JPS58210546A - 結晶の面方位測定方法及び装置 - Google Patents
結晶の面方位測定方法及び装置Info
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- JPS58210546A JPS58210546A JP9392182A JP9392182A JPS58210546A JP S58210546 A JPS58210546 A JP S58210546A JP 9392182 A JP9392182 A JP 9392182A JP 9392182 A JP9392182 A JP 9392182A JP S58210546 A JPS58210546 A JP S58210546A
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- crystal
- peak intensity
- plane
- phonon
- raman
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
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- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザラマン分光法を用いた結晶の面方位測定
方法及び装置に関するものである。
方法及び装置に関するものである。
ヒ化ガリウム（Ｇａ Ａｓ ） 、リン化ガリウム（Ｇ
ａＰ）等の半導体バルク結晶は、各種半導体デバイス用
の基板としてつＪハ状に切り出され、市販されている。
ａＰ）等の半導体バルク結晶は、各種半導体デバイス用
の基板としてつＪハ状に切り出され、市販されている。
これらの結晶の面方位の決定には、現在主にＸ線回折法
が用いられているが、Ｘ線を扱うため安全対策等も含め
て装置が大がかりになってしまう、面方位を精匁良く測
定するために必要な測定系の設定には高い精鳴を要し、
高度な技術と時間が必要である等の大きな問題点があっ
た。
が用いられているが、Ｘ線を扱うため安全対策等も含め
て装置が大がかりになってしまう、面方位を精匁良く測
定するために必要な測定系の設定には高い精鳴を要し、
高度な技術と時間が必要である等の大きな問題点があっ
た。
本発明は、Ｘ線回折法を用いることに起因するこれらの
問題点を、レーザラマン分光法を用いることにより解決
するものであり、（ａ’）結晶体表面にレーザ光を照射
し、それによって生じるラマン光を分光光度計に導入し
、該ラマン光のスペクトル中のＴｏフォノンに対応する
ラマンバンドのピーク強度とＬＯフォノンに対応するラ
マンバンドのピーク強度の比を求め、（ｂ）上記結晶体
をレーザ光入射面が存在する面内で１８０°回転させて
前記（ａ）を行いピーク強度の比を求め、上記（ａ）、
、（ｂ）で求めた２つの比の値から結晶の面方位を求め
ることを特徴としている。
問題点を、レーザラマン分光法を用いることにより解決
するものであり、（ａ’）結晶体表面にレーザ光を照射
し、それによって生じるラマン光を分光光度計に導入し
、該ラマン光のスペクトル中のＴｏフォノンに対応する
ラマンバンドのピーク強度とＬＯフォノンに対応するラ
マンバンドのピーク強度の比を求め、（ｂ）上記結晶体
をレーザ光入射面が存在する面内で１８０°回転させて
前記（ａ）を行いピーク強度の比を求め、上記（ａ）、
、（ｂ）で求めた２つの比の値から結晶の面方位を求め
ることを特徴としている。
以下、閃亜鉛鉱構造の結晶（Ｚｉｎｃｂｌｅｎｄ型結°
晶）を例にとって本発明を詳説する。Ｚ １ｒＩＣｂｌ
ｅｎｄ型結晶を後方散乱法で測定すると、選択則により
（１００）面からはＬ’０フォノンによるスペクトルが
、（１１０）面からはＴｏフォノンによるスペクトルが
夫々現れる。そして、結晶表面の面方位が（１００）面
からずれていると、第１図に示すようにＬＯ，Ｔｏフォ
