JPS58206536A - 粗1、2−ジクロロエタンの精製方法 - Google Patents
粗1、2−ジクロロエタンの精製方法Info
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- JPS58206536A JPS58206536A JP8245083A JP8245083A JPS58206536A JP S58206536 A JPS58206536 A JP S58206536A JP 8245083 A JP8245083 A JP 8245083A JP 8245083 A JP8245083 A JP 8245083A JP S58206536 A JPS58206536 A JP S58206536A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C17/383—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation
- C07C17/386—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation with auxiliary compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
1.2−ジクロロエタンはしばしば可燃性物質、不燃性
物質および酸素を含む粗1.2−ソクロロエタンの少く
とも一つの流れが取出される反応系において製造される
。この粗1,2−ソクロロエタンの流れは次いで精製系
に導かれ、そこから精製1.2−ジクロロエタンと一つ
ま几けよ抄多くの他物質の流れが取り出される。この粗
1,2−ゾクロロエタンの流れ中の酸素の存在は、@1
゜2−ジクロロエタンが種々の物質の流れに分離される
と酸素が一般に高濃度の可燃性物jjを有する一つまた
はより多くの流れの中に集中するので精製系に問題を持
出す。精製系の設計および運転に特別の予防策を講じな
ければ、精製系内のそのような流れの組成が引火範囲に
入ることができる。
物質および酸素を含む粗1.2−ソクロロエタンの少く
とも一つの流れが取出される反応系において製造される
。この粗1,2−ソクロロエタンの流れは次いで精製系
に導かれ、そこから精製1.2−ジクロロエタンと一つ
ま几けよ抄多くの他物質の流れが取り出される。この粗
1,2−ゾクロロエタンの流れ中の酸素の存在は、@1
゜2−ジクロロエタンが種々の物質の流れに分離される
と酸素が一般に高濃度の可燃性物jjを有する一つまた
はより多くの流れの中に集中するので精製系に問題を持
出す。精製系の設計および運転に特別の予防策を講じな
ければ、精製系内のそのような流れの組成が引火範囲に
入ることができる。
本発明は精製系内の一つまたはより多くの流れt 、
!+*[[K、7.、 ip&″。・tMMf;Esf
l:、W5*$することにより上記問題を緩和するのに
有用である。
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l:、W5*$することにより上記問題を緩和するのに
有用である。
本発明がより良く理解される友め本発明の1具体化例を
線図的に示す図面を参照することができる。
線図的に示す図面を参照することができる。
可燃性物質、不燃性物質および酸素を含む粗1゜2−ジ
クロロエタンの少くとも一つの流れを精製系に導き、そ
こから精製された1、2−ジクロロエタンおよび一つま
たはより多くの他物質の流れを取り出す方法において、
本発明は、精製系内の少くとも一つの物質の流れが引火
範囲に入らないことを保証するために塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を精製系に一つま
念はよp多くの位置で導入することを含む改良でろる。
クロロエタンの少くとも一つの流れを精製系に導き、そ
こから精製された1、2−ジクロロエタンおよび一つま
たはより多くの他物質の流れを取り出す方法において、
本発明は、精製系内の少くとも一つの物質の流れが引火
範囲に入らないことを保証するために塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を精製系に一つま
念はよp多くの位置で導入することを含む改良でろる。
個々の物質は普通の活動において遭遇しそうな割合に酸
素または空気と混合して点火したときに燃焼するかどう
かによって可燃性または不燃性として分類される。1,
2−ツクc1cIエタン自体は可燃性である。1..2
−ジクロロエタンの精製工種において遭遇しうる他の可
燃性物質の例には )水素、エチレン、アセチレ
ン、エタン、塩化エテル、1.1−ジクロロエチレン、
トランス−ジクロロエチレン、シスージクロロエチレン
オヨヒ1゜1−ジクロロエタンが包含される。同様に遭
遇できる不燃性物質の例には窒素、塩化水素、二酸化炭
素、クロロホルム、四塩化炭素、トリクo o 1チレ
ン、ペルクロロエチレン、水、1,1.2−トリクロロ
エタン、sym−fトリクロロタン、インタクロロエタ
ンおよび集合的に「タール」で表わされる多量の塩素を
含有する種々の篇分子壜物質が包含される。これらの物
質の列挙は決して網羅的ではない。本発明によって精製
できる粗1゜2−ジクロロエタンの流れは上記物質のす
べてまたは単にその若干を含有することができる。同様
に列挙されていない他の物質が存在することができる。
素または空気と混合して点火したときに燃焼するかどう
かによって可燃性または不燃性として分類される。1,
2−ツクc1cIエタン自体は可燃性である。1..2
−ジクロロエタンの精製工種において遭遇しうる他の可
燃性物質の例には )水素、エチレン、アセチレ
ン、エタン、塩化エテル、1.1−ジクロロエチレン、
トランス−ジクロロエチレン、シスージクロロエチレン
オヨヒ1゜1−ジクロロエタンが包含される。同様に遭
遇できる不燃性物質の例には窒素、塩化水素、二酸化炭
素、クロロホルム、四塩化炭素、トリクo o 1チレ
ン、ペルクロロエチレン、水、1,1.2−トリクロロ
エタン、sym−fトリクロロタン、インタクロロエタ
ンおよび集合的に「タール」で表わされる多量の塩素を
含有する種々の篇分子壜物質が包含される。これらの物
質の列挙は決して網羅的ではない。本発明によって精製
できる粗1゜2−ジクロロエタンの流れは上記物質のす
べてまたは単にその若干を含有することができる。同様
に列挙されていない他の物質が存在することができる。
それら自体可燃性として分類される個々の物質が精製系
内の流れ中に存在できるけれども、これは必らずしもそ
の流れが引火範囲内にあることを示さない、J個々の流
れが引火範囲内にあるか否かは組成、温度および圧力を
含むいくつかの・4ラメ−ターによる。可燃性物質、酸
素および場合により不燃性物質を含む混合物中に存在す
る可燃性物質の分子が遠く離れていて点火媒質により燃
焼させられた分子が最も近くKある他の分子を燃焼しな
いならばその混合物は燃焼に対して非常に「希薄(1e
an ) J といわれ、それは燃焼しない。可燃性
物質または可燃性物質と不燃性物質の分子が互いに非常
に接近していて燃焼に必要な酸素を排除するときにはそ
の混合物は非常に「濃厚(r lch )Jといわれ、
それは燃焼しない。点火したとき燃える最希薄から最濃
厚までの範囲の組成は引火範囲内にあるといわれる。引
火範囲の最小限界と最大限界の間に徐燃および急燃の種
々の相が見出されよう。
内の流れ中に存在できるけれども、これは必らずしもそ
の流れが引火範囲内にあることを示さない、J個々の流
れが引火範囲内にあるか否かは組成、温度および圧力を
含むいくつかの・4ラメ−ターによる。可燃性物質、酸
素および場合により不燃性物質を含む混合物中に存在す
る可燃性物質の分子が遠く離れていて点火媒質により燃
焼させられた分子が最も近くKある他の分子を燃焼しな
いならばその混合物は燃焼に対して非常に「希薄(1e
an ) J といわれ、それは燃焼しない。可燃性
物質または可燃性物質と不燃性物質の分子が互いに非常
に接近していて燃焼に必要な酸素を排除するときにはそ
の混合物は非常に「濃厚(r lch )Jといわれ、
それは燃焼しない。点火したとき燃える最希薄から最濃
厚までの範囲の組成は引火範囲内にあるといわれる。引
火範囲の最小限界と最大限界の間に徐燃および急燃の種
々の相が見出されよう。
温度および圧力の変化が大きくない多くの場合に最も重
要な・臂ラメーターは組成でめる。しかし圧力変化が相
当である場合には圧力の影響をより大きく考慮しなけれ
ばならない。例えば、個々の組成が低い圧力で引火範囲
にないが、しかし同一組成がより高い圧力に圧縮される
と引火範囲にあることが起るかもしれない。同様に温度
変化が相当である場合に温度の影響をより大きく考慮し
なければならない。
要な・臂ラメーターは組成でめる。しかし圧力変化が相
当である場合には圧力の影響をより大きく考慮しなけれ
ばならない。例えば、個々の組成が低い圧力で引火範囲
にないが、しかし同一組成がより高い圧力に圧縮される
と引火範囲にあることが起るかもしれない。同様に温度
変化が相当である場合に温度の影響をより大きく考慮し
なければならない。
精製系に導入される塩化水素、エチレン、または塩化水
素とエチレンの両方の量を広範に変化させることができ
る。この/4ラメーターは当該個々の精製系の設計並び
に系内の種々の流れの組成、圧力および温度に依存する
。本発明による希釈物の不在において、一つまたはより
