JPH0364932B2 - - Google Patents
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- JPH0364932B2 JPH0364932B2 JP58156502A JP15650283A JPH0364932B2 JP H0364932 B2 JPH0364932 B2 JP H0364932B2 JP 58156502 A JP58156502 A JP 58156502A JP 15650283 A JP15650283 A JP 15650283A JP H0364932 B2 JPH0364932 B2 JP H0364932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cobalt
- layer
- protective layer
- thickness
- cocr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
ａ 利用分野
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであ
り、更に詳しくは耐摩耗性に優れた垂直磁気記録
媒体に関するものである。 ｂ 従来技術 近年高密度記録への要求はますます高まり磁気
記録層として強磁性金属層を用いたもの、更には
特公昭58−91号公報等の如く垂直磁気異方性を有
するコバルト系合金層を用いたものが提案されて
いる。しかし磁気記録層として金属又は合金を用
いた場合には、磁気ヘツドとの摩擦抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受けやすく耐久性に欠けると
いう難点がある。 このため、従来より磁性金属薄膜上に更に保護
層として有機高分子、耐蝕性金属、金属酸化物等
を設けたものが種々提案されている。しかし、前
記磁気記録媒体の耐摩耗性、即ち磁気ヘツド上に
磁気記録媒体を繰返し走行させた時の寿命は従来
の塗布型の磁気記録媒体に比らべて劣り、実用上
まだ充分でない状態である。 更に高密度記録では、この保護層の厚さが問題
になつてくる。即ち、保護層が充分厚ければ耐摩
耗性が向上するが、一方磁気的出力は著るしく低
下する。ヘツドと媒体とのスペーシングによる出
力の損失を少なくするための保護層の厚さは高々
500Å、好ましくは300Å以下の厚さにしなければ
ならず、逆に30Å程度の厚さであればスペーシン
グ損失は殆んど問題なくなるが、耐摩耗性は充分
に改善され難い。ここにスペーシング損失及び耐
摩耗性共に満たす方法として次の様な方法が種々
提案されている。 例えば、特開昭57−117126号公報、特開昭57−
198563号公報、特開昭58−26319号公報等に開示
された方法である。 これらは強磁性層を形成後、酸素雰囲気下にお
いて強磁性層表面に荷電粒子を衝撃したり、或い
は、酸素オゾン等の酸化性雰囲気にさらして強磁
性層表面に酸化被膜を形成させるものである。し
かしこれらの方法で形成された酸化被膜は高々数
十Å程度の厚さしかなく十分な耐摩耗性を付与る
に到つていない。これらの方法で数十Å以上の膜
厚を得ようと思えば非常に長時間を必要とした
り、又処理条件を厳しくすれば強磁性層表面が荒
れたりして好ましくない。 又、特開昭58−41439号公報に開示された方法
によれば、蒸気流を基板に差し向けながら強磁性
体層を形成するに際し、前記蒸気流の強磁性体層
の表面形成にあずかる部分に酸素を含む気体差し
向け、更には強磁性体層形成後、表面をグロー放
電雰囲気にさらすことにより酸化層を形成する。
この方法によれば厚さ100Å前後の酸化層が形成
されうる。しかしこの方法は、長手記録に適した
磁気記録媒体の製造には利用できるものの、前述
の垂直磁気記録媒体には適用できない。 ｃ 本発明の目的 本発明はかかる現状に鑑みてなされたもので、
耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を目的とするも
のである。 ｄ 本発明の構成及び作用効果 前述の目的は以下の本発明により達成される。
即ち、本発明は非磁性の基体上に高透磁率層、垂
直磁気異方性を有するコバルト系合金層からなる
記録層を順次形成した垂直磁気記録媒体におい
て、酸化性ガス雰囲気下のスパツタリング法によ
り形成された、膜厚60〜300Åのコバルトおよび
クロムの酸化物よりなる保護層を設けたことを特
徴とする耐摩耗性の優れた垂直磁気記録媒体を提
