JPS58209104A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 この出願の発明は、磁気記録媒体オ６よびその製造方法
に関する。　さらに詳しくは、改良されたＣｏ　−Ｐ系
またはＣｏ　−Ｎ１−Ｐ系のスパッタリング薄映などの
気相仮ｉｓ膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記録媒体
とその製造方法に関する。

先行技術とその間頑点 近年、磁性金属薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記
録媒体か注目を・集めている。

このような連＠薄膜形の磁気記録媒体σ）一つとして本
発明名−らは、先に、Ｃｏ　−Ｐ系ないしＣｏ−Ｎ１−
Ｐ系の薄膜を、基本上に、スパッタリング等の気相被着
によって形成したものを提案している。

このようなＣｏ　−Ｐ系ないしＣｏ　−Ｎｉ　−Ｐ系の
気相被着薄膜を磁性層ととる媒体は、良好な磁気特性を
示し、また膜強度が尚い等、棟々のすく°れた特注をも
つ。

しかし、このような媒体は、磁性ノーと基板との接着強
＃および磁性ｆ曽の機械的９度が未だ十分でなく、オー
ディオ用の媒体では、磁気ヘッドとのくりかえし多数回
の走行により、出力レベルの１氏下り回数が増加する。

また、ビデオ用の媒体では、連続して静止画像再生を行
うとと、静止画像信号の出力が砥下し、短い時間で静止
画１象が消失してしま５゜　あるいは、運絖画壕の再生
において、名号のドロップアウトが増加する。

■えて、高温高湿下での保存により、磁気特注の劣化が
生じる。

このような場合、基体上に、金１＠寺の下地層を形成し
て、この下地層上に、Ｃｏ　−Ｐ系ないしＣＯ−へｉ　
−Ｐ系の磁性層￥板層すれは、接着強度か増大する。。

しかし、このようにしても、接着強度、慎械的強度の向
上は未だｔ分ではなく、また、保存性は改良されず、央
嗣上大きな１０１題となっている。

既　発明の目的 この出願の発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であって、−その主たる目的は、Ｃｏ　−Ｐ系またはＣ
ｏ　−Ｎｉ　−Ｐ系の気相被着薄膜磁性層の組成および
製造方法を改良して、籍に磁性層の接着強度とｅ、械的
強度とを向上し、妬温筒湿下での保存性を改良セんとす
ることにある。

不開明者らは、このような目、ｆユＩＫつぎ・重々恢討
を１つだ結果、Ｃｏ　−Ｐ系またはＣＯ−へｌ−Ｐ糸＠
任層中にさらにすな４人した組成がこのような目的を達
成することを、見出し、さらに、その有効な製造方法を
見出し、この出願の嘱ｌ〜第４の発明をなすに至った。

すなわち、この出願の第１の発明は、基体上に、Ｇｏ　
−Ｐ　−０系またはＣＯ−へ１−Ｐ−Ｑ糸の磁性層薄膜
を有することを特許とする磁気記録媒体である。

また、第２の発明は、酸素−分圧４ＸｌＯ’′Ｔｏｒｒ
以下の雰囲気にて、スパッタリングにより、基体上に、
Ｃｏ−Ｐ’−０系またはＣｏ　−へｉ　−Ｐ　−ｔ）系
の磁性層＃膜を形成することケ特徴とオる仕儀ｄ已録媒
不の宍・宜力云で垢る。

そして、第３の発明は、Ｃｏ、ｌ’およびＯｌまたはＣ
０１ｉ１Ｖ１ｉ％　Ｐおよび０を営むターケソト火用い
、スパッタ１）ングにより、基体上にＣｏ　−Ｐ　−０
系またはＣｏ−１＼ｉ　−Ｐ　−０系の磁性「曽博祠を
セ成オることを特徴とする磁気記録媒体の裂遣方法であ
る。

さらに、第４の元Ｅ！Ａは、奉不上に、Ｃｏ　−Ｐ糸ま
たはＧｏ　−Ｎｉ　−Ｐ糸の童′住會４　＄をスハツタ
リンクにより形成した波、酸化地坪を施すことを特徴と
する磁気記録媒体の喪改万去である。

