JPS582223B2 - 2.6− ナフタレンジカルボンサンノ セイゾウホウ - Google Patents
2.6− ナフタレンジカルボンサンノ セイゾウホウInfo
- Publication number
- JPS582223B2 JPS582223B2 JP49075518A JP7551874A JPS582223B2 JP S582223 B2 JPS582223 B2 JP S582223B2 JP 49075518 A JP49075518 A JP 49075518A JP 7551874 A JP7551874 A JP 7551874A JP S582223 B2 JPS582223 B2 JP S582223B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diethylnaphthalene
- naphthalene
- dicarboxylic acid
- fraction
- ethylated
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2・6−ナフタレンジカルボン酸の製造法に
関する。
関する。
2・6−ナフタレンジカルボン酸あるいはそのエステル
類はポリエステル繊維およびフイルムの重要な原料であ
る。
類はポリエステル繊維およびフイルムの重要な原料であ
る。
とくにフイルムはテレフタル酸を原料としたポリエステ
ルフイルムに対し、耐熱性、寸法安定性に優れている。
ルフイルムに対し、耐熱性、寸法安定性に優れている。
従来、2・6−ナフタレンジカルボン酸はジメチルナフ
タレンあるいはジイソプロピルナフタレンの酸化により
得られている。
タレンあるいはジイソプロピルナフタレンの酸化により
得られている。
2・6−ジメチルナフタレンは容易に2・6−ナフタレ
ンジカルボン酸に酸化することができるが、ナフタレン
をジメチル化することが困難なうえ、2・6一体、2・
7一体は沸点、融点等、物理的、化学的性質が近似して
いるため、2・6一体と2・7一体を含む混合物から2
・6一体を得ることは非常に困難であった。
ンジカルボン酸に酸化することができるが、ナフタレン
をジメチル化することが困難なうえ、2・6一体、2・
7一体は沸点、融点等、物理的、化学的性質が近似して
いるため、2・6一体と2・7一体を含む混合物から2
・6一体を得ることは非常に困難であった。
さらに、ナフタレンとプロピレンから製造されるジイソ
プロピルナフタレンは比較的容易に2・6一体が分離で
きるが、これを分子状酸素によって公知の触媒の存在下
酸化し、ジカルボン酸を良好な収率で製造することは非
常に困難である。
プロピルナフタレンは比較的容易に2・6一体が分離で
きるが、これを分子状酸素によって公知の触媒の存在下
酸化し、ジカルボン酸を良好な収率で製造することは非
常に困難である。
本発明者らは、上記の欠点を改良し、工業的有利な2・
6−ナフタレンジカルボン酸の製造法を検討した結果、
ジエテルナフタレンが晶出法によって2・6一体を容易
に単離でき、しかも高収率でジカルボン酸に酸化できる
ことを見出し本発明に到達した。
6−ナフタレンジカルボン酸の製造法を検討した結果、
ジエテルナフタレンが晶出法によって2・6一体を容易
に単離でき、しかも高収率でジカルボン酸に酸化できる
ことを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、(1)ナフタレンもしくはモノエ
チルナフタレンのエチレンによるエチル化またはエチル
化ナフタレンの異性化によって得られるジエチルナフタ
レンを含有するエチル化ナフタレン混合物を蒸留して主
としてジエチルナフタレンを含有する留分を取得する工
