JPS58206181A - レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路Info
- Publication number
- JPS58206181A JPS58206181A JP57087926A JP8792682A JPS58206181A JP S58206181 A JPS58206181 A JP S58206181A JP 57087926 A JP57087926 A JP 57087926A JP 8792682 A JP8792682 A JP 8792682A JP S58206181 A JPS58206181 A JP S58206181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- current
- diode
- laser
- protection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーダイオードの保−回路に関する奄ので
ある。
ある。
回転円盤にらせん状に記録された信号を光学的に絖み出
すデジタルオーディオディスクプレーヤ。
すデジタルオーディオディスクプレーヤ。
ビデオディスクプレーヤにおいては、光学的に信号を読
み出す為に、レーザーダイオードを用いた光学式ピンク
アップを使用している。第１図はレーザーダイオードの
出力を常に一定に保つための回路であり、通常、オート
パワーコントロール回路と言われるものである。レーザ
ー素子３け、レーザーダイオード１とモニター用ホトダ
イオード２で構成されている。レーサーダイオード１の
尤パワーの一部をホトターイオード２で受け、演算増幅
器４での＋側端子に＃還しレーザダイオード１の光パワ
ーを一定に保つ働きをしている。すなわちレーザーダイ
オード１の光パワーが減少するとホトダイオード２の受
光量が低下し、その結果。
み出す為に、レーザーダイオードを用いた光学式ピンク
アップを使用している。第１図はレーザーダイオードの
出力を常に一定に保つための回路であり、通常、オート
パワーコントロール回路と言われるものである。レーザ
ー素子３け、レーザーダイオード１とモニター用ホトダ
イオード２で構成されている。レーサーダイオード１の
尤パワーの一部をホトターイオード２で受け、演算増幅
器４での＋側端子に＃還しレーザダイオード１の光パワ
ーを一定に保つ働きをしている。すなわちレーザーダイ
オード１の光パワーが減少するとホトダイオード２の受
光量が低下し、その結果。
演算増幅器４の＋側趨子に流れ込む電流が低下しる為、
演算項−６４の出力載位が低下し、レーザーダイオード
１に流れる＊ｉが増加し、光パワーの低下を補償するよ
うに動作するものである。ここで８・りまボリウムで、
レーザーダイオードＩＫ５すれる電流の初期値を決める
ものである。ここで５及び６はドライバートランジスタ
、また１１．１２は電源である。
演算項−６４の出力載位が低下し、レーザーダイオード
１に流れる＊ｉが増加し、光パワーの低下を補償するよ
うに動作するものである。ここで８・りまボリウムで、
レーザーダイオードＩＫ５すれる電流の初期値を決める
ものである。ここで５及び６はドライバートランジスタ
、また１１．１２は電源である。
ドライバートランジスタ５．６で１例えばエミッタ、コ
レクタ間がシ冒−トする故障モードを考えると、レーザ
ーダイオードＩＫ＃ｉ通大電ｆｌＬが流れ、レーザーダ
イオード１ｔＩ′ｉ劣化又は破壊に至る。
レクタ間がシ冒−トする故障モードを考えると、レーザ
ーダイオードＩＫ＃ｉ通大電ｆｌＬが流れ、レーザーダ
イオード１ｔＩ′ｉ劣化又は破壊に至る。
この為微少抵抗１ｏをレーサーダイオード１に接続し、
過大電流を防止するのが一般的であるか。
過大電流を防止するのが一般的であるか。
この抵抗値を大きくとると、レーザーパワーの制御範囲
か狭くなったり、ボリウム８でのレーザーパワー調整範
囲が狭くなる等の欠点かぁ−）た、現在のところレーザ
ーダイオードは小型であり。
か狭くなったり、ボリウム８でのレーザーパワー調整範
囲が狭くなる等の欠点かぁ−）た、現在のところレーザ
ーダイオードは小型であり。
ガスレーサーに比較し高電圧を必要としない等のメリツ
トがあるが、過大電流？レーザに対し弱く。
トがあるが、過大電流？レーザに対し弱く。
