JPS58210665A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58210665A JPS58210665A JP57093107A JP9310782A JPS58210665A JP S58210665 A JPS58210665 A JP S58210665A JP 57093107 A JP57093107 A JP 57093107A JP 9310782 A JP9310782 A JP 9310782A JP S58210665 A JPS58210665 A JP S58210665A
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- Japan
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- layer
- metal layer
- vapor deposition
- electrode
- gaas
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｌ−Ｖ族化合物半導体のオーム性電極に関す
るものである。
るものである。
電極技術に要求される技術的課題の一つに、ワイヤボン
ディング性がある。通常、ワイヤボンディングは熱圧着
法によシ行われている。すなわち、純粋なＡｕを純粋な
Ａｕに加熱圧着することにょシ強固な接合を得ている。
ディング性がある。通常、ワイヤボンディングは熱圧着
法によシ行われている。すなわち、純粋なＡｕを純粋な
Ａｕに加熱圧着することにょシ強固な接合を得ている。
一方、従来よシ化合物半導体、特に、Ｇ ａ Ａ ｓ
＋ＩｎＰなどの璽−Ｖ族化合物半導体のオーム性電極に
ついては、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ 、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎ
ｉ ／Ａ ｕ 、 Ａ ｕ −Ｓ ｎ ／Ａ ｕ 、
Ａ ｕ −Ｚ ｎ ／Ａ ｕなどが使われていた。し
かし、これらの二層あるいは三層構造の電極は、電極蒸
着中あるいはその後の熱処理工程中に、半導体構成原子
やオーム性接触用電極材料がＡｕ電極層の表面にまで外
方拡散してしまい、ワイヤボンディング性が損なわれる
という欠点をもっていた。
＋ＩｎＰなどの璽−Ｖ族化合物半導体のオーム性電極に
ついては、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ 、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎ
ｉ ／Ａ ｕ 、 Ａ ｕ −Ｓ ｎ ／Ａ ｕ 、
Ａ ｕ −Ｚ ｎ ／Ａ ｕなどが使われていた。し
かし、これらの二層あるいは三層構造の電極は、電極蒸
着中あるいはその後の熱処理工程中に、半導体構成原子
やオーム性接触用電極材料がＡｕ電極層の表面にまで外
方拡散してしまい、ワイヤボンディング性が損なわれる
という欠点をもっていた。
上記のような欠点を解消するために、 Ａｕ Ｇｅ／
Ｔ ａ ／Ａ ｕの三層構造を採用し、タンタル（Ｔ
ａ）をバリヤ層として用いる方法もある（特開昭５６−
２９３６５ ）ｏまた、バリヤ層としては、Ｔａの他に
タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、白金（ｐＨ
、モリブデン（Ｍｏ）などが利用できるが、これらの金
属はいずれも高融点であシ、電子線蒸着法によらなけれ
ば蒸着が極めて困難である。このため、半導体レーザ、
発光ダイオードなどのように、５０〜１００μｍ厚とい
う薄いウェーハに電極蒸着を行う場合に、次に説明する
ような欠点があった。４１図は、電子線蒸着を行う場合
の試料の支持方法と蒸着法を示す模式図である。高融点
金属蒸着源（’Ｉ”ａ、Ｗ、Ｍｏなど）１５は水冷ルツ
ボ１６内に収納されておシ、タングステン（Ｗ）フィラ