なお、ｃｏ−Ｎ＋糸等の池の公ｍｌの６１層蒸看傅嗅に
おいては、魚屑を０２雰囲ダ、下で行い、薄映中にＯを
導入イることが行われてい゛る。　そして、このような
場合たこは、ｉ注１曽の磁気を注が向上−するとさｊｌ
でいる（待ｌＡ餡５３−４２０１０号、特公昭５ｂ　　
２３２１７号等）。

しかし、このようなときには、薄暎の惜看強度および機
械的強度の同上は図れず、不発明によってもたらされる
効果は、このような事実から予想すらできないもｆ）で
ある。

可　発明の具体的構成 以下、この出願の発明の具体的構成について詳細に説明
する。

この出願の発明において用いる基体につし・ては、時に
＝ｌＩ　限はなく、テープ、ティック、ドラム、シート
等いずれであってもよ（１，＋唸す等も傭々のものとす
ることかできるっ　　また、その材質も種々の非磁性の
ものであってよいか１％に、ボ・）エステル、ポリイミ
ド、ホリアミド等の高分子成形物であるとぎに、その効
果が大きいものとなる。

このような基体上には、Ｃｏ　−Ｐ　−０系または（０
−へｉ　−Ｐ　−Ｕ糸の磁性層が形成される。

Ｇｏ−Ｐ−０系またはＣｏ　−Ｎｉ　−Ｐ−０系合金の
組成としては、下記式で表わされるものであることが好
ましい。

式　　Ｘｘｏｖ−ｘ−ｙ”ｘ’ｙ 上式において、Ｘは、Ｃｏ、またはＣＯおよびＮｉを表
わす。

この場合、Ｘ、すなわちＰ含量は、０より犬で３ｗｔ％
以下である。

８ｗｔ％を超えると、磁気％注、特に保磁力Ｈｃが低下
してしプう。

そして、保磁力Ｈｃの点では、ｙか１〜８卓量％、より
好ましくは１〜６市量％であれば好ましい結果を得る。

一万、ｙ、すなわちり金型は、Ｏより大で］９ｗｔ％以
下である。

］９ｗｔ％、特に８ｗｔ％？こえろと、＠気・特性、特
に保磁力および飽和磁化が急激に低下してし２ｆう。

これに対し、ｙが小さすざると、接Ｒ強度、檄燻的強度
および保存性の向上の幼果め実効か少なくなる。　この
ため、ｙは０．２〜８ｗｔ％より好ましくは０５〜５ｗ
ｔ％であること力）好ましい。

なお、Ｎｉ　／　（Ｃｏ　十Ｎｉ　）　ｉｇ比（Ｚ）は
０または３５ｗｔ％であることが好まし℃・。

ｙが３５ｗｔ％を起えると、磁気特性、特に保磁力Ｈｃ
が低下してしまうからである。

そして、保磁力Ｈｃの点で、ｙか、０またｖｉＯより人
で３ｇｗｔ％以下、竹にＯまたは〔）より大で２８ｗｔ
％以下であれば、より好ましく・結果な得る。

なお、以上のＪ５な組成において、博磨甲には、さらに
例えばＣＯｌへ１以外の池の゛迩φ金属元素等、例えば
に’ｅ、Ｃｒ、ニジＩｎ、二〜ｉｏなどの１ｗＡ以上が
、全体の１０ｗｔ％以下の組曲で含有されていてもよい
。

また、溝膜の厚さ方向におけるｕｎは、１厚さ方向に区
り、均一であっても１．膜は勾配をもっていてもよい。

こθ）ような組成を有するか否かは、例え（・工いわゆ
るｉ；ｅｓＡないしオーンエ電子分光を、薄膜のエツチ
ングを行いながら行うことなどによって検証できる。

このような組成の磁性層の形成は、気相被着法によれば
よく、スパッタリングの他、魚屑、イオンブレーティン
グを用いることもできる。

ただ、特性上、あるいは製造上、束も好ましいのは、ス
パッタリングによる場合である。

用いるスパッタリングとしては、衝撃イオンにより、タ
ーゲットをスパッタし、遡冨、数ｅＶ〜約１００ｅＶ程
度の運動エネルギーにてターゲット物質を蒸散させる公
知のスパッタリングは、いずれも使用可能である。