またコストも高す、この為レーザーダイオードの床層は
必要である。
必要である。
本発明の目的はレーサーダイオードの過大電流による劣
化や破壊を防止するレーザーダイオードの保護回路を提
供することにある。
化や破壊を防止するレーザーダイオードの保護回路を提
供することにある。
このため本発明はレーザーダイオードに流れる電流を検
出し、あらかじめ定めｌｃ ’ｄｉ流値以−Ｆの電流が
し〜ザーダイオードに流れた場合、この電流ｆ制限又Ｉ
ユ遮断して、レーザーダイオードの過大電流による劣化
や破壊を防止するように構成し。
出し、あらかじめ定めｌｃ ’ｄｉ流値以−Ｆの電流が
し〜ザーダイオードに流れた場合、この電流ｆ制限又Ｉ
ユ遮断して、レーザーダイオードの過大電流による劣化
や破壊を防止するように構成し。
レーザーダイオ−、・・Ｆの保−を行うものである。
第２図は本発明の一実施例であり、同図において第１図
と同一部品については同一の６ピ号を符している。この
実施例では例えばドライバートランジスタ６の１）ツタ
・−、Ｉ Ｌ・フタ間が１０Ｊｆ−ｕ、６−の原因Ｃ故
障１．．． ＞ｉ １１に場ｄ、ノエノ ダイイド
１４のｙ ｘ ノー１［７＋Ｖｔとレ−９’−７（；４
−）’１の１１１方向嵯圧、１砥４７＋、１０の抵知、
値で決められた′電流がレーザ タ（Ｊ−ド１に流れそ
）１以上の′暖流ｔユノエナーダイイー ド１４を流れ
る為に、レザータイオ ド１に流ｎるｔｌＬＱは制限さ
れる。従−）てソエナータ゛ｆＡ−ド１４のツェナー１
圧と抵抗１０の抵抗値をレーサーダイオード１が劣化し
ない範囲で選ぶ（とによ−って、し〜ザータ゛イｎ−ド
１の劣化や破壊を防ＩＦすることができる。−ｈ通線動
作では、ツェナーダイオード１４はｔンＬ。
と同一部品については同一の６ピ号を符している。この
実施例では例えばドライバートランジスタ６の１）ツタ
・−、Ｉ Ｌ・フタ間が１０Ｊｆ−ｕ、６−の原因Ｃ故
障１．．． ＞ｉ １１に場ｄ、ノエノ ダイイド
１４のｙ ｘ ノー１［７＋Ｖｔとレ−９’−７（；４
−）’１の１１１方向嵯圧、１砥４７＋、１０の抵知、
値で決められた′電流がレーザ タ（Ｊ−ド１に流れそ
）１以上の′暖流ｔユノエナーダイイー ド１４を流れ
る為に、レザータイオ ド１に流ｎるｔｌＬＱは制限さ
れる。従−）てソエナータ゛ｆＡ−ド１４のツェナー１
圧と抵抗１０の抵抗値をレーサーダイオード１が劣化し
ない範囲で選ぶ（とによ−って、し〜ザータ゛イｎ−ド
１の劣化や破壊を防ＩＦすることができる。−ｈ通線動
作では、ツェナーダイオード１４はｔンＬ。
ており、影響す１なり０
第５図は本発明の他の実施例であり、第２図のツェナー
ダイオード１４のかわりに夕゛イオートを設けたもので
あり、動作としては第２図の実施例と同様である。
ダイオード１４のかわりに夕゛イオートを設けたもので
あり、動作としては第２図の実施例と同様である。
第４図も本発ｕＡｔ’）一実施例である。この実施例Ｃ
は択ＦＥｉｏの両端ｐｃｈう〜ジメタ１６のベース・エ
ミッタを接続し、」レクタはレーリー−ダイ４−ド１の
アノードに接続している。抵抗１０の抵抗値を適当に遺
ぶ′ことにより９通常動作時はトランジスタ１６はカッ
トオンしており、レーザーパワーコントロールには無関
係であるが２例えばドライパルトランジスタ６の故障で
トランジＸり６のコレクタ・エミッタ間のショートした
場合、レーザーダイオード１の電流が増加するが、一定
電流以上流れると、トランジスタ１６がオンする。
は択ＦＥｉｏの両端ｐｃｈう〜ジメタ１６のベース・エ
ミッタを接続し、」レクタはレーリー−ダイ４−ド１の
アノードに接続している。抵抗１０の抵抗値を適当に遺
ぶ′ことにより９通常動作時はトランジスタ１６はカッ
トオンしており、レーザーパワーコントロールには無関
係であるが２例えばドライパルトランジスタ６の故障で
トランジＸり６のコレクタ・エミッタ間のショートした
場合、レーザーダイオード１の電流が増加するが、一定
電流以上流れると、トランジスタ１６がオンする。
この結果トランジスタ１６のベース・エミッタ間電圧”
８ｍと抵４５ｔ１０の抵抗値で決まる一定電流が。
８ｍと抵４５ｔ１０の抵抗値で決まる一定電流が。
レーザーダイオード１に流れ、それ以上の電流はトラン
ジスタ１６を流れる、この為レーザーダイオード１に流
れる電流は制限され、劣化や破壊を防止できる。
ジスタ１６を流れる、この為レーザーダイオード１に流