多くの流れが引火範囲にあるとすれば塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を、少くとも流れ
が引火範囲内に入らないことを保証する量導入すること
ができる。本発明による希釈物の不在において一つまた
はより多くの流れが1iil農系内に通常生ずる変動の
ために時々引火範囲にあるとすれば、塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を少くとも流れが
その変動にもかかわらず引火範囲に入らないことを保証
する量導入することができる。同様に、不発明に□よ゛
る希釈物の不在において一つまたはより多くの流れが精
製系内に通常でにないがか々り生ずる可能性がある変動
のために時々引火範囲内にあるとすれば、塩化水素、エ
チレン、または塩化水素とエチレンの両方を、少くとも
流れがその変動にもかかわらず引火範囲に入らないこと
を保証する量導入することができ:換言すれば、塩化水
素、エチレン、または塩化水素とエチレンの両方を所望
の安全性のゆとりを与える量導入することができる。と
にかく、導入される塩化水素、エチレン、または塩化水
素とエチレンの両方の量は軽微または取るに足らない景
より多い。導入される塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方の最大量は引火性の考慮によって
支配されるのではなくて、単に精製工程の効果的な管理
の実際的可能性によって制限される。例えば、凝縮を希
釈剤導入位置から下流の工程中に用いる場合には導入さ
れる塩化水素、エチレン、または塩化水素とエチレンの
両方の量を凝縮が無力な値に露点讐高めるほど多くすべ
きではない。
素とエチレンの両方の量を広範に変化させることができ
る。この/4ラメーターは当該個々の精製系の設計並び
に系内の種々の流れの組成、圧力および温度に依存する
。本発明による希釈物の不在において、一つまたはより
多くの流れが引火範囲にあるとすれば塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を、少くとも流れ
が引火範囲内に入らないことを保証する量導入すること
ができる。本発明による希釈物の不在において一つまた
はより多くの流れが1iil農系内に通常生ずる変動の
ために時々引火範囲にあるとすれば、塩化水素、エチレ
ン、または塩化水素とエチレンの両方を少くとも流れが
その変動にもかかわらず引火範囲に入らないことを保証
する量導入することができる。同様に、不発明に□よ゛
る希釈物の不在において一つまたはより多くの流れが精
製系内に通常でにないがか々り生ずる可能性がある変動
のために時々引火範囲内にあるとすれば、塩化水素、エ
チレン、または塩化水素とエチレンの両方を、少くとも
流れがその変動にもかかわらず引火範囲に入らないこと
を保証する量導入することができ:換言すれば、塩化水
素、エチレン、または塩化水素とエチレンの両方を所望
の安全性のゆとりを与える量導入することができる。と
にかく、導入される塩化水素、エチレン、または塩化水
素とエチレンの両方の量は軽微または取るに足らない景
より多い。導入される塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方の最大量は引火性の考慮によって
支配されるのではなくて、単に精製工程の効果的な管理
の実際的可能性によって制限される。例えば、凝縮を希
釈剤導入位置から下流の工程中に用いる場合には導入さ
れる塩化水素、エチレン、または塩化水素とエチレンの
両方の量を凝縮が無力な値に露点讐高めるほど多くすべ
きではない。
精製系に対する塩化水素、エチレン、または塩化水素と
エチレンの両方の一つまたはより多くの尋人位憤は広範
に変えることができるが、しかし一般に希釈なしでは引
火性が問題であるかまたは問題とな9うる一つまたはよ
シ多くの頭載より前、すなわち上流に配置される。本発
明の広範な観点において上流の距離は相当であることが
できるが、しかし上流装置に低い負荷を保つためにはそ
の距離が小さいことが好ましい。塩化水素とエチレンの
両方が尋人されるときにはそれらを混合物として尋人し
てもよく、また別々の流れとして尋人してもよい。
エチレンの両方の一つまたはより多くの尋人位憤は広範
に変えることができるが、しかし一般に希釈なしでは引
火性が問題であるかまたは問題とな9うる一つまたはよ
シ多くの頭載より前、すなわち上流に配置される。本発
明の広範な観点において上流の距離は相当であることが
できるが、しかし上流装置に低い負荷を保つためにはそ
の距離が小さいことが好ましい。塩化水素とエチレンの
両方が尋人されるときにはそれらを混合物として尋人し
てもよく、また別々の流れとして尋人してもよい。
本発明による希釈剤としての塩化水素、エチレン、また
は塩化水素とエチレンの両方の使用は、精製系から取出
される可燃性物・貞、酸素、および存在すれば塩化水素
を含む流れが、しにしは、やは9曲の反応に供給原料と
して利用できるため特にiましい。9;1えは、そのよ
うな流れはオキシ塩素化工程にしにしば哄袷でさるO典
型的にはその+A FL uエチレンをオキシ塩素化し
て1.2−ジクロロエタンを調造するオキシ塩素化工程
に哄袷することができる0 本発明に従って希釈剤として塩化水素を用いると、塩化
水素が不燃性であるため、また塩化水素が他の反応の副
生物としてよく入手できるために特に好ましい。例えば
、一貫生産の塩化ビニル装置において1.2−ジクロロ
エタンの塩化ビニルへの熱分解から副生物として得られ
る塩化水素は本発明による1、2−ジクロロエタンnM
系に希釈剤として使用できる。
は塩化水素とエチレンの両方の使用は、精製系から取出
される可燃性物・貞、酸素、および存在すれば塩化水素
を含む流れが、しにしは、やは9曲の反応に供給原料と
して利用できるため特にiましい。9;1えは、そのよ
うな流れはオキシ塩素化工程にしにしば哄袷でさるO典
型的にはその+A FL uエチレンをオキシ塩素化し
て1.2−ジクロロエタンを調造するオキシ塩素化工程
に哄袷することができる0 本発明に従って希釈剤として塩化水素を用いると、塩化
水素が不燃性であるため、また塩化水素が他の反応の副
生物としてよく入手できるために特に好ましい。例えば
、一貫生産の塩化ビニル装置において1.2−ジクロロ
エタンの塩化ビニルへの熱分解から副生物として得られ
る塩化水素は本発明による1、2−ジクロロエタンnM
系に希釈剤として使用できる。
本発明の域も広い観点では、精製系に導入される可燃性
物質、不燃性物質および酸素を含む4f11゜2−ジク
ロロエタンの一つまたはよ’) 多く(D(Mhは実質
上任意の源泉のものであることができる。
物質、不燃性物質および酸素を含む4f11゜2−ジク
ロロエタンの一つまたはよ’) 多く(D(Mhは実質
上任意の源泉のものであることができる。
典型的な源泉には充てん床、流動床または液相反応器中
でエチレンをオキシ塩素化するもの、エタンをオキシ塩
素化するもの、および液相または気相においてエチレン
と汚染量の酸素を含有する塩素とを反応させるものが包
含される。例えばアルブライト(L、 F、 Albr
lgM ) r塩化ビニルの製造(Manufactu
re of Vlnyl Chloride ) J
、ケミカル・インジニャリング(Chemlcal E
nginserinq )、4月10日号、1967年
、第219〜224頁および第226頁、並びに米国特
許第 3.427,359号および第5,769,573号明
細書を参照されたく、オキシ塩素化に関するそれらの全
開示は参照によりこ\に加えられる。また米;国特許第
1,231,123号、@2.043.932号、第2
,099,231号、第2,245,776号、第2.
356,785号、第2,593.567号および@2
. 601,322号を参照されたく、液相および(ま
たは)気相における塩素化に関するそれらの全開示は参
照によりこむに加えられる。
でエチレンをオキシ塩素化するもの、エタンをオキシ塩
素化するもの、および液相または気相においてエチレン
と汚染量の酸素を含有する塩素とを反応させるものが包
含される。例えばアルブライト(L、 F、 Albr
lgM ) r塩化ビニルの製造(Manufactu
re of Vlnyl Chloride ) J
、ケミカル・インジニャリング(Chemlcal E
nginserinq )、4月10日号、1967年
、第219〜224頁および第226頁、並びに米国特
許第 3.427,359号および第5,769,573号明
細書を参照されたく、オキシ塩素化に関するそれらの全
開示は参照によりこ\に加えられる。また米;国特許第
1,231,123号、@2.043.932号、第2
,099,231号、第2,245,776号、第2.
356,785号、第2,593.567号および@2
. 601,322号を参照されたく、液相および(ま
たは)気相における塩素化に関するそれらの全開示は参
照によりこむに加えられる。
本発明はエチレンと汚染量の酸素を含む塩素とを液相で
反応させ粗1.2−ジクロロエタンの少くとも一つの流
れを生ずる工程とともに用いることが好ましい。蔽相塩
素化反ろは塩化第二鉄の存在下に行なうことが特に好ま
しく二上記米国特許第2.556,785号および、l
!、2.393.567号明赳イ全珍照されたい。
反応させ粗1.2−ジクロロエタンの少くとも一つの流
れを生ずる工程とともに用いることが好ましい。蔽相塩
