JPH0323968B2 - - Google Patents
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- JPH0323968B2 JPH0323968B2 JP57067717A JP6771782A JPH0323968B2 JP H0323968 B2 JPH0323968 B2 JP H0323968B2 JP 57067717 A JP57067717 A JP 57067717A JP 6771782 A JP6771782 A JP 6771782A JP H0323968 B2 JPH0323968 B2 JP H0323968B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B9/00—Exposure-making shutters; Diaphragms
- G03B9/08—Shutters
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- G03B9/24—Adjusting size of aperture formed by members when fully open so as to constitute a virtual diaphragm that is adjustable
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
A 技術分野
本発明は磁気記録媒体に関する。さらに詳しく
は、Co−P系またはCo−Ni−P系のスパツタ薄
膜などの気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の
連続薄膜形の磁気記録媒体に関する。 B 先行技術とその問題点 近年、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形
の磁気記録媒体が注目を集めている。 このような連続薄膜形の磁気記録媒体の一つと
して、本発明者らは、先に、Co−P系ないしCo
−Ni−P系の薄膜を、基体上に、スパツタリン
グ等の気相被着によつて形成したものを提案して
いる。 このようなCo−P系ないしCo−Ni−P系の気
相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特
性を示し、また膜強度が高い等、種々のすぐれた
特性をもつ。 しかし、このような媒体も、特に、オーデイオ
用の磁気記録媒体に適用したときバイアスノイ
ズ、1KHz程度の中域でのバイアスノイズが大き
いという欠点がある。 ところで、Co−Ni系等の気相被着薄膜磁性層
をもつ通常の連続薄膜形の磁気記録媒体では、バ
イアスノイズを減少させ、保磁力を向上させるた
めに、磁性層の被着と非磁性層との被着を交互に
行い、各磁性層の厚さを小さくし、これを500Å
程度の厚さの非磁性層を介し、所定の飽和磁化が
得られるまで順次積層することが行われている。 そこで、本発明者らは、Co−P系ないしCo−
Ni−P系の気相被着薄膜を磁性層とし、上記の
ように、非磁性層と磁性層とを交互に積層して、
オーデイオ用の媒体を作製したところ、中域〜高
域のバイアスノイズは減少するが、接着強度およ
び機械的強度が低く、長時間の使用に耐えないと
いう事実が判明した。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、オーデイオ用の媒
体として用いたとき、特に中域〜高域のバイアス
ノイズが小さく、接着強度および機械的強度が高
い。Co−P系またはCo−Ni−P系の気相被着薄
膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜形の磁気記
録媒体を提供することにある。 本発明者らは、このような目的につき種々検討
を行つた結果、Co−P系またはCo−Ni−P系系
の磁性層間に間挿する非磁性層材質として、Ti
またはTi合金のみが、選択的にこのような目的
を達成することを見出し、本発明をなすに至つ
た。 すなわち、本発明は、可とう性の基体上に、
Co−P系またはCo−Ni−P系の磁性層と、チタ
ンまたはチタン合金からなる非磁性層とを交互に
積層してなることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明において用いる基体は、非磁性のもので
あり、可とう性の、特に、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子成形物からなるもの
である。また、その厚さは種々のものとすること
ができる。さらに、その形状としては、本発明の