メント１７から発生した電子線１８が金属蒸着源に投入
されて蒸着が行われる。この場合には、蒸着源の上方に
試料１４を下向きに支持する必要がある。試料１４をホ
ルダー１０に取付けるには、ツメ状金具１１とビス１２
により支持板１３に固定していた。ｌ−Ｖ族化合物半導
体の機械的強度は弱く、かつ、試料が５０〜１００μｍ
と薄いために、試料取付は時に試料が割れるなどの破損
事故が続出していた。
Ｔ ａ ／Ａ ｕの三層構造を採用し、タンタル（Ｔ
ａ）をバリヤ層として用いる方法もある（特開昭５６−
２９３６５ ）ｏまた、バリヤ層としては、Ｔａの他に
タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、白金（ｐＨ
、モリブデン（Ｍｏ）などが利用できるが、これらの金
属はいずれも高融点であシ、電子線蒸着法によらなけれ
ば蒸着が極めて困難である。このため、半導体レーザ、
発光ダイオードなどのように、５０〜１００μｍ厚とい
う薄いウェーハに電極蒸着を行う場合に、次に説明する
ような欠点があった。４１図は、電子線蒸着を行う場合
の試料の支持方法と蒸着法を示す模式図である。高融点
金属蒸着源（’Ｉ”ａ、Ｗ、Ｍｏなど）１５は水冷ルツ
ボ１６内に収納されておシ、タングステン（Ｗ）フィラ
メント１７から発生した電子線１８が金属蒸着源に投入
されて蒸着が行われる。この場合には、蒸着源の上方に
試料１４を下向きに支持する必要がある。試料１４をホ
ルダー１０に取付けるには、ツメ状金具１１とビス１２
により支持板１３に固定していた。ｌ−Ｖ族化合物半導
体の機械的強度は弱く、かつ、試料が５０〜１００μｍ
と薄いために、試料取付は時に試料が割れるなどの破損
事故が続出していた。
上記の試料の破損事故を防ぐには、第２図に示すように
、試料ホルダーを兼ねた基板加熱板上２３上に、試料２
４をただ単に載せるだけにする方法を採ればよいと一見
考えられる。そして、蒸着源は試料２４の上方に位置す
るようにする。例えば、スパイラル状のタングステンフ
ィラメント２１に蒸着源金属線２２を吊下げて、抵拡加
熱式の蒸着法を採用すればよい。一方、バリヤ層となる
上記のＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｐｔなどは、抵拡加熱式
での蒸着が極めて困難である。このため、抵拡加熱方式
での蒸着が可能で、かつ、拡散のバリヤとして機能する
材料を種々検討した。その結果、パラジウム（Ｐｄ）が
上記の要求を満す材質であることを見出した。しかし、
一方、Ｐｄ層は、オーム性接触を得るためノＡｕ−Ｇｅ
、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ 。
、試料ホルダーを兼ねた基板加熱板上２３上に、試料２
４をただ単に載せるだけにする方法を採ればよいと一見
考えられる。そして、蒸着源は試料２４の上方に位置す
るようにする。例えば、スパイラル状のタングステンフ
ィラメント２１に蒸着源金属線２２を吊下げて、抵拡加
熱式の蒸着法を採用すればよい。一方、バリヤ層となる
上記のＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｐｔなどは、抵拡加熱式
での蒸着が極めて困難である。このため、抵拡加熱方式
での蒸着が可能で、かつ、拡散のバリヤとして機能する
材料を種々検討した。その結果、パラジウム（Ｐｄ）が
上記の要求を満す材質であることを見出した。しかし、
一方、Ｐｄ層は、オーム性接触を得るためノＡｕ−Ｇｅ
、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ 。
Ａｕ−８ｎ、Ａｕ−Ｚｎ層などに対して密着性が劣るこ
と、また、特にＧ ａ Ａ ｓ基板に対して、ワイヤボ
ンディング時にポンド直下のＧａＡｓ層が破砕さ触形成
金属がＡｕ層中に外方拡散するのを抑制するために用い
るＰｄ層（バリヤメタル層）の、オーミック接触形成金
属層に対する密着性を改善することにある。この結果、
次の如き構成の電極を用いることによって目的を達し得
