JPS58220475A - モノリシツクカスケ−ド形太陽電池 - Google Patents
モノリシツクカスケ−ド形太陽電池Info
- Publication number
- JPS58220475A JPS58220475A JP57103096A JP10309682A JPS58220475A JP S58220475 A JPS58220475 A JP S58220475A JP 57103096 A JP57103096 A JP 57103096A JP 10309682 A JP10309682 A JP 10309682A JP S58220475 A JPS58220475 A JP S58220475A
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- JP
- Japan
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- inp
- cell
- added
- window layer
- junction
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/142—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising multiple PN homojunctions, e.g. tandem cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、高効率のモノリシンクカスケード形太陽電池
に関するものである。 ３０％以上の変換効率が期待できる太陽電池として、モ
ノリシックカスケード形太陽電池が提案されている。こ
れは、同一基板上に禁止帯幅の異なる二つの太陽電池（
以下、上部セルおよび下部セルと略す）と窓層とを積層
したもので、高い変換効率を実現するためには、次の２
つの基本的条件を満足する材料系を選ぶ必要がある。 （、） 上部セルおよび下部セルの半導体の禁止帯幅
が、それぞれ、１．≦・Ｖおよび０．９ｊ ＠Ｖである
とともに、窓層となる半導体の禁止帯幅が／、１〜／、
９ ｅＶであること。 （ｂ） 基板となる半導体と、下部セルおよび上部セ
ルならびに窓層材料との格子整合がとれていること。 しかしながら、従来は、これら一つの条件を満足する材
料系が見い出されていなかったため、高効率のモノリシ
ンク膨大ＶＪｈ電池は実現されていなかった。なお、従
来、上部セルおよび下部セルについては最適禁止帯幅（
／、４＊Ｖおよび０．９１＠Ｖ）を有し、基板との格子
、整合がとれる材料系としては、ＩｎＰ Ｃ基板） −
’ＩｎＧａ、Ａ＠Ｐ Ｃ下部セルフ−ＩｎＡｊＡｓ （
上部セル〕の組合せが知られていた。 しかしながら、この場合には１．ｌ〜／、９＠Ｖの禁止
帯幅な有し、かつＩｎＰと格子整合する窓層材料が存在
しなかった。そのため、上部セル表面での光キャリアの
再結合が著しく、変換効率の向上が図れなかった。 本発明はｓ ＩｎＰの光学的禁止帯幅が高濃度のドナ不
純物の添加により大幅に増大することに着目してなした
ものであり、このドナ不純物高濃度添加ＩｎＰを窓層材
料として用いることにより、上述した一つの基本的条件
を満足する材料系を実現し。 以て高効率のモノリシックカスケード形太陽電池を提供
することを目的とするものである。 かかる目的を達成するために、本発明は、 ＩｎＰ基板
を有し、該ＩｎＰ基板上に、ＩｎＰと格子整合したＩｎ
Ｇａ人ＳＰあるいはＡｊＧａＩｎＡｓのｐｎ接合層を下
部セルとして形成し、該下部セルの上にＩｎＰと格子整
合したＩｎＡＪＡｓのｐｎ接合層を上部セルとして積層
したモノリシンクカスケ：□、−ド形太陽電池において
、前記上部セル層の窓層材料として１周期律表Ｍｂ族元
素を高濃度に添加することにより光学的禁止帯幅を／、
６・７以上に増大させたＩｎＰを用いたことを特徴とす
る。 以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 一般に、半導体に高濃度のドナ不純物やアクセプタ不純
物を添加すると、光学的禁止帯幅が増大することが知ら
れている。これは、縮退と呼ばれる現象で、フェルミ準