媒体は、オーデイオ用としして有用である点で、
通常、テープ状とされる。 このような基体上には、非磁性層と磁性層とが
交互に積層される。 本発明における磁性層は、Co−P系またはCo
−Ni−P系合金からなる。 Co−P系またはCo−Ni−P系合金の組成とし
ては、下記式で表わされるものであることが好ま
しい。 式 X100-XPX 上式において、Xは、Co、またはCoおよびNi
を表わす。 この場合、Ni/(Co+Ni)重量比(y)は0
または35重量%であることが好ましい。yが35重
量%を超えるとと、磁気特性、特に保磁力Hcが
低下してしまうからである。そして、保磁力Hc
の点で、yが0または30重量%以下、特に0また
は28重量%以下であれば、より好ましい結果を得
る。 一方、x、すなわちP含量は、0より大で8重
量%以下であることが好ましい。8重量%を超え
ると、やはり磁気特性、特に保磁力Hcが低下し
てしまう。そして、保磁力Hcの点では、yが1
〜8重量%、より好ましくは1.5〜7重量%であ
れば、好ましい結果を得る。 なお、以上のような組成において、薄膜中に
は、さらに、例えばCo、Ni以外の他の遷遷金属
元素等、例えばFe、Cr、Mn、Moなどの1種以
上が、全体の10重量%以下の範囲で含有されてい
てもよい。 このような組成の磁性層の形成は、気相被着法
によればよく、スパツタリングの他、蒸着、イオ
ンプレーテイングを用いることもできる。 ただ、特性上、最も好ましいのは、スパツタリ
ングによる場合である。 用いるスパツタリングとしては、衝撃イオンに
より、ターゲツトをスパツタし、通常、数eV〜
約100eV程度の運動エネルギーにてターゲツト物
質を蒸散させる公知のスパツタリングはいずれも
使用可能である。 従つて、Ar等の不活性ガス雰囲気中で、異常
グロー放電によるAr等のイオンによつて、ター
ゲツトをスパツタするプラズマ法を用いても、タ
ーゲツトにAr等のイオンビームを照射して行う
イオンビーム法を用いてもよい。 プラズマ法によるときは、いわゆるRFスパツ
タであつても、また、いわゆるDCスパツタであ
つてもよく、その装置構成も2極、4極等いずれ
であつてもよい。さらには、いわゆるマグネトロ
ンスパツタを用いてもよい。また場合によつて
は、P等を流しながら行う、いわゆる反応性スパ
ツタによることもできる。さらに、イオンビーム
法としては、種々の方式に従うことができる。 用いるターゲツトとしては、通常の場合は、上
記組成のCo−PないしCo−Ni−Pの焼結体を用
いればよい。 一方、衝撃イオンのイオン源としては、通常、
Ar、Kr、Xe等の不活性ガスなどを用いればよ
い。そして、これらの不活性ガス等は、動作時に
おいて、2×10-2Torr以上の圧力に維持するこ
とが好ましい。このような圧力未満では、得られ
る磁性層薄膜の磁気特性、特に保磁力が低下して
しまうからである。一方、動作時の圧力を上げれ
ば、スパツタレートは低下してしまう。このた
め、動作時の圧力は、一般に5×10-2〜2×
10-1Torr程度とすることが好ましい。 なお、プレート電圧、プレート電流、極間間隙
等には特別の制限はあく、これらは、条件に応
じ、任意の値に設定することができる。 このような磁性層と交互に積層される非磁性層
は、チタンまたはチタン合金からなる。 チタンの他、本発明において用いられるチタン
合金としては、チタンを主成分とする各種合金を
用いることができる。これらのうち、特に好適な
ものとしては、Al、Mn、V、CrおよびFeのうち
少なくとも1種を、好ましくは40wt%以下、よ
り好ましくは0.1〜40wt%、さらに好ましくは1
〜30wt%を含むものを挙げることができる。 このような非磁性層を形成するには、スパツタ
リング、蒸着、イオンプレーテイング等の種々の
気相被着によればよいが、特に、磁性層をスパツ
タリングにより被着するのが好ましいので、製造
の容易さの点で、スパツタリングによることが好
ましい。 このような磁性層と非磁性層は交互に積層され
るものであるが、基本には、直接磁性層が被着し
ていても、前記非磁性層が直接基体に被着して、
下地層として機能していてもよい。あるいは、基
体面に別途、各種金属、化合物等の下地層を設
け、この上に、磁性層を設けてもよく、さらに
は、場合によつては、下地層上に本発明における
非磁性層を形成してもよい。 最下層の磁性層と基体との間に、下地層を形成
すれば、磁性層の膜の均一性等が向上する。 そして、本発明におけるチタンまたはチタン合
金からなる非磁性層を、下地層として直接基体面
に被着すれば、製造上有利となる上、接着強度は
きわめて高いものとなり、好ましい結果を得る。 なお、基体と磁性層との間に、このように下地
層を間挿する場合、その厚さは、一般に50〜5000