素化反ろは塩化第二鉄の存在下に行なうことが特に好ま
しく二上記米国特許第2.556,785号および、l
!、2.393.567号明赳イ全珍照されたい。
明−4および特許請求の範囲を通じて用いた「オキシ塩
素化」という用語は別の修正がなけれればその最も広い
意味で用いられ、塩素化炭化水素t−(11炭化水素お
よび(または)クロロ炭化7Kvs、(2)酸素並びに
(3)塩化水素および(または)塩素のディーコン(D
eacon ) 型反応触媒の存在下の反応によって
製造する方法が含まれる。ディーコン型反応触媒は米国
特許第3,679,373号明細書その他に記載されて
いる。
素化」という用語は別の修正がなけれればその最も広い
意味で用いられ、塩素化炭化水素t−(11炭化水素お
よび(または)クロロ炭化7Kvs、(2)酸素並びに
(3)塩化水素および(または)塩素のディーコン(D
eacon ) 型反応触媒の存在下の反応によって
製造する方法が含まれる。ディーコン型反応触媒は米国
特許第3,679,373号明細書その他に記載されて
いる。
粗1,2−ジクロロエタンの流れ中に存在する酸素は任
意の源泉から生ずることができる。酸素は1.2−ジク
ロロエタンの形侭後に粗ジクロロエタンに故意または故
意でなく導入されるかもしれないけれども、通常、酸素
源は1.2−ジクロロエタンが製造される一つまたはよ
)多くの反応系に対する供給原料中にある。例えば、エ
チレン、塩化水素および酸素を反応させることにより1
゜2−ジクロロエタンt−製造するオキシ塩素化反応に
おける酸素の不完傘転化の結果であることかできる。他
の例として、それは液相および(または) (気
相反応においてエチレンを塩素化し1.2−ジクロロエ
タンを製造するために使用した塩素中の汚染物′Aとし
て存在することができる。
意の源泉から生ずることができる。酸素は1.2−ジク
ロロエタンの形侭後に粗ジクロロエタンに故意または故
意でなく導入されるかもしれないけれども、通常、酸素
源は1.2−ジクロロエタンが製造される一つまたはよ
)多くの反応系に対する供給原料中にある。例えば、エ
チレン、塩化水素および酸素を反応させることにより1
゜2−ジクロロエタンt−製造するオキシ塩素化反応に
おける酸素の不完傘転化の結果であることかできる。他
の例として、それは液相および(または) (気
相反応においてエチレンを塩素化し1.2−ジクロロエ
タンを製造するために使用した塩素中の汚染物′Aとし
て存在することができる。
ail、2−ジクロロエタンの流れ中に存在する淑紫の
汚染量は広く変動することができるが、しかし通常流れ
の0よシ有意に多い量ないし約0.5重量幅の範囲にあ
る。しばしば流れの約0.01ないし約0.3iii%
の範囲にある。典型的には流れの約0.02ないし約0
.2重量係の範囲にある。「0より有意に多い量」とは
少くとも本発明による塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方による希釈なしで1l11,2−
ジクロロエタン梢製系内の少くとも一つの物砿の、荒れ
を引火蛇曲に入らせる、あるいは(2)精製系中に生ず
る、またはかなり生ずるor WQ注がある変動のため
1.・2−ジクロエタン梢製系内の少くとも一つの物置
の流れを引火範囲に入らせる量を意味する。
汚染量は広く変動することができるが、しかし通常流れ
の0よシ有意に多い量ないし約0.5重量幅の範囲にあ
る。しばしば流れの約0.01ないし約0.3iii%
の範囲にある。典型的には流れの約0.02ないし約0
.2重量係の範囲にある。「0より有意に多い量」とは
少くとも本発明による塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方による希釈なしで1l11,2−
ジクロロエタン梢製系内の少くとも一つの物砿の、荒れ
を引火蛇曲に入らせる、あるいは(2)精製系中に生ず
る、またはかなり生ずるor WQ注がある変動のため
1.・2−ジクロエタン梢製系内の少くとも一つの物置
の流れを引火範囲に入らせる量を意味する。
換言すれば、それは軽轍または取るに足らない量よりも
多い。
多い。
本発明が特有の利点を与えるのは、エチレンの塩素化に
より1.2−ジクロロエタンを製造するたぬに用いる塩
素中に酸素が汚染物として存在する領域においてである
。塩素は多くの方法で一罠造することができ、そのある
ものは他よシもよシ多量の汚染酸素を塩素に導入する。
より1.2−ジクロロエタンを製造するたぬに用いる塩
素中に酸素が汚染物として存在する領域においてである
。塩素は多くの方法で一罠造することができ、そのある
ものは他よシもよシ多量の汚染酸素を塩素に導入する。
工菓的には塩素は通常アルカリ金属塩化物、典型的には
塩化ナトリウム、の水溶液の電解によって装造される。
塩化ナトリウム、の水溶液の電解によって装造される。
いかなる理論にも拘束されることを望んでいなけれども
、電解的に製造した塩素中に存在する分子状酸素の多く
は水溶液中に存在した水の小部分の電解によって生ずる
と思われる。塩素を汚染する分子状酸素の量は電解液の
#li%′I!解液のl温度、1聯液のpH,電圧およ
び屯!sMの設計を含む多くの変数に依存する。近年、
黒鉛陽極槽の使用から寸法安定性の陽@を用いる電解漕
の使用に移ってきた。寸法安定性の・湯量は通常は白金
属金属または白金属金属の酸化物を含有する電気伝導性
の電気触媒コーティングで被覆されたまたは一部被情さ
れたパルプメタルペースである。例えば米国特許第3.
654,188号、第3.778,307号、第3,8
76.517号、第3,948,751号および萬3,
956,097号明細傅を参照されたく、それらの全開
示が参照によシこ\に加えられる。寸法安定性の14隠
を用いる電解槽の使用に2ける一つの不利益はそれらが
これまで工業的に用いられた多くの゛電解槽よりも多量
の汚染酸素を含有する塩素をよく生ずる傾同があること
である。
、電解的に製造した塩素中に存在する分子状酸素の多く
は水溶液中に存在した水の小部分の電解によって生ずる
と思われる。塩素を汚染する分子状酸素の量は電解液の
#li%′I!解液のl温度、1聯液のpH,電圧およ
び屯!sMの設計を含む多くの変数に依存する。近年、
黒鉛陽極槽の使用から寸法安定性の陽@を用いる電解漕
の使用に移ってきた。寸法安定性の・湯量は通常は白金
属金属または白金属金属の酸化物を含有する電気伝導性
の電気触媒コーティングで被覆されたまたは一部被情さ
れたパルプメタルペースである。例えば米国特許第3.
654,188号、第3.778,307号、第3,8
76.517号、第3,948,751号および萬3,
956,097号明細傅を参照されたく、それらの全開
示が参照によシこ\に加えられる。寸法安定性の14隠
を用いる電解槽の使用に2ける一つの不利益はそれらが
これまで工業的に用いられた多くの゛電解槽よりも多量
の汚染酸素を含有する塩素をよく生ずる傾同があること
である。
塩素はまた塩化水素と酸素からディーコン法によって製
造することもできる。例えば米国特許第85.370号
、第2,312,952号、第2.577.808号お
よび、m3,114.607号明@導を参照されたく、
それらの全開示が参照によりこ\に加えられる。そのよ
うな塩素は工程に導入プれた:4素の不完全転化から生
ずる汚染1の酸素を含有することができる。
造することもできる。例えば米国特許第85.370号
、第2,312,952号、第2.577.808号お
よび、m3,114.607号明@導を参照されたく、
それらの全開示が参照によりこ\に加えられる。そのよ
うな塩素は工程に導入プれた:4素の不完全転化から生
ずる汚染1の酸素を含有することができる。
なお池の塩素の製法は塩酸の電解である。例えば米国特
許弔3,129,152号明−r@書を参照されたく、
その全開示は参照に・よりこ\に加えられる。塩素の1
素汚染は水の一部の電解または他の源泉から生ずること
ができる。
許弔3,129,152号明−r@書を参照されたく、
その全開示は参照に・よりこ\に加えられる。塩素の1
素汚染は水の一部の電解または他の源泉から生ずること
ができる。
上記汚染量の酸素を含有する塩素源は決して網羅的では
なくて単に例示にすぎない。多くの他の塩素の製法が知
られ、それらの多くは少量の酸素で汚染された塩素を与
える。初めにはほとんどまたは全く酸素を含有しない塩
素でさえ、それらは後に例えば、系中への空気の漏洩に
よるように酸素で汚染され、源泉゛と考えることができ
る。
なくて単に例示にすぎない。多くの他の塩素の製法が知
られ、それらの多くは少量の酸素で汚染された塩素を与
える。初めにはほとんどまたは全く酸素を含有しない塩
素でさえ、それらは後に例えば、系中への空気の漏洩に
よるように酸素で汚染され、源泉゛と考えることができ
る。
塩素中に存在する酸素の汚染量は広範に変動することが
できるが、しかしそれは通常塩素および酸素を含む全組
成の0よシ有意に多い量ないし約5重関係の範囲にある
。それはしばしば塩素および酸素を含む全組成の約0.
05ないし約2重量俤の範囲にある。典型的には塩素お
よび酸素を含む全組成の約0.1ないし約1.5重Iチ
の軸間にある。塩素および酸素以外の他の物質もまた全
組成中に存在することができる。通常そのような他の物
質は、存在するとき、少量で存在する。
できるが、しかしそれは通常塩素および酸素を含む全組
成の0よシ有意に多い量ないし約5重関係の範囲にある
。それはしばしば塩素および酸素を含む全組成の約0.
