JPS5821817A - 非晶質多層薄膜作製装置 - Google Patents
非晶質多層薄膜作製装置Info
- Publication number
- JPS5821817A JPS5821817A JP56119352A JP11935281A JPS5821817A JP S5821817 A JPS5821817 A JP S5821817A JP 56119352 A JP56119352 A JP 56119352A JP 11935281 A JP11935281 A JP 11935281A JP S5821817 A JPS5821817 A JP S5821817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- thin film
- layer
- doping
- forming amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は良質な非晶質多層薄膜を作製するための装置に
関するものである。
関するものである。
従来、この褌の多層薄膜作製は、同一のチャンバー内テ
導入ドーピングガスの種類を逐次変えて行なっていた。
導入ドーピングガスの種類を逐次変えて行なっていた。
このため、ドーピングカスのチャンバー壁への吸沼、ド
ーピングされた生成物の粉末もしくは膜の、壁面への付
Ｎ’を因として、その後、ドーピングガスを加えない状
況下でもこれらからのドーピングガスの脱離がおき、ノ
ンドーグ膜の作製、ｐ−ｎ接合の作製に著しく害を及は
していた。
ーピングされた生成物の粉末もしくは膜の、壁面への付
Ｎ’を因として、その後、ドーピングガスを加えない状
況下でもこれらからのドーピングガスの脱離がおき、ノ
ンドーグ膜の作製、ｐ−ｎ接合の作製に著しく害を及は
していた。
一例として、一層の非晶質シリコン膜の作製にしおいて
、ドーピングがノンドープに対していかに大きな影響を
与えるかを述べよう。第１図は非晶質シリコン膜の光導
電特性のうち、２０ｍ秒の周期で１０ｍ秒のパルス幅、
１５０μＷ／ｅｔＩの強度での光のオンとオフ時の光電
流比、すなわちオン−オフ比を、第２図はホトルミネセ
ンスの受光強度ラド−ピングガスの種類およびドーピン
グｉｔｔパラメータとしてプロットしたものである。微
量のドーピングガスの混入により、光導電特性のオン−
オフ比およびホトルミ坏センスの受光強度が著しく減少
する。従って、非晶質シリコンｐ−ｉ−ｎ接合の様な多
Ｎ膜の連続作成の場合、従来の多層薄膜作製法では、１
層すなわちノンドープ層の、それに先立つドーピング雰
囲気の混入に、Ｊ：！ｌｌ素子特性が劣化するとい９欠
点があった。
、ドーピングがノンドープに対していかに大きな影響を
与えるかを述べよう。第１図は非晶質シリコン膜の光導
電特性のうち、２０ｍ秒の周期で１０ｍ秒のパルス幅、
１５０μＷ／ｅｔＩの強度での光のオンとオフ時の光電
流比、すなわちオン−オフ比を、第２図はホトルミネセ
ンスの受光強度ラド−ピングガスの種類およびドーピン
グｉｔｔパラメータとしてプロットしたものである。微
量のドーピングガスの混入により、光導電特性のオン−
オフ比およびホトルミ坏センスの受光強度が著しく減少
する。従って、非晶質シリコンｐ−ｉ−ｎ接合の様な多
Ｎ膜の連続作成の場合、従来の多層薄膜作製法では、１
層すなわちノンドープ層の、それに先立つドーピング雰
囲気の混入に、Ｊ：！ｌｌ素子特性が劣化するとい９欠
点があった。
シリコン以外の非晶質薄膜でも、同様に、ＩＮへの、そ
れに先立つドーピングガスの混入という問題があった。
れに先立つドーピングガスの混入という問題があった。
本発明は層の種類別に蒸着室を分離することによって、
異釉層成長時の異種ドーピングガスの混入を防ぐことを
特徴と！、その目的はドーピング）＠於工びノンドープ
層を高純度化することにある。
異釉層成長時の異種ドーピングガスの混入を防ぐことを
特徴と！、その目的はドーピング）＠於工びノンドープ
層を高純度化することにある。
第３図は不発明の実施例であって、ＲＦダグロー放電法
よって非晶質シリコンｐ−１−ｎ構造を作製する場合に
ついて説ゆ＋−ｒる。１はｐ型層作製用チャンバー、２
お工び３はｐ型層作製用チャンバーとノンドープ層作製
用チャンバーを分離するためのゲートバルブ、４はノン
ドープ層作製用チャンバー、５および６はノンドープ層
作製用チャンバーとｎ型層−作製用チー＼・ンバーを分
離するためのゲートバルブ、７（はｎ型層作製用チャン
ノ・−１８および９は谷チャンバー相互のドーピングガ
ス混入を防ぐための控室、１０および１１は試料移動用
石英管で、ｐ型層作製用チャンバー１とノンドープ層作
製用チャンバー４とを相互にドーピングガス混入防止用
控室８及び試料移動用石英管１０を介して連結すると共
に、控室８の両側に配置した石英管１０にゲートバルブ
２，３を設ける。又前記のチャンバー４とｎｕ層作製用
チャンバー７とをガス混入防止用控室９５石英管１１ヲ
介して連結すると共に、控室９の両側に配ｆｐ−，シた