Å程度とされる。 一方、磁性層は、磁性層間に非磁性層を間挿し
た状態で、総計2〜6層、特に、3または4層積
層される。 そして、複数に分割された磁性層の厚さの総計
は、2000〜6000Å、特に3000〜5000Åとされる。 これにより、10-2〜3×10-2emu/cm2の最適の
飽和磁化が得られ、オーデイオ用の媒体としてき
わめて好ましい特性をもつ。 さらに、各磁性層の厚さは、500〜2000Å、よ
り好ましくは600〜1500Åとすることが好ましい。 磁性層の厚さが厚くなるとバイオスノイズが高
くなり、またうすくなると保磁力が小さくなる傾
向にあるが、このような磁性層厚とすると、十分
な保磁力が得られ、また、バイアスノイズがきわ
めて小さくなるからである。 なお、Co−Ni系等の斜め蒸着による薄膜等の
本発明と異なる通常の磁性層では、磁性層の厚さ
をうすくするに従い、保磁力が向上するが、本発
明におけるCo−P系またはCo−Ni−P系の磁性
層では、上記のようにこれとは異なる挙動を示
し、磁性層の厚さと保磁力との関係は、他におけ
るものと特異なものであるといえる。 他方、磁性層間に間挿されるチタンまたはチタ
ン合金からなる非磁性層の厚さは、30〜200Åと
することが好ましい。 200Åをこえると、周波数特性が悪くなつてく
る。 また、30Å未満となると、保磁力が低下し、バ
イアスノイズ、特に中域〜高域のバイアスノイズ
が増大してくる。 そして、厚さが50〜150Åとなると、バイアス
ノイズがきわめて小さくなり、周波数特性がきわ
めて良好となる。しかも、このとき保磁力の低下
はない。 なお、Co−Ni系等の本発明とは異なる磁性層
を用いるときには、中間層の膜厚は500Å程度が
最適であるとされており、本発明のようにうすい
中間層を用いるときには、保磁力がきわめて低く
なつてしまう。 従つて、本発明における中間層としての非磁性
層の厚さと保磁力との関係も、本発明とは異なる
磁性層を用いるときとは異なるものである。 さらに、本発明の媒体において、その最上層に
は、磁性層が位置しても、あるいはチタンまたは
チタン合金からなる非磁性層が位置してもよい。
さらには、別途、種々の材質からなる保護層が形
成されていてもよい。 最上層として、本発明における非磁性層あるい
は保護層が存在する場合、その厚さは、通常、
1000Å程度以下とされる。 発明の具体的作用効果 本発明の磁気記録媒体は、バイアスノイズ特
に、1KHz程度以上の中域〜高域のバイアスノイ
ズがきわめて少ない。 しかも、被着膜の接着強度および機械的強度が
きわめて高く、長期間の使用によつても、出力レ
ベルの低下等が少ない。また、寿命が長い。 この場合、このような効果は、チタンないしそ
の合金以外の他の金属からなる非磁性層では実現
しない。 さらに、Co−PないしCo−Ni−P系の気相被
着薄膜を磁性層とするので、膜の均一性も良好
で、走行にともなう出力変動巾も少なく、また出
力も高く、さらには、負荷後の残留伸びも小さ
い。 そして、チタンまたはチタン合金からなる非磁
性層のうち中間層として用いるものの厚さを、30
〜200Åとすると、きわめて良好な周波数特性を
示し、しかもバイアスノイズはより一層少なくな
る。 また、磁性層の厚さの総計を2000〜6000Åとす
れば、最適の残留磁化が得られ、オーデイオ用の
媒体としてきわめて有用なものとなる。 さらに、各磁性層の厚さを、500〜2000Åとす
ると、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズ
が低下する。 加えて、チタンまたはチタン合金からなる非磁
性層を下地層として設ければ、膜の均一性が向上
し、接着強度がより一層高いものとなる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 基体として、連続長尺の9μm厚の可とう性の
ポリエチレンテレフタレートフイルムを10種類用
意した。 これら各基体のうち、1種はそのまま、また他
の9種の基体上には、スパツタリングにより、
1000Å厚にて、下記表1に示される金属下地層を
形成した。なお、試料No.8〜10のチタン合金の組
成は重量%にて表わされている。 次いで、これらのうちの下地層を形成しなかつ
た一つについては、(Co0.85Ni0.15)97P3の組成の磁
性層を4000Åの厚さに形成した(試料No.1)。 また、残りの9種については、上記と同一の組
成の磁性層を、総計4000Åの厚さとなるように、
スパツタリングにより、3層に分割して形成し、
各磁性層間に、下記表1に示される組成の各種磁
性層からなる中間層を2層、それぞれ100Åの厚
さにて、スパツタリングにより形成した(試料No.
