８の壁２６．２
７は垂直である。）茜２８の深さは精々層２５）の厚さ
に等しい。層２５をエツチングづる間に層２２に達する
ことが確実に避けられるイｆらは、満２８は全く層２２
に達しでいないことが法器される。
Ｖ、ノ’ｌ！ンゾリを、スパッタリングによって、例え
ばｔすｊテン２９のマスキング層２５で被覆する。
ばｔすｊテン２９のマスキング層２５で被覆する。
１品２８の急こう配の側壁をモリブデンによって被覆り
る（第８図）。前記側壁コーティングの厚さ（Ｊ選択し
たスパッタ条ｆ［に依存し、例えば表面（測定する層の
厚さ［２の半分である。側壁−１−ｊインクの厚さｔ３
は磁場感応素子の最終の幅を決定する。
る（第８図）。前記側壁コーティングの厚さ（Ｊ選択し
たスパッタ条ｆ［に依存し、例えば表面（測定する層の
厚さ［２の半分である。側壁−１−ｊインクの厚さｔ３
は磁場感応素子の最終の幅を決定する。
■０表面のモリブデン層を、第９図に示し、た状態に由
来するＣ Ｆ ４ ／ ０２プラズマのＲＩＥに上って
（異方性をもって）エツチングする。
来するＣ Ｆ ４ ／ ０２プラズマのＲＩＥに上って
（異方性をもって）エツチングする。
ｖｌ、側壁２Ｇのモリブデンをマスクとして用い、異方
性をもって誘電５１０２Ｍ２５を］ツチングする（ に
ＨＦ ３ ／Ａ ｒプラズマのＲｆＦ）（第１０図）
。下に敷いた磁場感応層２２は１−ツヂング欣をストッ
プさせるのに役立つ。
性をもって誘電５１０２Ｍ２５を］ツチングする（ に
ＨＦ ３ ／Ａ ｒプラズマのＲｆＦ）（第１０図）
。下に敷いた磁場感応層２２は１−ツヂング欣をストッ
プさせるのに役立つ。
ＶＵ、１ｉ７られた突出部３８を磁場感応層２２を組１
’／てるためのマスクとして用いる（第１１．１２図）
、、神々の１ノ法が用いられる。どの方法を選ぶが中波
なことは、再溶着が最小であることくある１、ｔ“１に
層２２を形成する都合の良い方七去を次に示ヴ：反応性
イオンエツチング：この場合、気体反応生成物を排出げ
ろので再溶首は起こらない。
’／てるためのマスクとして用いる（第１１．１２図）
、、神々の１ノ法が用いられる。どの方法を選ぶが中波
なことは、再溶着が最小であることくある１、ｔ“１に
層２２を形成する都合の良い方七去を次に示ヴ：反応性
イオンエツチング：この場合、気体反応生成物を排出げ
ろので再溶首は起こらない。
勿論、条件は構成される層が気体反応生成物を形成づる
だけであることである。
だけであることである。
イオン摩砕：これは入射角が標準のスパッタエツチング
の通常の９０°からそれるイオンじ一ムスバッタ］ツチ
ングぐある。正しい角ａをｉｆｆふことにＪ、つＣダム
の側壁」−ティングを防ぐことができる。この方法をさ
らに一般に用いることができる。
の通常の９０°からそれるイオンじ一ムスバッタ］ツチ
ングぐある。正しい角ａをｉｆｆふことにＪ、つＣダム
の側壁」−ティングを防ぐことができる。この方法をさ
らに一般に用いることができる。
最後に、モリブデンマスクを除去する。湿式化学１ツノ
７ング除ムが可能であるが、［乾燥］エッヂジグ？人、
例えばＧ Ｆ ４ ／ ０２のＲＩ Ｅまたはプレス、
ｔ エツチングを用いるとよい。
７ング除ムが可能であるが、［乾燥］エッヂジグ？人、
例えばＧ Ｆ ４ ／ ０２のＲＩ Ｅまたはプレス、
ｔ エツチングを用いるとよい。
第１３ａ図はＳｉ ０２の基板３０の透視図であり、０
：Ｌ−２（ｔｍの所定の深さｈと垂直の側壁３２．３
３台−イ１りる満３１を１ツチングする。さらに基板３
０は）Ｊルミ＝Ｃ″ツムで充てんした２個のチャンネル
３４．３！＋４イ］ ｃｌる。壁３２と壁３３を６００
人厚さの磁場感応４４籾ＰＩｉ３６て？＆覆する。壁３
２のｆＩｉ場゛感応材料層３６は））ルミーウ１１光（
んチャンネル３４．３５に電気的に接触し、その結果、
接続］ンダクタとして働くチ蒐・ンネル３４．３５間の
活性部分３７を有覆る磁場感応系ｊ′を形成りる。比較
的良さが短い活性部分３７にしかかわらヂ、音３２のＭ
３６によって形成した磁場感応水子はその全体において
、磁化容易軸（ＥＡ）かｋ ｔ’の縦軸に平行Ｃあるこ
とを確かめるのに十５′！な長さをイＪする。
：Ｌ−２（ｔｍの所定の深さｈと垂直の側壁３２．３
３台−イ１りる満３１を１ツチングする。さらに基板３
０は）Ｊルミ＝Ｃ″ツムで充てんした２個のチャンネル
３４．３！＋４イ］ ｃｌる。壁３２と壁３３を６００
人厚さの磁場感応４４籾ＰＩｉ３６て？＆覆する。壁３
２のｆＩｉ場゛感応材料層３６は））ルミーウ１１光（
んチャンネル３４．３５に電気的に接触し、その結果、
接続］ンダクタとして働くチ蒐・ンネル３４．３５間の
活性部分３７を有覆る磁場感応系ｊ′を形成りる。比較
的良さが短い活性部分３７にしかかわらヂ、音３２のＭ
３６によって形成した磁場感応水子はその全体において
、磁化容易軸（ＥＡ）かｋ ｔ’の縦軸に平行Ｃあるこ
とを確かめるのに十５′！な長さをイＪする。
第１３ｂ図はＳｉ ０２の層４１で被覆するシリｌシＭ
仮４０の透視図である。前記工〜■に述ｌ＼たＩＰ；」
によつＣ，磁場感応索子４２を、表面４３に直角にＬ７