ることを見い出した。
と、また、特にＧ ａ Ａ ｓ基板に対して、ワイヤボ
ンディング時にポンド直下のＧａＡｓ層が破砕さ触形成
金属がＡｕ層中に外方拡散するのを抑制するために用い
るＰｄ層（バリヤメタル層）の、オーミック接触形成金
属層に対する密着性を改善することにある。この結果、
次の如き構成の電極を用いることによって目的を達し得
ることを見い出した。
（１）Ｉ−Ｖ族化合物半導体基体に対し、該基体との間
にオーム性接触を構成し且Ａｕを主体とする第１の金属
層を設ける。
にオーム性接触を構成し且Ａｕを主体とする第１の金属
層を設ける。
（２） 第１の金属層上にＣｒ又はＴｊのうちの少な
くとも御名からなる第２の金属層を設ける。
くとも御名からなる第２の金属層を設ける。
（３）第２の金属層上にＰｄからなる第３の金属を設け
ることである。
ることである。
（４） 通常、半導体装置と他の部材との接続に有利
にせしむるためＡｕ等よシなる第４の金属層が設けられ
る。但し、Ｐｄ層をその目的のため十分に厚くすれば必
ずしも必要ではない。
にせしむるためＡｕ等よシなる第４の金属層が設けられ
る。但し、Ｐｄ層をその目的のため十分に厚くすれば必
ずしも必要ではない。
しかし、Ｐｄ層の形成を通常の蒸着法に依る場合、余シ
厚いＰｄ層は形成しにくいのでこの方法は有利ではない
。
厚いＰｄ層は形成しにくいのでこの方法は有利ではない
。
本発明はＰｄより成る第３の金属層によって化合物半導
体基体の構成原子（たとえばＧ ａ Ａ ｓ の場合は
Ｇａ）或いはオーム性接触形成金属（たとえばＺｎ ）
等が当該電極層に拡散することを抑制することができ、
十分に高信頼性を確保することができる。
体基体の構成原子（たとえばＧ ａ Ａ ｓ の場合は
Ｇａ）或いはオーム性接触形成金属（たとえばＺｎ ）
等が当該電極層に拡散することを抑制することができ、
十分に高信頼性を確保することができる。
本発明は化合物半導体基体表面に高濃度の不純物層が形
成されていない基体に適用して極めて有用である。
成されていない基体に適用して極めて有用である。
更に第１の金属層と第３の金属層の間にＣｒ又はＴｉの
うちの少なくとも御名からなる第２の金属層を用いるこ
とによって、第３の金属層の密着性を充分に確保しつつ
、且第３の金属層のバリアメタル層としての性能を損な
わない。
うちの少なくとも御名からなる第２の金属層を用いるこ
とによって、第３の金属層の密着性を充分に確保しつつ
、且第３の金属層のバリアメタル層としての性能を損な
わない。
前記第１の金属層としては通常、ｌ−Ｖ族化合物半導体
の導電性と一致する不純物元素を少なくとも含有し且Ａ
ｕを主成分とする合金が用いられる。Ｐ導電形に対して
はＡｕ−Ｚｎ 、Ａｕ−Ｂｅ、Ｎ導電形に対してはＡｕ
−８ｉ 、Ａｕ−Ｇｅ、 Ａｕ−ＧｅＮ ｔ ＋ Ａ
ｕ Ｓ ｎ等が代表的な例である。
の導電性と一致する不純物元素を少なくとも含有し且Ａ
ｕを主成分とする合金が用いられる。Ｐ導電形に対して
はＡｕ−Ｚｎ 、Ａｕ−Ｂｅ、Ｎ導電形に対してはＡｕ
−８ｉ 、Ａｕ−Ｇｅ、 Ａｕ−ＧｅＮ ｔ ＋ Ａ
ｕ Ｓ ｎ等が代表的な例である。
これら合金の不純物元素の含有量は、この合金を溶融し
た場合、化合物半導体基体内に高濃度に不純物をドープ
可能な程度を目安とされる。
た場合、化合物半導体基体内に高濃度に不純物をドープ
可能な程度を目安とされる。
例えばＡ ｕ −Ｚ ｎの場合、Ｚｎは１０〜２０ｗｔ
−チ、Ａｕ−Ｇｅの場合、Ｇｅは４〜１２ｗｔ−％程度
である。Ａｕ−８ｎの場合、Ｓｎは８〜１２ｗｔ−％程
度である。
−チ、Ａｕ−Ｇｅの場合、Ｇｅは４〜１２ｗｔ−％程度
である。Ａｕ−８ｎの場合、Ｓｎは８〜１２ｗｔ−％程
度である。
第１の金属層は通常５００λ〜３０００人が採用される
。膜厚の下限は溶融の後、少なくとも連続的な膜が形成
出来る程度となす。上限は蒸着の容易さ等信の要因で決
定して良い。
。膜厚の下限は溶融の後、少なくとも連続的な膜が形成
出来る程度となす。上限は蒸着の容易さ等信の要因で決
定して良い。
第２の金属層は通常１００λ〜５００人の膜厚を用いて
いる。