2〜10)。 この場合、磁性層の形成は、DCマグネトロン
スパツタリングによつて行つた。そして、ターゲ
ツトとしては、対応する組成の焼結体を用い、プ
レート電圧は2KV、投入電力は3.8W/cm2、動作
アルゴン圧は7×10-2Torrとした。 次に、これら6種の試料それぞれを、3.81mm幅
にスリツトし、C−120カセツトテープを作製し
た。 このように作製した各試料の残留磁化φrは25
×10-3emu/cm2であり、保磁力Hcは下記表1に
示されるとおりである。 この後、各試料のバイアスノイズを測定した。 すなわち、市販のカセツトデツキにて、ノーマ
ルポジシヨンのバイアスで、イコライザーを
120μsに設定し、テープ速度4.75cm/secで走行さ
せ、1KHzおよび10KHzの周波数にて記録した後、
消去ヘツドで消去して出力とノイズとの差を求
め、1KHzと10KHzでの中域〜高域のバイアスノ
イズを算出した。結果を表1に示す。 また、30℃、相対湿度70%で、4.75cm/secの
走行を1000回行い、その後再生して5dB以上のレ
ベル低下が何回あるかを測定し、接着強度を評価
した。結果を表1に併記する。
は、Co−P系またはCo−Ni−P系のスパツタ薄
膜などの気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の
連続薄膜形の磁気記録媒体に関する。 B 先行技術とその問題点 近年、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形
の磁気記録媒体が注目を集めている。 このような連続薄膜形の磁気記録媒体の一つと
して、本発明者らは、先に、Co−P系ないしCo
−Ni−P系の薄膜を、基体上に、スパツタリン
グ等の気相被着によつて形成したものを提案して
いる。 このようなCo−P系ないしCo−Ni−P系の気
相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特
性を示し、また膜強度が高い等、種々のすぐれた
特性をもつ。 しかし、このような媒体も、特に、オーデイオ
用の磁気記録媒体に適用したときバイアスノイ
ズ、1KHz程度の中域でのバイアスノイズが大き
いという欠点がある。 ところで、Co−Ni系等の気相被着薄膜磁性層
をもつ通常の連続薄膜形の磁気記録媒体では、バ
イアスノイズを減少させ、保磁力を向上させるた
めに、磁性層の被着と非磁性層との被着を交互に
行い、各磁性層の厚さを小さくし、これを500Å
程度の厚さの非磁性層を介し、所定の飽和磁化が
得られるまで順次積層することが行われている。 そこで、本発明者らは、Co−P系ないしCo−
Ni−P系の気相被着薄膜を磁性層とし、上記の
ように、非磁性層と磁性層とを交互に積層して、
オーデイオ用の媒体を作製したところ、中域〜高
域のバイアスノイズは減少するが、接着強度およ
び機械的強度が低く、長時間の使用に耐えないと
いう事実が判明した。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、オーデイオ用の媒
体として用いたとき、特に中域〜高域のバイアス
ノイズが小さく、接着強度および機械的強度が高
い。Co−P系またはCo−Ni−P系の気相被着薄
膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜形の磁気記
録媒体を提供することにある。 本発明者らは、このような目的につき種々検討
を行つた結果、Co−P系またはCo−Ni−P系系
の磁性層間に間挿する非磁性層材質として、Ti
またはTi合金のみが、選択的にこのような目的
を達成することを見出し、本発明をなすに至つ
た。 すなわち、本発明は、可とう性の基体上に、
Co−P系またはCo−Ni−P系の磁性層と、チタ
ンまたはチタン合金からなる非磁性層とを交互に
積層してなることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明において用いる基体は、非磁性のもので
あり、可とう性の、特に、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子成形物からなるもの