従って、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で、真′にクロー
放電によるＡｒ等のイオンによって、ターゲットをスバ
ノタオるプラズマ法ヲ用いても、ターゲットにＡｒ等の
イオンビームを照射して行うイオンビーム法を用いても
よい。

プラズマ伝によるときには、いわゆるｌ（Ｆスパッタで
あっても、また、いわゆるＤＣスパッタであってもよく
、その装ｆＩＬ構成も２極、４億等いずれであってもよ
い。　さらには、いわゆるマグネトロンスパッタを用い
てもよい。　さらに、イオンビーム法としては、種々の
方式に従うことかできる。

一万、衝撃イオンのイｔン源としては、通常、　Ａｒ％
Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスなどを用いればよい。

そして、これらの不活性ガス等ｆ）雰囲気の全ガス圧は
、動作時において２Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒ以上の圧力に
維持することか好ましい。

このようなＨ−力未満では、得られる磁性層薄膜のｂ気
特注、特に保磁力が低下してしまうからである。

一方、動作時の圧力を上げれば、スパッタリング時のス
パッタレートが低下してしまい、またスパッタリングが
不口」酢となる。

このため、動作時の圧力は、一般に、２Ｘ１０”〜３　
Ｘ　１−０　”　Ｔｏｒｒ　程度とすることが好ましい
。

なお、フレート電圧、プレート電流、型間間隙等には特
別の制限はなく、これらは１条件に応じ、任意の値に仮
ボすることができる。

このような前提にＫいて、この出、麺における＠１の製
造態様としては、スパッタリング雰囲気中の酸素分圧を
４Ｘ１０　”　Ｔｏｒｒ以下とシテ、スバツタリンダヲ
何５゜ この場合、ターケ′ノドとしては、Ｊｕｌ　”Ｉ−は、
Ｃｏ　−ＰないしＣｏ　−Ｎｉ　−Ｐ焼結体を用いたり
、あるいはＣｏ　−Ｐ化８吻、＋Ｎｉ　−Ｐ化＠物、Ｃ
０１Ｎｉ等を混合して用（・ればよい。

このよ５な場合、酸素分圧が４×１０　’　ｌ’ｏｒｒ
をこえると、４膜中のり含ｔｙか入きくなりすぎ、また
スパッタ効率も吐下する。

このような酸″＄分圧下でのスパッタリングにより、上
記式の組成の磁性ｌ−博濃か形成される。

他方、このような場合には、酸素分圧か低すぎると、４
膜中のＯ金型ｙが少なく　７１Ｃｒｌすぎるので、酸素
分圧は、ｌＸ１０　”ｆ’ｏｒｒ以上とすることが好ま
しい。

なお、このような第１の態様において、必要に応じて、
第２の態様におレテる酸素を冨むターゲット（後述）を
用いることもできる。

一方、第２の態欣においては、Ｃ０５Ｐおよび０、また
はＣ０１Ｎ１、Ｐおよび０ケ言むターゲットを用い、上
記したスパッタリンクを行う。

この場合、ターゲットとしては、Ｕ＞含むものであれば
よく、形ＩｉＸ、ナベき薄膜組成と対応する組成のＣｏ
−Ｐ−０系またはＣｏ−＋Ｎ１−Ｐ−０系物質を調製し
て用いてもよく、あるいは、ヘー０１へ−Ｐ、　ｃｏ−
Ｐ％　へ！、ＣＯ等を混合、して用いてもよい。

なお、このような場合、必要に応じて、酸素を加えた雰
囲気下でスパッタリンクを行ってもよく−　そのとき、
ターゲット中のＯ量は、薄膜組成より少ないものとすれ
ばよい。

