JPS58210644A - 半導体装置の気密封止方法 - Google Patents

半導体装置の気密封止方法

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JPS58210644A
JPS58210644A JP57093827A JP9382782A JPS58210644A JP S58210644 A JPS58210644 A JP S58210644A JP 57093827 A JP57093827 A JP 57093827A JP 9382782 A JP9382782 A JP 9382782A JP S58210644 A JPS58210644 A JP S58210644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
semiconductor device
sealing
leak detector
leak
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57093827A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Otsuka
義夫 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS58210644A publication Critical patent/JPS58210644A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00Packaging processes not covered by the other groups of this subclass

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  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は外装容器内に半導体素子を気密に封止して半導
体装置を形成する際の気密封止方法に関する。
半導体装置は、組立の最終工程で、外装容器内に半導体
素子を気密に封止して完成する。この気密封止方法の従
来例を第1図によシ説明する。第1図において、N2ガ
ス雰囲気12の中で、外装容器内に半導体素子を収納し
た半導体装[11の外装容器の一部分を形成するキャッ
プtaとスタッド1bを溶接装置10の上下電極5と6
の間に組み込んだ後、溶接装置10の上下プラテン3と
4との間に載置し、しかる後溶接装置10のシリンダー
2を下降させ口上下電極5,6間に適切な加圧力を与え
て通電させることによりキャップlaとスタッド1bと
を溶接することによシ気密封止し、しかる後に、封止後
の半導体装置1を、第2図に示すように、圧入容器13
に入れてHeガス16を爆射し、その後、第3図のよう
にHeリークデテクタの検出容器14に入れて、 He
 リークデテクタ15で、半導体装置1の気密性不完全
のために、圧入容器13内で半導体装置1内に浸入した
かも知れぬHeガスを空気17と共にリークデテクタ1
5に吸引して、Heガスの有無を検出して半導体装置1
の気密の良否を判定する。
しかしながら、これらの従来の方法では、気密封止後に
半導体装置1を圧入容器13に入れて、例えは圧力2.
5 kl/cm2で1時間程度Heガス16を爆射し、
その後Heリークデテクタ15で気密良否を検出するた
め、作業性が悪く、能率良く生産を進める上で支障とな
っていた。
本発明は上記欠点を解決することを目的とした半導体装
置の気密封止方法を提供すにとにある。
本発明方法は、気密封止後のリークテストに使用するH
eガスを気密封止雰囲気として使用することにある。
以下図面を参照して本発明を説明する。第1図は本発明
の実施例を示すもので、第1図による従来例の説明では
気密封止雰囲気がN2ガス12であったものが、本発明
ではHeガス16となっているのである。したがって、
気密封止された半導体装I11は内部にHeガスを包含
しているので、第2図に示す圧入容器13に入れること
を省いてそのまま第3図のようにHe リークデテクタ
検出容器14に移し、Heリークデテクタ15でHeガ
スのリークチェックをすることができる。
かかる半導体装置の気密封止法によれば、気密封止後直
接Heリークデテクタでリーク有無検出ができるので、
工程間の流れがスムーズになり、生産能率が向上し、ま
た半導体装置のハンドリング時の損傷等の発生も少くな
る等多くの利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例および従来の一例を説明する
ための半導体装置および該半導体装置の気密封止用の溶
接装置の断面図、第2図は従来例におけるHeガス圧入
容器の断面図、第3図は本発明の一実施例に係る検出容
器およびHeリークデテクタのブロック図である。 1・・・・・・半導体装置、1a・・・・・・キャップ
、1b・・・・・・スタッド、2・・・・・・シリンダ
、3,4・旧・・プラテン、5.6・・・・・・溶接用
電極、10・・・・・・溶接装置、12・・・・・・N
2ガス、13・・・・・・圧入容器、14・・・・・・
検出容器、15・・・・・・Heリークデテクタ、16
…・・・Heガス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外装容器内圧半導体素子を気密に封止するに際し、封止
    雰囲気としてHeガスを用いることを特徴とする半導体
    装置の気密封止方法。
JP57093827A 1982-06-01 1982-06-01 半導体装置の気密封止方法 Pending JPS58210644A (ja)

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