ノンによる両方のスペクトルが現れる。
晶）を例にとって本発明を詳説する。Ｚ １ｒＩＣｂｌ
ｅｎｄ型結晶を後方散乱法で測定すると、選択則により
（１００）面からはＬ’０フォノンによるスペクトルが
、（１１０）面からはＴｏフォノンによるスペクトルが
夫々現れる。そして、結晶表面の面方位が（１００）面
からずれていると、第１図に示すようにＬＯ，Ｔｏフォ
ノンによる両方のスペクトルが現れる。
この時の１０，７０７４７２強度の面方位依存性は、−
次ラマン散乱のラマンテンソルから計算できる。今、結
晶の主軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、実際の結晶１１ｊ（Ｘ’
−Ｙ’ ）が（１００）がら（１１０）方向へφ°傾い
ているとすれば、その結晶面ヘレーザ光を入射させたと
き、結晶の主軸Ｘ、Ｙ。
次ラマン散乱のラマンテンソルから計算できる。今、結
晶の主軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、実際の結晶１１ｊ（Ｘ’
−Ｙ’ ）が（１００）がら（１１０）方向へφ°傾い
ているとすれば、その結晶面ヘレーザ光を入射させたと
き、結晶の主軸Ｘ、Ｙ。
２と結晶内をレーザ光が進む方向Ｋｉ との位置関係は
、第２図に示す（ａ ）、’（ｂ ）’、 （ｃ ）
、の３種類が考えられる。図中ＫＳは散乱光が進む方向
で、Ｚ′軸と一致するよう配置される。また、ｑはフォ
、ノンが進む方向、θはＫｉとＺ軸が成す角である。第
２図において（ａ）、（ｂ）はＹ軸とＹ′軸が一致して
おり、（ａ ）と（ｂ ）はＺ′軸を中心として結晶面
（Ｘ’−Ｙ’面）を１８ｏ＠回転させた関係にある。又
（Ｃ）はＸ軸とＸ′軸が一致しており、φは（Ｃ）の斜
視図である第２図（ｄ ＞かられかるようにＹ−Ｚ平面
上での回転すれとして表わされる。
、第２図に示す（ａ ）、’（ｂ ）’、 （ｃ ）
、の３種類が考えられる。図中ＫＳは散乱光が進む方向
で、Ｚ′軸と一致するよう配置される。また、ｑはフォ
、ノンが進む方向、θはＫｉとＺ軸が成す角である。第
２図において（ａ）、（ｂ）はＹ軸とＹ′軸が一致して
おり、（ａ ）と（ｂ ）はＺ′軸を中心として結晶面
（Ｘ’−Ｙ’面）を１８ｏ＠回転させた関係にある。又
（Ｃ）はＸ軸とＸ′軸が一致しており、φは（Ｃ）の斜
視図である第２図（ｄ ＞かられかるようにＹ−Ｚ平面
上での回転すれとして表わされる。
ここで第２図（ａ）の配置をＡｔ、（ｂ）の配置をＡ−
とすれば、ＬＯ，Ｔｏフォノン強度Ｉ 。
とすれば、ＬＯ，Ｔｏフォノン強度Ｉ 。
■ は次式で与えられる。
１：； ＝ＡＨｄＬ２ ｃｏｓ ２ （３θ／２±２
φ）・・・（１）Ｉ：＝ ＡＨｄ７２ ｓｉｎ ２（３
θ／２±２φ） ・（２）■“＝０
・・・（３）４Ｈ Ｅ ＝ ＡＨｄ７２Ｓｉｎ ２ （θ±２φ）、
−（４）上式において士はＡｔ とＡ−に対応し、添
字Ｈは偏光が入射面に平行（Ｐ偏光）、■は偏光が入射
面に垂直（Ｓ偏光）であることを夫々示す。そして１−
ＩＶは入射光がＰ偏光、散乱光がＳ偏光であり、）−Ｉ
Ｈは入射光も散乱光もＰ偏光であることを示す。ｄ、、
ｄＴ は１０及′びＴｏフォノンの散乱効率、Ａ）ｌ
はＰ偏光入射時の定数である。
φ）・・・（１）Ｉ：＝ ＡＨｄ７２ ｓｉｎ ２（３
θ／２±２φ） ・（２）■“＝０
・・・（３）４Ｈ Ｅ ＝ ＡＨｄ７２Ｓｉｎ ２ （θ±２φ）、
−（４）上式において士はＡｔ とＡ−に対応し、添
字Ｈは偏光が入射面に平行（Ｐ偏光）、■は偏光が入射
面に垂直（Ｓ偏光）であることを夫々示す。そして１−
ＩＶは入射光がＰ偏光、散乱光がＳ偏光であり、）−Ｉ
Ｈは入射光も散乱光もＰ偏光であることを示す。ｄ、、
ｄＴ は１０及′びＴｏフォノンの散乱効率、Ａ）ｌ
はＰ偏光入射時の定数である。
上式からＡｆとＡ−の夫々についての１０７４７２強反
と７０７４７２強度の比をｒヤ 、ｒ−と１れば、ｒヤ
、ｒ−は 、 ４ ＝ Ｉ Ｔｏ、 ／ Ｉ ＬＯ。