である。また、その厚さは種々のものとすること
ができる。さらに、その形状としては、本発明の
媒体は、オーデイオ用としして有用である点で、
通常、テープ状とされる。 このような基体上には、非磁性層と磁性層とが
交互に積層される。 本発明における磁性層は、Co−P系またはCo
−Ni−P系合金からなる。 Co−P系またはCo−Ni−P系合金の組成とし
ては、下記式で表わされるものであることが好ま
しい。 式 X100-XPX 上式において、Xは、Co、またはCoおよびNi
を表わす。 この場合、Ni/(Co+Ni)重量比(y)は0
または35重量%であることが好ましい。yが35重
量%を超えるとと、磁気特性、特に保磁力Hcが
低下してしまうからである。そして、保磁力Hc
の点で、yが0または30重量%以下、特に0また
は28重量%以下であれば、より好ましい結果を得
る。 一方、x、すなわちP含量は、0より大で8重
量%以下であることが好ましい。8重量%を超え
ると、やはり磁気特性、特に保磁力Hcが低下し
てしまう。そして、保磁力Hcの点では、yが1
〜8重量%、より好ましくは1.5〜7重量%であ
れば、好ましい結果を得る。 なお、以上のような組成において、薄膜中に
は、さらに、例えばCo、Ni以外の他の遷遷金属
元素等、例えばFe、Cr、Mn、Moなどの1種以
上が、全体の10重量%以下の範囲で含有されてい
てもよい。 このような組成の磁性層の形成は、気相被着法
によればよく、スパツタリングの他、蒸着、イオ
ンプレーテイングを用いることもできる。 ただ、特性上、最も好ましいのは、スパツタリ
ングによる場合である。 用いるスパツタリングとしては、衝撃イオンに
より、ターゲツトをスパツタし、通常、数eV〜
約100eV程度の運動エネルギーにてターゲツト物
質を蒸散させる公知のスパツタリングはいずれも
使用可能である。 従つて、Ar等の不活性ガス雰囲気中で、異常
グロー放電によるAr等のイオンによつて、ター
ゲツトをスパツタするプラズマ法を用いても、タ
ーゲツトにAr等のイオンビームを照射して行う
イオンビーム法を用いてもよい。 プラズマ法によるときは、いわゆるRFスパツ
タであつても、また、いわゆるDCスパツタであ
つてもよく、その装置構成も2極、4極等いずれ
であつてもよい。さらには、いわゆるマグネトロ
ンスパツタを用いてもよい。また場合によつて
は、P等を流しながら行う、いわゆる反応性スパ
ツタによることもできる。さらに、イオンビーム
法としては、種々の方式に従うことができる。 用いるターゲツトとしては、通常の場合は、上
記組成のCo−PないしCo−Ni−Pの焼結体を用
いればよい。 一方、衝撃イオンのイオン源としては、通常、
Ar、Kr、Xe等の不活性ガスなどを用いればよ
い。そして、これらの不活性ガス等は、動作時に
おいて、2×10-2Torr以上の圧力に維持するこ
とが好ましい。このような圧力未満では、得られ
る磁性層薄膜の磁気特性、特に保磁力が低下して
しまうからである。一方、動作時の圧力を上げれ
ば、スパツタレートは低下してしまう。このた
め、動作時の圧力は、一般に5×10-2〜2×
10-1Torr程度とすることが好ましい。 なお、プレート電圧、プレート電流、極間間隙
等には特別の制限はあく、これらは、条件に応
じ、任意の値に設定することができる。 このような磁性層と交互に積層される非磁性層
は、チタンまたはチタン合金からなる。 チタンの他、本発明において用いられるチタン
合金としては、チタンを主成分とする各種合金を
用いることができる。これらのうち、特に好適な
ものとしては、Al、Mn、V、CrおよびFeのうち
少なくとも1種を、好ましくは40wt%以下、よ
り好ましくは0.1〜40wt%、さらに好ましくは1
〜30wt%を含むものを挙げることができる。 このような非磁性層を形成するには、スパツタ
リング、蒸着、イオンプレーテイング等の種々の
気相被着によればよいが、特に、磁性層をスパツ
タリングにより被着するのが好ましいので、製造
の容易さの点で、スパツタリングによることが好
ましい。 このような磁性層と非磁性層は交互に積層され
るものであるが、基本には、直接磁性層が被着し
ていても、前記非磁性層が直接基体に被着して、
下地層として機能していてもよい。あるいは、基