程、(2)上記粗ジエチルナフタレン留分を冷却して晶
出する2・6ージエチルナフタレンを分離取得する工程
及び (3)得られた2・6−ジエチルナフタレンを酸
化して2・6−ナフタレンジカルボン酸を製造する工程
からなることを特徴とする2・6−ナフタレンジカルボ
ン酸の製造法にある。
チルナフタレンのエチレンによるエチル化またはエチル
化ナフタレンの異性化によって得られるジエチルナフタ
レンを含有するエチル化ナフタレン混合物を蒸留して主
としてジエチルナフタレンを含有する留分を取得する工
程、(2)上記粗ジエチルナフタレン留分を冷却して晶
出する2・6ージエチルナフタレンを分離取得する工程
及び (3)得られた2・6−ジエチルナフタレンを酸
化して2・6−ナフタレンジカルボン酸を製造する工程
からなることを特徴とする2・6−ナフタレンジカルボ
ン酸の製造法にある。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明において、ジエチルナフタレンは、ナフタレンも
しくはモノエチルナフタレンのエチレンによるエチル化
またはエチル化ナフタレンの異性化によって得られる。
しくはモノエチルナフタレンのエチレンによるエチル化
またはエチル化ナフタレンの異性化によって得られる。
例えば、ジエチルナフタレンは、AlCl3、AlBr
3、BF3−2H20、BF3−H3P04、H3P
OいH2SO4,HF、固体酸触媒等の種々の公知のア
ルキル化触媒の存在下にナフタレンにエチレンを通して
得られる。
3、BF3−2H20、BF3−H3P04、H3P
OいH2SO4,HF、固体酸触媒等の種々の公知のア
ルキル化触媒の存在下にナフタレンにエチレンを通して
得られる。
あるいは、モノエチルナフタレンにアルキル化触媒の存
在下エチレンを反応させてエチル化することによっても
得られる。
在下エチレンを反応させてエチル化することによっても
得られる。
本アルキル化工程は、触媒の種類によっても異なるが、
例えばA1cl3の場合には通常温度50〜200℃、
好ましくは120〜140℃程度、圧力は数kg/cr
A〜数十k9icrtiの加圧下、好ましくは1 0
kg/ca前後で行なわれる。
例えばA1cl3の場合には通常温度50〜200℃、
好ましくは120〜140℃程度、圧力は数kg/cr
A〜数十k9icrtiの加圧下、好ましくは1 0
kg/ca前後で行なわれる。
得られたアルキル化生成物は触媒を除去したのち蒸留さ
れジエチルナフタレン留分を分離される。
れジエチルナフタレン留分を分離される。
未反応ナフタレン、モノエチルナフタレン等は回収され
前記のアルキル化工程に送られ循環使用することができ
る。
前記のアルキル化工程に送られ循環使用することができ
る。
トリ及びテトラエチルナフタレン留分は、異性化工程に
送られ循環使用される。
送られ循環使用される。
本発明において異性化工程とは、送られてきたエチルナ
フタレン類に異性化触媒、例え&alcl3を加えて、
加熱攪拌して異性化、脱アルキル化等を行う工程を言う
。
フタレン類に異性化触媒、例え&alcl3を加えて、
加熱攪拌して異性化、脱アルキル化等を行う工程を言う
。
本工程において、ジエチルナフタレン(2・6体以外の
)、トリエチルナフタレン、テトラエチルナフタレン等
はナフタレン、モノエチルナフタレン、ジエチルナフタ
レン、トリエチルナフタレン、テトラエチルナフタレン
等に変換される。
)、トリエチルナフタレン、テトラエチルナフタレン等
はナフタレン、モノエチルナフタレン、ジエチルナフタ
レン、トリエチルナフタレン、テトラエチルナフタレン
等に変換される。
得られた反応混合物は蒸留により、2・6体を含むジエ