ｔシ、極小の高さと幅寸法を有する基板にｂシ【ノる。
仮４０の透視図である。前記工〜■に述ｌ＼たＩＰ；」
によつＣ，磁場感応索子４２を、表面４３に直角にＬ７
ｔシ、極小の高さと幅寸法を有する基板にｂシ【ノる。
また接続」ンタクタ４４．４４′ を外部回路に＄−＋
’１２を接続σるために示す。憧めて微細な構造の木ｔ
′４２はこの複雑な照射］Ｖ程を８鮫とζること＜ｉ
＜ ｉ！４られる。
’１２を接続σるために示す。憧めて微細な構造の木ｔ
′４２はこの複雑な照射］Ｖ程を８鮫とζること＜ｉ
＜ ｉ！４られる。
磁場感応系子は常にＬ文を参照しくさた。、：ｔ（は磁
気抵抗素子とボール素子の両方を意味づるど解されたい
。
気抵抗素子とボール素子の両方を意味づるど解されたい
。
磁場感応系子をイ１するゼンリは第１３ａまたはＩ）図
に示４＋＃Ｉｉ造をｈ−σるかまたは磁気縦鉄の一部を
形成し、イのリムは磁気−７ラツクスを吸収し、これを
磁場感応素子に導く。
に示４＋＃Ｉｉ造をｈ−σるかまたは磁気縦鉄の一部を
形成し、イのリムは磁気−７ラツクスを吸収し、これを
磁場感応素子に導く。
第７−１１図におい−Ｃ，誘電層２５はまたＳＩＯ・の
マスキング層２９と組合ぜたポリマー（例えば映１ヒフ
４トシッノノー〉から成る。この刊ｌこ；は、ＪＳリマ
ーを低１ｉ１１０ミリバールの大きさ程度）の０反応性
イオン［ツｆ−ングプラズマにより、簡単な１）１人（
・高率で貸方性をもってエツチングすることか（さるこ
とにある。ポリマーとＳｉ ０２との間（、ニＨＩめ（
大きいエツチング差を達成することがでさる（例えば７
ｊノクタ ７００）。
マスキング層２９と組合ぜたポリマー（例えば映１ヒフ
４トシッノノー〉から成る。この刊ｌこ；は、ＪＳリマ
ーを低１ｉ１１０ミリバールの大きさ程度）の０反応性
イオン［ツｆ−ングプラズマにより、簡単な１）１人（
・高率で貸方性をもってエツチングすることか（さるこ
とにある。ポリマーとＳｉ ０２との間（、ニＨＩめ（
大きいエツチング差を達成することがでさる（例えば７
ｊノクタ ７００）。
第１ａ、ｌｂ、ｌｃ、Ｉｄ図はニコンダクタ材料（光で
／しした基板にチャンネルを設ける連続した／１１稈を
小へ１を示ず断面図であり、第２７１図（１第１図に示
した方法で中に設けた２個の１ｔ・ンネルをイＪりる基
板の平面図であり、り３２１１図は細長い溝を基板に１
−、ツチングした後の第２ａ図の同様の平面図であり、 第２Ｃ図は溝壁を磁場感応材料で被覆した後の第２ｂ図
と同様のψｍ１図であり、 第３ａ 、３ｂ図は磁場感応材料層を用いて溝壁を被覆
するゾ［’ｌ Ｌスの連続した２工程での第２ｂ図のＷ
ＭＡの線Ａ−Ａ’の断面図であり、第４ａ、、１ｂ図
（ユ溝ツの磁場感応層の保護層を設（］る連続した２Ｉ
−程Ｃの第２ｃ図の基板の線■ｖ−ＩＶの断面図であり
、 第５〜１２図は極小寸法の磁場感応素子に導く神々の段
階ｅの基板の断面図であり、 第１３図は本発明によるセンサの概略図である。 １・・・５ｉ０２１ｉ板 ２・・・ラッカーパター
ン３・・・ブｔ７ンネル ４・・・アルミニウム
５・・・Ｉ＆６．．７・・・ヂャンネル８・・・満
９・・・磁場感応材料１０・・・磁ＪＪ
ＩＩ！感応素子 １１・・・絶縁材２０・・・基板
２１・・・石英層２２・・・１＆場感応
Ｓ電祠料層 ２３・・・ホール ２４．２４’・・・接触
領域２５・・・層 ２６．２７・・・壁
２８・・・満 ２９・・・モリブデン３
０・・・基板 ３２．３３・・・壁３４、
３５・・・ＪＴ／ンネル ３６・・・磁場感応材料層
３７・・・活性部分 ３８・・・突、ＥＩ部４
０・・・基板 ４１・・・層・４２・・・
磁１ｄ感応素子 ４３・・・表面４４、４４’ ・
・・接続コンダクタ。
／しした基板にチャンネルを設ける連続した／１１稈を
小へ１を示ず断面図であり、第２７１図（１第１図に示
した方法で中に設けた２個の１ｔ・ンネルをイＪりる基
板の平面図であり、り３２１１図は細長い溝を基板に１
−、ツチングした後の第２ａ図の同様の平面図であり、 第２Ｃ図は溝壁を磁場感応材料で被覆した後の第２ｂ図
と同様のψｍ１図であり、 第３ａ 、３ｂ図は磁場感応材料層を用いて溝壁を被覆
するゾ［’ｌ Ｌスの連続した２工程での第２ｂ図のＷ
ＭＡの線Ａ−Ａ’の断面図であり、第４ａ、、１ｂ図
（ユ溝ツの磁場感応層の保護層を設（］る連続した２Ｉ
−程Ｃの第２ｃ図の基板の線■ｖ−ＩＶの断面図であり
、 第５〜１２図は極小寸法の磁場感応素子に導く神々の段
階ｅの基板の断面図であり、 第１３図は本発明によるセンサの概略図である。 １・・・５ｉ０２１ｉ板 ２・・・ラッカーパター
ン３・・・ブｔ７ンネル ４・・・アルミニウム
５・・・Ｉ＆６．．７・・・ヂャンネル８・・・満
９・・・磁場感応材料１０・・・磁ＪＪ
ＩＩ！感応素子 １１・・・絶縁材２０・・・基板
２１・・・石英層２２・・・１＆場感応
Ｓ電祠料層 ２３・・・ホール ２４．２４’・・・接触
領域２５・・・層 ２６．２７・・・壁
２８・・・満 ２９・・・モリブデン３
０・・・基板 ３２．３３・・・壁３４、
３５・・・ＪＴ／ンネル ３６・・・磁場感応材料層