いる。
第３の金属層は５００λ〜３０００人が採用される。前
述したように第３の金属層（Ｐｄ層）は厚くても良く、
この場合、第４の金属層を省略し得る。しかし、Ｐｄを
６５０ ｎｍ以上に厚く蒸着することは不可能ではない
が困難が伴う。
述したように第３の金属層（Ｐｄ層）は厚くても良く、
この場合、第４の金属層を省略し得る。しかし、Ｐｄを
６５０ ｎｍ以上に厚く蒸着することは不可能ではない
が困難が伴う。
第４の金属層は通常Ａｕを用い厚さとしては３００ｎｍ
以上、０．５μｍ−１，５μｍの範囲を多くの場合用い
ている。
以上、０．５μｍ−１，５μｍの範囲を多くの場合用い
ている。
以下、本発明の一実施を第３図（５）〜ｑを用いて説明
する。半導体デバイスとして、Ｇ ａ Ａ ｓ −Ｇ
ａＡ Ｉ Ａ ｓ 系の半導体レーザダイオードを例に
とって説明する。
する。半導体デバイスとして、Ｇ ａ Ａ ｓ −Ｇ
ａＡ Ｉ Ａ ｓ 系の半導体レーザダイオードを例に
とって説明する。
第３図（５）は、レーザダイオード用の半導体結晶３０
に対して、Ｐ側のオーぐツク電極３３を形成した状態の
断面図である。ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板３１上に、半
導体レーザダイオードを構成するために、ＧａＡｌＡｓ
、ＧａＡｓの単結晶薄層３２を液相成長法によ多形成す
る。次に、液相成長層側にＣｒとＡｕを連続蒸着し、つ
いでホトレジスト技術を用いてＣｒ、Ａｕ 層を部分的
に除去してＰ側のオーミック電極３３を形成する。次に
、第３図（ハ）に示すように、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基
板３１をラッピングとケミカルエツチングによシ厚さ約
１００μｍに調整する。この厚さは、レーザダイオード
用チップを製作するための骨間工程に対して最適の厚さ
であるが、一方、局部的に大きな圧力がかかるような取
扱いをするとウェーハを破損する厚さでもある。
に対して、Ｐ側のオーぐツク電極３３を形成した状態の
断面図である。ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板３１上に、半
導体レーザダイオードを構成するために、ＧａＡｌＡｓ
、ＧａＡｓの単結晶薄層３２を液相成長法によ多形成す
る。次に、液相成長層側にＣｒとＡｕを連続蒸着し、つ
いでホトレジスト技術を用いてＣｒ、Ａｕ 層を部分的
に除去してＰ側のオーミック電極３３を形成する。次に
、第３図（ハ）に示すように、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基
板３１をラッピングとケミカルエツチングによシ厚さ約
１００μｍに調整する。この厚さは、レーザダイオード
用チップを製作するための骨間工程に対して最適の厚さ
であるが、一方、局部的に大きな圧力がかかるような取
扱いをするとウェーハを破損する厚さでもある。
次に、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上に、Ａ ｕ −Ｇ ｅ
／Ｐ ｄ ／Ａ ｕ三層膜を抵抗加熱蒸着法によシ連続
蒸着する。第３図０は、本発明によるＮ側オーミック電
極形成後のウェーハの断面図である。第１層目のＡｕ−
Ｇｅ層３４の厚さは５００〜３０００λで、約３８０℃
で加熱しながら蒸着する。次に、ウェーハ温度を約２０
０℃にしたのち、Ｃｒ（３５）を１００〜５００人、つ
いでＰｄ３６を５００〜３０００λ蒸着し、最後にＡｕ
３７を０．５〜１．５μｍ蒸着する。
／Ｐ ｄ ／Ａ ｕ三層膜を抵抗加熱蒸着法によシ連続
蒸着する。第３図０は、本発明によるＮ側オーミック電
極形成後のウェーハの断面図である。第１層目のＡｕ−
Ｇｅ層３４の厚さは５００〜３０００λで、約３８０℃
で加熱しながら蒸着する。次に、ウェーハ温度を約２０
０℃にしたのち、Ｃｒ（３５）を１００〜５００人、つ
いでＰｄ３６を５００〜３０００λ蒸着し、最後にＡｕ
３７を０．５〜１．５μｍ蒸着する。