位が伝導帯内（ｎ形の場合〕あるいは、充満帯内（ｐ形
の場合ンに入るために生じるものである。この現象によ
る光学的禁止帯幅の増加量は、半導体への不純物の固溶
度によって制限され１通常の半導体では、固溶度は０．
／ａｔ％程度で、光学的禁止帯幅の増加はせいぜい０．
／〜０．コｅＶ程度である。 最近、ＩｎＰにおいて１周期律表ｗｂ族元素であるＳ、
８ｅ、 Ｔ・が／ ａｔ％以上の高濃度に添加で
き、その結果％（７，ｊｅＶ以上の光学的禁止帯幅の増
加が得られることが明らかにされた（ ｙ、 ｚ。 ＨａＷｒｙｌｏ ： Ａｐｐｌ、 ｆ’ｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 １７． １０１１ （／デ１０）
）。 第１図に、 ＩｎＰにおけるＳ・の添加量（ａｔ％）と
光学的禁止帯幅の増加量
に関するものである。 ３０％以上の変換効率が期待できる太陽電池として、モ
ノリシックカスケード形太陽電池が提案されている。こ
れは、同一基板上に禁止帯幅の異なる二つの太陽電池（
以下、上部セルおよび下部セルと略す）と窓層とを積層
したもので、高い変換効率を実現するためには、次の２
つの基本的条件を満足する材料系を選ぶ必要がある。 （、） 上部セルおよび下部セルの半導体の禁止帯幅
が、それぞれ、１．≦・Ｖおよび０．９ｊ ＠Ｖである
とともに、窓層となる半導体の禁止帯幅が／、１〜／、
９ ｅＶであること。 （ｂ） 基板となる半導体と、下部セルおよび上部セ
ルならびに窓層材料との格子整合がとれていること。 しかしながら、従来は、これら一つの条件を満足する材
料系が見い出されていなかったため、高効率のモノリシ
ンク膨大ＶＪｈ電池は実現されていなかった。なお、従
来、上部セルおよび下部セルについては最適禁止帯幅（
／、４＊Ｖおよび０．９１＠Ｖ）を有し、基板との格子
、整合がとれる材料系としては、ＩｎＰ Ｃ基板） −
’ＩｎＧａ、Ａ＠Ｐ Ｃ下部セルフ−ＩｎＡｊＡｓ （
上部セル〕の組合せが知られていた。 しかしながら、この場合には１．ｌ〜／、９＠Ｖの禁止
帯幅な有し、かつＩｎＰと格子整合する窓層材料が存在
しなかった。そのため、上部セル表面での光キャリアの
再結合が著しく、変換効率の向上が図れなかった。 本発明はｓ ＩｎＰの光学的禁止帯幅が高濃度のドナ不
純物の添加により大幅に増大することに着目してなした
ものであり、このドナ不純物高濃度添加ＩｎＰを窓層材
料として用いることにより、上述した一つの基本的条件
を満足する材料系を実現し。 以て高効率のモノリシックカスケード形太陽電池を提供
することを目的とするものである。 かかる目的を達成するために、本発明は、 ＩｎＰ基板
を有し、該ＩｎＰ基板上に、ＩｎＰと格子整合したＩｎ
Ｇａ人ＳＰあるいはＡｊＧａＩｎＡｓのｐｎ接合層を下
部セルとして形成し、該下部セルの上にＩｎＰと格子整
合したＩｎＡＪＡｓのｐｎ接合層を上部セルとして積層
したモノリシンクカスケ：□、−ド形太陽電池において
、前記上部セル層の窓層材料として１周期律表Ｍｂ族元
素を高濃度に添加することにより光学的禁止帯幅を／、
６・７以上に増大させたＩｎＰを用いたことを特徴とす
る。 以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 一般に、半導体に高濃度のドナ不純物やアクセプタ不純
物を添加すると、光学的禁止帯幅が増大することが知ら
れている。これは、縮退と呼ばれる現象で、フェルミ準
位が伝導帯内（ｎ形の場合〕あるいは、充満帯内（ｐ形
の場合ンに入るために生じるものである。この現象によ
る光学的禁止帯幅の増加量は、半導体への不純物の固溶
度によって制限され１通常の半導体では、固溶度は０．
／ａｔ％程度で、光学的禁止帯幅の増加はせいぜい０．
／〜０．コｅＶ程度である。 最近、ＩｎＰにおいて１周期律表ｗｂ族元素であるＳ、
８ｅ、 Ｔ・が／ ａｔ％以上の高濃度に添加で
き、その結果％（７，ｊｅＶ以上の光学的禁止帯幅の増
加が得られることが明らかにされた（ ｙ、 ｚ。 ＨａＷｒｙｌｏ ： Ａｐｐｌ、 ｆ’ｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 １７． １０１１ （／デ１０）
）。 第１図に、 ＩｎＰにおけるＳ・の添加量（ａｔ％）と