体面に別途、各種金属、化合物等の下地層を設
け、この上に、磁性層を設けてもよく、さらに
は、場合によつては、下地層上に本発明における
非磁性層を形成してもよい。 最下層の磁性層と基体との間に、下地層を形成
すれば、磁性層の膜の均一性等が向上する。 そして、本発明におけるチタンまたはチタン合
金からなる非磁性層を、下地層として直接基体面
に被着すれば、製造上有利となる上、接着強度は
きわめて高いものとなり、好ましい結果を得る。 なお、基体と磁性層との間に、このように下地
層を間挿する場合、その厚さは、一般に50〜5000
Å程度とされる。 一方、磁性層は、磁性層間に非磁性層を間挿し
た状態で、総計2〜6層、特に、3または4層積
層される。 そして、複数に分割された磁性層の厚さの総計
は、2000〜6000Å、特に3000〜5000Åとされる。 これにより、10-2〜3×10-2emu/cm2の最適の
飽和磁化が得られ、オーデイオ用の媒体としてき
わめて好ましい特性をもつ。 さらに、各磁性層の厚さは、500〜2000Å、よ
り好ましくは600〜1500Åとすることが好ましい。 磁性層の厚さが厚くなるとバイオスノイズが高
くなり、またうすくなると保磁力が小さくなる傾
向にあるが、このような磁性層厚とすると、十分
な保磁力が得られ、また、バイアスノイズがきわ
めて小さくなるからである。 なお、Co−Ni系等の斜め蒸着による薄膜等の
本発明と異なる通常の磁性層では、磁性層の厚さ
をうすくするに従い、保磁力が向上するが、本発
明におけるCo−P系またはCo−Ni−P系の磁性
層では、上記のようにこれとは異なる挙動を示
し、磁性層の厚さと保磁力との関係は、他におけ
るものと特異なものであるといえる。 他方、磁性層間に間挿されるチタンまたはチタ
ン合金からなる非磁性層の厚さは、30〜200Åと
することが好ましい。 200Åをこえると、周波数特性が悪くなつてく
る。 また、30Å未満となると、保磁力が低下し、バ
イアスノイズ、特に中域〜高域のバイアスノイズ
が増大してくる。 そして、厚さが50〜150Åとなると、バイアス
ノイズがきわめて小さくなり、周波数特性がきわ
めて良好となる。しかも、このとき保磁力の低下
はない。 なお、Co−Ni系等の本発明とは異なる磁性層
を用いるときには、中間層の膜厚は500Å程度が
最適であるとされており、本発明のようにうすい
中間層を用いるときには、保磁力がきわめて低く
なつてしまう。 従つて、本発明における中間層としての非磁性
層の厚さと保磁力との関係も、本発明とは異なる
磁性層を用いるときとは異なるものである。 さらに、本発明の媒体において、その最上層に
は、磁性層が位置しても、あるいはチタンまたは
チタン合金からなる非磁性層が位置してもよい。
さらには、別途、種々の材質からなる保護層が形
成されていてもよい。 最上層として、本発明における非磁性層あるい
は保護層が存在する場合、その厚さは、通常、
1000Å程度以下とされる。 発明の具体的作用効果 本発明の磁気記録媒体は、バイアスノイズ特
に、1KHz程度以上の中域〜高域のバイアスノイ
ズがきわめて少ない。 しかも、被着膜の接着強度および機械的強度が
きわめて高く、長期間の使用によつても、出力レ
ベルの低下等が少ない。また、寿命が長い。 この場合、このような効果は、チタンないしそ
の合金以外の他の金属からなる非磁性層では実現
しない。 さらに、Co−PないしCo−Ni−P系の気相被
着薄膜を磁性層とするので、膜の均一性も良好
で、走行にともなう出力変動巾も少なく、また出
力も高く、さらには、負荷後の残留伸びも小さ
い。 そして、チタンまたはチタン合金からなる非磁
性層のうち中間層として用いるものの厚さを、30
〜200Åとすると、きわめて良好な周波数特性を
示し、しかもバイアスノイズはより一層少なくな
る。 また、磁性層の厚さの総計を2000〜6000Åとす
れば、最適の残留磁化が得られ、オーデイオ用の
媒体としてきわめて有用なものとなる。 さらに、各磁性層の厚さを、500〜2000Åとす
ると、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズ
が低下する。 加えて、チタンまたはチタン合金からなる非磁
性層を下地層として設ければ、膜の均一性が向上