供するものである。 上述の本発明は以下のようにしてなされたもの
である。すなわち、本発明者らは前記状況に鑑み
コバルトをターゲツトとして酸化性雰囲気下でス
パツタリング法によりコバルト酸化物よりなる保
護層を形成した。しかし、従来法に比較して耐摩
耗性が若干向上したもののまだ十分でなかつた。 更に鋭意研究した結果、酸化性雰囲気下でスパ
ツタリング法により形成したコバルトおよびクロ
ムの複合酸化物からなる保護層が著しい耐摩耗性
効果を有すると同時に、記録層を含む磁性層の特
性を悪化させないことを見出し、本発明に到達し
たものである。 本発明の非磁性の基体には、たとえばポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、ポリイミド等の高分子材料、ガラス、
磁器等のセラミツク材料、アルミニウム、銅等の
非磁性金属材料及びこれらを積層したもの等が適
用できる。 本発明の磁性層は前述の特公昭58−91号公報等
で公知のものと同様に高透磁率を有する下地層
と、その上に形成した記録層の垂直磁気異方性を
有するコバルト系合金層の二層よりなる。 垂直磁気異方性を有するコバルト系合金層とし
ては、コバルトとクロム、ルテニウム、タンタ
ル、タングステン、バナジウム、チタン、レニウ
ム、ロジウム、マンガン、モリブデンの中から選
ばれた一種又は二種以上の元素との合金をあげる
ことができる。この中でコバルトクロム合金又
は、コバルトクロム合金に第三元素を添加したも
のが好ましい。その厚さは、0.1〜1μが好ましく、
更に好ましくは0.2〜0.5μである。0.1μより薄いと
充分な再生出力が得られず、又、1μより厚いと
記録再生特性が悪くなる。 高透磁率を有する層としては、鉄、コバルト、
ニツケル等を主成分とするいわゆる軟磁性層であ
り、例えば純鉄、パーマロイ、モリブデンパーマ
イロ、鋼モリブデンパーマロイ、およびコバルト
タンタル、コバルトジルコンニオブ等をあげるこ
とができる。高透磁率を有する層は、垂直磁気記
録再生を行なう際に、記録感度の向上、再生出力
の向上等の効果があることが知られているが、垂
直磁気記録に必須ではない。 ところが、本発明者らは高透磁率層をコバルト
系合金層の下地層として非磁性の基体との間に設
けると、驚くべきことに、下地層がなく単にコバ
ルト系合金層上に保護層を設けた場合よりも一層
耐摩耗性が向上することを見出した。この下地層
の効果は、クツシヨン効果ともコバルト系金属層
の結晶性の変化とも考えられる。 高透磁率層の厚さは、0.1〜1μが好ましく、更
に好ましくは、0.3〜0.6μである。0.1μより薄いと
十分な耐摩耗性効果が得られず、1μより厚いと
媒体の剛性が増加して好ましくない。 本発明のかかる磁性層を形成する方法としてい
くつかの公知の方法、例えばメツキ法、イオンプ
レーテイング法、真空蒸着法、スパツタリング法
透をあげることができる。 次に、前記磁性層上に設けるコバルトおよびク
ロムの酸化物を含む保護層は、コバルトおよびク
ロムを含む合金をターゲツトとして酸化性ガス雰
囲気下でスパツタリング法により形成される。 酸化性ガス雰囲気とは酸素、オゾンの単独又は
これらの混合ガス、或いは、酸素、オゾンの単独
又はこれらの混合ガスとネオン、アルゴン、クリ
プトン、キセソン等の不活性ガスの一種又は二種
以上を混合したガス雰囲気である。 コバルトおよびクロムの酸化物保護層中のクロ
ム含有量は、５〜40at％（原子パーセント）が好
ましい。5at％未満でも40at％を越えた場合でも
十分な耐摩耗性効果が発現されない。 本発明の効果を妨げない範囲で保護層中にコバ
ルト、クロム以外の元素が含まれていても良い。
前記保護層を形成するためのコバルト・クロム系
合金ターゲツトは、コバルトを主成分として、ク
ロムを５〜40at％含有するものであり、他の元素
が含まれていても良い。酸化性雰囲気下スパツタ
リング法により、ターゲツト組成に対応した元素
の酸化物よりなる保護層を形成することができ
る。 スパツタリング以外の方法、例えば真空蒸着
法、イオンプレーテイング法では、コバルト、ク
ロム或いはこれらの酸化物の蒸気圧の違いから、
本発明の目的とするコバルトおよびクロムの酸化
物よりなる保護層を形成することは極めて困難で
ある。 ところで、本発明者らは前記保護層の厚さが
500Åを越えると却つて耐摩耗性が劣化するとい
う事実を見い出した。耐摩耗性効果およびスペー
シングによる損失の両面から前記保護層の厚さと
しては60〜300Åである。 本発明によれば目的とする組成、厚さの酸化物
保護層を容易に形成することができる。本発明の
