JPS5820796A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS5820796A JPS5820796A JP11890481A JP11890481A JPS5820796A JP S5820796 A JPS5820796 A JP S5820796A JP 11890481 A JP11890481 A JP 11890481A JP 11890481 A JP11890481 A JP 11890481A JP S5820796 A JPS5820796 A JP S5820796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid phase
- substrate
- liquid
- crystal layer
- reservoir
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシャル成長装置の改良に関するも
のである。
のである。
鉛を含む化合物半導体例えば、鉛、錫、テｔｖｐ（ＰＩ
）１−２ｓｎｚＴｅ ）や鉛、イオウ、セレン（ＰＩ）
Ｓｌ−ｘ■ ５ｅｘ）鉛、錫、イオウ（Ｐｂ１−２ｓｎｚｓ ）等は
そのエネルギーギャップが狭く赤外線レーザ素子の材料
として用いられている。
）１−２ｓｎｚＴｅ ）や鉛、イオウ、セレン（ＰＩ）
Ｓｌ−ｘ■ ５ｅｘ）鉛、錫、イオウ（Ｐｂ１−２ｓｎｚｓ ）等は
そのエネルギーギャップが狭く赤外線レーザ素子の材料
として用いられている。
ここでＰｂ５ｎＴｅレーザを形成する場合、通常例えば
Ｐ型の鉛テ／ｌ／／Ｌ’（ＰｂＴｅ）の基板上にＰ’ｂ
ｌ−ｘＳｎｚＴｅの結晶層をＸ値を変化させて順次Ｐ型
バッファ層、Ｐ型活性層、Ｎ型トップ層として積層して
形成し、レーザ発振をする活性層の上下の結晶層を該活
性層と組成の異なる結晶層で形成して前記レーザ発振を
開始するしきい値電流を低下させるダブμへテロ型構造
がとられている。
Ｐ型の鉛テ／ｌ／／Ｌ’（ＰｂＴｅ）の基板上にＰ’ｂ
ｌ−ｘＳｎｚＴｅの結晶層をＸ値を変化させて順次Ｐ型
バッファ層、Ｐ型活性層、Ｎ型トップ層として積層して
形成し、レーザ発振をする活性層の上下の結晶層を該活
性層と組成の異なる結晶層で形成して前記レーザ発振を
開始するしきい値電流を低下させるダブμへテロ型構造
がとられている。
このような赤外線レーザ素子を形成するには第１図に示
すようにカーボンより力る支持台１とその上をスライド
して移動するスライド部材２とからなる液相エピタキシ
ャル成長装置を用いる。
すようにカーボンより力る支持台１とその上をスライド
して移動するスライド部材２とからなる液相エピタキシ
ャル成長装置を用いる。
前記支持台１には例えば鉛テＩｖ＊（ＰｂＴｅ）の基板
８を埋設する凹所４と該基板上に形成する第１層のバッ
ファ層となる鉛錫テｙｖｙｖ （Ｐｂｌ−２ｓｎｚＴθ
）の材料のダミー用薄板６を収容する凹所６と、第２層
の活性層となるＰｂ１−ｚＳｎｚＴθの材料のダミー用
薄板７を収容する凹所８と第８層のトップ層となるＰｂ
ｌ’−２ｓｎｚＴｅの材料のダミー用薄板９を収容する
凹所ｌＯとが設けられている。
８を埋設する凹所４と該基板上に形成する第１層のバッ
ファ層となる鉛錫テｙｖｙｖ （Ｐｂｌ−２ｓｎｚＴθ
）の材料のダミー用薄板６を収容する凹所６と、第２層
の活性層となるＰｂ１−ｚＳｎｚＴθの材料のダミー用
薄板７を収容する凹所８と第８層のトップ層となるＰｂ
ｌ’−２ｓｎｚＴｅの材料のダミー用薄板９を収容する
凹所ｌＯとが設けられている。
ここで一般的に各ダミー薄板のＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅの
Ｘ値は成長すべき各々の結晶層の組成と一致させる。
Ｘ値は成長すべき各々の結晶層の組成と一致させる。
また前記スライド部材２には、基板をメ／Ｌ／）バック
させるためのＰｂＴｅの液相１１を収容する貫通孔より
なる液だめ１２と、第１層の結晶層を形成するためのＰ
ｂ１−ｚｓｎｚＴｅの液相１８を収容する液だめ１４と
第２層の結晶層を形成するためのＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅ
の液相１６を収容する液だめ１６と第８層の結晶層を形
成するためのＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅの液相１７を収容す
る液だめ１８とが設けられている。ここで該液相の材料
となるＰｂｌ−２ｓｎｚＴｅはそれぞれ液だめごとに誓
値を変化させている。
させるためのＰｂＴｅの液相１１を収容する貫通孔より
なる液だめ１２と、第１層の結晶層を形成するためのＰ
ｂ１−ｚｓｎｚＴｅの液相１８を収容する液だめ１４と
第２層の結晶層を形成するためのＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅ
の液相１６を収容する液だめ１６と第８層の結晶層を形
成するためのＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅの液相１７を収容す
る液だめ１８とが設けられている。ここで該液相の材料
となるＰｂｌ−２ｓｎｚＴｅはそれぞれ液だめごとに誓
値を変化させている。
このような液相エピタキシャル成長装置の支持台１０凹
所４にｐｂ’ｒｅの基板８を凹所６．−８．１０にはＦ
ｔ）１−ＸｓｎＸＴｅのダミー用薄板を収容し、またス
ライド部材２の液だめ１２にはＰｂＴｅの材料をまた液
だめ１４．１６．１８にはＰｂ １−ｘｓｎｚＴｅの材
料を充填した状態で水素ガス雰囲気中の反応管中に挿入
し該反応管を加熱炉にて例えば６０（Ｆ程度に加熱し前
記液だめ中のＰｔ）１−ｚｓｎｚＴｅの材料を溶融する
。
所４にｐｂ’ｒｅの基板８を凹所６．−８．１０にはＦ
ｔ）１−ＸｓｎＸＴｅのダミー用薄板を収容し、またス
ライド部材２の液だめ１２にはＰｂＴｅの材料をまた液
だめ１４．１６．１８にはＰｂ １−ｘｓｎｚＴｅの材
料を充填した状態で水素ガス雰囲気中の反応管中に挿入
し該反応管を加熱炉にて例えば６０（Ｆ程度に加熱し前
記液だめ中のＰｔ）１−ｚｓｎｚＴｅの材料を溶融する
。
その後前記スライド部材を矢印へ方向にスライドさせて
第２図に示すようにＰｂＴｅの基板８上Ｋｐ’ｂ’ｒｅ
の液相１１を、またｆミー用薄板ｓ、？。
第２図に示すようにＰｂＴｅの基板８上Ｋｐ’ｂ’ｒｅ
の液相１１を、またｆミー用薄板ｓ、？。
９上に液相１８．１５．１７を静電させる。
このようにして所定時間保持することでＰ’ｂＴｅの基
板をその上に静置されているＰｂＴｅの液相でメＡ／）
バックさせて基板表面を清浄な状態に保ち、また液相１
８．１５．１７にダミー用薄板５，７゜９中の成分を飽
和させる。
板をその上に静置されているＰｂＴｅの液相でメＡ／）
バックさせて基板表面を清浄な状態に保ち、また液相１
８．１５．１７にダミー用薄板５，７゜９中の成分を飽
和させる。
その後更に加熱炉の温度を一旦４（ｌ程度降下させてか
ら更にスライド部材を再び矢印Ａ方向に移動させ過冷却
状態と彦っ九液相１８を第８図のように基板ｓ上に所定
時間静置させ該加Ｉ！！４炉の温度を１℃／分の割合で
下降させて該基板の温度を下降させることで過飽和とな
った液相中の成分を結晶成長させることで第１層のバッ
ファ層を形成していた。そしてその後更にスライド部材
を矢印Ａ方向に移動し基板８上に液相１５．液相１７を
順次静置させ加熱炉の温度を連続的に１ｃ／分の割合で
下降させることで基板上に第２層の活性層および第８層
のトップ層を形成しレーザ素子形成用の材料としていた
。
ら更にスライド部材を再び矢印Ａ方向に移動させ過冷却
状態と彦っ九液相１８を第８図のように基板ｓ上に所定
時間静置させ該加Ｉ！！４炉の温度を１℃／分の割合で
下降させて該基板の温度を下降させることで過飽和とな
った液相中の成分を結晶成長させることで第１層のバッ
ファ層を形成していた。そしてその後更にスライド部材
を矢印Ａ方向に移動し基板８上に液相１５．液相１７を
順次静置させ加熱炉の温度を連続的に１ｃ／分の割合で
下降させることで基板上に第２層の活性層および第８層
のトップ層を形成しレーザ素子形成用の材料としていた
。
しかし上述したような従来の構造のエビクキシャμ成長
用装置においては、支持台に基板およびそれぞれのダミ
ー用薄板が近接して配置されておシ、また基板のメ／％
／）バック用のＰｂＴｅの液相１１よとエビタキシャ〃
成長するための材料の液相１３〆、１５．１７とがそれ
ぞれ近接して配置されておりそのため基板をメμドパツ