３７・・・活性部分 ３８・・・突、ＥＩ部４
０・・・基板 ４１・・・層・４２・・・
磁１ｄ感応素子 ４３・・・表面４４、４４’ ・
・・接続コンダクタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁場感応素子を基板表面に延在する溝の側壁に溶着
し、必装な導線が外部回路（こ磁場感応素子の電気接続
を与えるために存αづる、薄膜状の磁場感応素子を支持
する基板をイ１づるセンサにおいて、 基板表面に対して少なくともほぼ垂直に延在する溝の側
壁の全高を越えて均一なＪＶさに磁場感応素子を溶着す
ることを特徴とする磁場感応素子を有するセンサ。 ２、基板表面に延在する溝の側壁に溶着づる磁場感応素
子を有するセンサを製造づる７Ｊ仏において、 反応性イオンエツチングプロセスによって、基数表面に
対して少なくともほぼ垂直に延（［づる側壁を有し、設
置される磁場感応素子の所望の高さに相当する深さを有
する溝を基数に設け： 磁場感応材料層を全基板表面および溝の壁Ｊメよび底に
溶着し； 星数表面および溝底にスパッタリングした層を、基板表
面に横断して入射するイオンビームを用いるイオンエツ
チングプロセスによ・］Ｃ除去し、磁場感応材料層は溝
壁に対して残し： ２個の接続コンダクタを設は溝壁の一方にスパッタリン
グした磁場感応材料層の２部分に電気的に接続すること
を特徴とづる磁場窓ＩＬ ｋ Ｆ ４！：ｌ＋するセン
サの製造方法。 ３、設置される磁場感応素子の所望の幅に相当づる間隔
を少なくとも１個所に有する２個のｆｌｙンネルを基板
表面にエツチングし、これらｆ−ｔ＝ンネルを導電性材
料で充てんし、２個のチレンネルと前記個所とに治って
延在する壁’ｆａ４７ ？ｌる溝を、反応性イオンエッ
チングプ１］セスによっ−（Ｉ板表面にコツチングする
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、磁場感応材料層を基板表面に溶着し、−誘電材料層
を前記層に溶着し、 基板表面に対して少なくともほぼ重信に延在する壁を有
する渦を、反応性イＡン丁−ツｆングプロセスによって
誘電材料層に設け、こ′の溝は磁場感応材料層に達して
おらず、溝壁をマスキング材料層で被覆し、 誘電材料層を磁場感応材料層よで゛エラ１ングして除き
、その結果磁場感応材料１にマスキング材料の頂を有す
る突出部が残り、磁場感応材料層をマスクとして突出部
を用いる」−ツチングプロセスによって構成することを
特徴とする磁場感応素子を有寸るセンサの製造方法。 ５、必要な導線が外部回路に磁場感応素子の電気接続を
与えるために存在する薄膜状の磁場感応素子を支持する
り根を有するセンサにおいて、 磁場感応素子ｈ（基板表面に対し−（少なくともほぼ重
直に延在することを特徴とする磁場感応ＡＦを有するセ
ンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8201846 | 1982-05-06 | ||
| NL8201846A NL8201846A (nl) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | Sensor met een magneetveldgevoelig element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58203615A true JPS58203615A (ja) | 1983-11-28 |
Family
ID=19839687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58079225A Pending JPS58203615A (ja) | 1982-05-06 | 1983-05-06 | 磁場感応素子を有するセンサとその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4568906A (ja) |
| EP (1) | EP0094126B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58203615A (ja) |
| DE (1) | DE3362114D1 (ja) |
| NL (1) | NL8201846A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4683535A (en) * | 1985-04-02 | 1987-07-28 | Stichting Centruum Voor Micro Electronika Twente | Thin film magnetometer |
| US4782414A (en) * | 1987-07-28 | 1988-11-01 | International Business Machine | Magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth |
| US5256249A (en) * | 1991-09-17 | 1993-10-26 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor |
| EP0661733A2 (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-05 | International Business Machines Corporation | One dimensional silicon quantum wire devices and the method of manufacture thereof |
| US5756366A (en) * | 1995-12-21 | 1998-05-26 | Honeywell Inc. | Magnetic hardening of bit edges of magnetoresistive RAM |
| US6178066B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-01-23 | Read-Rite Corporation | Method of fabricating an improved thin film device having a small element with well defined corners |
| EP1031844A3 (fr) * | 1999-02-25 | 2009-03-11 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Procédé de fabrication d'un capteur de courant électrique |
| US6453542B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-09-24 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating balanced shield connections for noise reduction in MR/GMR read heads |
| US6496334B1 (en) | 2000-05-26 | 2002-12-17 | Read-Rite Corportion | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having planarized extra gap and shield layers and method of fabrication thereof |
| US6801408B1 (en) | 2000-11-02 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof |
| US6485989B1 (en) | 2001-08-30 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | MRAM sense layer isolation |
| US7562436B2 (en) * | 2005-07-29 | 2009-07-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Deposition defined trackwidth for very narrow trackwidth CPP device |
| US8125742B2 (en) * | 2007-09-18 | 2012-02-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Fabrication of mesoscopic lorentz magnetoresistive structures |
| US8963544B2 (en) * | 2008-09-29 | 2015-02-24 | The Research Institute For Electric And Magnetic Materials | Signal transmission device |
| CN111238714B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-12-07 | 黑龙江大学 | 一种微压传感器的制作工艺方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51319A (en) * | 1974-05-24 | 1976-01-06 | Philips Nv | Jikihetsudooyobi sonoseizohoho |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3881190A (en) * | 1973-09-20 | 1975-04-29 | Ibm | Shielded magnetoresistive magnetic transducer and method of manufacture thereof |