チルナフタレンが分離される。
チルナフタレンが分離される。
異性化工程に使用する触媒は前述のアルキル化触媒が使
用できるが、Alcl3が2・6一体含量を多くする点
で有利である。
用できるが、Alcl3が2・6一体含量を多くする点
で有利である。
Alcl3の量はナフタレン類に対し、1〜15wt%
が適当であり、温度は50℃〜200℃が適当であるが
130℃程度が特に好ましい。
が適当であり、温度は50℃〜200℃が適当であるが
130℃程度が特に好ましい。
圧力は反応物が反応温度において液相を保つに必要な圧
力であればよい。
力であればよい。
得られたジエチルナフタレン留分は2・6一体を分離す
るため晶析工程に送られ、冷却して結晶を析出させる。
るため晶析工程に送られ、冷却して結晶を析出させる。
晶析温度は組成にも依存するが、通常15〜−30℃で
ある。
ある。
この場合、適当な溶媒を使用することもでき、とくに、
メタノール、エタノール等のアルコール類が適当である
。
メタノール、エタノール等のアルコール類が適当である
。
得られた結晶は、そのまゝでも純度の高い2・6−ジエ
チルナフタレンであるが、更に適当な溶媒、たとえばメ
タノール、エタノール等で再結晶すれば、より高純度の
2・6−ジエチルナフタレンを得ることができる。
チルナフタレンであるが、更に適当な溶媒、たとえばメ
タノール、エタノール等で再結晶すれば、より高純度の
2・6−ジエチルナフタレンを得ることができる。
ろ液から回収されるジエチルナフタレン類は、アルキル
化工程ないしは、異性化工程に送られて循環使用するこ
とができる。
化工程ないしは、異性化工程に送られて循環使用するこ
とができる。
2・6−ジエチルナフタレンは次いで酸化工程に送られ
、2・6−ナフタレンジカルボン酸が高収率で製造され
る。
、2・6−ナフタレンジカルボン酸が高収率で製造され
る。
該酸化工程は、公知の方法、例えば、コバルトーマンガ
ンー臭化物、あるいは二酸化窒素一二酸化セレニウムの
存在下に酸化する方法によって実施される。
ンー臭化物、あるいは二酸化窒素一二酸化セレニウムの
存在下に酸化する方法によって実施される。
例えば触媒として前者を使用する場合−K+3通常、1
0〜30k9/cWI.の加圧下、150〜200℃程
度で実施される。
0〜30k9/cWI.の加圧下、150〜200℃程
度で実施される。
以下、実施例をもって更に本発明を詳細に説明する。
実施例 1
■ エチル化
IJ−四ツ目フラスコにナフタレン200グ( 1.5
6mole .)仕込み、135℃に加熱する。
6mole .)仕込み、135℃に加熱する。
これに無水塩化アルミニウム20gを加え、よく攪拌し
ながらエチレンを吹込む。
ながらエチレンを吹込む。
9時間後にエチレンの吹込みを停止し、反応物を50℃
に冷却する。
に冷却する。
これに、水50mlを少しずつ加え、加え終ったら80
℃に加熱して5分間攪拌、次いで10%KOH200m
lを加え10分間攪拌した。
℃に加熱して5分間攪拌、次いで10%KOH200m
lを加え10分間攪拌した。
静置後有機層を分離し、10%食塩水で水洗した。
■ 粗ジエチルナフタレンの分離
反応物220gを塔長1m、段数40段の精密高温分留
装置で蒸異した。
装置で蒸異した。
生成物は以下の通りである。
■ 2・6−ジエチルナフタレンの分離
ジエチルナフタレン留分(#8)8.6gにエタノール
25mlを加え、−15℃に冷却すると、白色結晶が析
出し、0℃で沢過し1.5gの2・6−ジエチルナフタ
レンをえた。
25mlを加え、−15℃に冷却すると、白色結晶が析
出し、0℃で沢過し1.5gの2・6−ジエチルナフタ
レンをえた。
m.p.50℃であった(再結晶をくりかえし、50.