石英管１１にゲートバルプ５．６’（７７設ける。１２
、１３ 、１４はプラズマ発生用の高周波平行平板電
極で夫々のチャンバー内に設けられる。
よって非晶質シリコンｐ−１−ｎ構造を作製する場合に
ついて説ゆ＋−ｒる。１はｐ型層作製用チャンバー、２
お工び３はｐ型層作製用チャンバーとノンドープ層作製
用チャンバーを分離するためのゲートバルブ、４はノン
ドープ層作製用チャンバー、５および６はノンドープ層
作製用チャンバーとｎ型層−作製用チー＼・ンバーを分
離するためのゲートバルブ、７（はｎ型層作製用チャン
ノ・−１８および９は谷チャンバー相互のドーピングガ
ス混入を防ぐための控室、１０および１１は試料移動用
石英管で、ｐ型層作製用チャンバー１とノンドープ層作
製用チャンバー４とを相互にドーピングガス混入防止用
控室８及び試料移動用石英管１０を介して連結すると共
に、控室８の両側に配置した石英管１０にゲートバルブ
２，３を設ける。又前記のチャンバー４とｎｕ層作製用
チャンバー７とをガス混入防止用控室９５石英管１１ヲ
介して連結すると共に、控室９の両側に配ｆｐ−，シた
石英管１１にゲートバルプ５．６’（７７設ける。１２
、１３ 、１４はプラズマ発生用の高周波平行平板電
極で夫々のチャンバー内に設けられる。
これを動作する場合にに１．１すチャンバー１において
下部電板１２ ａ上に基板を置き、バルブ２を閉じた状
態で、ｓｉ ＨＩ＋ＰＨ３雰囲気の下にｐ型層を形成す
る。次にＳ ｉ Ｈ４＋Ｐ Ｈｓガスを排気し、バルブ
２ヶ開けて真空排気した控室８に試料を導入する。
下部電板１２ ａ上に基板を置き、バルブ２を閉じた状
態で、ｓｉ ＨＩ＋ＰＨ３雰囲気の下にｐ型層を形成す
る。次にＳ ｉ Ｈ４＋Ｐ Ｈｓガスを排気し、バルブ
２ヶ開けて真空排気した控室８に試料を導入する。
その後、バルブ３を開は試料をチャンバー４に導入し、
バルブ３および５を閉じた状態で５ｉ）Ｉ４′″！！！
：。
バルブ３および５を閉じた状態で５ｉ）Ｉ４′″！！！
：。
囲気の下にノンドーグ層全形成する。次に、バルブ５を
開け、試を１全排気された控室９に導入してからバルブ
５を閉め、その後、バルブ６を開は試料をチャンバー７
に導入する。次に、バルブ６を閉じた状態で、Ｓｉ ）
ｉ４＋ Ｂ２Ｈ６雰囲気の下でｎ壓層全形成する。
開け、試を１全排気された控室９に導入してからバルブ
５を閉め、その後、バルブ６を開は試料をチャンバー７
に導入する。次に、バルブ６を閉じた状態で、Ｓｉ ）
ｉ４＋ Ｂ２Ｈ６雰囲気の下でｎ壓層全形成する。
この様な構造になっているため、異種ドーピングガスの
混入が非常に少ない。従って、筒純度の多層薄膜が作製
ｊｊ−４能ｖｃなる。
混入が非常に少ない。従って、筒純度の多層薄膜が作製
ｊｊ−４能ｖｃなる。
以上の説明＆ＴＪ１、非晶質シリコンｐ−１−ｎ材造作
製を例（Ｃとって行なったが、ｌ’−１−ｎ’？ｉ’；
造以外の多Ｊ會イ１゛谷造、およびシリコン以外の非晶
質多層薄膜作ｊＡＶＬｃ応用でさることは１９１でもな
い。
製を例（Ｃとって行なったが、ｌ’−１−ｎ’？ｉ’；
造以外の多Ｊ會イ１゛谷造、およびシリコン以外の非晶
質多層薄膜作ｊＡＶＬｃ応用でさることは１９１でもな
い。
以上説明した様に、本発明の非晶質多層薄膜作製装（ａ
ＶｃＬれげ、ドーピングカスの４１ν類により熱溶３（
を分離しているので、非常に篩が１（度の多層薄膜を作
製できるといり利人“民がある。
ＶｃＬれげ、ドーピングカスの４１ν類により熱溶３（
を分離しているので、非常に篩が１（度の多層薄膜を作
製できるといり利人“民がある。
４、図面の＋ｌＩｉ牢な６シｌす１」
第１図に早−のチャンバー内でｆ＋−製した非晶質シリ
コン薄膜の光尋電特性に関するオン−オフ比のドーピン
グガス依存性、第２図は同様なホトルミネセンス′プ光
強度のドーピングカス依存性、第３図σ本発ツ１の実施
１り０の図である。
コン薄膜の光尋電特性に関するオン−オフ比のドーピン
グガス依存性、第２図は同様なホトルミネセンス′プ光
強度のドーピングカス依存性、第３図σ本発ツ１の実施
１り０の図である。
■・・・・・ｐ型ノ冑作製用チャンバー、２，３・・・
・・・ゲー）・バルブ、４・・・・・・ノンドープ層作
製用チャンバー、５．６・・・・・・ゲートバルブ、７
・・・・・・ｎ型層作製用チャンバー、８，９・・・・
・・控室、１（１、１１・・・・・・試料移動用石英’
ｇ、 １２ 、１３ 、１４・・・・・・電極Ｔ１図
・・・ゲー）・バルブ、４・・・・・・ノンドープ層作
製用チャンバー、５．６・・・・・・ゲートバルブ、７
・・・・・・ｎ型層作製用チャンバー、８，９・・・・
・・控室、１（１、１１・・・・・・試料移動用石英’
ｇ、 １２ 、１３ 、１４・・・・・・電極Ｔ１図
Claims (1)
- ドーピングカスのＳ類別に蒸着室を分離して設け、各蒸
漸室間に、ゲートパルプで仕切られた控室全備えること