| US4151574A (en) * | 1974-05-24 | 1979-04-24 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head using a magnetic field-sensitive element and method of manufacturing same |
| US4256514A (en) * | 1978-11-03 | 1981-03-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a narrow dimensioned region on a body |
| US4281357A (en) * | 1979-09-10 | 1981-07-28 | Magnex Corporation | Thin film magnetic head and method of making the same |
| US4313782A (en) * | 1979-11-14 | 1982-02-02 | Rca Corporation | Method of manufacturing submicron channel transistors |
| US4353086A (en) * | 1980-05-07 | 1982-10-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Silicon integrated circuits |
| NL188432C (nl) * | 1980-12-26 | 1992-06-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet. |
| JPS5815713A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-29 | Sanshin Ind Co Ltd | ポ−ト掃気式２サイクルエンジン |
| US4432132A (en) * | 1981-12-07 | 1984-02-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Formation of sidewall oxide layers by reactive oxygen ion etching to define submicron features |
| US4444617A (en) * | 1983-01-06 | 1984-04-24 | Rockwell International Corporation | Reactive ion etching of molybdenum silicide and N+ polysilicon |
-
1982
- 1982-05-06 NL NL8201846A patent/NL8201846A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-05-03 DE DE8383200632T patent/DE3362114D1/de not_active Expired
- 1983-05-03 EP EP83200632A patent/EP0094126B1/en not_active Expired
- 1983-05-06 JP JP58079225A patent/JPS58203615A/ja active Pending
-
1985
- 1985-01-31 US US06/696,894 patent/US4568906A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-01-31 US US06/696,817 patent/US4666554A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51319A (en) * | 1974-05-24 | 1976-01-06 | Philips Nv | Jikihetsudooyobi sonoseizohoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4568906A (en) | 1986-02-04 |
| US4666554A (en) | 1987-05-19 |
| NL8201846A (nl) | 1983-12-01 |
| DE3362114D1 (en) | 1986-03-27 |
| EP0094126B1 (en) | 1986-02-12 |
| EP0094126A1 (en) | 1983-11-16 |
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