05ないし約2重量俤の範囲にある。典型的には塩素お
よび酸素を含む全組成の約0.1ないし約1.5重Iチ
の軸間にある。塩素および酸素以外の他の物質もまた全
組成中に存在することができる。通常そのような他の物
質は、存在するとき、少量で存在する。
「0よプ有意に多い量」とは本発明による塩化水素、エ
チレン、または塩化水素とエチレンの両方による希釈な
しで少くとも111次の1.2−ジクロロエタン精製系
内の物質の少くとも一つの流れを引火範囲に入らせるか
、または(2)晴製系中に生じ、またはかなり生ずるl
v能性がある変動のために1゜2−ジクロロエタン精製
系内の物質の少くとも一つの流れを引火範囲に入らせる
量を意味する。換言すれはそれは軽微または取るに足ら
ない量より多い。
チレン、または塩化水素とエチレンの両方による希釈な
しで少くとも111次の1.2−ジクロロエタン精製系
内の物質の少くとも一つの流れを引火範囲に入らせるか
、または(2)晴製系中に生じ、またはかなり生ずるl
v能性がある変動のために1゜2−ジクロロエタン精製
系内の物質の少くとも一つの流れを引火範囲に入らせる
量を意味する。換言すれはそれは軽微または取るに足ら
ない量より多い。
源泉に関係なく汚染塩素の酸素含量を減少させるため、
塩素を液化し、気体酸素を除き、通常槽i塩素を再ひ蒸
発孕せることかしばしば慣例であった。塩素の精製工程
はエネルギー集約的であり、必要な装嬢は高価である。
塩素を液化し、気体酸素を除き、通常槽i塩素を再ひ蒸
発孕せることかしばしば慣例であった。塩素の精製工程
はエネルギー集約的であり、必要な装嬢は高価である。
エチレンおよび汚染量の酸素を含有する塩素が供給され
る塩素化反応系(通常は液相)を次の1゜2−ジクロロ
エタン精製系とともに用いる組合せ系において、その塩
素化系が、通帛1,2−ジクロロエタンの虫取に過度の
悪影′#ヲ及ぼすことなく通常用いられるよυも酸素の
大きい濃度を許容できることが見出された。しかし、次
のd4′vIi系中で酸素が可燃性物質を高割合で含有
する流れ中にa@される順回があるため、塩素化反応器
系を汚染酸素の高い濃度で運転すると精製系中の一つま
たはより多くの流れを引火範囲に入らせそうである。換
言すれば一般Kfll夷系が組合せ系に支配的な制約を
課するのである。
る塩素化反応系(通常は液相)を次の1゜2−ジクロロ
エタン精製系とともに用いる組合せ系において、その塩
素化系が、通帛1,2−ジクロロエタンの虫取に過度の
悪影′#ヲ及ぼすことなく通常用いられるよυも酸素の
大きい濃度を許容できることが見出された。しかし、次
のd4′vIi系中で酸素が可燃性物質を高割合で含有
する流れ中にa@される順回があるため、塩素化反応器
系を汚染酸素の高い濃度で運転すると精製系中の一つま
たはより多くの流れを引火範囲に入らせそうである。換
言すれば一般Kfll夷系が組合せ系に支配的な制約を
課するのである。
本発明は1.2−ジクロロエタン精製系中の酸素を含有
する流れの安全な取扱いを与え、それによシ塩素化系に
導かれる塩素中に地紋的多量の汚染酸素を用いることを
可能にする。その成果は酸素を除去するために塩素を液
化する工程を、その適用を実質的に減少しまたは排除す
ることさえでき、それにより、そうでなければこの唄的
に消費されるエネルギーが節減されることである。さら
に塩素精製系に必要な資本支出をしばしば著しく減少さ
せ、または排除することさえできる。
する流れの安全な取扱いを与え、それによシ塩素化系に
導かれる塩素中に地紋的多量の汚染酸素を用いることを
可能にする。その成果は酸素を除去するために塩素を液
化する工程を、その適用を実質的に減少しまたは排除す
ることさえでき、それにより、そうでなければこの唄的
に消費されるエネルギーが節減されることである。さら
に塩素精製系に必要な資本支出をしばしば著しく減少さ
せ、または排除することさえできる。
1.2−ジクロロエタン精製工程の流れの中に遭遇しそ
うな組成に対し現在利用できる引火性のデータは少ない
。これらのデータは当業者によく矧られた手順を用いて
所要または所望に応じて作ることができる。例えばAS
TMm準試験法ε681−79の一般手順を参照された
く、それは必要に応じて改変し、酸素の使用韮びにX温
度および圧力の広範な変動に備えることができる。
うな組成に対し現在利用できる引火性のデータは少ない
。これらのデータは当業者によく矧られた手順を用いて
所要または所望に応じて作ることができる。例えばAS
TMm準試験法ε681−79の一般手順を参照された
く、それは必要に応じて改変し、酸素の使用韮びにX温
度および圧力の広範な変動に備えることができる。
ASTM標準試験法E681−79の開示は参照により
そのままこ\に加えられる。またクレイパンとフォスタ
ー(Craven and Foster )の[酸素
翫窒気および空気−窒素混合物中の高温、高圧における
エチレンの引火性の範囲(Ths Lim1t ofF
laryrnablllty of Ethylene
In Oxygen、 Air andAlr−Ni
trogen Mixtwres at ε
1evat@d Ternperatureand
Pressures ) J %の「燃焼および火炎(
Combustlon and Flarne ) J
、gx巻、バッターワース(8utterworths
)、ロンドン(London )、1966年、弔9
5〜100頁を参照されだく、その一般手順はまた必要
に応じ改変することができる。そのような引火性データ
がなければ、引火性範囲および(または)4人すべき希
釈剤量の当初の評価は、存在するほぼ同様の組成に対す
る既存の引火性データ2甲いて行なうことができる。
そのままこ\に加えられる。またクレイパンとフォスタ
ー(Craven and Foster )の[酸素
翫窒気および空気−窒素混合物中の高温、高圧における
エチレンの引火性の範囲(Ths Lim1t ofF
laryrnablllty of Ethylene
In Oxygen、 Air andAlr−Ni
trogen Mixtwres at ε
1evat@d Ternperatureand
Pressures ) J %の「燃焼および火炎(
Combustlon and Flarne ) J
、gx巻、バッターワース(8utterworths
)、ロンドン(London )、1966年、弔9
5〜100頁を参照されだく、その一般手順はまた必要
に応じ改変することができる。そのような引火性データ
がなければ、引火性範囲および(または)4人すべき希
釈剤量の当初の評価は、存在するほぼ同様の組成に対す
る既存の引火性データ2甲いて行なうことができる。
エチレンが精製系中の引火範囲に入りそうな若干の流れ
中の主要成分であるので、エチレン−空気−窒素に対し
て与えられた上記クレイパン−フォスターのデータを用
い導入すべき塩化水素、エチレン、または塩化水素とエ
チレンの両方の希釈剤の量の当初の評価を与え念。クレ
イパン−フォスターの記事は参照忙よシそのま\こ\に
加えられる。クレイパンーフォスターのデータを可燃性
物質−酸素−不燃性物質に関して再計算し、再計算した
引火性下限データを三角グラフ紙上Kfロットシ1曲線
を構外して精製系の関連する流れの中に遭遇する可燃性
物質−酸素−不燃性物質の濃度のすべてを包含させた。
中の主要成分であるので、エチレン−空気−窒素に対し
て与えられた上記クレイパン−フォスターのデータを用
い導入すべき塩化水素、エチレン、または塩化水素とエ
チレンの両方の希釈剤の量の当初の評価を与え念。クレ
イパン−フォスターの記事は参照忙よシそのま\こ\に
加えられる。クレイパンーフォスターのデータを可燃性
物質−酸素−不燃性物質に関して再計算し、再計算した
引火性下限データを三角グラフ紙上Kfロットシ1曲線
を構外して精製系の関連する流れの中に遭遇する可燃性
物質−酸素−不燃性物質の濃度のすべてを包含させた。
一般手順はまず関心のある工租流れ中と少くとも同程変
の厳しさの一対の条件で引火性曲線上の最大許容濃度濃
変を確認した。次いで導入すべき塩化水素、エチレン、
オたは塩化水素とエチレンの両方の希釈剤の量を、r!
lI素**を予め決定した最大許容濃度の1/2に低下
させる量ととった□。
の厳しさの一対の条件で引火性曲線上の最大許容濃度濃
変を確認した。次いで導入すべき塩化水素、エチレン、
オたは塩化水素とエチレンの両方の希釈剤の量を、r!
lI素**を予め決定した最大許容濃度の1/2に低下
させる量ととった□。
次、IC図面をよシ詳細に参照し、エチレンのオキ
1シ堪素化(上記米国特許ta3゜679,373
号明細書参照)Kより生じ、ライン1を通して導いたg
il、2−ジクロロエタンをそれぞれライン2および4
を通る二つの流れに分割する。ライン2を通過する流れ
は液相塩素化反応器】0に導かれる。粗1,2−ノクロ
ロエタンはライン6を通して反応器10に導かれる。ラ
イン6を通る粗1゜2−ジクロロエタンは、1.2−ジ
クロロエタンを塩化ビニルに熱分解する系から再循環さ
れる。
1シ堪素化(上記米国特許ta3゜679,373
号明細書参照)Kより生じ、ライン1を通して導いたg
il、2−ジクロロエタンをそれぞれライン2および4
を通る二つの流れに分割する。ライン2を通過する流れ
は液相塩素化反応器】0に導かれる。粗1,2−ノクロ
ロエタンはライン6を通して反応器10に導かれる。ラ
イン6を通る粗1゜2−ジクロロエタンは、1.2−ジ
クロロエタンを塩化ビニルに熱分解する系から再循環さ
れる。
例えば米国特許第3,655.787号明細書を参照さ
れたく、その全開示は参照によりこ\に加えられる。エ
チレンはライン12を通して反応器10に導かれ、また
反応器に汚染量の酸素を含有する塩素がライン14を通
して導かれ、また後記する流れがライン16を通して導
かれる。塩化第二鉄は必要に応じ間欠的にライン8を通
して添加される。典型的には、その添加は窒素を詰めた
容器(図示なし)から、ライン2、ライン6またはライ
ン16から分流した若干の液体を用いて塩化第二鉄をラ
イン8を通して反応器10中ヘフラツシユさせることに
より行なわれる。反応、器10の、“’11%中Vこタ
ールが反応器の液相中に蓄積する・従つて液相は間欠的
にライン18を通過してトップケトル(Dopo ke
ttle ) 20へ進む。水蒸気はライン24を通し
てソヤケット22に導かれ、凝縮物はライン26を通し
てノヤケット22から取り出される。トップケトル20
からの蒸気はライン28を通して反応器10へ進ませる
。タールおよび他の塩化第2鉄を含む不揮発性物質はと
きど1きライン30を通して取り出される。
れたく、その全開示は参照によりこ\に加えられる。エ
チレンはライン12を通して反応器10に導かれ、また
反応器に汚染量の酸素を含有する塩素がライン14を通
して導かれ、また後記する流れがライン16を通して導
かれる。塩化第二鉄は必要に応じ間欠的にライン8を通
して添加される。典型的には、その添加は窒素を詰めた
容器(図示なし)から、ライン2、ライン6またはライ
ン16から分流した若干の液体を用いて塩化第二鉄をラ
イン8を通して反応器10中ヘフラツシユさせることに
より行なわれる。反応、器10の、“’11%中Vこタ
ールが反応器の液相中に蓄積する・従つて液相は間欠的
にライン18を通過してトップケトル(Dopo ke
ttle ) 20へ進む。水蒸気はライン24を通し
てソヤケット22に導かれ、凝縮物はライン26を通し
てノヤケット22から取り出される。トップケトル20
からの蒸気はライン28を通して反応器10へ進ませる
。タールおよび他の塩化第2鉄を含む不揮発性物質はと
きど1きライン30を通して取り出される。
粗1.2−Jクロロエタンはライン32をJつて反応器
10を去り、蒸留塔34に、その&トムプレートの下に
導かれる。塔34はライン38を通して導入された水蒸
気で加熱される+7 、yイン−36が具備されている
。塔34の底から液体はライン40を通してリゲイラ−
36へ進ませる。蒸気および沸騰液はライン42を通し
てリデイラ−36から移動させ、塔34に、ケトムグレ
ートの下へ導く。液体は塔34の中間プレートから抜き
出され、ライン44全通してストリツ′ピング塔46に
、そのトッププレート上へ進ませるO塔46はライン5
0を通して導入された水蒸気で加熱されるリボイラ−4
8が具備されている。塔46の底から液体はライン49
を通してリボイラー48へ進ませる。蒸気および沸騰液
体はライン51を通してリボイラー48から移動させ、
塔46に1デトムグレートの下へ導く。精製された1、
2−ジクロロエタンはライン52全通して塔46の底か
ら取り出される。
10を去り、蒸留塔34に、その&トムプレートの下に
導かれる。塔34はライン38を通して導入された水蒸
気で加熱される+7 、yイン−36が具備されている
。塔34の底から液体はライン40を通してリゲイラ−
36へ進ませる。蒸気および沸騰液はライン42を通し
てリデイラ−36から移動させ、塔34に、ケトムグレ
ートの下へ導く。液体は塔34の中間プレートから抜き
出され、ライン44全通してストリツ′ピング塔46に
、そのトッププレート上へ進ませるO塔46はライン5
0を通して導入された水蒸気で加熱されるリボイラ−4
8が具備されている。塔46の底から液体はライン49
を通してリボイラー48へ進ませる。蒸気および沸騰液
体はライン51を通してリボイラー48から移動させ、
塔46に1デトムグレートの下へ導く。精製された1、
2−ジクロロエタンはライン52全通して塔46の底か
ら取り出される。
ライン54を通って塔34を去る塔頂蒸気およびライン
56を通って塔46を去る塔頂蒸気は合わせて、ライン
58を通して分縮器60に導く。
56を通って塔46を去る塔頂蒸気は合わせて、ライン
58を通して分縮器60に導く。
ライン54および(または)ライン58を通過する流れ
が引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、
または塩化水素とエチレンの両方をライン62を通して
塔34のトッププレートに導き引火範囲に入らないこと
を保証させることができる。
が引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、
または塩化水素とエチレンの両方をライン62を通して
塔34のトッププレートに導き引火範囲に入らないこと
を保証させることができる。
液体はライン64を通して塔34の底から移動させて二
つの流れに分け、一つはライン66中へ進ませ、他はラ
イン68中へ進ませそこから蒸留塔70中へ、中間プレ
ート上に進ませる。塔7゜はライン74を通して導入さ
れた水蒸気で加熱されるIJ zイラー72が具備され
ている。塔7oの底から液体はライン73を通してリボ
イラー72へ進ませる。蒸気と沸騰液体はライン66中
通してリボイラ−72から移動させ、塔70に、yl?