クしてから第１層の結晶成長用の液相１１が充分過冷却
されていない状態で基板上に到達することに々シこのよ
うに充分過冷却されていない液相を用いて基板上にエビ
タキＶヤμ成長を行うと結晶化が安定して行ゎれないの
で形成される結晶層の表面に凹凸形状を呈しこのため後
の素子形成工程においてマスク合せ等の作業が精度良〈
実施されない欠点を生じるｉ本発明は上述した欠点を除
去し結晶層成長用の液相が充分過冷却され得るようなエ
ビタキシャ！成長装置の提供を目的とするものである。
用装置においては、支持台に基板およびそれぞれのダミ
ー用薄板が近接して配置されておシ、また基板のメ／％
／）バック用のＰｂＴｅの液相１１よとエビタキシャ〃
成長するための材料の液相１３〆、１５．１７とがそれ
ぞれ近接して配置されておりそのため基板をメμドパツ
クしてから第１層の結晶成長用の液相１１が充分過冷却
されていない状態で基板上に到達することに々シこのよ
うに充分過冷却されていない液相を用いて基板上にエビ
タキＶヤμ成長を行うと結晶化が安定して行ゎれないの
で形成される結晶層の表面に凹凸形状を呈しこのため後
の素子形成工程においてマスク合せ等の作業が精度良〈
実施されない欠点を生じるｉ本発明は上述した欠点を除
去し結晶層成長用の液相が充分過冷却され得るようなエ
ビタキシャ！成長装置の提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するための液相エビタキＶヤル成長装
置は、基板を埋設する支持台と、該支持台上をスライド
して移動し、前記基板をメ〃ドパツクさせるための液相
を収容する液だめと、基板上に成長させるべき複数の結
晶層の組成に対応した材料の液相を収容する複数の液だ
めとを設けたスライド部材とからなる液相エビタキシャ
μ成長装置において、前記スフ“イド部材の基板をメμ
ドパツクさせるための液相を収容した液だめと第１層の
結晶層の形成用の液相を収容した液だめとの距離を第１
層の結晶層の形成用の液相を収容した液だめと最上層の
結晶層の形成用の液相を収容した液だめとの間の距離よ
シ長くしたことを特徴とするものである。
置は、基板を埋設する支持台と、該支持台上をスライド
して移動し、前記基板をメ〃ドパツクさせるための液相
を収容する液だめと、基板上に成長させるべき複数の結
晶層の組成に対応した材料の液相を収容する複数の液だ
めとを設けたスライド部材とからなる液相エビタキシャ
μ成長装置において、前記スフ“イド部材の基板をメμ
ドパツクさせるための液相を収容した液だめと第１層の
結晶層の形成用の液相を収容した液だめとの距離を第１
層の結晶層の形成用の液相を収容した液だめと最上層の
結晶層の形成用の液相を収容した液だめとの間の距離よ
シ長くしたことを特徴とするものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第４図は本発明の液相エピタキシャル成長装置の断面図
で第５図よシ第７図までは該装置を用いて液相エピタキ
シャ！成長をする場合の状態を示す図である。
で第５図よシ第７図までは該装置を用いて液相エピタキ
シャ！成長をする場合の状態を示す図である。
第４図に示すようにスライド部材２において基板をメＡ
／）パックするためのｐｂ”ｒｅの液相１１を収容した
液だめ１Ｂと第１層の結晶層形成用のＰｂｌ−２ｓｎｚ
Ｔθの液相１８を収容せる液だめ１４との間の距離Ｂは
液だめ１４と最上層の結晶層形成用のＰｂ１−ｚｓｎｚ
Ｔｅ１の液相１７を収容せる液だめ１？Ｉとの間の距＠
Ｃより大きくしである。
／）パックするためのｐｂ”ｒｅの液相１１を収容した
液だめ１Ｂと第１層の結晶層形成用のＰｂｌ−２ｓｎｚ
Ｔθの液相１８を収容せる液だめ１４との間の距離Ｂは
液だめ１４と最上層の結晶層形成用のＰｂ１−ｚｓｎｚ
Ｔｅ１の液相１７を収容せる液だめ１？Ｉとの間の距＠
Ｃより大きくしである。
また一方支持台においてもＰｂＴｅの基板８を埋設する
凹所４と第１層の結晶層を成長させるためのダミー用薄
板６を埋設する凹所６との間の距離りを第１層の結晶層
を成長させるために用いるダミー用薄板すを埋設する凹
所６と最上層の結晶層を成長させるために用いるダミー
用薄板９を埋設する凹所ｌＯとの距離Ｅよシも長くして
おく。
凹所４と第１層の結晶層を成長させるためのダミー用薄