なお、　第３の態様として、スパツタリングによる尊膜
形咬陵、薄膜に酸化処理ｆＸ′鬼すこともでさる。

このような場合、酸化処理の例としては、酸素雰囲気下
、あるいは水蒸気化での加熱処理がある。　加熱温度は
、通常、６０〜１００Ｃ程変にて、数分〜数時間程度行
う。

また、他の例、とじては、酸素雰囲気下でのグロー放電
や、プラズマ処理等を用いることもできる１１ そして、このような酸化処理により、表面近くの酸素量
が多く、生年として、上記のような組成をもつ薄膜が形
成されることになるが、このときも、Ｊの磯憬的強要と
接着強度か向上する。

なお、このような珈付にも、前記第１および第２の態様
のスパッタリング後に、酸化処理を施してもよい。

このような前提において、由性−の厚さについては、特
に１ｔｉｌＩ限はなく、媒渾への記録がアアログ記録か
、ディジタル記録であるか、あるいは媒体の用途寺に応
じ檜々の厚さとすればよい。　ただ、通常は、５ｏｏＡ
−ａμ。

程度の厚さとされる。

このような磁性層は、基体上にそのまま形成してもよく
、あるいは基体に下地層薄膜を形成して、その上に形成
してもよい。

下地層を設層する場合には、チタンまたはチタン＠金で
）らなる下地層を用いることが好ましい。

このとき、磁性層の接Ｙ！１ＷｒＪ！！−ζｔび機権的
強度がより一噛顕著に向上でるからである。

なお、このよ）な檄着箇度およびう械的う度の掴着な向
上は、チタンまたはｆ−タン合成のみで実」するもので
あり、池のｅＡ７−Ｃどでは実現しない。

このような場合、チタンの他、本発明ニどいて用いられ
るチタン合金としては、チタンを主成分とイる各種合金
を哨いることができる。　これらのうち１時に好適なも
のとしては、Ａｔ、Ｍｌｌ、！、Ｃｒおよびトｅのうち
の少なくとも１種を、好ましくは４０ｗｔ％以下、より
好ましくは０．１〜４０ｗｔ％、さらに好ましくは１〜
３Ｑｗｔ％含むものを挙げることができる。

このような下地層を形成するには、スパッタリング、蒸
着、イオンブレーティング等の種々の気相被着によれば
′よいが、特に、磁性層をスパッタリングにより被Ｍす
るのが好ましいσ）で、製造の容励さの点で、スパッタ
リングによることが好ましい。

なお、基体と磁性層との間に、このよ）に下地層を間挿
する場合、その厚さは、一般に５０〜５０００Ａ程度と
される。

サラに、この出願の発明においては、磁性層を複数に分
割して、複数の磁性層薄膜を非磁性の中間層を介して積
層することもできる。

このような場合、中間層とじてを工、前述のチタンまた
はチタン合金を桐いることが好ましい。

これにより、ノイズ特に、いわゆるバイアスノイズがき
わめて小さくなる。

なお、磁性層は、磁性層間に非磁性層な間挿した状態で
、総計２〜６層、特に、２．３または４層積層される。

そして、複数に分割された母性層の厘さの総計は、最適
の飽和磁化が得られるような厚さとされる。

さらに、各磁性層の厚さは、２００〜２０００とが好ま
しい。

他方、磁性層間に間挿されるチタンまたはチタン合金か
らなる非磁性層の厚さは、３０〜２００Ａとすることが
好ましい。

２０ＯＡをこえると、周波数特注が悪くなってくる。

また、３０Ａ未満となると、保磁力かは下し、バイアス
ノイズ、特に中域〜高域のバイアスノイズが増大してく
る。

この出願の発明の媒体において、その最上層には、別途
、種々の材質からなる保護層が形成されていてもよい。

最上層として、保ｈセが存在する場合、その厚さは、通
常、１００ＯＡ程度以下とされる。

■　発明の具体的作用効果 この出願の第１の発明の媒体によれば、磁性層の接着強
度および４１１械的強度がきわめて畠い。

従って、オニディオ用として由いるときには、多数回く
りかえし栴生を行っても出力低下か少なし・。　また、
ビデオ用として用いるときには、連続静止画像再生によ
っても、画像信号の低下が少なく、信号が消失しにくく
また、連続画再生によるドロップアウトも少ない。

