JPS58204609A - 高周波混合段 - Google Patents

高周波混合段

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JPS58204609A
JPS58204609A JP58076343A JP7634383A JPS58204609A JP S58204609 A JPS58204609 A JP S58204609A JP 58076343 A JP58076343 A JP 58076343A JP 7634383 A JP7634383 A JP 7634383A JP S58204609 A JPS58204609 A JP S58204609A
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JP
Japan
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mixing stage
high frequency
frequency
gate electrode
frequency mixing
Prior art date
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Pending
Application number
JP58076343A
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English (en)
Inventor
ハインツ・ベネキンク
ライナ−・シユタ−ルマン
クリストス・ツイロニス
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、２つのゲート電極を有する電界効果トランジ
スター四極素子を有し、その際１つのゲート電極に高周
波−人力信号が供給される高周波混合段に関する。この
ような混合段は例えばドイツ連邦共和国特許出願第２１
５９５９２号明細書から公知である。この公知の回路に
おいて電界効果トランジスター四極素子は簡単な電界効
果トランジスタと結合される。四極素子のゲート電極の
１つに高周波−人力信号が供給され、一方四極素子の第
２ゲート電極には並列振動回路から発振器−周波数が供
給される。
四極素子のドレイン電極に他の並列振動回路が接続され
（この並列振動回路により中間周波数成分が誘導的に出
力結合される。
公知の回路は、四極素子の他に他の電界効果トランジス
タが必要であり、また別にされた局部発振器が設けられ
ていなければならない。本発明の課題は従って、特に簡
単で軽い集積可能な構造の優れている高周波混合段を実
現することである。この課題は前述した種類の高周波混
合段において本発明により次のようにして解決される。
即ち、自励振によシ混合段が自己振動させられるように
、第２ゲート電極におＩ／）で１２！ｌ！ｌ極素子の動
作点が調整される。
この自励振は誘導負荷を用いて第２ゲート電極において
引き起こされると有利である。四極素子としては例えば
Ｇ；１Ａｓ−ディプレッション形電界効果トランジスタ
が適している。
本発明による高周波混合段は非常に簡単に構成されてい
る。というのは四極素子により予め与えられた唯一の能
動素子でもって前置増幅器、または高周波増幅器、局部
発振器および混合段が置換えられるからである。四極素
子は公知のように非常に簡単に集積半導体技術で製造で
きる。
実施例の説明 本発明の実施例につき図を用いて詳しく説明する。
図面には両方のダート電極Ｇ１と０２を有する四極素子
Ｔが示されている。この四極素子は例えば、ｌ　Ｑ　Ｇ
！−ｉｚの範囲で使用することのできるＧａＡｓ　−Ｍ
ＥＳ電界効果トランジスタである。高周波−人力信号は
変成器りを介してゲート電極Ｇ１に供給され、一方それ
とは減結合されてゲート電極（−゛　　に発振器周波数
ｔ゛　　が加えられる。
’２　　　　　　　　　　　　　　　　　０ＳＺ局部発
振器周波数は誘導負荷２　、を用いて発生する。四極素
子のドレイン電極とソース電極との間に、発振器周波数
と入力信号周波数との差の周波数に調整される、コンデ
ンサＣ１とインダクタンスＬ１とから成る並列振動回路
がある。
中間周波数ＺＦはこの並列振動回路から誘導的に出力結
合される。
一実施例では次のトランジスタ特性を有する四極素子が
用いられる： ２００μｍのチャンネル幅と１μｍ（ゲート１）および
２μｍ　（ゲート２）の長さのゲート電極を有するＧａ
Ａｓ−ＭＥＳＦＥＴ−四極素子；飽和電流　■ＤＳＳ　
＝　２’、、５　ｍＡ、最大振動周波数　ｆｍａｘ−２
０ＧＨ２、ゲート１の相互コンダクタンス　ｇｍｌ　　
＝　１５ｍ５　　（ｕ、−〇）、ゲート２の相互コンダ
クタンス　ｇ　　−１０ｍ５　（ｕｇｌ−ｏ）。
２ 発振器周波数ｆ　　の発生のために、誘導負荷５Ｚ ＩＺ　　ｌを有するゲート電極Ｇ２は５６Ωの（ｉｔに
おいて負荷される。発振器電圧はすると９０ａ！１：：
。
になる。１０．０８　（））（Ｚの信号周波数ｆＳｌ。
１．の際振動回路Ｃ，，Ｌ１でろ波されて中間周波数Ｚ
Ｆが１．０８ＧＨｚの値で生じる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明による高周波混合段の回路路［ヌ１を示す。 Ｇ１　、’（）　　・・ゲート電極、８　ソース電極、
Ｄ・・・ｌ？レイン電極、Ｏ・・・変成器、ＺＩＪ・・
・誘導負荷、Ｌｌ　・・インダクタンス、ＺＦ’・・・
中間周波数、Ｔ・・・四極素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １．２つのダート電極を有する電界効果トラン・シスタ
    ー四極素子を有し、その際１つのゲート電極に高周波−
    人力信号が供給される高周波混合段において、自励振に
    より混合段が自己振動させられるように第２ゲート電極
    において四極素子の動作点が調整されることを特徴とす
    る高周波混合段。 ２、　自励振が誘導負荷（ＺＬ）により第２ゲート電極
    （Ｇ２）を用いて引き起こされる特許請求の範囲第１項
    記載の高周波混合段。 ３、　四極素子が０ａＡｓ−ディプレッション形電界効
    果トランジスタである特許請求の範囲第１項記載の高周
    波混合段。
JP58076343A 1982-05-05 1983-05-02 高周波混合段 Pending JPS58204609A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE32167768 1982-05-05
DE3216776A DE3216776C2 (de) 1982-05-05 1982-05-05 Hochfrequenzmischstufe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58204609A true JPS58204609A (ja) 1983-11-29

Family

ID=6162752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58076343A Pending JPS58204609A (ja) 1982-05-05 1983-05-02 高周波混合段

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4563772A (ja)
JP (1) JPS58204609A (ja)
DE (1) DE3216776C2 (ja)
FR (1) FR2526606A1 (ja)
GB (1) GB2120035B (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE3216776A1 (de) 1983-11-17
GB2120035B (en) 1986-04-09
GB8312381D0 (en) 1983-06-08
DE3216776C2 (de) 1985-07-11
FR2526606A1 (fr) 1983-11-10
US4563772A (en) 1986-01-07
GB2120035A (en) 1983-11-23

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