板６を埋設する凹所６との間の距離りを第１層の結晶層
を成長させるために用いるダミー用薄板すを埋設する凹
所６と最上層の結晶層を成長させるために用いるダミー
用薄板９を埋設する凹所ｌＯとの距離Ｅよシも長くして
おく。
このような状態にした液相エピタキＶヤ〃成長装置のス
ライド部材の液だめ１２にはＰｂＴｅの材料をまた液だ
め１４．１６．１８には成長すべき結晶層゛と同一組成
のＰｂ１−ｘ５ｎｚ’Ｉ’θの材料をそれぞれ充填し、
また支持台の凹所４にはＰｂＴｅの基板８をまた凹所６
，８．１０にはそれぞれ成長すべき結晶層と同一組成の
Ｐｂ１−ｚＳｎｚＴｅのダミー用薄板５，７．９を埋設
した状態で該液相エピタキシャル成長装置を水素ガス雰
囲気中の反応管内に挿入し該反応管を約６００℃の温度
に加熱する。
ライド部材の液だめ１２にはＰｂＴｅの材料をまた液だ
め１４．１６．１８には成長すべき結晶層゛と同一組成
のＰｂ１−ｘ５ｎｚ’Ｉ’θの材料をそれぞれ充填し、
また支持台の凹所４にはＰｂＴｅの基板８をまた凹所６
，８．１０にはそれぞれ成長すべき結晶層と同一組成の
Ｐｂ１−ｚＳｎｚＴｅのダミー用薄板５，７．９を埋設
した状態で該液相エピタキシャル成長装置を水素ガス雰
囲気中の反応管内に挿入し該反応管を約６００℃の温度
に加熱する。
そして液だめ１２中のＰｂＴｅの材料および液だめ１４
．１６．１８中のＰ’ｂ１−２ｓｎｚＴｅの材料がそれ
ぞれ溶融した状態で、第６図に示すようにスライド部材
を矢印入方向に移動させてＰｂＴｅの基板８上にＰｂＴ
ｅの液相１１を静置させ基板をメルトバックして基板表
面を清浄化する。同時にこの時点でＦｂ １−ｚｓｎｚ
Ｔｅのダミー用薄板５．？、９上にもＰｂ１−ｚｓｎｚ
Ｔｅの液相１８，１５．１’７を静置させ該液相１８，
１５．１？中にダミー用薄板す。
．１６．１８中のＰ’ｂ１−２ｓｎｚＴｅの材料がそれ
ぞれ溶融した状態で、第６図に示すようにスライド部材
を矢印入方向に移動させてＰｂＴｅの基板８上にＰｂＴ
ｅの液相１１を静置させ基板をメルトバックして基板表
面を清浄化する。同時にこの時点でＦｂ １−ｚｓｎｚ
Ｔｅのダミー用薄板５．？、９上にもＰｂ１−ｚｓｎｚ
Ｔｅの液相１８，１５．１’７を静置させ該液相１８，
１５．１？中にダミー用薄板す。
７．９の成分を飽和させる。
その後温度を一旦４０℃程度下降させてから第６図に示
すようにスライド部材を矢印Ａ方向に移動させ、前記液
相１８．１５．１７を支持台上に移動させ、との状態で
しばらく放置して液相の１！Ｊ、１５．１７を・過冷却
状態にする。
すようにスライド部材を矢印Ａ方向に移動させ、前記液
相１８．１５．１７を支持台上に移動させ、との状態で
しばらく放置して液相の１！Ｊ、１５．１７を・過冷却
状態にする。
このように液相を支持台上に移動し、しばらく放置させ
ることで液相を過冷却状態に保つことができるようにな
る。
ることで液相を過冷却状態に保つことができるようにな
る。
その後更にスフイド部材を矢印Ａ方向に移動させて第７
図に示すように基板８上に液相１８を静置させ該液相の
温度を１℃／分の割合で下降させ液相中に溶解している
過飽和状態のＰｂｌ−２ＳｎｚＴｅの成分を基板上に第
１層のバッファ層の結晶層として析出される。
図に示すように基板８上に液相１８を静置させ該液相の
温度を１℃／分の割合で下降させ液相中に溶解している
過飽和状態のＰｂｌ−２ＳｎｚＴｅの成分を基板上に第
１層のバッファ層の結晶層として析出される。
その後更にスライド部材を矢印のＡ方向に移動させ、基
板８上に液相１６を静置させ該液相の温度を１℃／分の
割合で下降させ液相中に溶解している過飽和状態のｐｂ
ｌ−ｘｓｎｚ’ｒｅの成分を基板上に一２層の活性層の
結晶層として析出させる。
板８上に液相１６を静置させ該液相の温度を１℃／分の
割合で下降させ液相中に溶解している過飽和状態のｐｂ
ｌ−ｘｓｎｚ’ｒｅの成分を基板上に一２層の活性層の
結晶層として析出させる。
次にスライド部材を更に矢印の方向に移動させ、基板８
上に液相１７を静置させ、該液相の温度を１℃／分の割
合で下降させ液相中に溶解している過飽和状態のＰｂ１
−２ｓｎｚＴｅの成分を基板上に第８層のトップ層の結
晶層として析出させる。
上に液相１７を静置させ、該液相の温度を１℃／分の割
合で下降させ液相中に溶解している過飽和状態のＰｂ１