保護層は、ESCAによる表面分析により、コバル
トおよびクロムの酸化物よりなることが確認され
た。 ｅ 実施例 次に本発明の実施例を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。 実施例 １ Mo（モリブデン）パーマロイターゲツト
（Mo4％）を用い、直流スパツタリング法によ
り、Ar（アルゴン）圧力１×10-2Torr、投入電力
200Wの下、厚さ50μのポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上に高透磁率層のMoパーマロイ膜
を形成した。膜厚は0.5μである。 次にCo（コバルト）Cr（クロム）ターゲツト
（Cr20at％）を用い、同様の方法により、記録層
のCoCr合金膜を形成した。膜厚は0.4μである。
引き続いてCoCrターゲツト（Cr22at％）を用い、
Ar圧力８×10-3Torr、O2（酸素）圧力２×
10-3Torr、投入電力200Wの下、直流スパツタリ
ング法により保護層のCoCr酸化膜を形成した。
膜厚は60Åである。 実施例２および３ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜、0.4μ形成した後に、CoCrターゲツト
（Cr22at％）を用い、Ar圧力８×10-3Torr、O2
圧力２×10-3Torr、投入電力200Wの下、直流ス
パツタリング法によりCoCr酸化膜の厚さを変え
た試料を作成した。CoCr酸化膜の厚さは、100Å
および、250Åである。 実施例 ４ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜0.4μ形成した後に、CoCrターゲツト
（Cr8at％）を用い、Ar圧力８×10-3Torr、O2圧
力２×10-3Torr、投入電力200Wの下、直流スパ
ツタリング法によりCoCr酸化膜を形成した。膜
厚は100Åである。 実施例 ５ 酸化膜を形成する時に、CoCrターゲツト
（Cr36at％）を用いた以外は実施例４と同様な方
法で、CoCr酸化膜100Åを形成した。 比較例 １ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜0.4μ形成しただけで、CoCr酸化膜のスパ
ツタリングを行なわなかつた。 比較例 ２ 比較例１の試料のCoCr表面を酸化ガスの高周
波グロー放電プラズマ（出力300W）に２分間さ
らした。 比較例 ３ 実施例２および３と同様な方法でCoCr酸化膜
の厚さを520Åとした。 比較例 ４ 酸化膜を形成する時には、CoCrターゲツト
（Cr45at％）用いた以外は実施例４と同様な方法
でCoCr酸化膜を100Å形成した。 比較例 ５ 酸化膜を形成する時に、Coターゲツトを用い
た以外は、実施例４と同様な方法で、Co酸化膜
を形成した。 実施例１〜５、比較例１〜５で作成した試料を
3.5インチのマイクロフロツピーデイスクに加工
し、フロツピーデイスクドライブで走行させた。
100万回走行させた後に、ヘツドとの摩擦により
磁性層に発生する傷や磁性層の剥離の状態を観察
した。又、同じ試料に補助磁極励磁型垂直ヘツド
で50KBPIの信号を記録した時の再生出力を測定
し、本発明の保護層を設けない場合（比較例１）
と比較した。 以上の結果を表１に示す。
り、更に詳しくは耐摩耗性に優れた垂直磁気記録
媒体に関するものである。 ｂ 従来技術 近年高密度記録への要求はますます高まり磁気
記録層として強磁性金属層を用いたもの、更には
特公昭58−91号公報等の如く垂直磁気異方性を有
するコバルト系合金層を用いたものが提案されて
いる。しかし磁気記録層として金属又は合金を用
いた場合には、磁気ヘツドとの摩擦抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受けやすく耐久性に欠けると
いう難点がある。 このため、従来より磁性金属薄膜上に更に保護
層として有機高分子、耐蝕性金属、金属酸化物等
を設けたものが種々提案されている。しかし、前
記磁気記録媒体の耐摩耗性、即ち磁気ヘツド上に
磁気記録媒体を繰返し走行させた時の寿命は従来
の塗布型の磁気記録媒体に比らべて劣り、実用上
まだ充分でない状態である。 更に高密度記録では、この保護層の厚さが問題
になつてくる。即ち、保護層が充分厚ければ耐摩
耗性が向上するが、一方磁気的出力は著るしく低
下する。ヘツドと媒体とのスペーシングによる出
力の損失を少なくするための保護層の厚さは高々