トムプレートの下へ導く。主に高沸点物質を含む液体の
流れはライン76を通して塔70の底から取り出される
。ライン4を通過する粗1.2−ツク00エタン’ti
% 70に、トッププレート上へ導く。
つの流れに分け、一つはライン66中へ進ませ、他はラ
イン68中へ進ませそこから蒸留塔70中へ、中間プレ
ート上に進ませる。塔7゜はライン74を通して導入さ
れた水蒸気で加熱されるIJ zイラー72が具備され
ている。塔7oの底から液体はライン73を通してリボ
イラー72へ進ませる。蒸気と沸騰液体はライン66中
通してリボイラ−72から移動させ、塔70に、yl?
トムプレートの下へ導く。主に高沸点物質を含む液体の
流れはライン76を通して塔70の底から取り出される
。ライン4を通過する粗1.2−ツク00エタン’ti
% 70に、トッププレート上へ導く。
塔70から塔頂蒸気はライン78を通って凝縮器80へ
進む。凝縮器80から凝縮液はライン82を通過1〜.
ライン66を通過する液体と一緒にされ、ライン16を
通過する液体の流れを形成する。
進む。凝縮器80から凝縮液はライン82を通過1〜.
ライン66を通過する液体と一緒にされ、ライン16を
通過する液体の流れを形成する。
分縮器60中でライン58を通過する蒸気の一部を凝縮
させる。凝縮液はライン84を通して移動させ、ライン
86を通過する後記の液体流と合わせ、この合わせた流
れはライン88を通して還流として塔34に、トッププ
レート上へ導く。非凝縮蒸気は分縮器60からライン9
0を通って移動させる。ライン90を通過する流れ、お
よび(贅たは)後記するライン98中の流れが引火範囲
に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方をライン92を通して分縮器60
に導き、引火範囲に入らないことを保証させることがで
きる。
させる。凝縮液はライン84を通して移動させ、ライン
86を通過する後記の液体流と合わせ、この合わせた流
れはライン88を通して還流として塔34に、トッププ
レート上へ導く。非凝縮蒸気は分縮器60からライン9
0を通って移動させる。ライン90を通過する流れ、お
よび(贅たは)後記するライン98中の流れが引火範囲
に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方をライン92を通して分縮器60
に導き、引火範囲に入らないことを保証させることがで
きる。
ライン90を通過する蒸気は水冷濤縮器94に導かれる
。凝縮液はライン96を通して移−助させる。蒸気はラ
イン98を通して移動させ、ライン100に導く。ライ
ン100を通過する流れはライン102を通過する後記
の流れと合わせ、この合わせた流れはライン104を通
して冷#凝縮器106に導く。凝縮液はライン108を
通して移動させる。蒸気はライン110全通して移動さ
せライン112に導く。ライン110を通過する流れが
引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、ま
たは塩化水素とエチレンの両方をライン114を通して
ライン100に導き、引火−囲に入らないことを保証さ
せることができる。
。凝縮液はライン96を通して移−助させる。蒸気はラ
イン98を通して移動させ、ライン100に導く。ライ
ン100を通過する流れはライン102を通過する後記
の流れと合わせ、この合わせた流れはライン104を通
して冷#凝縮器106に導く。凝縮液はライン108を
通して移動させる。蒸気はライン110全通して移動さ
せライン112に導く。ライン110を通過する流れが
引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチレン、ま
たは塩化水素とエチレンの両方をライン114を通して
ライン100に導き、引火−囲に入らないことを保証さ
せることができる。
ライン112を通過する流りは冷凍#縮器116に導く
。da液はライン118を通して移動させる。蒸気はラ
イン120を通して移動させライン122に導く。ライ
ン120を通過する流れが引範囲に入る傾向があれば、
塩化水素、エチレン、または塩化水素とエチレンの両方
をライン124を通してライン112に導き、引火範囲
に入らないことを保証させることができる。
。da液はライン118を通して移動させる。蒸気はラ
イン120を通して移動させライン122に導く。ライ
ン120を通過する流れが引範囲に入る傾向があれば、
塩化水素、エチレン、または塩化水素とエチレンの両方
をライン124を通してライン112に導き、引火範囲
に入らないことを保証させることができる。
ライン122を通過する蒸気は圧縮機126に導き、そ
こで圧縮してライン128を迎して移動させる。圧縮機
126内の流れおよび(寸たは)ライン128を通過す
る流れが引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチ
レン、または塩化水素とエチレンの両方をライン130
を通してライン122に導き引火範囲に入らないことを
保証きせることができる。
こで圧縮してライン128を迎して移動させる。圧縮機
126内の流れおよび(寸たは)ライン128を通過す
る流れが引火範囲に入る傾向があれば、塩化水素、エチ
レン、または塩化水素とエチレンの両方をライン130
を通してライン122に導き引火範囲に入らないことを
保証きせることができる。
ライン128中の気体は有利と思われるように処理する
ことができる。しかし、主成分が通常塩化水素および酸
素、またはエチレンおよび酸素。
ことができる。しかし、主成分が通常塩化水素および酸
素、またはエチレンおよび酸素。
あるいは塩化水素、エチレンおよび酸素を含むので、流
れは有利にはエチレンをオキシ塩素化して1.2−ジク
ロロエタンを製造するオキシ塩素化反応器系に供給体の
一部として導くことができる。
れは有利にはエチレンをオキシ塩素化して1.2−ジク
ロロエタンを製造するオキシ塩素化反応器系に供給体の
一部として導くことができる。
ライン96.108および118を通過する種々の#1
atiを合わせ、そして、ライン136を通して導入さ
れた水蒸気で加熱される加熱器134にライン132を
通して導く。加熱器134はライン132を通過する液
体中に溶解した塩化水素および(または)エチレンの蒸
発に使用される。
atiを合わせ、そして、ライン136を通して導入さ
れた水蒸気で加熱される加熱器134にライン132を
通して導く。加熱器134はライン132を通過する液
体中に溶解した塩化水素および(または)エチレンの蒸
発に使用される。
蒸気は加熱器134からライン102を通して移動させ
る。液体は刃口熱器134からライン138を通して移
動させ蒸留塔140に、中間グレート上へ導く。塔14
0はライン144から導入された水蒸気で加熱されるリ
セイラ−142が具備されている。塔140の底から液
体はライン146を通ってリケイラ−142に進む。蒸
気および沸騰液体はライン148全通してリボイラ−1
42から移動させ、塔140に、?トムプレートの下へ
尋〈。液体はライン86を通して塔140の底から移動
させ、前記のように□ライン84を通過する液体と合わ
せる。ライン150を通って塔140を去る塔頂蒸気は
分縮器152に導く。分縮器152中で、ライン150
を通過する蒸気の一部を凝縮させる。凝縮液はライン1
54を通して移動させ、還流として塔140のトラff
レートに導く。未凝縮蒸気はライン156を通して分縮
器152から移動させ、凝縮器158に導く。
る。液体は刃口熱器134からライン138を通して移
動させ蒸留塔140に、中間グレート上へ導く。塔14
0はライン144から導入された水蒸気で加熱されるリ
セイラ−142が具備されている。塔140の底から液
体はライン146を通ってリケイラ−142に進む。蒸
気および沸騰液体はライン148全通してリボイラ−1
42から移動させ、塔140に、?トムプレートの下へ
尋〈。液体はライン86を通して塔140の底から移動
させ、前記のように□ライン84を通過する液体と合わ
せる。ライン150を通って塔140を去る塔頂蒸気は
分縮器152に導く。分縮器152中で、ライン150
を通過する蒸気の一部を凝縮させる。凝縮液はライン1
54を通して移動させ、還流として塔140のトラff
レートに導く。未凝縮蒸気はライン156を通して分縮
器152から移動させ、凝縮器158に導く。
凝縮器158から蒸気はライン160を通して移動させ
、所望により処分することができ、典型的には焼却炉に
送る。凝縮器158から液体はライン162を通して移
動させ所望により処分することができる。しかし、主成
分は通常クロロホルム、1.1−)クロロエタン、シス
−ツクo o x f L/ン、 1 、2−ノクロ
ロエタン、塩化エチル、四塩化炭素およびトランス−ジ
クロロエチレンであるので、その流れは、有利には梗ル
クロロエテレンおよびトリクロロエチレンを製造するオ
キシ塩素化反応器系に供給体の一部として導くことがで
きる。米国特許第3,256.352号、第3.267
.162号および第3,296,319 。
、所望により処分することができ、典型的には焼却炉に