5〜51.0℃)。
5〜51.0℃)。
さらに、再結晶後のろ液より回収したジエテルナフタレ
ンにn−ヘキサン50ml、トリフルオロメタンスルホ
ン酸銀11.35gを加え、50℃で1時間加熱攪拌し
た。
ンにn−ヘキサン50ml、トリフルオロメタンスルホ
ン酸銀11.35gを加え、50℃で1時間加熱攪拌し
た。
生成した白色結晶をろ別し、この錯体を水で分解する。
分解生成物をn−へキサンで抽出すると3.23gの白
色結晶の2・6−ジエチルナフタレンが得られた。
色結晶の2・6−ジエチルナフタレンが得られた。
すなわち、#8留分の2・6一体の含量は55%であっ
た。
た。
なお、ロ液側のn−へキサン層からは、4.01の2・
6一体を含まないジエチルナフタレン(2・7一体が主
成分)がえられた。
6一体を含まないジエチルナフタレン(2・7一体が主
成分)がえられた。
■ 異性化
前記の2・6一体を含まないジエチルナフタレン留分(
2・7一体主成分)0.51にAlcl30.1gを加
え、150℃で10分間加熱した。
2・7一体主成分)0.51にAlcl30.1gを加
え、150℃で10分間加熱した。
反応物をガスクロマトグラフィー法、錯体分離法を併用
して分析した結果は次の通りであつた。
して分析した結果は次の通りであつた。
■ 2・6−ジエチルナフタレンの酸化
2・6−ジエチルナフタレ0.9g、AcOH40ml
、Co(OAc)2−4H2O0.3g、Mn(OAc
)2−4H2O0.3g、Na Br0.25gを10
0mlチタン製オートクレープに仕込み、空気加圧下1
6kg/cm2、160℃で空気を10l/Hr 1時
間流通した。
、Co(OAc)2−4H2O0.3g、Mn(OAc
)2−4H2O0.3g、Na Br0.25gを10
0mlチタン製オートクレープに仕込み、空気加圧下1
6kg/cm2、160℃で空気を10l/Hr 1時
間流通した。
反応後、析出した結晶をろ別し、0.82gの黄色結晶
をえた。
をえた。
本結晶の赤外吸収スペクトルは2・6−ナフタレンジカ
ルボン酸の赤外吸収スペクトルと一致した。
ルボン酸の赤外吸収スペクトルと一致した。
さらに、ジアゾメタンでメチル化し、ガスクロマトグラ
フィーで分析した。
フィーで分析した。
純度は98%であった。
酸化収率は77.3%に相当する。
Claims (1)
- 1 (1)ナフタレンもしくはモノエチルナフタレンの
エチレンによるエチル化、またはエチル化ナフタレンの
異性化によって得られるジエチルナフタレンを含有する
エチル化ナフタレン混合物を、蒸留して主としてジエチ
ルナフタレンを含有する留分を取得する工程、(2)上
記粗ジエチルナフタレン留分を冷却して晶出する2・6
−ジエチルナフタレンを分離取得する工程及び(3)得
られた2・6−ジエチルナフタレンを酸化して2・6−
ナフタレンジカルボン酸を製造する工程からなることを
特微とする2・6−ナフタレンジカルボン酸の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49075518A JPS582223B2 (ja) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | 2.6− ナフタレンジカルボンサンノ セイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49075518A JPS582223B2 (ja) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | 2.6− ナフタレンジカルボンサンノ セイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS516953A JPS516953A (en) | 1976-01-20 |
| JPS582223B2 true JPS582223B2 (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=13578523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49075518A Expired JPS582223B2 (ja) | 1974-07-02 | 1974-07-02 | 2.6− ナフタレンジカルボンサンノ セイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582223B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089445A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Teijin Yuka Kk | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造法 |
| JPS6089446A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Teijin Yuka Kk | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造方法 |
| JPS6137744A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-22 | Seiko Epson Corp | 液晶組成物 |
| JPS61140540A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Teijin Yuka Kk | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造方法 |
| JPS61246143A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Teijin Yuka Kk | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造法 |
| JPH0269580A (ja) * | 1988-09-03 | 1990-03-08 | Pilot Ink Co Ltd | 水性メタリックカラーインキ |
| US5300721A (en) * | 1990-08-27 | 1994-04-05 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Method for separating 2,6-diethylnaphthalene |
| EP0594856B1 (en) * | 1991-08-08 | 1997-04-02 | Teijin Limited | Process for producing dialkylnaphthalene |
| KR100437812B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 전자레인지용 마그네트론의 접합방법 및 접합부재 |
-
1974
- 1974-07-02 JP JP49075518A patent/JPS582223B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS516953A (en) | 1976-01-20 |
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