また、高温高置Ｆでの保存による一気特注の劣化がきわ
めて少ない。

さらに、保磁力が同上し、Ｓ／ｌＮ比、ＣＺＮ比等も向
上する。

さも圧、第２〜第４の発明によれば、このようなすぐれ
た媒体を、きわめて効率よく製造することかできる。

Ｖ　発明の具坏的実訓例 以下、この出願の発明の実施例を示し、この出願の発明
を、さらに詳細に説明する。

実施例Ｊ 基体として、連続長尺の小すエナレンテレフタレート（
ｐｇＴ）フィルムを用意した。

こ（ｎ基体上に、ｔ＞ｅマグネトロン２バッタリンクに
より、この出ｇの発明および比較用の２糎の磁性層を形
成した。

この場合′、ターケラトとしては”　Ｃ０Ｑ８ｆｉＮｉ
。□５）９７Ｐｌの組Ｆｆ、をもづ焼結体を用い、フレ
ート電圧は２ＫＶ、投入電力は３．８Ｗ／ａＪとした。

一方、スパッタリング８−気としては、比較用として、
アルゴン１００％とし、動作アルゴン圧を７Ｘ１０−２
１’ｏｒｒとシタ。

これに対し、この出願の発明の試料においては、アルゴ
ンと酸素を混合し、動作時の全カフ圧カフｘ１０　　’
Ｔｏｒｒ、０２圧カフｘｌＯ’Ｔｏｒｒとした。

このような条件にて２種のスパッタリングを行い、下記
表１に示される組成と厚さの２棟の磁性層をもつ試料Ａ
、Ｂを得た。

なお、表１には、磁性層の残留磁化φｒ、保磁力Ｈｃお
よび角形比が併記される。

また、組成は、ＥＳＣＡにて、狭面なエツチングしなが
ら光電子強度を測定し、標準試料との比較を行って算出
した。　この場合１両試料とも、膜厚方向において、は
ぼ均一の組成であった。

表　　　　　１ Ａ（本発明）　　　　　　Ｂ（比　較）組　　成　　　
（”ｍ”ｎｚａ）９ａ５ＰｚＡ　　（（’Ｏｏ８．Ｉゝ
”ａｈａ）９．Ｐ３磁性層厚す（Ａ）　　　　　３８０
０　　　　　　　３　Ｑ　Ｑ　Ｑ残留磁化　　　　２４
Ｘ１０−３　　　２４Ｘ１０　”φｒ　（ｅｍｕ／ｃｒ
ｄ　） 保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）　　　　　４４０　　　　　　　　
４４０角形比　　　　０．７６　　　　０．７５次に、
これら６種の試°料それぞれを、３．８１１ＩｌｌＩ＃
Ａニスリツトし、　Ｃ−１２０カセットチー７’を作製
した。

これらを、市販のカセットデツキにて、ノーマルポジシ
ョンのバイアスで、イコライザーを１２０μｓに設定し
、テープ速度４．７５　ｃｍ／ｓｅｃ、で走行させた。

このような走行を、３０℃、相対湿度７０％にて１００
０回行い、その後丹生して５ｄＢ以上のレベル低下が何
回あるかを測定し、磁−柱層の接着強度および機械的強
度を評価した。

結果を表２に示す。

また、各試料カセットチー１を、６０℃、相対湿度９８
％にて、１００日保存し、保存後の残留磁化および保磁
力の変化率Δφｒ／φｒおよびΔＨｃ　／　Ｈｃを測定
した。　結果を表２に併記する。

表　　　　２ 試　料　　　　　　Ａ（本発明）　　Ｂ（比較）レベル
低下（回）　　　　　　　５　　　　２０Δφｒ／φｒ
（％）　　　　　　−１−ｄΔＨｃ／Ｈｃ（％）　　　
　　　−２−５表２に示される結果から、この出ＪｊＱ
の発明の試料は、接着強度Ｓよび機械的ｇｉ夏が高く、
出力レベル低下が少ないことかわかる。