500Å、好ましくは300Å以下の厚さにしなければ
ならず、逆に30Å程度の厚さであればスペーシン
グ損失は殆んど問題なくなるが、耐摩耗性は充分
に改善され難い。ここにスペーシング損失及び耐
摩耗性共に満たす方法として次の様な方法が種々
提案されている。 例えば、特開昭57−117126号公報、特開昭57−
198563号公報、特開昭58−26319号公報等に開示
された方法である。 これらは強磁性層を形成後、酸素雰囲気下にお
いて強磁性層表面に荷電粒子を衝撃したり、或い
は、酸素オゾン等の酸化性雰囲気にさらして強磁
性層表面に酸化被膜を形成させるものである。し
かしこれらの方法で形成された酸化被膜は高々数
十Å程度の厚さしかなく十分な耐摩耗性を付与る
に到つていない。これらの方法で数十Å以上の膜
厚を得ようと思えば非常に長時間を必要とした
り、又処理条件を厳しくすれば強磁性層表面が荒
れたりして好ましくない。 又、特開昭58−41439号公報に開示された方法
によれば、蒸気流を基板に差し向けながら強磁性
体層を形成するに際し、前記蒸気流の強磁性体層
の表面形成にあずかる部分に酸素を含む気体差し
向け、更には強磁性体層形成後、表面をグロー放
電雰囲気にさらすことにより酸化層を形成する。
この方法によれば厚さ100Å前後の酸化層が形成
されうる。しかしこの方法は、長手記録に適した
磁気記録媒体の製造には利用できるものの、前述
の垂直磁気記録媒体には適用できない。 ｃ 本発明の目的 本発明はかかる現状に鑑みてなされたもので、
耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を目的とするも
のである。 ｄ 本発明の構成及び作用効果 前述の目的は以下の本発明により達成される。
即ち、本発明は非磁性の基体上に高透磁率層、垂
直磁気異方性を有するコバルト系合金層からなる
記録層を順次形成した垂直磁気記録媒体におい
て、酸化性ガス雰囲気下のスパツタリング法によ
り形成された、膜厚60〜300Åのコバルトおよび
クロムの酸化物よりなる保護層を設けたことを特
徴とする耐摩耗性の優れた垂直磁気記録媒体を提
供するものである。 上述の本発明は以下のようにしてなされたもの
である。すなわち、本発明者らは前記状況に鑑み
コバルトをターゲツトとして酸化性雰囲気下でス
パツタリング法によりコバルト酸化物よりなる保
護層を形成した。しかし、従来法に比較して耐摩
耗性が若干向上したもののまだ十分でなかつた。 更に鋭意研究した結果、酸化性雰囲気下でスパ
ツタリング法により形成したコバルトおよびクロ
ムの複合酸化物からなる保護層が著しい耐摩耗性
効果を有すると同時に、記録層を含む磁性層の特
性を悪化させないことを見出し、本発明に到達し
たものである。 本発明の非磁性の基体には、たとえばポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、ポリイミド等の高分子材料、ガラス、
磁器等のセラミツク材料、アルミニウム、銅等の
非磁性金属材料及びこれらを積層したもの等が適
用できる。 本発明の磁性層は前述の特公昭58−91号公報等
で公知のものと同様に高透磁率を有する下地層
と、その上に形成した記録層の垂直磁気異方性を
有するコバルト系合金層の二層よりなる。 垂直磁気異方性を有するコバルト系合金層とし
ては、コバルトとクロム、ルテニウム、タンタ
ル、タングステン、バナジウム、チタン、レニウ
ム、ロジウム、マンガン、モリブデンの中から選
ばれた一種又は二種以上の元素との合金をあげる
ことができる。この中でコバルトクロム合金又
は、コバルトクロム合金に第三元素を添加したも
のが好ましい。その厚さは、0.1〜1μが好ましく、
更に好ましくは0.2〜0.5μである。0.1μより薄いと
充分な再生出力が得られず、又、1μより厚いと
記録再生特性が悪くなる。 高透磁率を有する層としては、鉄、コバルト、
ニツケル等を主成分とするいわゆる軟磁性層であ
り、例えば純鉄、パーマロイ、モリブデンパーマ
イロ、鋼モリブデンパーマロイ、およびコバルト
タンタル、コバルトジルコンニオブ等をあげるこ
とができる。高透磁率を有する層は、垂直磁気記
録再生を行なう際に、記録感度の向上、再生出力
の向上等の効果があることが知られているが、垂
直磁気記録に必須ではない。 ところが、本発明者らは高透磁率層をコバルト
系合金層の下地層として非磁性の基体との間に設
けると、驚くべきことに、下地層がなく単にコバ
ルト系合金層上に保護層を設けた場合よりも一層
耐摩耗性が向上することを見出した。この下地層
