JPS6351475U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6351475U JPS6351475U JP14524286U JP14524286U JPS6351475U JP S6351475 U JPS6351475 U JP S6351475U JP 14524286 U JP14524286 U JP 14524286U JP 14524286 U JP14524286 U JP 14524286U JP S6351475 U JPS6351475 U JP S6351475U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- overcurrent detection
- semiconductor laser
- excessive current
- detection means
- response
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Description
第1図はこの考案の一実施例の概略ブロツク図
である。第2図はこの考案の一実施例の具体的な
電気回路図である。第3図はこの考案の他の実施
例の電気回路図である。第4図はこの考案のその
他の実施例の概略ブロツク図である。 図において、1は電源、2は過大電流検出部、
3は電源制御部、4は半導体レーザおよび周辺回
路、5は報知部、21はコンパレータ、22ない
し26は抵抗、31,36,37,42,43は
トランジスタ、32はリレーコイル、33,34
,35は接点、38はマイクロコンピユータ、4
1は発光ダイオード、44はブザーを示す。
である。第2図はこの考案の一実施例の具体的な
電気回路図である。第3図はこの考案の他の実施
例の電気回路図である。第4図はこの考案のその
他の実施例の概略ブロツク図である。 図において、1は電源、2は過大電流検出部、
3は電源制御部、4は半導体レーザおよび周辺回
路、5は報知部、21はコンパレータ、22ない
し26は抵抗、31,36,37,42,43は
トランジスタ、32はリレーコイル、33,34
,35は接点、38はマイクロコンピユータ、4
1は発光ダイオード、44はブザーを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体レーザに流れる過大電流を検知する過大
電流検知手段と、 前記過大電流検知手段が過大電流を検知したこ
とに応じて、前記半導体レーザに供給している電
源を遮断する電源遮断手段と、 前記過大電流検知手段が過大電流を検知したこ
とに応じて、警報を報知する報知手段とを備えた
、半導体レーザの保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14524286U JPS6351475U (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14524286U JPS6351475U (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351475U true JPS6351475U (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=31056600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14524286U Pending JPS6351475U (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6351475U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119193A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Toshiba Corp | レーザ駆動回路 |
| JPH06338646A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Nec Corp | レーザダイオード駆動回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710991A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Fujitsu Ltd | Laser diode control circuit |
| JPS58206181A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP14524286U patent/JPS6351475U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710991A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Fujitsu Ltd | Laser diode control circuit |
| JPS58206181A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドの保護回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119193A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Toshiba Corp | レーザ駆動回路 |
| JPH06338646A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Nec Corp | レーザダイオード駆動回路 |