送る。凝縮器158から液体はライン162を通して移
動させ所望により処分することができる。しかし、主成
分は通常クロロホルム、1.1−)クロロエタン、シス
−ツクo o x f L/ン、 1 、2−ノクロ
ロエタン、塩化エチル、四塩化炭素およびトランス−ジ
クロロエチレンであるので、その流れは、有利には梗ル
クロロエテレンおよびトリクロロエチレンを製造するオ
キシ塩素化反応器系に供給体の一部として導くことがで
きる。米国特許第3,256.352号、第3.267
.162号および第3,296,319 。
号1英国特許第1.123.477号および第1.27
6.431号明細書を参照されたく、それらの全開示は
参照によりこ\に加えられる。種々の塩素化メタンは硬
ルクロロエチレンおヨヒトリクロロエテレンの精製の間
に便宜に分離される。
6.431号明細書を参照されたく、それらの全開示は
参照によりこ\に加えられる。種々の塩素化メタンは硬
ルクロロエチレンおヨヒトリクロロエテレンの精製の間
に便宜に分離される。
この手順は糸に対するオキシ塩素化反応器に02物質を
導く前にライン162を通過する流れを精製する必要を
排除させる。
導く前にライン162を通過する流れを精製する必要を
排除させる。
系の性質の説明を平明にするために1本発明の完全な理
解に重要でないバルブ、ポンプ、流れ指示計、圧力指示
計、減圧装置、温度指示計などのような装置の部分は図
面から省略した。
解に重要でないバルブ、ポンプ、流れ指示計、圧力指示
計、減圧装置、温度指示計などのような装置の部分は図
面から省略した。
本発明の精神から逸脱することなく図面の系に種々の改
変をすることができることが認められるであろう。例え
ば1種々の塔は泡鐘塔、網目根基。
変をすることができることが認められるであろう。例え
ば1種々の塔は泡鐘塔、網目根基。
充てん塔または同様の装置であることができる。
水蒸気以外の熱源を用いることができる。配管。
装置および手順のあるものは変更できる。例えばライン
86はライン84と88の接合部よシもむしろ反応器1
0に対する供給ラインとして連結することができ、底部
物(b□ttoms )は塔の底からよりもむしろリボ
イラーから取り出すことができ、分縮器は全縮器で代替
することができ、連続する凝縮器は統合するかまたはそ
の数を増すことができ、ストリッピング塔46は省略す
ることができる。他の改変は当業者に明らかであろう。
86はライン84と88の接合部よシもむしろ反応器1
0に対する供給ラインとして連結することができ、底部
物(b□ttoms )は塔の底からよりもむしろリボ
イラーから取り出すことができ、分縮器は全縮器で代替
することができ、連続する凝縮器は統合するかまたはそ
の数を増すことができ、ストリッピング塔46は省略す
ることができる。他の改変は当業者に明らかであろう。
本発明はさらに次の実施例に関して記載され。
実施例は限定よ〕もむしろ例示とみなすべきである。
実施例I
図面の塩素化および精製系に対してコンピューターシミ
ュレーションを行なったが、シミュレーションにおいて
は(1)ライン86を通過する液体はライン84を通過
する液体流と合わせてライン88を通して塔34に供給
するよりもむしろ反応器IQK導くとみなし、(21ト
ツプケトル20は間欠的よりもむしろ連続的に運転する
とみなし、また(3)ライン78を通過する蒸気は先立
つ凝縮なしで反応器101C直接導かれるとみたした。
ュレーションを行なったが、シミュレーションにおいて
は(1)ライン86を通過する液体はライン84を通過
する液体流と合わせてライン88を通して塔34に供給
するよりもむしろ反応器IQK導くとみなし、(21ト
ツプケトル20は間欠的よりもむしろ連続的に運転する
とみなし、また(3)ライン78を通過する蒸気は先立
つ凝縮なしで反応器101C直接導かれるとみたした。
シミュレーションにおいてライン92および124を通
して何ら希釈剤を加えなかった。塔34は約80実(理
論と対照した)プレートを包含1.、ライン44を通過
する液体は頂部から200番目プレートで塔34から抜
き出した。塔34の還流比、すなわち、ライン90中の
流れに対するライン84中の流れの比は重量基準で50
.8であった。塔46は約19実プレートを包含した。
して何ら希釈剤を加えなかった。塔34は約80実(理
論と対照した)プレートを包含1.、ライン44を通過
する液体は頂部から200番目プレートで塔34から抜
き出した。塔34の還流比、すなわち、ライン90中の
流れに対するライン84中の流れの比は重量基準で50
.8であった。塔46は約19実プレートを包含した。
塔70は約25実プレートを包含し、ライン68を通過
する液体は塔7(NC頂部から11番目のプレート上へ
導いた。塔140は約35実プレートを包含しライン1
38を通過する液体は塔140に頂部から18@目のグ
レート上へ導いた。塔140の還流比、すなわち、ライ
ン156中の流れに対するライン154中の流れの比は
重量基準で15.5で、あった。シミュレーションで測
定した種々のラインを通過する流れに対するデータは表
1に示される。これらのデータは大部分は右側数字の有
効性に関連なく小数泄3位まで与えた。与えた圧力およ
び温度は公称で、ラインおよ、び装置による圧力降下並
びに系の外部へのおよt外部からの熱伝達に対して調整
しなかった。若干の段階における圧力および温度は実際
に装置への導入または他の流れとの合流前に圧力を増加
または減少すべきである流れに対して示されている。こ
れらの段階はデータから明らかであろう。
する液体は塔7(NC頂部から11番目のプレート上へ
導いた。塔140は約35実プレートを包含しライン1
38を通過する液体は塔140に頂部から18@目のグ
レート上へ導いた。塔140の還流比、すなわち、ライ
ン156中の流れに対するライン154中の流れの比は
重量基準で15.5で、あった。シミュレーションで測
定した種々のラインを通過する流れに対するデータは表
1に示される。これらのデータは大部分は右側数字の有
効性に関連なく小数泄3位まで与えた。与えた圧力およ
び温度は公称で、ラインおよ、び装置による圧力降下並
びに系の外部へのおよt外部からの熱伝達に対して調整
しなかった。若干の段階における圧力および温度は実際
に装置への導入または他の流れとの合流前に圧力を増加
または減少すべきである流れに対して示されている。こ
れらの段階はデータから明らかであろう。
実施例■
コンピユー ターシミュレーションヲ図面の塩素化およ
び帽製系について行なったが、シミュレーションにおい
てドッグケトル20は間欠よりもむしろ連続的に運転さ
れるとみなした。シミュレーションにおいてライン92
.124および130を通して何ら希釈剤を加えなかっ
た。塔34は約78実(理論と対照した)グレートを包
含し、ライン44を通過する液体は頂部から18番目の
プレートで塔34から抜き出した。塔34の還流比。
び帽製系について行なったが、シミュレーションにおい
てドッグケトル20は間欠よりもむしろ連続的に運転さ
れるとみなした。シミュレーションにおいてライン92
.124および130を通して何ら希釈剤を加えなかっ
た。塔34は約78実(理論と対照した)グレートを包
含し、ライン44を通過する液体は頂部から18番目の
プレートで塔34から抜き出した。塔34の還流比。
すなわち、ライン90中の流れに対するライン84中の
流れの比は重量基準で44.4であった。
流れの比は重量基準で44.4であった。
塔46は約19実プレートを包含した。塔70は約24
実プレートを包含し、ライン68を通過する液体は塔7
0に、頂部から11番目のプレート上へ導いた。塔14
0は約35実プレートを包含し、ライン138を通過す
る液体は塔140に。
実プレートを包含し、ライン68を通過する液体は塔7
0に、頂部から11番目のプレート上へ導いた。塔14
0は約35実プレートを包含し、ライン138を通過す
る液体は塔140に。
頂部から20番目のグレート上へ導いた。塔140の還
流比、すなわち、ライン156中の流れに対するライン
154中の流れの比は重量基準で16.2であった。シ
ミュレーションで測定した種々のラインを通過する流れ
に対するデータは表2に示されている。これらのデータ
は大部分右側数字の有効性に関連なく小数第3位まで与
えた。
流比、すなわち、ライン156中の流れに対するライン
154中の流れの比は重量基準で16.2であった。シ
ミュレーションで測定した種々のラインを通過する流れ
に対するデータは表2に示されている。これらのデータ
は大部分右側数字の有効性に関連なく小数第3位まで与
えた。
与えた圧力および温度は公称であり、ラインおよび@置
による圧力降下の影響並びに系の外部へのまたは外部か
らの熱移動に対して調整しかかった。
による圧力降下の影響並びに系の外部へのまたは外部か
らの熱移動に対して調整しかかった。
若干の段階における圧力および温度は、実際には装置へ
の導入または他の流れとの合流前に圧力を増加または低
下すべきである流れに対して示される。これらの段階は
データから明らかであろう。
の導入または他の流れとの合流前に圧力を増加または低