光学的禁止帯幅の増加量
【・Ｖ】との関係を示す。
本発明者らは、／ ａｔ％以上のＳ、 Ｓ・、Ｔ・を
添加したＩｎＰ結晶においても、これらの不純物添加に
伴う結晶性の低下がないこと、さらに、格子定数の変化
がｊＸｌｏ ％以下であることを明らかにし、これが
モノリシックカスケード形太陽電池の奪層に利用できる
ことを見い出した。以下、実施例を用いて本発明の詳細
な説明する。 第一図は、 Ｂｅ添加ＩｎＰを窓層材料とした本発明の
モノリシックカスケード形太陽電池の断面構造の一例を
示し、ここで、ｌはｐ形ＩｎＰ基板１．２は内部にｐｎ
ｇ台なもっ（”ｊｌ ”０．１）＋１．４Ｔ Ｉ”＠、
ｌ５ＡＩＩ層（禁止帯幅０．デｊｅＶ）から成る下部セ
ル、！゛＋＋ はＩ ｎ ｏ、 、３ＡＪ ６． ａｔ Ａｍのｐｎ
接合層で、上下セル間の電気的接続を行うトンネル接
合として働く。ダは内部にｐｎ接合を有する”Ｏ，Ｈ”
６．４１ Ａｓ層（禁止帯幅／、６＠Ｖ）から成る上部
セル、！は８ｅを／Ｊａｔ％添′ＩＪｕシたＩｎＰ層（
光学的禁止帯幅１．り・Ｖ）で、賦層として働く。６は
Ａｕ −Ｇｅ Ｆ）＠形オーム性電極、７はＡｕ −Ｚ
ｎの裏面オーム性電極である。 これを作製するには＊ ＩｎＰ基板上の上に各層コ。 Ｊ、ｌおよび！を順次にエピタキシャル成長させ、最後
に、オーム性電極６および７をそれぞれＩｎＰ慧層Ｓお
よびＩｎＰ基板上に形成する。エピタキシャル成長法と
しては、液相成長法Ｌ ＬＰＲ） 、気相成長法（ＶＰ
Ｅ ）および分子線蒸着法（ＭＨＩ ）のいずれの方法
を用いてもよい。 このようにして作製したモノリンツクカスケード形太陽
電池は、ｔｏｏｒｒｃＷ／−のＡＭＩの太陽光下で、３
％の変換効率を示した。これは、従来得られていた最高
の効率１３％を大幅に上回るものである。また、第一図
に８いて、８ｅ添加ＩｎＰ窓層ｊのない太陽電池も同時
に作製したが、この場合の効率は７５％であり、本発明
の８ｅ添加ＩｎＰ窓層ｊが効率向上に極めて大きな効果
をもつことが確認された。なお、本実施例の３％の効率
は１反射防止膜のない状態で得られたものであり、適当
な反射防止膜を用いるとともに、トンネル接合である”
＋１．ＨＡ４０．４−Ｉ Ａ−のｐ ＋ ｎ＋接合層Ｊ
の特性（厚さ。 抵抗など）を改＠すれば、３ｅ％以上の効率を実現でき
る。 以上の実施例は、ＩｎＦ Ｃ基板入−ＡＪＧａＩｎＡｓ
（下部セル） −ＩｎＡＪＡｓ （上部セルフ系材料
の場合についてであるが、Ｉｎｋ（基板） −ＩｎＧａ
ＡｓＰ （下部セル） −ＩｎＡｊＡｌ （上部セル）
糸材料についても同様の結果が得られる。またｓ Ｉｎ
Ｐ奪層ｊへの添加不純物としては、Ｓ・以外の他のｗｂ
族元素８゜Ｔｅについても、添加量と光学的禁止帯幅と
の関係に多少のちがいはあるが、同様の効果を得ること
ができる。 以上説明したように１本発明のモノリシンクカスケード
形太陽電池では、基板にＩｎＰを用い、窓層として高濃
度のｗｂ族元素を添加し、格子定数を貧化させない状態
で光学的禁止帯幅のみを増大させたＩｎＰを用いるので
あるから、下部セル、上部セルおよび窓層の禁止帯幅を
理想値に保ちつつ。 それらと基板との格子整合をとることができるので、極
めて高い置換効率を実現できるという利点がある。さら
に加えて、高Ｓ度のＭｂ族元素な添加したＩｎＰ窓層は
、その比抵抗が著しく小さいため、オーム性電極の形成
が簡単であること、またかなり薄く（〜０．／μｍ）で
も電池の直列抵抗の増大をもたらすことがないなどの利
点もある。
添加したＩｎＰ結晶においても、これらの不純物添加に
伴う結晶性の低下がないこと、さらに、格子定数の変化
がｊＸｌｏ ％以下であることを明らかにし、これが
モノリシックカスケード形太陽電池の奪層に利用できる
ことを見い出した。以下、実施例を用いて本発明の詳細
な説明する。 第一図は、 Ｂｅ添加ＩｎＰを窓層材料とした本発明の
モノリシックカスケード形太陽電池の断面構造の一例を
示し、ここで、ｌはｐ形ＩｎＰ基板１．２は内部にｐｎ
ｇ台なもっ（”ｊｌ ”０．１）＋１．４Ｔ Ｉ”＠、
ｌ５ＡＩＩ層（禁止帯幅０．デｊｅＶ）から成る下部セ
ル、！゛＋＋ はＩ ｎ ｏ、 、３ＡＪ ６． ａｔ Ａｍのｐｎ
接合層で、上下セル間の電気的接続を行うトンネル接