を特徴とする非晶質多層薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119352A JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119352A JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821817A true JPS5821817A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14759359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119352A Pending JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294811A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶製造装置 |
| JPH01239841A (ja) * | 1988-03-19 | 1989-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56119352A patent/JPS5821817A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294811A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶製造装置 |
| JPH01239841A (ja) * | 1988-03-19 | 1989-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5965904A (en) | Semiconductor device comprising silicon semiconductor layer | |
| US4905072A (en) | Semiconductor element | |
| JPH02197117A (ja) | 炭素添加非晶質シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH0621494A (ja) | 光起電力デバイス | |
| CN110510585B (zh) | 一种大面积薄层二维碲烯的制备方法 | |
| JP2000012870A (ja) | 薄膜トランジスタのための多段階ｃｖｄ法 | |
| JPS62158316A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS58123771A (ja) | 半導体素子 | |
| US5387542A (en) | Polycrystalline silicon thin film and low temperature fabrication method thereof | |
| US5116640A (en) | Process for preparing an electroluminescent device | |
| JPH09102596A (ja) | 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置 | |
| US5075764A (en) | Diamond electric device and manufacturing method for the same | |
| JPS5821817A (ja) | 非晶質多層薄膜作製装置 | |
| JPS58111380A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| CN111785795B (zh) | ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法 | |
| JPH0421638B2 (ja) | ||
| JPS62240768A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6355929A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0242765A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| TWI775516B (zh) | 過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法 | |
| JPH01308018A (ja) | 半導体薄膜材料とその製造方法 | |
| JPH03161979A (ja) | 非晶質合金半導体薄膜の作製方法 | |
| JPS5916326A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS61179869A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS63234513A (ja) | 堆積膜形成法 |