下すべきである流れに対して示される。これらの段階は
データから明らかであろう。
7・′
/
本発明は単独にある。または前記1またはより多くの工
程とともに用いた1、2−ジクロロエタンの精製工程に
有用である。しかし、本発明は本発明を用いる一つまた
はより多くの1,2−ジクロロエタン精製工程が例えば
塩素を電解により製造し、1,2−ジクロロエタンをエ
チレンの塩素化および(または)オキシ塩素化により製
造し。
程とともに用いた1、2−ジクロロエタンの精製工程に
有用である。しかし、本発明は本発明を用いる一つまた
はより多くの1,2−ジクロロエタン精製工程が例えば
塩素を電解により製造し、1,2−ジクロロエタンをエ
チレンの塩素化および(または)オキシ塩素化により製
造し。
塩化ヒニルを1,2−ジクロロエタンの熱+gにより製
造し、またイルクロロエチレンおよびトリクロロエチレ
ンを炭化水素および(またけ)クロロ炭化水素のオキシ
塩素化により製造する4ののような完全な一貫生産の塩
素有機連合体(chloroorganic coml
ex )に組入わられると特に有利である。
造し、またイルクロロエチレンおよびトリクロロエチレ
ンを炭化水素および(またけ)クロロ炭化水素のオキシ
塩素化により製造する4ののような完全な一貫生産の塩
素有機連合体(chloroorganic coml
ex )に組入わられると特に有利である。
本発明は一定の具体化例の特定細目に関連して記載され
ているけれども、そのような細目が特許請求の範囲に包
含される限シを除いてそれらを本発明の範囲を限定する
ものとみな子べく意図されてい々い。
ているけれども、そのような細目が特許請求の範囲に包
含される限シを除いてそれらを本発明の範囲を限定する
ものとみな子べく意図されてい々い。
図面は本発明の1,2−ジクロロエタンの精製方法を例
示する線図である。 1・・・エチレンオキシ塩素化@1.2−ノクロロエタ
ンライン、6・・・熱分解循環粗1.2−ノクロロエタ
ンライン、10・・・塩素化反応器、12・・・エチレ
ンライン、14−塩素ライン、20・・・ドープケトル
、34・・・蒸留塔、46・・・ストリッピング塔、5
2・・・精製1.2−ジクロロエタンライン、70・・
・蒸留塔、62,92.1]4.124,130・・・
塩化水素、エチレンライン、126・・・圧縮機、14
0・・・蒸留塔。
示する線図である。 1・・・エチレンオキシ塩素化@1.2−ノクロロエタ
ンライン、6・・・熱分解循環粗1.2−ノクロロエタ
ンライン、10・・・塩素化反応器、12・・・エチレ
ンライン、14−塩素ライン、20・・・ドープケトル
、34・・・蒸留塔、46・・・ストリッピング塔、5
2・・・精製1.2−ジクロロエタンライン、70・・
・蒸留塔、62,92.1]4.124,130・・・
塩化水素、エチレンライン、126・・・圧縮機、14
0・・・蒸留塔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 可燃性物質、不燃性物質および酸素を含む粗
1.2−ジクロロエタンの少くとも一つの流れを精製系
に導き、そこから精製1.2−ジクロロエタンおよび一
つまたはより多くの他の物質の流れを取り出す方法にお
いて、前記精製系内の物質の少くとも一つの流れが引火
範囲に入らないことを保証するため前記精製系に一つま
たはより多くの位置で塩化水素、エチレン、または塩化
水素とエチレンの両方を導入することを含む方法。 (匂 前記粗1,2−ジクロロエタンがエチレンのオ
キシ塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の
範囲第(1)項記載の方法。 (3) 前記徂1.2−ジクロロエタンがエチレンの
液相塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の
範囲第(1)項記載の方法、 (4)前記エチレンの液相塩素化が塩化第二鉄の存在下
に行なわれている、特許請求の範囲第(3)項記載の方
法。 (5)前記m製1,2−ジクロロエタンの少くトモ一部
分が塩化ビニルに熱分解される、特許請求の範囲第(1
1項記載の方法。 (6) 塩化水素、または塩化水素とエチレンの両方
が前記精製系に前記一つまたはより多くの位置で導入さ
れ、マ九曲記塩化水素が1,2−ゾクロジエタンの熱分
解から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第(
1)項記載の方法。 (7)前記精製系から取り出された他の物質の少くとも
一つの前記の流れが塩素化炭化水素を含み、を九前記の
取り出された流れがペルクロロエチレンジよびトリクロ
ロエチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる
、特許請求の範囲第(1)項記載の方法、 (8) 前記精製系から取り出された他の物質の少く
とも一つの前記の流れが塩化水素および酸素、またはエ
チレンおよび酸素、あるいは塩化水素、エチレンおよび
酸素を含み、また前記の取抄出された流れがエチレンを
オキシ塩素化して1゜2−シクロ、CIエタンを製造す
るオキシ塩素化反応器系に導かれる、特許請求の範囲第
(1)項記載の方法ゆ (9)@記の酸素が粗1,2−ジクロロエタンの前記流
れの0より有意に多い量ないし約0.5重量−の範囲の
量で粗1,2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在する
、特許請求の範囲第(1)項記載の方法。 al 前記の酸素が粗1,2−ゾクロロエタンの前記
流れの約0.01ないし約0.3重量−の範囲の量で粗
1,2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在する、特許
請求の範囲第(1)項記載の方法O α埠 前記の酸素が#11.2−ゾクロロエタンの前記
流れの約0.02ないし一〇、2重量−の範囲の量で粗
1,2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在する、特許
請求の範囲第(11項記載の方法。 (6) エチレンと汚染量の酸素を含有する塩素とが反
応して粗1,2−ゾクロロエタンの少くとも一つの流れ
を生じ、前記流れが可燃性物質、不燃性物質および酸素
を含み、前記流れが精製1゜2−ジクロロエタンおよび
一つまたはより多くの他の物質の流れを取り出す精製系
に導かれる方法において、前記精製系内の物質の少くと
も一つの流れが引火範囲に入らないことを保証するため
前記精製系に一つまたはより多くの位置で、塩化水素、
エチレン、1+は塩化水素とエチレンの両方を導入する
ことを含む方法。 (至)前記反応が液相反応である、特許請求の範囲第(
6)項記載の方法。 a4 前記反応が塩化第二鉄の存在下に行表われる、
特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (至) 前記汚染量の酸素を含有する塩素がアルカリ金
属塩化物の水溶液の電解から少くとも一部分々 生じている、特許請求の範囲第(6)項記載の方法。 (2) 前記アルカリ金属塩化物が塩化ナトリウムでめ
る、特許請求の範囲第(2)項記載の方法。 (ロ)塩化水素、ま念は塩化水素とエチレンの両方が前
記精製系に前記一つまたはより多くの位置で導入され、
’i&前記塩化水素が1,2−ジクロロエタンの熱分解
から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第(2
)項記載の方法。 (至) 前記精製系から取り出された前記他の物質の少
くとも一つの流れが塩素化炭化水素を含み、また前記取
り出された流れがイルクロロエチレンおよびトリクロロ
エチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる、
特許請求の範囲第(2)項記載の方法。 (至)前記精製系から取り出され几他の物質の少くとも
一つの前記の流れが塩化水素をよび酸素、まえはエチレ
ン訃よび酸素、あるいは塩化水素、エチレン訃よび酸素
を含み、ま几前記取り出され之流れがエチレンをオキシ
塩素化して1.2−ジクooエタンを製造するオキシ塩
素化反応器系に導かれる5%許請求の範囲第(2)項記
載の方法。 cl 前記汚染Iの酸素が、前記塩素および前記塩素
を含む全組成の0より有意に多い竜ないし約5重量%の
範囲にある、特許請求の範囲第(2)項記載の方法・ (2)前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を
含む全組成の約0.05ないし約2重量−の範囲におる
5特許請求の範囲第(6)項記載の方法O 翰 前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を含
む全組成の約0.1ないし約1.5重電−の範囲KTo
る、特許請求の範囲第(6)項記載の方法・ に)(a) 塩化ナトリウムの水溶液を電解して汚染
量の酸素を含有する塩素を製造する、 (b) エチレンと前記汚染量の酸素を含有する塩素
の少くとも一部分とを液相で塩化第二鉄の存在下に反応
させ、可燃性物質、不燃性物質および酸素を含む粗1.
