JPS5821824A - ウエハアライメント方法 - Google Patents

ウエハアライメント方法

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Publication number
JPS5821824A
JPS5821824A JP56120641A JP12064181A JPS5821824A JP S5821824 A JPS5821824 A JP S5821824A JP 56120641 A JP56120641 A JP 56120641A JP 12064181 A JP12064181 A JP 12064181A JP S5821824 A JPS5821824 A JP S5821824A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
chuck
alignment
mark
neutral position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56120641A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Funatsu
舟津 博幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP56120641A priority Critical patent/JPS5821824A/ja
Publication of JPS5821824A publication Critical patent/JPS5821824A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の製造におけるウェハアライメ
ント方法の改良に関するものである。
従来のウェハアライメント方法は、ガラス板上にパター
ニングされたマスクを、ホルダに装填しまたは直接アラ
イナのマスクチャックにセットしている。しかし、この
従来の方法では、第1図に示すように、マスク11がチ
ャック[2に装填される時に、ウェハ中心にX方向のロ
ート9誤差16゜X方向のロート9誤差15および結晶
軸を定めるオリエンテーションフラットに対して回転誤
差14が発生するという問題があった。また、マスクポ
ジション固定用ビン、検出部17も装rift Kより
固有の位置にあり、このため、ウェハ上にiJ?ターン
ア1/イ13′f!:再現性よく位置決めすることがむ
ずかしかった。さらに第2図のように、マスク21の)
9ターンア1/イ22は、マスクの製作時にできた回転
誤差23.X位置誤差?もっている。したがって、第1
回目の4元を行なう時のウェハば、第3図1C例示する
ように、各ロットごとに1ちまちの位置に配置されると
めう問題があった。
この発明は、マスクの目標とマスクチャックに設けた゛
アライメントターゲットとを合せてマスクチャックにマ
スク全固定すると共に、マスクチャックに設けた復帰用
マーク全周いてマスクを固定する前にマスクチャックを
ニュートラルの位置に復帰させることによp、第1回目
の露光時にマスクのア1/イ位置を再現性よく同一の場
所に来るようにし7ζワエハアライメント方法を提供1
−ることを目的としてい75゜ 以下、この発明の一実施例につき第4図全参照して説明
する。
第4図にふ−いて%41&エマスクであり、との−マス
ク41に(α)!ターンアl/イ42があり、こil、
の座標と対応する所定位置にアライメントマーク43が
設けである。才た44はマスクチャックであり。
このチャック44にはマスク41を固定する前Vこニュ
ートラル位置に復・帰させろだめの復帰14]マーク4
5と、アライメントターゲット46とが互に異なつf−
、位置に設けてあう。なお、47(1アライメントスコ
一プ%48はポジションアライメソト用光源(図示せず
)からの投射光を通す半透鏡(ハーフミラ−)である。
そして、この冥施列では、第1回目のフオ) IJソグ
ラフーイを行なうに当り、マスクチャック44をこれに
設けた復帰用マーク45を用いてニュートラルの位置へ
復帰させ、その後、マスクチャック44に設けたアライ
メントターダット46とマスク4Iのアライメントマー
ク43とをマスク41を動かして合せ、バキューム吸着
たどの適宜の方法でマスクチャック441cマスク41
を固定する。
さらに、i’jT 記’アライメントマーク43と、ウ
ェハを装着したウェハチャック(]ゴ1示せず)のアラ
イメソト茎傳マークとが重々9合うようにして、マスク
とウェハチャックとヲ位1炸決めし、第1回目のP ;
’t’l−を行なう、なお、前述したマスクとウェア1
チンツクとの位置決め(丁、この発明の出願人が先に出
門しノマニ特1f!’m昭5 !3 95920−号に
言己載した方法によることが好寸しい、。
な5ご、この発明において、マスク4]には必ずしもア
ライメントマーク43を設けることなく、マースフのス
クライブラインなどを目標に【うてモヨい。
以上説明したように、この発明の方法によれば、マスク
を固定する前にマスクチャックをこれに設けた復・局側
マークを用いてニュートラルの位置に復帰させるようI
Cしたので、マスクチャックを高精度で再現性よく復帰
させることができ、゛またマスクのアライメントマーク
、スクライブラインの工う々目橢と前ン己マスクチャッ
クの゛アライメントマーケ9ツトとを合せて、マスクチ
ャックにマスクを取付け、う、Lうに!−だので、これ
ら2制;j′Δ度で14現性よく位置決め′することプ
・(でき、ウェハ上の・・ぐターノア1./イの位置ヲ
すべでのアライナ−C1同−位i VCコンl−D−ル
することが可能となり、したがって、アライナ相互での
)?ターソア1ノ・f位置が統一されることに1′す、
アラ1′す())互シーイ1法が同上すると共に、第2
回目JJ降のアレイメン) ’d9 ft1jの短縮を
にかることができるという幼芽が91)られ、とくにオ
ートアライメント方式充用いた場合に2′ループツトが
同士する利虚が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図に従来のウエハアライメソト方法によるマスクが
ロート°されたポジションを示す正面図。 第2図にマスクのA’ターンア1ノイ誤差を示す図。 第3図にウェハ上のパターンアレイの誤差を示す図、第
4図はこの発明の一実施例によるつ°エバアライメント
方法の説明図である。 41・・・マスク、42・・・ノ43’−7”71//
(,43・・・アライメントマーク、44・・・マスク
チャック。 45・・・復帰用マーク、46・・・アライメントター
ダット。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体装置の製造におけるアライナにおいて。 マスクは・やターノア1/イに対応する所定位置にアラ
    イメントマーク、スクライプラインのような目標ヲ有し
    、マスクチャックには前記目ffl’eアライメントさ
    せる位置にアライメントターゲットを設け、前記目標と
    ターゲットとを合せてマスクチャックにマスクを取付け
    ると共に、マスクチャックに設けた復帰用マークを用い
    てマスクを固定する前にマスクチャックをニュートラル
    の位置に復帰させることを特徴とするウェハアライメン
    ト方法。
JP56120641A 1981-08-03 1981-08-03 ウエハアライメント方法 Pending JPS5821824A (ja)

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JP56120641A JPS5821824A (ja) 1981-08-03 1981-08-03 ウエハアライメント方法

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JPS5821824A true JPS5821824A (ja) 1983-02-08

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ID=14791243

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JP56120641A Pending JPS5821824A (ja) 1981-08-03 1981-08-03 ウエハアライメント方法

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6360519A (ja) * 1986-08-30 1988-03-16 Sony Corp アニ−ル方法
EP1852746A3 (en) * 2006-05-05 2007-12-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2008113046A (ja) * 2003-10-27 2008-05-15 Asml Netherlands Bv レチクルホルダおよびレチクルのアセンブリ
US7839489B2 (en) 2003-10-27 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Assembly of a reticle holder and a reticle

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53132358A (en) * 1977-04-20 1978-11-18 Thomson Csf Object positioning device of projector
JPS563711U (ja) * 1980-05-27 1981-01-13

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53132358A (en) * 1977-04-20 1978-11-18 Thomson Csf Object positioning device of projector
JPS563711U (ja) * 1980-05-27 1981-01-13

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6360519A (ja) * 1986-08-30 1988-03-16 Sony Corp アニ−ル方法
JP2008113046A (ja) * 2003-10-27 2008-05-15 Asml Netherlands Bv レチクルホルダおよびレチクルのアセンブリ
US7839489B2 (en) 2003-10-27 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Assembly of a reticle holder and a reticle
EP1852746A3 (en) * 2006-05-05 2007-12-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method

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