と７０７４７２強度の比をｒヤ 、ｒ−と１れば、ｒヤ
、ｒ−は 、 ４ ＝ Ｉ Ｔｏ、 ／ Ｉ ＬＯ。
＝ （ｃ１丁 、’ｄＬ ）２ ｔａｎ ２ （
３θ／′２±２ｄ））・・・ （５） となる。次にｒ↑ とｒ−の比を求めると、ｒ−／ｒ叶
−ｔａｎ２（３θ、−’ ２−２φ）・ｔａｎ２（３
θ／２＋２φ） ・・・（６）となる。（６）式におい
てθは結晶面への入射角θｉ及び屈折率ｎがわかれば、
スネルの法則がらｓｉｎθ＝（ｓｉｎθｉ）／ｎと求め
ることができ、従ってｒ＋ とｒ−を測定により求めれ
ば、（６）式からφを求めることができる。
３θ／′２±２ｄ））・・・ （５） となる。次にｒ↑ とｒ−の比を求めると、ｒ−／ｒ叶
−ｔａｎ２（３θ、−’ ２−２φ）・ｔａｎ２（３
θ／２＋２φ） ・・・（６）となる。（６）式におい
てθは結晶面への入射角θｉ及び屈折率ｎがわかれば、
スネルの法則がらｓｉｎθ＝（ｓｉｎθｉ）／ｎと求め
ることができ、従ってｒ＋ とｒ−を測定により求めれ
ば、（６）式からφを求めることができる。
第３図は上述の如き考え方に基づく本発明を実施するた
めの装置の一例を示す。図中１は試料となる半導体基板
で、回転可能なホルダ２上に保持されており、該基板１
の表面にはレーザ発振器３、において生成されたレーザ
光４が照射される。照射に伴なって発生したラマン散乱
光５は、Ｐ偏光。
めの装置の一例を示す。図中１は試料となる半導体基板
で、回転可能なホルダ２上に保持されており、該基板１
の表面にはレーザ発振器３、において生成されたレーザ
光４が照射される。照射に伴なって発生したラマン散乱
光５は、Ｐ偏光。
Ｓ偏光を選択的に通過させるアナライザ６を介してレー
ザラマン分光光度計７へ導入されるＬ８１ｊアナライザ
６を切換えるための切換ｍｉｓ、９は上記ホルダ２を軸
１ｏを中心として回転させるｌ：めのパルスモータ等の
駆動機構、１１は該駆動機構９へ電流を供給するＩ；め
の駆動電源である。１２は分光光度計７からの測定デー
タに基づいて演算処理を行うと共に、前記切換機構８．
駆動電源１１及び分光光度計７へ測定手順に従って制ｔ
ｘｔ信号を送る中央制御装置である。
ザラマン分光光度計７へ導入されるＬ８１ｊアナライザ
６を切換えるための切換ｍｉｓ、９は上記ホルダ２を軸
１ｏを中心として回転させるｌ：めのパルスモータ等の
駆動機構、１１は該駆動機構９へ電流を供給するＩ；め
の駆動電源である。１２は分光光度計７からの測定デー
タに基づいて演算処理を行うと共に、前記切換機構８．
駆動電源１１及び分光光度計７へ測定手順に従って制ｔ
ｘｔ信号を送る中央制御装置である。
ここで、（１００）から（１１０）方向へφ。
傾いた面方位を持つ半絶縁性Ｑａ Ａ３基板について、
上述した装置を用いて測定した例を示す。ホルダ２上に
保持された基板１に対し第３図及び第４図に示すように
Ｘ’ 、Ｙ’ 、Ｚ’軸が設定される。測定すべき基板
面はＸ’−Ｙ’面内にあり、第４図に示す様に基板のへ
きかいした断面とＹ′軸が４５°の傾きを持つように設
定される。レーザ光４はＰ偏光で、ｘ’−ｚ’面に沿っ
て基板面に垂直な方向からθｉ°傾いた角度で入射し、
それにより発生したうマン光のうちＺ′軸方向のものが
分光光度計７へ導入される。
上述した装置を用いて測定した例を示す。ホルダ２上に
保持された基板１に対し第３図及び第４図に示すように
Ｘ’ 、Ｙ’ 、Ｚ’軸が設定される。測定すべき基板
面はＸ’−Ｙ’面内にあり、第４図に示す様に基板のへ
きかいした断面とＹ′軸が４５°の傾きを持つように設
定される。レーザ光４はＰ偏光で、ｘ’−ｚ’面に沿っ
て基板面に垂直な方向からθｉ°傾いた角度で入射し、
それにより発生したうマン光のうちＺ′軸方向のものが
分光光度計７へ導入される。
先ず最初に、制御装置１２はアナライザ６からＰ偏光の
ラマン散乱光を取り出すように切換機構８を設定すると
共に、第１図に示されるスペクトルのうちＬＯフォノン
によりピークを検出するように分光光度計７をセットす
