JPS58204599A - セラミツク多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック多層回路基板の製造方法に関する。

従来でラミック多・斎回烙基板社、予め焼結さ几ｔセラ
ミック等板上ｌζ導体ペースト全印刷後。

、色嘩ペーストで印卯ｌし、これ全復数・司くり一叉し
て多層回路を形成しｔ希暁狡して型造゛〜でハたが、こ
の方法によると焼成の際に壱禄層は基板より収縮が犬で
あるためクラックが生じたり。

反りなどが発生する欠点があった。

この欠点を補うためセラミックグリーンンート（以下グ
リーンンートという）上に前述のごとく導体ペーストと
絶縁ペーストとを用いて多層回路を形成し、同時・焼成
する方法が試みちれ友が、この方法でも多層印刷した絶
縁ペーストが焼結される際にクラック、反りなどが発生
するという欠点があった。

さらに上記の欠点を捕う之め本発明者らは・貫々検討し
た結果、絶縁ペーストに含まするスラックスト同一のフ
ラックスで含有させた連成ペーストを用・ハて多重回・
洛を形成し、同時・焼゛ｉしてセラミック多層回路基板
全製造したところ。

クラック、反りなどの発生を防上することができた。し
かし反面、最外側の導体層のメタライズ部分の接着強度
が低下し、銀ろう付けしたリードビン、端子など、Ｖｉ
んだ付けしたチップ千ヤリアなどが刊雌するという欠截
が生じた、不発明（′ｉ逆遣層にクラック、反ジなどの
発生がなく、かつ最外側の導体層のメタライズ部分の接
着強度が低下しないセラミック多層回路基板の製造方法
を提供することを目的とするものである。

本発明者らは上記欠点についてさらに検討を行なった結
果、最外側の導体層を形成する導体ペーストにはフラッ
クス成分を含有しない導体ペーストラ、内部の導体層（
スルホール部及び回路部）を形成する導率ペーストには
フラックス成分を含有する導体ペーストを使用したとこ
ろクラック、反りなどが発生せず、また銀ろう付けした
１１−ドビン、端子など、はんだ付けしたチップキャリ
アなどが剥離しないセラミック多層回路基板全製造する
ことができた。

本発明は導体ペース１７′９とセラミック質の絶縁ペー
ストとをグリーンシート上に複数回印刷し。

同時焼成してセラミック多層回路基板を製造する方法に
おいて、最外側の導体層を形成する導体ペーストにはフ
ラックス成分を含有しない導体ペーストを、内部の導体
層を形成する導体ペーストにはフラックス成分を含有す
る導体ペーストを使用するセラミック＄層回ｖ！ｒ藁板
の羨遣方法に関する。

なお本発明においてセラミック質は何ら制限されるもの
ではなく１例えばアルミナが多く使用される。、またグ
リーンシートは厚さ、材質。

フラックスなど何ら制限されない。

本発明は最外側の導体層を形成する導体ペーストにはフ
ラックス成分金含有しない導体ペーストを、内部の導体
層を形喫する導体ペーストにはフラックス成分を含有す
る１体ペーストヲ使用することが必要であり、最べ側の
導体層全形成する導・本ベース）ｆフラックスを含有さ
せるとメタライズ部分の接着強度が低下する欠点が生じ
、まｔ内部の４本層を形成する導体ペーストにフラック
ス成分を含有させないと絶縁・−の焼結不達を１消する
ことＩ／ｉできず、不発明の目的を達成することはでき
ない８、 不発明における内部の導体層とは、スルーホール部支び
：回路部を示すＳ′Ｄでろり、使用されるフラックスは
７色繰ペーストに含有するフラックスと同一のものを使
用することが好ましく。

その含有量は何ら制限されるものではないが。

ペースト中に２０重量係以下（Ｏ重昔係は含まない）含
有することが好ましい。

本発明において使用される導体ペーストの種類、印刷厚
さなど何ら制限されない。

以下実施例により本発明′６Ｌ：税男する。

実施例１ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度９９．
５４以上）９６．２重量部に稟１表に示すフラックス２
３．８重量部添加し均一に混合して原料粉Ａとした。

この原料粉Ａ１００重量部にノくインダーとしてポリビ
ニルブチラール４Ｌ＋Ｗ８重量部、可塑剤としてフタル
酸エステル４重１部、尋剤と１−でフ゛タノール２０重
量部、トリクロルエチレン５０重量部を添加し、ボール
ミルにて５０時間均一に混合してセラミックスリップと
した着、テープギヤステインク法により、４さ０．８　
ａｔのグリーンシートライ尋た。