の効果は、クツシヨン効果ともコバルト系金属層
の結晶性の変化とも考えられる。 高透磁率層の厚さは、0.1〜1μが好ましく、更
に好ましくは、0.3〜0.6μである。0.1μより薄いと
十分な耐摩耗性効果が得られず、1μより厚いと
媒体の剛性が増加して好ましくない。 本発明のかかる磁性層を形成する方法としてい
くつかの公知の方法、例えばメツキ法、イオンプ
レーテイング法、真空蒸着法、スパツタリング法
透をあげることができる。 次に、前記磁性層上に設けるコバルトおよびク
ロムの酸化物を含む保護層は、コバルトおよびク
ロムを含む合金をターゲツトとして酸化性ガス雰
囲気下でスパツタリング法により形成される。 酸化性ガス雰囲気とは酸素、オゾンの単独又は
これらの混合ガス、或いは、酸素、オゾンの単独
又はこれらの混合ガスとネオン、アルゴン、クリ
プトン、キセソン等の不活性ガスの一種又は二種
以上を混合したガス雰囲気である。 コバルトおよびクロムの酸化物保護層中のクロ
ム含有量は、５〜40at％（原子パーセント）が好
ましい。5at％未満でも40at％を越えた場合でも
十分な耐摩耗性効果が発現されない。 本発明の効果を妨げない範囲で保護層中にコバ
ルト、クロム以外の元素が含まれていても良い。
前記保護層を形成するためのコバルト・クロム系
合金ターゲツトは、コバルトを主成分として、ク
ロムを５〜40at％含有するものであり、他の元素
が含まれていても良い。酸化性雰囲気下スパツタ
リング法により、ターゲツト組成に対応した元素
の酸化物よりなる保護層を形成することができ
る。 スパツタリング以外の方法、例えば真空蒸着
法、イオンプレーテイング法では、コバルト、ク
ロム或いはこれらの酸化物の蒸気圧の違いから、
本発明の目的とするコバルトおよびクロムの酸化
物よりなる保護層を形成することは極めて困難で
ある。 ところで、本発明者らは前記保護層の厚さが
500Åを越えると却つて耐摩耗性が劣化するとい
う事実を見い出した。耐摩耗性効果およびスペー
シングによる損失の両面から前記保護層の厚さと
しては60〜300Åである。 本発明によれば目的とする組成、厚さの酸化物
保護層を容易に形成することができる。本発明の
保護層は、ESCAによる表面分析により、コバル
トおよびクロムの酸化物よりなることが確認され
た。 ｅ 実施例 次に本発明の実施例を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。 実施例 １ Mo（モリブデン）パーマロイターゲツト
（Mo4％）を用い、直流スパツタリング法によ
り、Ar（アルゴン）圧力１×10-2Torr、投入電力
200Wの下、厚さ50μのポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上に高透磁率層のMoパーマロイ膜
を形成した。膜厚は0.5μである。 次にCo（コバルト）Cr（クロム）ターゲツト
（Cr20at％）を用い、同様の方法により、記録層
のCoCr合金膜を形成した。膜厚は0.4μである。
引き続いてCoCrターゲツト（Cr22at％）を用い、
Ar圧力８×10-3Torr、O2（酸素）圧力２×
10-3Torr、投入電力200Wの下、直流スパツタリ
ング法により保護層のCoCr酸化膜を形成した。
膜厚は60Åである。 実施例２および３ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜、0.4μ形成した後に、CoCrターゲツト
（Cr22at％）を用い、Ar圧力８×10-3Torr、O2
圧力２×10-3Torr、投入電力200Wの下、直流ス
パツタリング法によりCoCr酸化膜の厚さを変え
た試料を作成した。CoCr酸化膜の厚さは、100Å
および、250Åである。 実施例 ４ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜0.4μ形成した後に、CoCrターゲツト
（Cr8at％）を用い、Ar圧力８×10-3Torr、O2圧
力２×10-3Torr、投入電力200Wの下、直流スパ
ツタリング法によりCoCr酸化膜を形成した。膜
厚は100Åである。 実施例 ５ 酸化膜を形成する時に、CoCrターゲツト
（Cr36at％）を用いた以外は実施例４と同様な方
法で、CoCr酸化膜100Åを形成した。 比較例 １ 実施例１と同様な方法でMoパーマロイ膜0.5μ、
CoCr膜0.4μ形成しただけで、CoCr酸化膜のスパ
ツタリングを行なわなかつた。 比較例 ２ 比較例１の試料のCoCr表面を酸化ガスの高周