−２ｓｎｚＴｅの成分を基板上に第８層のトップ層の結
晶層として析出させる。
以上述べたように本発明の液相エピタキシャル成長装置
を用いればダミー用薄板の成分を溶解したＰｔ）１−ｚ
ｓｎｚＴｅの結晶成長用の液相が支持台上を移動する間
に過冷却状態となシこの液相を基板上に静置させて該液
相の温度を低下させれば結晶化が安定して行われるので
表面が平坦な結晶層が得られ、このような材料を用いて
赤外線レーザ素子を形成すれば該レーザ素子が高歩留で
得られる利点を生じる。
を用いればダミー用薄板の成分を溶解したＰｔ）１−ｚ
ｓｎｚＴｅの結晶成長用の液相が支持台上を移動する間
に過冷却状態となシこの液相を基板上に静置させて該液
相の温度を低下させれば結晶化が安定して行われるので
表面が平坦な結晶層が得られ、このような材料を用いて
赤外線レーザ素子を形成すれば該レーザ素子が高歩留で
得られる利点を生じる。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長用装置を示す断
面図、第２図より第８図までは該装置を川伝てエビタキ
シャμ成長する際の状態を示す図、第４図は本発明の液
相エピタキシャル成長装置の一実施例を示す図、第５図
より第７図までは本発明のエピタキシャル成長装置を用
いてエピタ卑Ｖヤμ成長する際の状態を示す図である。 図において、１は支持台、２はスライド部材、３はＰｂ
Ｔｅ基板、４，６，８．１０は凹所、５゜７．９はダミ
ー用薄板、１１はＰｂＴｅ液相、１２゜１４．１６．１
８は液だめ、１８，１５，１？はＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅ
液相、Ａはスライド方向を示す矢印である。
面図、第２図より第８図までは該装置を川伝てエビタキ
シャμ成長する際の状態を示す図、第４図は本発明の液
相エピタキシャル成長装置の一実施例を示す図、第５図
より第７図までは本発明のエピタキシャル成長装置を用
いてエピタ卑Ｖヤμ成長する際の状態を示す図である。 図において、１は支持台、２はスライド部材、３はＰｂ
Ｔｅ基板、４，６，８．１０は凹所、５゜７．９はダミ
ー用薄板、１１はＰｂＴｅ液相、１２゜１４．１６．１
８は液だめ、１８，１５，１？はＰｂ１−ｚｓｎｚＴｅ
液相、Ａはスライド方向を示す矢印である。
Claims (1)
- 基板を埋設する支持台と該支持台上をスライドして移動
し、前記基板をメルトバックさせるための液相を収容す
る液だめと、基板上に成長させるべき複数の結晶層の組
成に対応した材料９液相を収容する複数の液だめとを設
けたスライド部材とからなる液相エビタキｖＪｒｖ成長
装置において、前記スライド部材の基板をメルトバック
させるための液相を収容した液だめと第１層の結晶層の
形成用の液相を収容した液だめとの距離を第１層の結晶
層の形成用の液相を収容した液だめと最上層の結晶層の
形成用の液相を収容した液だめとの間の距離よ）長くし
たことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11890481A JPS5820796A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11890481A JPS5820796A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820796A true JPS5820796A (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=14748038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11890481A Pending JPS5820796A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820796A (ja) |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11890481A patent/JPS5820796A/ja active Pending
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