れる電流は制限され、劣化や破壊を防止できる。
第５図も本発明の一実施例である。この実施例ではし〜
ザーターイオード１の電流がドライバー トランジスタ
６の故障等て増加した場合、電流を遮断する仁とによっ
て、レーザーダイオード１の劣化を防止するものである
。１８は電磁式のリレーであシ、サイリスタ１７は電磁
式のリレー１８のドフｆ・・−全兼用１＝ Ｃいる。こ
こＣＬ リ タイＡ−ド１に流れる電流値を抵抗１０
（゛検出し、しザーダイＡ−ド１に一定電流値以上の電
流が流れると、す・ｆラスタ１フがオンし１８の電磁式
リレーのコイルに′１＃Ｌを流し、レー データーイオ
ード１に流れる一流を遮断するものである。１７はツイ
リスタである為、一度オンになると、ｌｔ源１１゜１２
がゼロンＣシ・らない限りオン状態を保持するため、保
護効果はＡｒ１記の第２第３及び第４のものより効果が
大きい。
ザーターイオード１の電流がドライバー トランジスタ
６の故障等て増加した場合、電流を遮断する仁とによっ
て、レーザーダイオード１の劣化を防止するものである
。１８は電磁式のリレーであシ、サイリスタ１７は電磁
式のリレー１８のドフｆ・・−全兼用１＝ Ｃいる。こ
こＣＬ リ タイＡ−ド１に流れる電流値を抵抗１０
（゛検出し、しザーダイＡ−ド１に一定電流値以上の電
流が流れると、す・ｆラスタ１フがオンし１８の電磁式
リレーのコイルに′１＃Ｌを流し、レー データーイオ
ード１に流れる一流を遮断するものである。１７はツイ
リスタである為、一度オンになると、ｌｔ源１１゜１２
がゼロンＣシ・らない限りオン状態を保持するため、保
護効果はＡｒ１記の第２第３及び第４のものより効果が
大きい。
第６図も本発明の一実施例である。これはレーザーダイ
オード１と直列にヒユーズ１９を挿入（たものである。
オード１と直列にヒユーズ１９を挿入（たものである。
ヒユーズの定格電流をレーザーダイオード１０足俗のん
以Ｆ位に選ぶことにより（。
以Ｆ位に選ぶことにより（。
何らかのＪＪＡ因でレーザ ダｆオード１犀格を越λる
ような電流が流ｔまた場合、数秒でレーリ′−電流を遮
断し、し ナーの劣化や破壊を防止するようにしたもの
である。
ような電流が流ｔまた場合、数秒でレーリ′−電流を遮
断し、し ナーの劣化や破壊を防止するようにしたもの
である。
このように本発明によれば、レーザーターイミドに流れ
る電流を検出し、一定板上の電流がレーザーダイオード
に流れた場合に該レーザーダイオードに流れる電流を制
限又は遮断する為、過犬逼流によるレーザーダイオード
の劣化や破壊（Ｉ−防１トすることができる。また単に
レーザーダイオードに流れる電流を制限する制限抵抗を
設けるのみの場合に較べ、設計の自由度が増し、レーザ
ーパワーの調整範囲やレーザーパワーの制御範囲を拡け
ることができる。
る電流を検出し、一定板上の電流がレーザーダイオード
に流れた場合に該レーザーダイオードに流れる電流を制
限又は遮断する為、過犬逼流によるレーザーダイオード
の劣化や破壊（Ｉ−防１トすることができる。また単に
レーザーダイオードに流れる電流を制限する制限抵抗を
設けるのみの場合に較べ、設計の自由度が増し、レーザ
ーパワーの調整範囲やレーザーパワーの制御範囲を拡け
ることができる。
４、第１図は従来の回路図、第２図、第３図、第４図、
第５図及び第６図はそれぞれ本発明の実施例回路図であ
る。
第５図及び第６図はそれぞれ本発明の実施例回路図であ
る。
１・・・レーザーダイオード、２・・・レーザーノくワ
ーモニタ用ホトダイオード、３・・・レーザー素子、４
・・・演算増幅器、５，６・・・ドライバートランジス
タ、７．９，１０，１３・・・抵抗、８・・・可変抵抗
、１１．１２・・・電源、１４・・・ツェナーダイオー
ド、１５・・・ダイオード、１６・・・′トランジスタ
、１７ サイリスタ、１８・・・電磁式リレー、１９・
・・ヒユーズ。
ーモニタ用ホトダイオード、３・・・レーザー素子、４
・・・演算増幅器、５，６・・・ドライバートランジス
タ、７．９，１０，１３・・・抵抗、８・・・可変抵抗
、１１．１２・・・電源、１４・・・ツェナーダイオー
ド、１５・・・ダイオード、１６・・・′トランジスタ
、１７ サイリスタ、１８・・・電磁式リレー、１９・
・・ヒユーズ。
代理人弁理士 薄 １）利 幸
才 ２ 叫
￥ ３ 図