波グロー放電プラズマ（出力300W）に２分間さ
らした。 比較例 ３ 実施例２および３と同様な方法でCoCr酸化膜
の厚さを520Åとした。 比較例 ４ 酸化膜を形成する時には、CoCrターゲツト
（Cr45at％）用いた以外は実施例４と同様な方法
でCoCr酸化膜を100Å形成した。 比較例 ５ 酸化膜を形成する時に、Coターゲツトを用い
た以外は、実施例４と同様な方法で、Co酸化膜
を形成した。 実施例１〜５、比較例１〜５で作成した試料を
3.5インチのマイクロフロツピーデイスクに加工
し、フロツピーデイスクドライブで走行させた。
100万回走行させた後に、ヘツドとの摩擦により
磁性層に発生する傷や磁性層の剥離の状態を観察
した。又、同じ試料に補助磁極励磁型垂直ヘツド
で50KBPIの信号を記録した時の再生出力を測定
し、本発明の保護層を設けない場合（比較例１）
と比較した。 以上の結果を表１に示す。
【表】
表１より本発明の保護層は耐摩耗性に優れ、ス
ペーシンダロスも少いことがわかる。 ところで、Moパーマロイ層を形成しない以外
は実施例１と同様にして、CoCr層およびCoCr酸
化物層を形成した試料について同様な耐摩耗試験
を行なつたところ、傷および剥離がやや発生し
た。
ペーシンダロスも少いことがわかる。 ところで、Moパーマロイ層を形成しない以外
は実施例１と同様にして、CoCr層およびCoCr酸
化物層を形成した試料について同様な耐摩耗試験
を行なつたところ、傷および剥離がやや発生し
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性の基体上に高透磁率層と、垂直磁気異
方性を有するコバルト系合金からなる記録層とを
設けた垂直磁気記録媒体において、酸化性ガス雰
囲気下のスパツタリング法により形成された、膜
厚が60〜300Åのコバルトおよびクロムの酸化物
からなる保護層を設けたことを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 ２ 前記酸化物のCr含有量が５〜40at％である
特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。 ３ 前記保護層がコバルト・クロム系合金をター
ゲツトとしたスパツタリング法により形成された
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の垂直磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15650283A JPS6050622A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15650283A JPS6050622A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050622A JPS6050622A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0364932B2 true JPH0364932B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=15629159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15650283A Granted JPS6050622A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050622A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267921A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837615B2 (ja) * | 1976-04-16 | 1983-08-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS58133628A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15650283A patent/JPS6050622A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050622A (ja) | 1985-03-20 |
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