上述のＮ側オーミック電極は、蒸着中または蒸着後の熱
処理工程を経ても、Ａｕ電極表面へのＧｅ。
処理工程を経ても、Ａｕ電極表面へのＧｅ。
Ｇａなどの外方拡散は抑制されているので、すぐれたワ
イヤボンド性能をもっている。Ｐｄの膜厚は、５００λ
以上あれば拡散バリヤとしての性能を発揮するが、実用
的には、電極形成後の熱処理工程の温度、時間を考慮し
て膜厚を厚くすればよい。また、オーム性接触形成金属
層（例えば、Ａｕ−Ｇｅ）とＰｄ層との間にＣｒ層など
のバインダ一層を付加したことによシ、Ｐｄ層の密着性
が著るしく改善されると同時に、従来、Ｇ ａ Ａ Ｂ
基板に対してしばしば生じていた、ワイヤボンド直
下のＧ ａ Ａ ｓ層の破砕という問題も解消し、高
信頼性の電極を得ることができる。又、第２の金属層と
してＴｉを用いても同様の効果を奏した。要するに第２
の金属層としてＣｒおよびＴｉのうちの少なくとも御名
を用いることが肝要である。
イヤボンド性能をもっている。Ｐｄの膜厚は、５００λ
以上あれば拡散バリヤとしての性能を発揮するが、実用
的には、電極形成後の熱処理工程の温度、時間を考慮し
て膜厚を厚くすればよい。また、オーム性接触形成金属
層（例えば、Ａｕ−Ｇｅ）とＰｄ層との間にＣｒ層など
のバインダ一層を付加したことによシ、Ｐｄ層の密着性
が著るしく改善されると同時に、従来、Ｇ ａ Ａ Ｂ
基板に対してしばしば生じていた、ワイヤボンド直
下のＧ ａ Ａ ｓ層の破砕という問題も解消し、高
信頼性の電極を得ることができる。又、第２の金属層と
してＴｉを用いても同様の効果を奏した。要するに第２
の金属層としてＣｒおよびＴｉのうちの少なくとも御名
を用いることが肝要である。
以上は、基板がＧ ａ Ａ ｓの場合であるが、ＩｎＰ
−ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにおけるＩｎＰ基板
に対しても全く同様のことが言える。また、オーム性接
触形成金属層がＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ 、Ａｎ −８ｎ合金
層であっても事情は全く同様である。
−ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにおけるＩｎＰ基板
に対しても全く同様のことが言える。また、オーム性接
触形成金属層がＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ 、Ａｎ −８ｎ合金
層であっても事情は全く同様である。
０
さらに、Ｐ型のＧ ａ Ａ ｓやＩｎＰなどに対するオ
ーム性接触形成金属層としてＩＡｕ Ｚｎ合金層を用
いる場合にも本発明を適用することができた０さらに、
Ｐｄは、ヨード系のエッチャントによるケミカルエッチ
が可能であシ、電極のバタンニ抵坑加熱式蒸着法を示す
模式図、第３図四〜Ｃ）は本発明による電極形成工程の
美施例を示す断面図である０ ３０・・・・・・・・・半導体結晶 ３１ ・−・−・・−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板３２−
―・・・・・・・液相成長単結晶薄層３４・・・・・−
・・オーム性接触形成金属層（Ａｕ−Ｇｅなど） ３５・・・・・・・・・Ｃｒ層 ３６・・・・・・・・・Ｐｄ層 ３７・・・・・・・・・Ａｕ層 弁理士薄田利幸 １ あ １ 目 羽 ２ 圀 第 ３ 図 第１頁の続き ０発 明 者 平尾元尚 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 加藤弘 高崎市西横手町１１１番地株式会 社日立製作所高崎工場内 ０発 明 者 小林正道 高崎市西横手町１１１番地株式会 社日立製作所高崎工場内
ーム性接触形成金属層としてＩＡｕ Ｚｎ合金層を用
いる場合にも本発明を適用することができた０さらに、
Ｐｄは、ヨード系のエッチャントによるケミカルエッチ
が可能であシ、電極のバタンニ抵坑加熱式蒸着法を示す
模式図、第３図四〜Ｃ）は本発明による電極形成工程の