る。この時分光光度計７から得られるスペクトル弾痕は
’？ｌＨであり、前記（３）式から１１．ｌ□はＯとな
ることがわかる。
ラマン散乱光を取り出すように切換機構８を設定すると
共に、第１図に示されるスペクトルのうちＬＯフォノン
によりピークを検出するように分光光度計７をセットす
る。この時分光光度計７から得られるスペクトル弾痕は
’？ｌＨであり、前記（３）式から１１．ｌ□はＯとな
ることがわかる。
そしてこのことから、へきかい面とＹ′軸のなす角が４
５°であることが確認できる。
５°であることが確認できる。
確認後、制御装置１２はアナライザ６を切換えてラマン
散乱光のうちＳ偏光のものが分光光度計へ到達するよう
にする。この状態で制御Ｍ１６１１２はＬＯフォノンに
よるピーク強度Ｈ？及びＴｏフォノンによるピーク強度
Ｃを測定するように分光光度計７に指令を与える。この
時の状態を第２図におけるＡ↑とすれば、ここで測定し
た２つのピーク強度の比を求めることにより（５）式に
おけるｒｆ を冑ることができる。
散乱光のうちＳ偏光のものが分光光度計へ到達するよう
にする。この状態で制御Ｍ１６１１２はＬＯフォノンに
よるピーク強度Ｈ？及びＴｏフォノンによるピーク強度
Ｃを測定するように分光光度計７に指令を与える。この
時の状態を第２図におけるＡ↑とすれば、ここで測定し
た２つのピーク強度の比を求めることにより（５）式に
おけるｒｆ を冑ることができる。
次に制御装置１２は駆動電源１１へ指令を送り、ホルダ
２を軸１０を中心として１８０°回転させる。それによ
り基板１も基板表面を含む面上で１８０°回転すること
になる。そしてその状態で制＠装置１２は再びＬＯフＡ
ノンにＪるピーク強度■Ｌ０及びＴｏフォノンによるピ
ーク強度１′１Ｈ０ｖを測Ｖ 定づるように分光光度計７に指令を与える。この時の状
態は第２図におけるＡ−に対応することは言うまでもな
く、ここで測定した２つのピーク強度の比を求めれば、
（５）式におけるｒ−を得ることができる。
２を軸１０を中心として１８０°回転させる。それによ
り基板１も基板表面を含む面上で１８０°回転すること
になる。そしてその状態で制＠装置１２は再びＬＯフＡ
ノンにＪるピーク強度■Ｌ０及びＴｏフォノンによるピ
ーク強度１′１Ｈ０ｖを測Ｖ 定づるように分光光度計７に指令を与える。この時の状
態は第２図におけるＡ−に対応することは言うまでもな
く、ここで測定した２つのピーク強度の比を求めれば、
（５）式におけるｒ−を得ることができる。
このようにしてｒ＋ 及びｒ−が得られた後、制御装＠
１２は（６）式に基づいてφを求める。尚、その演算に
先立ってオペレータがレーザ光４の基板面への入射角θ
ｉとＧａＡＳの屈折率ｎ （レーザ光としてアルゴンレ
ーザの５１４５人線を用いた場合ｎ ＝ ４．２５ ）
を制御装置１２へ入力しておけば、先に述べたようにθ
はスネルの法則から即座に計算できるので、（６）式か
らφを求めることができる。
１２は（６）式に基づいてφを求める。尚、その演算に
先立ってオペレータがレーザ光４の基板面への入射角θ
ｉとＧａＡＳの屈折率ｎ （レーザ光としてアルゴンレ
ーザの５１４５人線を用いた場合ｎ ＝ ４．２５ ）
を制御装置１２へ入力しておけば、先に述べたようにθ
はスネルの法則から即座に計算できるので、（６）式か
らφを求めることができる。
面方位が（１００）から（１１０）方向へＯ。
【工０．５°）、２° （±０．５°）傾いた市販の半
絶縁性Ｑａ ＡＳ基板２種について上述の如き手順で測
定した結果、夫々φ＝０．０４３°、１．８６゛の測定
値が得られ、誤差範囲内に収まっていることがＭｆ認で
きた。又、同じく５° く二 〇、５°）傾いた基板に
ついても測定したところ、φ−６゜５°の測定値が得ら
れた。この場合誤差が大きい原因として、Ａ−の配置で
得られるＴｏフォノンによるピーク強度が分光光度計の
検出限界（２，５ｐｕｌｓｅ ／ｓｅｃ ）以下となる
点が考えられ、装置の検出限界の改良によって、この試