2−ゾクロロエタンの少くとも一つの流れを生成させる
。 (C) 前記の流れを精製系に導く、(d) 前記
精製系内の少くとも一つの流れか引火範囲に入らないこ
とを保証するため前記精製系に一つまたはより多くの位
置で塩化水素、エチレン、または塩化水素とエチレンの
両方を導入する、 (・) 前記精製系から精製された1、2−ジクロロエ
タンを取り出す、 (f) 前記の精製された1、2−ジクロロエタンの
少くとも一部分を塩化ビニルに熱分解する、(ロ)塩化
水素および酸素、ま念はエチレンおよび酸素、らるいは
塩化水素、エチレンおよび酸素を含む第1流を前記精製
系から取り串す。 (fi) 前記第1流を、エチレンをオキシ塩素化し
て1.2−ジクロロエタンを製造するオキシ塩素化反応
器に導く、 (+) 塩素化炭化水素を含む第2流を前記精製系か
ら取抄出す、訃よび (1) 前記第2流を、ペルフクロエチレンおよびト
リクロロエチレンを製造♀るオキシ塩素化反応器系に導
く、 ことを含む方法。 ■ 塩化水素、ま念は塩化水素とエチレンの両方が前記
精製系に前記一つまたはより多くの位置で導入され、ま
た前記塩化水素が1.2−ジクロロエタンの熱分解から
少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第(2)項
記載の方法。 彌 前記汚染量の酸素が前記塩素および前記酸素を含む
全組成の0より有意に多い竜ないし約5重量%の範囲に
ある、特許請求の範囲第一項記載の方法。 (ハ)前記汚染量の酸素が、前、記塩素および前記噸素
を含む全組成の約0.05ないし約2重量−〇範囲にあ
る、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (2)前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を
含む全組成の約0.1ないし約1.5重量−の範囲にあ
る、特許請求の範囲第一項記載の方法。 (至)塩化水素が前記精製系に前記一つまたはより多く
の位置で導入される、特許請求の範囲第(1)項記載の
方法。 霜 前記粗1,2−ゾクロロエタンがエチレンのオキシ
塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲
第(ハ)項記載の方法。 ω 前記ff11.2−ジクロロエタンがエチレンの液
相塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の範
囲第(至)項記載の方法。 ((1前記エチレンの液相塩素化が塩化第二鉄の存在下
に行なわれている、特許請求の範囲第(至)項記載の方
法。 (至) 前記精製1.2−ジクロロエタンの少くとも一
部分が塩化ビニルに熱分解される、特許請求の範囲第(
7)項記載の方法。 (至) 前記塩化水素が1.2−ジクロロエタンの熱分
解から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第(
至)項記載の方法。 ■ 前記精!系から取り出され友他の物質の少くとも一
つの前記の流れが塩素化炭化水素を含み、また前記の取
り出された流れがペルクロロエチレンジよびトリクロロ
エチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる、
特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (至) 前記精製系から取り出された他の物質の少くと
も一つの前記の流れが塩化水素および酸素または塩化水
素、エチレンおよび酸素を含み、また前記の取り出され
た流れがエチレンをオキシ4g化して1.2−ジクロロ
エタン1ftS造スルオキシ塩素化反応器系に導かれる
、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (至) 前Pの酸素が、粗1.2−ゾクロロエタンの前
記流れの0より有意に多い量ないし約0.5重量%の範
囲の量で粗1.2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在
する、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (至) 前記の酸素が粗1,2−ジクロロエタンの前記
流れの約0.01ないし約0.3重量%の範囲の量で粗
1,2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在する、特許
請求の範囲第四項記載の方法。 (至) 前記の酸素が@1.2−ゾクロロエタンの前記
流れの約0.02ないし約0.2重fIsの範囲の量で
粗1.2−ソクロロエタンの前記流れ中に存在する、特
許請求の範囲第(ハ)項記載の方法。 Qs 塩化水素が前記精製系に前記一つまたはより多
くの位置で導入される、特許請求の範囲第(2)項記載
の方法。 咽 前記反応が液相反応である、特許請求の範囲第(至
)項記載の方法。 +411 fm記反応が塩化第二鉄の存在下に行なわ
れる、特許請求の範囲第一項記載の方法。 ′43 前記汚染量の酸素を含有する塩素がアルカリ
金属塩化物の水溶液の電解から少くとも一部分生じてい
る、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 !43 前記アルカリ金属塩化物が塩化ナトリウムで
ある、特許請求の範囲第り項記載の方法。 鋳 前記塩化水素が1.2−ジクロロエタンの熱分解か
ら少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第一項記
載の方法。”′ 1 句 前記精製系から取り出された他の物質の少くとも一
つの前記の流れが塩素化炭化水素を含み、また前記の取
り出された流れがベルクロロエチレンおよびトリクロロ
エチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる、
特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 禰 前記精製系から取り出された他の物質の少くとも一
つの前記の流れが塩化水素および酸素、または塩化水素
、エチレンおよび酸素を含み、また前記の堆り出された
流れがエチレンをオキシ塩素化して1,2−ジクロロエ
タンを製造スるオキシ塩素化反応器系に導かれる、特許
請求の範囲第(至)項記載の方法。 顛 前記汚染量の酸素が、前F[素および前記酸素を含
む全組成の0より有意に多い量ないし約5重量−の範囲
にある。特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 鰺 前記汚染量の酸素が、帥記塩素訃よび前記酸素を含
む全組成のio、osないし約2重量%の範囲にある、
特許請求の範囲第(至)項記載の方 )法。 −前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を含む
全組成の約0.1ないし約1.5重量%の範囲にある、
特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 ω 塩化水素が前記精製系に前記一つまたはより多くの
位置で導入され、前記第1流が塩化水素および酸素また
は塩化水素、エチレンおよび酸素を含む、特許請求の範
囲第(ホ)項記載の方法。 6カ 前記塩化水素が1,2−ジクロロエタンの熱分
解から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲第一
項記載の方法。 −前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を含む
全組成の0より有意に多い量ないし約5重量%の範囲に
ある、特許請求の範囲第ω項記載の方法。 −前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を含む
全組成の約0.osないし約2重量%の範囲にある、特
許請求の範囲第ω項記載の方法。 (ロ)前記汚染量の酸素が、前記塩素をよび前記酸素を
含む全組成の約0,1ないし約1.5重量−の範囲に6
る。特許請求の範囲第ω項記載の方法。 (至) エチレンが前記精製系に前記一つまたはより多
くの位置で導入される、特許請求の範囲第(1)項記載
の方法。 (至)前記粗1,2−ジクロロエタンがエチレンのオキ
シ塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の範
囲第(至)項記載の方法。 (資)前F粗1,2−ゾクロロエタンがエチレンノ液相
塩素化から少くとも一部分生じている、特許請求の範囲
第(至)項記載の方法。 (至)前記エチレンの液相塩素化が塩化第二鉄の存在下
に行なわれている、特許請求の範囲第一項記載の方法。 −前記精製1.2−ジクロロエタンの少くトモ一部分が
塩化ビニルに熱分解される、特許請求の範囲第(至)項
記載の方法。 鏝 前記精製系から堆り出された他の物質の少くとも一
つの前記の流れが塩素化炭化水素を含み、また前記の取
り出された流れがベルクロロエチレンおよびトリクロロ
エチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる、
特許請求の範囲第(至)項記載の方法。゛ 6D#記f#製糸から取り出され走他の物質の少くとも
一つの前記の流れがエチレン訃よび酸素、または塩化水
素、エチレンおよび酸素を含み、また前記の取り出され
た流れがエチレンをオキシ塩素化して1.2−ジクロロ
エタンをIffるオキシ塩素化反応器系に導かれる、特
許請求の範囲第(至)項記載の方法。 口 前記の酸素が粗1.2−ソクロロエタンの前記流れ
の0より有意に多い量ないし約0.5重量−の範囲の量
で粗1.2−ゾクOt:Iエタンの前記流れ中に存在す
る、特許請求の範囲第ω項記載の方法。 Ω 前記の酸素が粗1,2−ジクロロエタンの前記流れ
の約0.01ないし約、0.3重量−の範囲の量で粗1
.2−ゾクロロエタンの前記流れ中に存在する、特許請
求の範囲第(至)項記載の方法。 (財) 前記の酸素が粗1.2−ジクロロエタンの前記
流れの約0.02ないし約0.2重量%の範囲の量で粗
1.2−ゾクロロエタンの前配流れ中に存在する、特許
請求の範囲第(至)項記載の方法。 −エチレンが前記精製系に前記一つまたはより多くの位
置で導入される、特許請求の範囲第(ハ)項記載の方法
。 (至)前記反応が液相反応である、特許請求の範囲第(
至)項記載の方法。 鋪 前記反応が塩化第二鉄の存在下に行なわれる、特許
請求の範囲第一項記載の方法。 sl 前記汚染量の酸素を含有する塩素がアルカリ金
属塩化物の水溶液の電解から少くとも一部分生じている
、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 (至) 前記アルカリ金属塩化物が塩化ナトリウムであ
る、特許請求の範囲161項記載の方法。 (至)前記精製系から取り出された他の物質の少くとも
一つの前記の流れが塩素化炭化水素を含み、また前記の
取り出された流れが4ルクロロエチレンおよびトリクロ
ロエチレンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる
、特許請求の範囲第一項記載の方法。 0 前記精製系から取り出された他の物質の少くとも7
つの前記の流れがエチレンおよび酸素、tiは塩化水素
、エチレンおよび酸素を含み、また前記の取り出された
流れがエチレンをオキシ塩素化して1,2−ジクロロエ
タンを製造するオキシ塩素化反応器系に導かれる、特許
請求の範囲第一項記載の方法。 @ 前記汚染量の酸素が、前記塩素およ、び前記酸素を
含む全組成の0より有意に多い量ないし約5重量−の範
囲にある、特許請求の範囲第(ト)項記載の方法。 ff3 前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸
素を含む全組成の約0.05ないし約2重量%の範囲に
ある、特許請求の範囲第一項記載の方法・j σ4 曲記汚染貴の酸素が、前記塩素および前記酸素を
含む全組成の約0.1ないし約1.5重量%の範囲にあ
る、特許請求の範囲第一項記載の方法。 (ハ) エチレンが前記精製系に前記一つまたはより多
くの位置で導入され、前記第1流がエチレンおよび酸素
、または塩化水素、エチレンおよび酸素を含む、特許請
求の範囲第一項記載の方法。 σe 前記汚染量の酸素が、@配塩素および金肥酸素を
含む全組成の0より有意に多い量ないし約5重量%の範
囲にある、特許請求の範囲第(至)項記載の方法。 0 前記汚染量の酸素が、前記塩素および前記酸素を含
む全組成の約0.05ないし約2重量−の範囲にある、
特許請求の範囲第σ5項記載の方法。 (至)前記汚染量の酸素が、前記塩素および1記酸素を
含む全組成の約0.1ないし約1.5重量%の範囲にあ
る、特許請求の範囲第σS項@e載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37773982A | 1982-05-13 | 1982-05-13 | |
| US377739 | 1982-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206536A true JPS58206536A (ja) | 1983-12-01 |
| JPS606926B2 JPS606926B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=23490326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082450A Expired JPS606926B2 (ja) | 1982-05-13 | 1983-05-11 | 粗1、2−ジクロロエタンの精製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606926B2 (ja) |
| FR (1) | FR2526788A1 (ja) |
| GB (1) | GB2119802B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105603A (ja) * | 1974-01-25 | 1975-08-20 | ||
| JPS5535010A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Production of polychlorinated ethane |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3917727A (en) * | 1974-08-16 | 1975-11-04 | Lummus Co | Vinyl chloride process |
| US3963584A (en) * | 1974-08-16 | 1976-06-15 | The Lummus Company | Recovery of 1,2-dichloroethane from vinyl chloride production effluent |
-
1983
- 1983-05-10 FR FR8307822A patent/FR2526788A1/fr active Granted
- 1983-05-11 JP JP58082450A patent/JPS606926B2/ja not_active Expired
- 1983-05-13 GB GB08313160A patent/GB2119802B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105603A (ja) * | 1974-01-25 | 1975-08-20 | ||
| JPS5535010A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | Production of polychlorinated ethane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2526788A1 (fr) | 1983-11-18 |
| GB8313160D0 (en) | 1983-06-22 |
| GB2119802B (en) | 1985-12-11 |
| FR2526788B1 (ja) | 1985-05-03 |
| GB2119802A (en) | 1983-11-23 |
| JPS606926B2 (ja) | 1985-02-21 |
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