JPS58218094A - 磁気バブルメモリ駆動回路 - Google Patents

磁気バブルメモリ駆動回路

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JPS58218094A
JPS58218094A JP57099227A JP9922782A JPS58218094A JP S58218094 A JPS58218094 A JP S58218094A JP 57099227 A JP57099227 A JP 57099227A JP 9922782 A JP9922782 A JP 9922782A JP S58218094 A JPS58218094 A JP S58218094A
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JP
Japan
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circuit
magnetic bubble
magnetic
bubble memory
time constant
Prior art date
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JP57099227A
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English (en)
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JPH0232710B2 (ja
Inventor
Shinsaku Chiba
千葉 真作
Haruhiko Kishi
治彦 岸
Ryuji Yano
矢野 隆二
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0858Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ駆動回路、特に磁気バブルメ
モリ素子の磁気バブル発生回路(ジェネレータ)におい
て、余分な磁気バブルがある確率で発生するのを抑止し
た磁気バブルメモリ駆動集積回路に関するものである。
一般に磁気バブルメモリ素子においては、磁気バブルの
発生、消去もしくは複製などの機能が必要である。そし
て、これらの動作は磁気バブルの″ 転送路上に設けら
れたヘアピン状のコンダクタパターンにパルス電流を流
し、局部磁界を作ることによって行なわれる。このため
に磁気バブルメモリ装置では、これらの電流を流すため
の駆動回路を有し、パルス電流を流している。これらの
駆動回路のうち、磁気バブルを発生させる磁気バブル発
生回路(ジェネレータ)の駆動回路においては、ジェネ
レータの磁気バブル書き込み特性の向上。
省き込みエラーの低減および余分な磁気バブルの発生抑
止などを改善する手段として磁気バブル発生用パルス電
流の電流波形の立上少時間の時定数を早くしてその立下
り時間の時定数を遅くするという波形整形が必要とされ
ている。
第1図は発明者らによって提案されている磁気バブル発
生用ジェネレータの駆動集積回路の一例を示す要部回路
図である。同図において、1はトランジスタロム* Q
 a s Q oとダイオードD1とバイアス抵抗R1
,R2と電流制限抵抗R3とからなるTTL信号入力回
路、2は電流制限抵抗R4とダイオードD2とか・らな
りTTL信号入力回路1および後述する定電流源回路に
一定の基準電圧V、。fを供給する基準電圧回路、空は
磁気バブルを発生させるジェネレータに磁気バブル発生
用パルス電流1を流す出力トランジスタQlを有するエ
ミッタホロア形定電流源回路、RLは磁気バブルを発生
させるジェネレータとしての負荷抵抗、RIIは負荷抵
抗RLに流すパルスを流Iを設定す不物流値設定用抵玩
である。そ、して、これらの各回路、1,2.3を構成
する部品は図示しない例えばシリコン製のチップ上に集
積化して構成され、□・負荷抵抗RLはチップ外の磁気
バブルメモリ素手、上に配置されている。      
      ・・′:このように構成された磁気誓ニブ
ルメモリ駆動回路において、TTL信号入カ回路□、1
およびエミッタオ。アヤえ、、、、工、い、、−パ:・
あittm*fVi 、v。
・1 ”□・玉 および基準電圧■refが印加され、’ TTL信号信
号入路回路1力端子1aK第2図(a)に示す所定の入
力パルスvinか入力されると、エミッタホロア形定電
流源回路3の出力トランジスタQ1のオフ時にはベース
電位が第2図(b)に示すように急激に零電位とカシ、
第2図(e)に示すようにパルス電流■の立下シ波形は
急峻となる欠点がめった。
したがらて本発明は、TTL信号入力回路とエミッタホ
ロア形定電流源回路との間に、パルス電流の立下り波形
のみをゆるやかに整形する時定数設定用回路を設けるこ
とによって、ジェネレータにおいて生ずる余分な磁気バ
ブルの発生を抑止した磁気バブルメモリ駆動回路を提供
することを目的としている。
以下図面を用いて本発明の実施例を絆細に蚊明する。 
       ・パ 第3図は本発明によ゛する磁気バブルメモリ駆動回路に
係わる磁気バブル発生用ジェネレータの駆動集積回路の
一例を示す々部回路図であシ、第1図と同記号は同一要
素と9るのでその説明は省略す′□□□′1゜ る。第3図において、TTL信号入力回路1とエミッタ
ホロア形定電流源回路3との間には、パルス電流Iの電