また、高温高湿下での磁気特注の劣化も少ないことかわ
かる。

実施例２ ニッケル酸化物、ニッケルリン（［１、−”下焼成して
−（ＣｏＱｌｌ”（１）９２Ｐ３０！３および（Ｃ。

。ｌｌＮ１Ｑ２）９６Ｐ５の２橿の焼結体を得た。

これらをターゲットとし、実施例１に準じ、スパッタリ
ングを行った。　ただし、スパッタリング雰囲気はＡｒ
１０Ｏ％とし、動作圧力は７Ｘ１０　”Ｔｏｒｒ　トＬ
り。

このようなスパッタリンクにより、下記表３に示される
組成、厚さ、φｒお−よび）ｉｃをもつ磁性層を祷だ。

実指例１と同悸にして、Ｃ−１２０カセツトテーグを作
成し、出力のレベル低下回数と、保存による残留磁化の
変化率を測定して、表３に示される結果を得た。　ただ
し、バイアスはクロムポジション忙て、イコライザーは
、７０μｓｅｃに設定した。

表　　　　　３ 試料　　　　　Ｃ（不発明）Ｌ）（比較）組成　　（Ｃ
％Ｊ”ａ＊）９２ＰＡ　（”’％ｓ”ＪｏａＰｓ厚さく
Ａ）　　　　　　　　３ｓｏｏ　　　　　　　３０００
φｒ（ｅｍｕ／１ｙｌ）　　　２５Ｘ１０　”　　　　
２５Ｘ１０　’Ｈｃ（（Ｊｅ）　　　　　　４００　　
　　７００レベル低下（回）　　　　　　　　４　　　
　　　　２０Δφｒ／φｒ（％）　　　　　　　−１−
４表３に示されろ結果から、この出願の発明の効果があ
きらかである。

実施例３ （Ｃ０Ｑ８５”’ＱＩＩ５）９４Ｐ６の組成の焼結体タ
ーゲットを用い、実施例１に準じ、９μ鴨厚のＰＥＴ上
に、スパッタリングを行ない、２糧の試料Ｅ、Ｆを得た
。

この場合、試Ｐ＋Ｅ、Ｆのスパッタリング雰囲気、磁性
層組成および厚さ、φｒ、Ｈｃならびに角形比は下記衣
４に示されるとおりである。

次いで、これらから、ＶＨ８桐テーフ゛を作成した。

これをＶ　ｌ（Ｓ方式チッキに装着し、Ｃ／　ｆ〜比を
測定し、試料Ｆに対オる試料Ｅ　０）　Ｃ／　Ｎ比（ｄ
Ｂ）を算出した。

また、連続静止画像再生を行な（・、１＃市画像が消失
してしまう時間を測定した。

さらに、連＠＝　像再生を行℃・、１分回あたりのシグ
ナルのドロップアウト回数を１１１定した。

これらの結果を懺４に併記する。　゛なお、表４には′
１．実施例１と四樟に測定したΔφｒ／φｒが併記され
る。

表　　　　４ 試　　料　　　　　　Ｅ（本発明）　　　　Ｆ（比　較
）全ガス圧（Ｔｏｒｒ）　　　　７ＸｌＯ−＋　　　　
７ＸＩＯ’酸素圧力（Ｔｏｒｒ）　　　　ｌＸｌ０　　
”　　　　　　０組成　（Ｃｏ”’ｅＮｔｎｚｅ）ｏｔ
ｚＰ４０４　（ＣＯａｓａＮＩａ１６）ｅ、Ｐ６厚さく
Ａ）　　　　　　１８００　　　　１５００φｒ（ｅｍ
ｕ／、−ｄ）　　　　　５ＸＪＯ’　　　　　５Ｘ１０
　　’Ｈｃ（Ｏｅ）　　　　　　　　９００　　　　　
　９００角形比　　　　　　０．７６　　　　０．７４
Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）　　　　　　＋５　　　　　　　０静
止画像消失（分）　　　　　６０　　　　　　　３ドロ
ツプアウト （個／分、　　　　　　　３００　　　　　３００″０
Δφｒ／φｒ（％）−１３ 表４に示される結果から、ビデオ用の媒体としても°、
この出願の媒体は、接着強度、機械的強度および保存性
にすぐれていることがわかる。