才４− 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザーダイオードに流れるｔｌＬ流を検出し該＊
ｆｉの大小に応じて該電流を制限又は遮断する保−装置
を設は九ことを特徴とするレーザーダイオードの保護回
路。 ２ 前記保護装置はレーザーダイオードに流れる電流を
前ｄピレーザーダイオードに直列に接続されたインピー
ダンス素子によって検出する特許請求の範囲第１項記載
のレーザーダイオードの保−回路。 ｉ 前記保護装置１は１７−ザータイオードと直列に接
続されたインピーダンス素子により構成され九回路と並
列に接続されたダイオード手段より、前ｄピレーザーダ
イオードに流れる電流を制限する特許請求の範囲第１項
記載のレーザータイオードの保−回路。 ４ 前Ｈピ保−装置はレーザ ダｆオ〜ドに流れる電流
を検出し、あらかじめ定めた電Ｒ頭以上にな一念場合１
７ｉ：、前記レーザーダイオード冒で流ハる電流を遮断
するように設けたスイッチを具備してなる特許請求の範
囲第１項記載のレーザーダイオードの保護回路。 ５、 前記保護装置はレーザータイオードに直列にヒユ
ーズ又はヒエーズ機能を有する素子を具備してなる特許
請求の範囲第１項記載のレーザーダイオードの保護回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087926A JPS58206181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087926A JPS58206181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206181A true JPS58206181A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13928519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087926A Pending JPS58206181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206181A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351475U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-07 | ||
| JP2013207244A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | レーザポインタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381097A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS56140685A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Dc bias circuit for semiconductor laser |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57087926A patent/JPS58206181A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381097A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS56140685A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Dc bias circuit for semiconductor laser |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351475U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-07 | ||
| JP2013207244A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | レーザポインタ |
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