し、接着強度がより一層高いものとなる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 基体として、連続長尺の9μm厚の可とう性の
ポリエチレンテレフタレートフイルムを10種類用
意した。 これら各基体のうち、1種はそのまま、また他
の9種の基体上には、スパツタリングにより、
1000Å厚にて、下記表1に示される金属下地層を
形成した。なお、試料No.8〜10のチタン合金の組
成は重量%にて表わされている。 次いで、これらのうちの下地層を形成しなかつ
た一つについては、(Co0.85Ni0.15)97P3の組成の磁
性層を4000Åの厚さに形成した(試料No.1)。 また、残りの9種については、上記と同一の組
成の磁性層を、総計4000Åの厚さとなるように、
スパツタリングにより、3層に分割して形成し、
各磁性層間に、下記表1に示される組成の各種磁
性層からなる中間層を2層、それぞれ100Åの厚
さにて、スパツタリングにより形成した(試料No.
2〜10)。 この場合、磁性層の形成は、DCマグネトロン
スパツタリングによつて行つた。そして、ターゲ
ツトとしては、対応する組成の焼結体を用い、プ
レート電圧は2KV、投入電力は3.8W/cm2、動作
アルゴン圧は7×10-2Torrとした。 次に、これら6種の試料それぞれを、3.81mm幅
にスリツトし、C−120カセツトテープを作製し
た。 このように作製した各試料の残留磁化φrは25
×10-3emu/cm2であり、保磁力Hcは下記表1に
示されるとおりである。 この後、各試料のバイアスノイズを測定した。 すなわち、市販のカセツトデツキにて、ノーマ
ルポジシヨンのバイアスで、イコライザーを
120μsに設定し、テープ速度4.75cm/secで走行さ
せ、1KHzおよび10KHzの周波数にて記録した後、
消去ヘツドで消去して出力とノイズとの差を求
め、1KHzと10KHzでの中域〜高域のバイアスノ
イズを算出した。結果を表1に示す。 また、30℃、相対湿度70%で、4.75cm/secの
走行を1000回行い、その後再生して5dB以上のレ
ベル低下が何回あるかを測定し、接着強度を評価
した。結果を表1に併記する。
【表】
表1に示される結果から、チタンまたはチタン
合金からなる非磁性層を用いたときのみ、バイア
スノイズが低く、しかも接着強度のきわめて高い
媒体が実現することがわかる。 これに対し、他の金属を用いたときには、接着
強度の点で全く不十分であることがわかる。 実施例 2 実施例1において、磁性層を下記表2に示され
る組成にかえ、また、中間層および下地層の材質
を表2に示されるものにかえた他は同様にして、
各種媒体を作製した(試料No.11〜16)。 各媒体の特性を表2に示す。 なお、バイアスはハイポジシヨンとした。
合金からなる非磁性層を用いたときのみ、バイア
スノイズが低く、しかも接着強度のきわめて高い
媒体が実現することがわかる。 これに対し、他の金属を用いたときには、接着
強度の点で全く不十分であることがわかる。 実施例 2 実施例1において、磁性層を下記表2に示され
る組成にかえ、また、中間層および下地層の材質
を表2に示されるものにかえた他は同様にして、
各種媒体を作製した(試料No.11〜16)。 各媒体の特性を表2に示す。 なお、バイアスはハイポジシヨンとした。
【表】
表2に示される結果から、本発明の効果があき
らかである。 なお、磁性層組成を他のCo−P系またはCo−
Ni−P系にかえたときにも、このような効果が
同様に再現することが確認されている。 実施例 3 実施例1において、試料No.7のチタン中間層の
厚さを下記表3のようにかえて、各種媒体(No.11
〜14)を作製し、保磁力Hc、レベル低下回数、
および1KHzでのバイアスノイズを測定した。 また、各媒体の、入力レベルが0dBのときの、
1KHzと10KHzの出力差を求め、周波数特性(f
特)を評価した。 これらの結果を、表3に示す。
らかである。 なお、磁性層組成を他のCo−P系またはCo−
Ni−P系にかえたときにも、このような効果が
同様に再現することが確認されている。 実施例 3 実施例1において、試料No.7のチタン中間層の
厚さを下記表3のようにかえて、各種媒体(No.11