実施例４ 下記表５に示される組成の２糧のターゲットを用い、実
施例２と同様にして２撞のカセットチーブ試料Ｇ、Ｈを
得た。

試料Ｇ、Ｈにつき、実施例１と同様な測定を行い、下記
表５に示される結果を得た。

表　　　　　５ 試　　料　　　　Ｇ（本発明）　　　　　Ｈ（比　較）
組　　成　　　　　　ＣｏＰＵ　　　　　　ＣａＦ２２
　　３　　２　　　　　　　　　　　　９ａｆｉ　　　
３厚さ　（Ａ　）　　　　　　３２００　　　　　　３
００　ｔｌＨｃ　　　　　　　　　　４４０　　　　　
　　４４０レベル低下（回）　　　　　　　６　　　　
　　　２０ΔＨｃ／Ｈｃ（％）　　　　　　　−２”−
ｒｉ表５に示される結果から、この出願の発明の効果が
あきらかである。一 実施例５ 実施例１における比較用の試料Ｂを、酸系雰囲気下、１
００℃、５時間加熱した。

この結果、平均組成（ＣＯＱ８，５１＼ＩＱ１６）９ａ
１５ｐＨ１０１ｍの磁性層をもつ試料Ｉが得られた。

試料工につき、各特性を評価したところ、−試料Ａとほ
とんど同等の特注を得た。

この場合、加熱処理を、ｗ、素雰囲、気下でりグロー放
磁およびグツズ１処理にかえても。

同等の特性を得た。

比較例１　　。

下記表６に示される組成の２棟のターゲットを粗い、実
施例２と同様のスパッタリングを行い、表６に示される
組成および膜厚をもつ２檀の試料Ｊ、Ｋを得た。　これ
らのＨｃが表６に併記される。

表　　　　６ 試料　　　Ｊ（比Ｉ１１り　　　Ｋ＜比較）厚　さくＡ
）　　　　３０００　　　　　３０００ｈｅ　　５０　
５０ 表６に示される結果から、磁気特性上、Ｐ含１ｊｘは８
ｗｔ％以下、０含ＩＩｋｙはｌＱｗｔ％以下であること
が好ましいことがわかる。

比較例２ 実施例１の試料Ａの炸裂において、スパッタリング算囲
気の全カス（Ａｒ−）−０□）圧を８Ｘ１０”’Ｉ’ｏ
　ｒ　ｒ　Ｊｌｌ　Ｊｇ分圧を８　Ｘ　１０　”Ｌ’ｏ
ｒｒとした。

その鮎釆、試料Ａと同様（Ｃｏａｓ６Ｎｉ、、、）、ａ
。

）’２．ＬＪ２の組成の３８００λ厚の層注噛をもつ試
料りを得た。

試料りのＨＣを測定したところ、５０（Ｊｅであった。

この紹未か′ら、スノ：ツタリング雰囲気の全ガス圧は
、　２ｘｌＯ”　〜３Ｘ１０−１１’ｏｒｒであること
か好ましいことがわかる。

実施例６ 上記実施例１〜４における試料Ａ〜Ｄおよびｑ、Ｈの作
成において、９μｍ厚のビｌ；　’ｌ’　［％１０００
Ａの下記表７にボされる下地Ｊ−を形成したものを基本
として用い、それぞれとＩＨＪ　峠のスパッタリングを
行い、試料Ｍ〜Ｔを得た。

試料Ｍ〜′ｌ゛につき、実婦例Ｊと同様にレベル低下回
数を測足し、表７に示される結果を得た。。

なお、試料ｒｖｉ　、　Ｔは、それぞれ試料Ａ、Ｂ、。

Ｃ，Ｄ、６．Ｈと同等の磁気特性を示した。

表７に示される結果から、チタンまたはチタン合金下地
層を用いると、選択的に嵌着強度および機械的強度が向
上そることがわかる。

実施例７ 実施例１における試料Ａにおいて、基板上に１００ＯＡ
のチタン下地層を形成したのち、磁性層厚を３等分して
、この３鳩の磁性層間に、１００Ａの２層のチタン中間
層を間挿した他は、同様にして、試料νを傅た。