流波形の立下り時間のみにTTL信号入力回路1および
基準電圧回路2を電気的に切シ離すダイオードD3と、
このダイオードD3の負極とアース間に並列接続された
時定数設定用抵抗R7と、時定数設定用コンデンサCT
とから構成される時定数設定回路4が接続されている。
この場合、この時定数設定回路4も各回路1,2..3
の構成、部品と同様にチップ上に集積化して構成されて
いる。
このように構成された磁気バブルメモリ駆動回路におい
て、磁気バブル発生用パルス電流は、TTL信号入力回
路1の入力端子1 a K11E 3図(a)に示す入
力パルスViaに対応してエミッタホロア形定電流源回
路3の出力□トランジスタQlがオンすることにより、
基準電圧回路2にしたがう基準電圧V1、fがエミッタ
に印加され、このエミッタV(接続された電流値設定用
抵抗RMとエミッタ電圧とで決定される電流は出力トラ
ンジスタQlか飽和しないI(fl Dコレクタに接続
された集積回路の外部にある負荷抵抗RLに流れる。こ
の場合、ダイオードD3+コンテンサC!および抵抗R
丁tらAる時定数設定用回路4が出力トランジスタQ1
のベースに接続されているので、出力トランジスタQs
のベース電位はコンデンサCTに充電された電圧νに上
昇し、第4図6)に示すようにVや・”(C,R,)に
したがう曲線を描き々がら零電位に戻り、したがって、
出力パルス電流Iの立下り波形は第4図(C)で示すよ
うにゆるやかな波形が得られるととKなる。
以上説明したように本発明によれば、エミッタホロア形
定電流源回路の入力端に時定数設定回路を設けたことに
よって、磁気バブルを発生させるパルス電流の立下シ波
形のみをゆるやかな波形とすることができるので、余分
な磁気バブルの発生を確実に抑止することができる。ま
た、従来磁気バブルメモリ駆動集積回路に夕1付り部品
として取り付けていた時定数設定用コンデンサが不要と
なシ、との結果、接続用端子も不要と准るなど回路構成
のコスト面からの効果も同時に得られるなどの極めて優
れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は発明者らにょシ提案されている磁気バブル発生
用ジェネレータの駆動集積回路の一例を示す狭部回路図
、第2図はその入力信号に対する出力電流の関係を示す
図、第3図は本発明による磁気バブルメモリ駆動回路に
係わる磁気バブル発生用ジェネレータの駆動集積回路の
一例を示す要部回路図、第4図はその入力信号に対する
出力電流の関係を示す図である。 1・・・・TTL伯号信号回路、1a・・・・入力端子
、2・・・・基準電圧回路、3・・・・エミッタホロア
形定電流源回路、4・・・・時定数設定回路。 、τ・、れ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 磁気バブルメモリ素子の磁気バブル発生回路に磁気バブ
    ル発生用パルス電流を流すエミッタホロア形定電流源回
    路を少なくとも具備してなる磁気バブルメモリ駆動集積
    回路において、前記エミッタホロア形定電流源回路の入
    力端にダイオード。 抵抗およびコンデンサからなる時定数設定回路を設け、
    該時定数設定回路の時定数によシ前記パルス電流の立下
    シ波形のみをゆるやかにしたことを特徴とする磁気パズ
    ルメモリ駆動回路。
JP57099227A 1982-06-11 1982-06-11 磁気バブルメモリ駆動回路 Granted JPS58218094A (ja)

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JPS58218094A true JPS58218094A (ja) 1983-12-19
JPH0232710B2 JPH0232710B2 (ja) 1990-07-23

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ID=14241777

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671875A (en) * 1979-11-14 1981-06-15 Fujitsu Ltd Drive system for magnetic bubble memory gate
JPS5782276A (en) * 1980-11-11 1982-05-22 Nec Corp Driving circuit for magnetic bubble generator
JPS589280A (ja) * 1981-07-08 1983-01-19 Nec Corp 磁気バブル発生器駆動回路
JPS5897186A (ja) * 1981-12-02 1983-06-09 Hitachi Ltd 磁気バブルメモリ駆動回路

Patent Citations (4)

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JPS5897186A (ja) * 1981-12-02 1983-06-09 Hitachi Ltd 磁気バブルメモリ駆動回路

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JPH0232710B2 (ja) 1990-07-23

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