〜14)を作製し、保磁力Hc、レベル低下回数、
および1KHzでのバイアスノイズを測定した。 また、各媒体の、入力レベルが0dBのときの、
1KHzと10KHzの出力差を求め、周波数特性(f
特)を評価した。 これらの結果を、表3に示す。
【表】
表3に示される結果から、チタンまたはチタン
合金からなる中間層非磁性層の厚さが30〜200Å
となつたときのみ、バイアスノイズが少なく、し
かも良好なf特が得られることがわかる。 実施例 4 実施例2の試料No.12にて、磁性層の厚さをか
え、磁性層の厚さの総計が4000Åとなるように、
磁性層の厚さと、磁性層および中間層の数をか
え、保磁力Hcおよび1HHzでのバイアスノイズを
測定した。 結果を表4に示す。 なお、各試料の各中間層の厚さは100Åにした。
合金からなる中間層非磁性層の厚さが30〜200Å
となつたときのみ、バイアスノイズが少なく、し
かも良好なf特が得られることがわかる。 実施例 4 実施例2の試料No.12にて、磁性層の厚さをか
え、磁性層の厚さの総計が4000Åとなるように、
磁性層の厚さと、磁性層および中間層の数をか
え、保磁力Hcおよび1HHzでのバイアスノイズを
測定した。 結果を表4に示す。 なお、各試料の各中間層の厚さは100Åにした。
【表】
表4に示される結果から、保磁力およびバイア
スノイズの点で、磁性層の厚さは500〜2000Åで
あることが好ましいことがわかる。 なお、試料No.24では、バイアスが不足して、ノ
イズの測定ができなかつた。
スノイズの点で、磁性層の厚さは500〜2000Åで
あることが好ましいことがわかる。 なお、試料No.24では、バイアスが不足して、ノ
イズの測定ができなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 可とう性の基体上に、Co−P系またはCo−
Ni−P系の磁性層と、チタンまたはチタン合金
からなる非磁性層とを交互に積層してなることを
特徴とする磁気記録媒体。 2 磁性層間に間挿される非磁性層の厚さが30〜
200Åである特許請求の範囲第1項に記載の磁気
記録媒体。 3 複数の磁性層の厚さの総計が2000〜6000Åで
ある特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
磁気記録媒体。 4 各磁性層の厚さが500〜2000Åである特許請
求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の
磁気記録媒体。 5 基体上に、チタンまたはチタン合金からなる
非磁性層を下地層として有する特許請求の範囲第
1項ないし第4項のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067717A JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57067717A JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185026A JPS58185026A (ja) | 1983-10-28 |
| JPH0323968B2 true JPH0323968B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=13352981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57067717A Granted JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185026A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
-
1982
- 1982-04-22 JP JP57067717A patent/JPS58185026A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58185026A (ja) | 1983-10-28 |
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