試料Ｖの磁気特性は、試料Ａとほぼ同一であった。

試料Ｖ、Ａにつ昶、ノーマルポジションにて、１ＫＨｚ
の周波数にて記録した後、消去ヘッドで消去して出力と
ノイズとの差を求め、１ＫＨｚでの中板におけるバイア
スノイズを算出した。　結果を衣８に示す。

なお１表８には、レベル低下回数が併記さ４る。

表　　　　８ なお、試料Ｖの磁気特性は、試料Ａとほぼ同等でとった
。

表８に示される結果から、チタンｆたはチタン合金中間
層をｔｉけて、磁性ｆ−欠り真贋−することにより、バ
イアスノイズがσに少することかわかる。

出願人　　東京を気化字工業株式会社 代堆人　升畦士　　石　井　陽　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に、Ｃｏ　−Ｐ　−０系またはＣｏ　−Ｎｉ
   −Ｐ−０系の磁性層薄膜を有することを特徴とする磁気
   記録媒体。 ２、磁性層薄膜が下記式で示される組成をもつ特許請求
   の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 式　　Ｘよ。。。−、ＰＳｃＯ。 （上記式において、 ＸはＣＯまたはＣｏ　ｓよび歯を狭わす。 また、Ｘはｆ３ｗｔ％以下であり、ｙは１０ｗｔ％以下
   である。） ３、　　ｘが１〜８ｗｔ％である特許請求の範囲第２項
   に記載の磁気記録媒体。 ４゜　ｙが０．２〜８ｗｔ％テアル％Ｗ＋請求ノｖｉＱ
   曲第２項または第３項記載の山気記録媒体。 ５、　　Ｎｉ　／　（ｃｏ　十＋）ｉ　）重量比がＯま
   たは０．３５以下である特許請求の範囲第２項ないし第
   ４項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 ６、基体が、チタンまたはチタン合金からなる下地ノー
   を有する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
   に記載の出気記録μ体。 ７、　基体上に、複数の磁性層薄膜を、チタンまたはチ
   タン合金からなる中間層を介して積層してなる特許請求
   の範囲第１項ｒｃいし第６項のいずれかに記載の磁気記
   録媒体。 ８、酸素分圧４Ｘ１０−２Ｔｏｒｒ　Ｊｄ下の雰囲気に
   て、スパッタリンダにより、基体上に、Ｃｏ　−Ｐ　−
   ０系またはＣｏ−Ｎ１−Ｐ−０系の磁性層薄膜を形成す
   ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ９、酸素分圧がｌＸｌ０　’〜４ＸＩＱ　’　Ｔｏｒｒ
   である特許請求の範囲第８項に記載の磁気記録媒体の衾
   造方法。 １０　　スパッタリングの雰囲気の全ガス圧が２×１０
   −２〜３Ｘ１０−１Ｔｏｒｒである特許請求の範囲第８
   項または第９項に記載の８気記録媒体の製造方法。 １１、　Ｃｏ、　ＰおよびＯｌまたはＣｏ、Ｎｉ、Ｐお
   よびＱを含むターゲットを用い、スパッタ１１ングによ
   り、基体上に、Ｃｏ　−Ｐ　−０系またはＣｏ−Ｎｉ　
   −Ｐ−０糸の磁性層薄膜を形成することを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。 １２、スパッタリング疼囲気の全ガ°ス圧か２Ｘ１０−
   ２〜３Ｘ１０　　”　Ｔｏｒｒ　テア６ｆｊ許−１ｉＴ
   求ノに囲第１１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 １３、基体上に、Ｃｏ　−Ｐ系またはＣｏ　−Ｎｉ　−
   Ｐ系の磁性層薄膜をスパッタソングにより形成した後、
   酸化処理を８すことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。