美施例を示す断面図である０ ３０・・・・・・・・・半導体結晶 ３１ ・−・−・・−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板３２−
―・・・・・・・液相成長単結晶薄層３４・・・・・−
・・オーム性接触形成金属層（Ａｕ−Ｇｅなど） ３５・・・・・・・・・Ｃｒ層 ３６・・・・・・・・・Ｐｄ層 ３７・・・・・・・・・Ａｕ層 弁理士薄田利幸 １ あ １ 目 羽 ２ 圀 第 ３ 図 第１頁の続き ０発 明 者 平尾元尚 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 加藤弘 高崎市西横手町１１１番地株式会 社日立製作所高崎工場内 ０発 明 者 小林正道 高崎市西横手町１１１番地株式会 社日立製作所高崎工場内
Claims (1)
- １．１−Ｖ族化合物半導体基体と、該基体との間にオー
ム性接触を構成し且Ａｕを主体とする第１の金属層と、
該第１の金属層上に設けられたＣｒおよびＴｉのなかか
ら選ばれた少なくとも一考よシなる第２の金属層と、該
第２の金属層上に設けられたＰｄからなる第３の金属層
とを少なくとも有する半導体装置。 ２、前記第３の金属層上に第４の金属層を有して成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 ３、第４の金属層がＡｕよシなることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の半導体装置。 ４、前記第１の金属層が当該半導体基体内でＮ導電形を
構成する不純物を含有し且Ａｕを主体とした金属よシな
シ且前記半導体基体の第１の金属層と接触する領域がＮ
導電形なることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項、又は第３項記載の半導体装置。 ５、前記第１の金属層が当該半導体基体内でＰ導電形を
構成する不純物を含有し且Ａｕを主体とした金属よシな
シ且前記半導体基体の第１の金属と接触する領域がＰ導
電形なることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２
項。 又は第３項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093107A JPS58210665A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093107A JPS58210665A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210665A true JPS58210665A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14073295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093107A Pending JPS58210665A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210665A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242619A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体オ−ム性電極の形成方法 |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57093107A patent/JPS58210665A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242619A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体オ−ム性電極の形成方法 |
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