一方前述のセラミックスリップをそのまま絶縁ペースト
として使用した。

次にＷ（タングステン）導体ペースト（アサヒ化学裏、
　商品名３ＴＷ−１０００）９０重量部に第１表に示す
フラックスを１０重量部添加し乳ｉばちで均一に混合し
てフラックス入り導体ペーストを作成した。

欠いて前述のグリーンシートに直ｉ０．３−φ）のスル
ーホールを形成した後このスルーホールにフラックス入
り導率ペーストｋ１Ｍ布し、さら＆Ｃグ１１−ンシート
の表、裏そ１ぞれにフラックス入り導体ペーストで回路
を形成（この状態の時グ１）−ンシートの表裏は導通さ
乳る）シ、その上部に前述の絶鐵ペース）ｔ：３０μｍ
の１厚さ、で印刷し、こ・Ｄ工程を表側４回、裏１１１
１２回く９返し６層の多層同名を形成した後最外側の１
本・ｉにフラックス成分多含有しないＷ４体ペースト（
アサヒ化学型、商品名３ＴＷ−１０００）を禽布した。

その後空気中で３０１）　’Ｃまで５　′）’Ｃ−′−
＃引υ昇、−希速ずで、−０楔し。

３０θ°Ｃから、ｉ＊弐竿頬気中で３９°Ｃ／時間の昇
温法′ずで１．１０　’１　′Ｃ”、で昇・爆をぐてグ
１１−ンンート、フラックス（す導体ペースＥ、フラッ
クス成４＋を含有しない〜ＶＪ本ペースト、及び職責ペ
ーストを同時・暁成しセラミック多、１可洛某坪を得た
。

こ））セラミック多・爾回絡＄板について外観を更察し
たが絶縁層にクラック、反りなどは発世しなかった。ま
ｔメタライズ部分の端子−ヒにリードビンを張ろうで接
着したが　１１−ドピノの剥離は生じなかった。

第　１　表 比較例１ メ１崩例１で使用したグリーンノート、７）スルーホー
ルにフラックス茂／＋全含有しないＷ−４本ペースト（
アサヒ′ヒ学ツ、商品６３Ｔ′Ｖ−１、））・〕）士１
布し４次いでグリーンノートの表、裏−Ｃ几ぞれに前述
と同じフラックス成分を含有しないＷ導体ペースト及び
実施例１で使用した絶縁ペーストを使用しその他は実施
例１と同僚の方法で６層の多層回路を形成した。このも
のを実施例１と同様の条件で焼成してセラミック多層回
路基板を得た。

このセラミック多層回路基板について外観を観察したと
ころスルーホール上の絶縁層にマイクロクラック、反り
などが発生した。ただしメタライズ部分の端子上にリー
ドビン’ｒ％ろうで接着したが、リードビンの剥離は生
じなかった。

比較例２ 最外側の導体層に実施例１で便用したフランクス入り導
体ペーストを使用し、その池は実施例１と同様の方法文
び条件でセラミック多層回路基板を得た。

このセラミック多重画・洛基板について外観を観察した
ところスルーホール上の砲禄鰯にマイクロクラック、反
りなどは発生しなフ１つたが、メタライズ部分の端子上
に・）−トビ／″−張ろう・対しｔζころり−「゛ビ／
ノ）：姦着唖Ｉ斐ンユ、長飛・川】の約５０４′て、唆
少し、：）−ドヒ゛ンンζ圧力士少しが灯ｔ、ｉけでヨ
１離し之っ 本発明ｒｉ雇外１則の導体層・と形成する導体ペースト
にはフラックス成分全含有しない導体ペースト金、内部
の４体層を形成する４本ペーストシてはフラックス成分
を含有する導体ペースト全使用するので、絶縁層の焼結
不足が解消されクラック、反すなどの発生を青年にする
ことがでさると共に最外側の導体層のメタライズ部分の
接着強度が低下しないためリードビン、端子、チップキ
ャリアなどが剥離しないセラミック多１同名塞板を製造
することがでさる− 代理人　弁理士　若　林　几　彦　ギー）、） −Ｌノ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．４１−＜−ストとセラミック質の絶縁ペーストとを
   セラミックグリーンノート上に頂数回印刷し、同時焼成
   してセラミック多層同格基板全製造する方法において、
   最外側の導体層全形成する導体ペーストにはフラックス
   成分を含有しない導体ペーストラ、内部の導体層全形成
   する導体ペーストてはフラックス成分全含有する４本ペ
   ーストで使用することを特徴とするセラミック多層回路
   基板の製造方法。