合として働く。ダは内部にｐｎ接合を有する”Ｏ，Ｈ”
６．４１ Ａｓ層（禁止帯幅／、６＠Ｖ）から成る上部
セル、！は８ｅを／Ｊａｔ％添′ＩＪｕシたＩｎＰ層（
光学的禁止帯幅１．り・Ｖ）で、賦層として働く。６は
Ａｕ −Ｇｅ Ｆ）＠形オーム性電極、７はＡｕ −Ｚ
ｎの裏面オーム性電極である。 これを作製するには＊ ＩｎＰ基板上の上に各層コ。 Ｊ、ｌおよび！を順次にエピタキシャル成長させ、最後
に、オーム性電極６および７をそれぞれＩｎＰ慧層Ｓお
よびＩｎＰ基板上に形成する。エピタキシャル成長法と
しては、液相成長法Ｌ ＬＰＲ） 、気相成長法（ＶＰ
Ｅ ）および分子線蒸着法（ＭＨＩ ）のいずれの方法
を用いてもよい。 このようにして作製したモノリンツクカスケード形太陽
電池は、ｔｏｏｒｒｃＷ／−のＡＭＩの太陽光下で、３
％の変換効率を示した。これは、従来得られていた最高
の効率１３％を大幅に上回るものである。また、第一図
に８いて、８ｅ添加ＩｎＰ窓層ｊのない太陽電池も同時
に作製したが、この場合の効率は７５％であり、本発明
の８ｅ添加ＩｎＰ窓層ｊが効率向上に極めて大きな効果
をもつことが確認された。なお、本実施例の３％の効率
は１反射防止膜のない状態で得られたものであり、適当
な反射防止膜を用いるとともに、トンネル接合である”
＋１．ＨＡ４０．４−Ｉ Ａ−のｐ ＋ ｎ＋接合層Ｊ
の特性（厚さ。 抵抗など）を改＠すれば、３ｅ％以上の効率を実現でき
る。 以上の実施例は、ＩｎＦ Ｃ基板入−ＡＪＧａＩｎＡｓ
（下部セル） −ＩｎＡＪＡｓ （上部セルフ系材料
の場合についてであるが、Ｉｎｋ（基板） −ＩｎＧａ
ＡｓＰ （下部セル） −ＩｎＡｊＡｌ （上部セル）
糸材料についても同様の結果が得られる。またｓ Ｉｎ
Ｐ奪層ｊへの添加不純物としては、Ｓ・以外の他のｗｂ
族元素８゜Ｔｅについても、添加量と光学的禁止帯幅と
の関係に多少のちがいはあるが、同様の効果を得ること
ができる。 以上説明したように１本発明のモノリシンクカスケード
形太陽電池では、基板にＩｎＰを用い、窓層として高濃
度のｗｂ族元素を添加し、格子定数を貧化させない状態
で光学的禁止帯幅のみを増大させたＩｎＰを用いるので
あるから、下部セル、上部セルおよび窓層の禁止帯幅を
理想値に保ちつつ。 それらと基板との格子整合をとることができるので、極
めて高い置換効率を実現できるという利点がある。さら
に加えて、高Ｓ度のＭｂ族元素な添加したＩｎＰ窓層は
、その比抵抗が著しく小さいため、オーム性電極の形成
が簡単であること、またかなり薄く（〜０．／μｍ）で
も電池の直列抵抗の増大をもたらすことがないなどの利
点もある。
第１図はＩｎＰにおけるＳｅ添加量と光学的禁止帯幅の
増加凰との関係ケ示す特性曲線図、第２図は本発明のモ
ノリンツクカスケード形太陽電池の一実施例を示す断面
図である。 ｌ・・・ｐ形ＩｎＰ基板、 コ・・・内部にｐｎ接合をも”：） （Ａｌｏ、 ２
龜ｏ、ｓ ）０．４７”０．５８八一層（下部セル〕。 ３＝・Ｉｎ０．５１１ ＡＩｏ、 ４７ Ａｌｌのｐ＋
ｎ＋接合層（トンネル接合）、 ダ・・・内部にｐｎ接合を有するＩｎｓ、ｓｓ Ａｊｏ
、ａｔハ層（上部セル）。 ｊ−Ｂｅを／、ｊａｔ％添加したＩｎＰ窓層、６・・・
Ａｕ”Ｇｏの櫛形オーム性電極、７・・・Ａｕ −Ｚｎ
の裏面オーム性電極。 特許出願人 日本電信電話公社
増加凰との関係ケ示す特性曲線図、第２図は本発明のモ
ノリンツクカスケード形太陽電池の一実施例を示す断面
図である。 ｌ・・・ｐ形ＩｎＰ基板、 コ・・・内部にｐｎ接合をも”：） （Ａｌｏ、 ２
龜ｏ、ｓ ）０．４７”０．５８八一層（下部セル〕。 ３＝・Ｉｎ０．５１１ ＡＩｏ、 ４７ Ａｌｌのｐ＋
ｎ＋接合層（トンネル接合）、 ダ・・・内部にｐｎ接合を有するＩｎｓ、ｓｓ Ａｊｏ
、ａｔハ層（上部セル）。 ｊ−Ｂｅを／、ｊａｔ％添加したＩｎＰ窓層、６・・・
Ａｕ”Ｇｏの櫛形オーム性電極、７・・・Ａｕ −Ｚｎ
の裏面オーム性電極。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- ＩｎＰ基板を有し、該ＩｎＰＪｉ板上に、ＩｎＰと格子
整合したＩｎＧａＡ＠ＰあるいはＡＪＧａＩ′ｎＡａの
ｐｎ接合層を下部セルとして形成し、該下部セルの上に
ＩｎＰと格子整合したＩｎＡｊＡｓのｐｎ接合層を上部