料の場合でも誤差範囲内に収めることができるであろう
ことは容易に推察できる。
絶縁性Ｑａ ＡＳ基板２種について上述の如き手順で測
定した結果、夫々φ＝０．０４３°、１．８６゛の測定
値が得られ、誤差範囲内に収まっていることがＭｆ認で
きた。又、同じく５° く二 〇、５°）傾いた基板に
ついても測定したところ、φ−６゜５°の測定値が得ら
れた。この場合誤差が大きい原因として、Ａ−の配置で
得られるＴｏフォノンによるピーク強度が分光光度計の
検出限界（２，５ｐｕｌｓｅ ／ｓｅｃ ）以下となる
点が考えられ、装置の検出限界の改良によって、この試
料の場合でも誤差範囲内に収めることができるであろう
ことは容易に推察できる。
以上詳述した如く本発明によれば、レーザラマン分光法
を用いて面方位を決定できるため、Ｘ線を用いる従来の
ような被爆の危険性なしに正確な測定を簡単に行うこと
ができる。
を用いて面方位を決定できるため、Ｘ線を用いる従来の
ような被爆の危険性なしに正確な測定を簡単に行うこと
ができる。
尚、上記は一例であり幾多の変形が可能である。
たとえばＺ １ｎｃｂｌｅｎｄ形結晶だけではなく他の
結晶系でも全く同様に適用できる。
結晶系でも全く同様に適用できる。
第１図はＬＯ，’Ｔｏフォノンによるスペクトルを示す
図、第２図は結晶面ヘレーザ光を入射さぜた時、結晶の
主軸Ｘ、Ｙ、Ｚとレー＋ｊ−光が進む方向Ｋｉとの関係
を示す図、絹３図は本発明にがかる方法を実施するため
の装置の一例を示す図、第４図は基板のへきかい面とＹ
′軸との傾ぎを示１図である。 １：半導体基板、２：ホルダ、３：レーザ発振器、４：
レーザ光、５ニラマン散乱光、６：アナライザ、７：レ
ーザラマン分光光度計、８：切換機構、９：駆動機構、
１２：中央制御装置。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第３図 ２１１ Ｘ′
図、第２図は結晶面ヘレーザ光を入射さぜた時、結晶の
主軸Ｘ、Ｙ、Ｚとレー＋ｊ−光が進む方向Ｋｉとの関係
を示す図、絹３図は本発明にがかる方法を実施するため
の装置の一例を示す図、第４図は基板のへきかい面とＹ
′軸との傾ぎを示１図である。 １：半導体基板、２：ホルダ、３：レーザ発振器、４：
レーザ光、５ニラマン散乱光、６：アナライザ、７：レ
ーザラマン分光光度計、８：切換機構、９：駆動機構、
１２：中央制御装置。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第３図 ２１１ Ｘ′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）結晶体表面にレーザ光を照射し、それによっ
て生じるラマン光を分光光度計に導入し、該ラマン光の
スペクトル中のＴｏフォノンに対応するラマンバンドの
ピーク強度とＬＯフォノンに対応するラマンバンドのピ
ーク強度の比を求めること、 （ｂ ）上記結晶体をレーザ光入射面が存在づる面内で
１８０°回転させて前記（ａ ）を行いピーク強度の比
を求めること、 （ｃ ）上記（ａ）、、（ｂ）で求め、た２つの比の値
から結晶の面方位を求めること、 より成る結晶の面方位測定方法。 ２、結晶体表面に照射するレーザ光を発生するためのレ
ーザ発振器と、結晶体表面から生じるラマン光のスペク
トル中のＴｏフォノンに対応するラマンバンドのピーク
強度とり、Ｏフォノンに対応するラマンバンドのピーク
強度を検出するためのうマン分光光度計と、前記結晶体
をレーザ光入射面が存在する面内で１８０°回転させる
ための回転機構と、該回転機構によって１８０°回転さ
せる前後において前記分光光度計により検出されたＴＯ
フォノンに対応するラマンバンドのピーク強度と１０フ
オノンに対応するラマンバンドのピーク強度から結晶の
面方位を求めるための演算手段から成る特許請求の範囲
第１項記載の方法を実施するための装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9392182A JPS58210546A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 結晶の面方位測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9392182A JPS58210546A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 結晶の面方位測定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210546A true JPS58210546A (ja) | 1983-12-07 |
| JPH0116378B2 JPH0116378B2 (ja) | 1989-03-24 |
Family
ID=14095913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9392182A Granted JPS58210546A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 結晶の面方位測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747684A (en) * | 1986-09-30 | 1988-05-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of and apparatus for real-time crystallographic axis orientation determination |
| GB2419944A (en) * | 2003-09-05 | 2006-05-10 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Optical measurement method and device |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP9392182A patent/JPS58210546A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747684A (en) * | 1986-09-30 | 1988-05-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of and apparatus for real-time crystallographic axis orientation determination |
| GB2419944A (en) * | 2003-09-05 | 2006-05-10 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Optical measurement method and device |
| GB2419944B (en) * | 2003-09-05 | 2007-05-16 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Optical measurement method and device |
| US7408635B2 (en) | 2003-09-05 | 2008-08-05 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical measurement method and device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0116378B2 (ja) | 1989-03-24 |
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