セルとして積層したモノリシンクカスケード形太陽電池
においてＳ＠記上部セル層の窓層材料として、周期律表
Ｍｂ族元素を高濃匿に添加することにより光学的禁止帯
幅を八６・１以上に増大させたＩｎＰを用いたことを特
徴とするモノリンンクヵス゛ケート形太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103096A JPS58220475A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | モノリシツクカスケ−ド形太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103096A JPS58220475A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | モノリシツクカスケ−ド形太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220475A true JPS58220475A (ja) | 1983-12-22 |
| JPS6258674B2 JPS6258674B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14345097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103096A Granted JPS58220475A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | モノリシツクカスケ−ド形太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2581797A1 (fr) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semi-conducteur pour la conversion de la lumiere en electricite |
| JP2014531771A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-11-27 | マイクロリンク デバイシズ，インコーポレーテッド | エピタキシャルリフトオフを用いた薄膜ｉｎｐベースの太陽電池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455069U (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-05 |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57103096A patent/JPS58220475A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2581797A1 (fr) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semi-conducteur pour la conversion de la lumiere en electricite |
| US4681982A (en) * | 1985-05-08 | 1987-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light-electricity conversion semiconductor device |
| JP2014531771A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-11-27 | マイクロリンク デバイシズ，インコーポレーテッド | エピタキシャルリフトオフを用いた薄膜ｉｎｐベースの太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258674B2 (ja) | 1987-12-07 |
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