JPS58224558A - 突入電流防止回路 - Google Patents

突入電流防止回路

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Publication number
JPS58224558A
JPS58224558A JP10735782A JP10735782A JPS58224558A JP S58224558 A JPS58224558 A JP S58224558A JP 10735782 A JP10735782 A JP 10735782A JP 10735782 A JP10735782 A JP 10735782A JP S58224558 A JPS58224558 A JP S58224558A
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JP
Japan
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circuit
cathode
anode
thyristor
resistor
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Pending
Application number
JP10735782A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuaki Sugimoto
和昭 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58224558A publication Critical patent/JPS58224558A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage

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  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、コンデンサ負荷のサイリスタを使用する交流
電源回路において、電源投入時に発生する突入電流の発
生を低減させる突入電流防止回路に関する。
〔発明の技術的背景及びその問題点〕
交流を直流に変換する電源回路においては、電源投入時
にコンデンサ負荷に流終る電流が急激に立上る突入電流
が観察される。突入電流は定常状態の10ないし20倍
にも達するから部品が破壊されるおそれがあるので大電
流に耐えうる定格を有する部品を用いるか、突入電流を
低減させることが必要となる。
このような突入電流防止手段として制限抵抗によシ突入
電流を低減させることが行われている。
第1図はこのような例を示した回路図であって、第1図
(a)は整流用ダイオードD、を用いた半波整流回路に
おいて、交流人力θの一方と電解コンデンサC及び負荷
lの接続点との間に制限抵抗Rを入れた例、第1図(b
)は整流用ダイオードD、ないしD4からなるブリッジ
回路による全波整流回路において、交流人力θとブリッ
ジ回路との間に制限抵抗Rを入れた例、第1図(0)は
第1図(b)と同様の回路において電圧変換のためのト
ランスTfを用い、このトランスTfの一次側に制限抵
抗Rを入れた例である。
この制限抵抗Rとしては通常1ないし2Ω程度のものが
使用されるが、この抵抗はスイッチ投入時の突入電流を
制限する一方で通常の動作状態においても電力を消費し
て発熱し、電源装置全体の効率を低下させる。このため
制限抵抗Rの値はあ(3) まり大きくできず、負荷コンデンサの容量が犬きく突入
電流が大きくなった場合などには突入電流を十分に防止
できないことがある。このため整流用ダイオード等には
必要以上に大きな定格のものを使用しなければならず、
コストアップが避けられない。
このため、突入電流が大きい間は大きな抵抗値を持つ制
御抵抗を通し、突入電流が小さくなった時点で抵抗を短
絡する方法として第2図の回路図に示す方法が提案され
ている。第2図(a)は制限抵抗Rと、これを短絡する
ように接続された接点RBを有するリレーとこのリレー
のコイルLを励磁させるリレー駆動回路2を設けたもの
を示し、第2図(b)は制限抵抗Rと、これに並列に接
続され、ゲート端子及び一方の入力端子の間にリレー接
点Reが挿入された双方向性3端子サイリスタ(トライ
アックTR工AO)と、この接点を駆動するリレーコイ
ルL及びこのコイルLを励磁させるリレー駆動回路2を
設けたものを示している。
これらの回路の動作は次のとおシである。
(4) いま、第2図(a)及び(b)において、図示しない電
源スィッチを投入したとすれば、瞬間的に突入電流が流
れようとするが、制限抵抗Rによって阻止される。突入
電流が十分に小さくなったことをタイマー回路又は電圧
検出回路で検出すると、その時点でリレー駆動回路2が
働きリレーコイルLを励磁するため、接点Reが閉じる
。この結果、第2図(a)では制限抵抗が短絡され、第
2図(b)では双方向性3端子サイリスタTRIAOの
ゲートに自己トリガがかかって導通状態になるので、制
限抵抗が存在しない状態と同じになる。この結果、突入
電流及び通常動作状態での電力損失を防止し、過剰な部
品定格を避けることができる。
ところが第2図に示した制限抵抗と突入電流が小さくな
った時点でこれを短終する方式を採用するためには、リ
レー駆動回路及びこれを作動させるだめの電圧検出回路
、タイマー回路などが必要となシ、コストアップが避け
られないという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は、簡単な構成で大きな突入電流のみを阻止し他
は通過する機能を有する突入電流防止回路を提供するこ
とを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明にかかる回路は、微分回路に流れる電流が印加さ
れた電圧とは異った位相となり、電圧波形の変化率に応
じた大きさとなることを利用して、この微分電流を抵抗
で電圧として検出し、この電圧を定電圧ダイオードを介
して補助サイリスタのゲートに加えることにより、突入
電流が流れて一定電圧以上が検出された場合には補助サ
イリスタをターンオンさせて主サイリスタのゲートに流
れる電流を制限抵抗を通してバイパスさせると共に、主
サイリスタをターンオフさせ、大電流を伴なわない次の
正弦波では補助サイリスタをターンオフさせると共に主
サイリスタをターンオンさせて通電モードとするような
作用を行う回路であって、位相ゼロ付近でのいわゆるゼ
ロクロス動作を行うものである。
〔発明の実施例〕
以下、第3図以下を参照しながら本発明の実施例のいく
つかを詳細に説明する。
第3図(、)は端子T、からT、への一方向の電流通過
を許容する回路を示す回路図であって、この回路をA回
路とする。
端子T、には逆阻止3端子型の主サイリスタSOR,の
アノードA、が、端子T8には同じくカソードに、が接
続されておυ、これらアノードA。
とカソードに、との間にはコンデンサ0.及び抵抗R1
が直列に接続された微分回路が接続されている。同様に
主サイリスタ5OR1のアノードA。
とカソードに、との間には、抵抗R8とこれに直列に接
続され、抵抗R3側をアノードA、とし主サイリスタ5
OR1のカソードに、側をカソードに、とする逆阻止3
端子型の補助サイリスタ日CR3が接続されていする。
補助サイリスタ80R。
のアノードA1 と主サイリスタ8OR8のゲートG、
とけ抵抗R3で接続され、主サイリスタのゲートG、と
カソードに、との間にはコンデンサ0゜(7) 及び抵抗R4がそれぞれ接続されている。また補助サイ
リスタ5OR1のゲートにけツェナーダイオードDzの
アノードが接続され、そのカソードはコンデンサC1と
抵抗R1の接続点に接続されている。
第3図(b)はA回路の構成をそのまま使用し端子T、
とT1間で双方向の電流通過を許容するようにブリッジ
回路を付加した回路を示す回路図であって、この回路を
8回路とする。
この8回路は、端子T、およびT4をそれぞれ入力端子
とする4つのダイオードD1 ないしD4によるブリッ
ジ回路を設け、ダイオードD1及びダイオードD、の共
通カソード接続点にA回路のT、端子を接続し、ダイオ
ードD、及びダイオードD4の共通アノード接続点にA
回路のT、端子を接続したものである。
これらの回路の動作を第4図のタイムチャートを参照し
ながら説明する。
いま、図示しないスイッチが投入されて第3図(a)の
回路の端子T1及びT1間に第4図(a)のよう(8) に時刻t。で入力電圧Vinが加わったとし、入力は全
波整流された波形を呈しているものとする。
このとき、第4図(b)に示すように微分回路のコンデ
ンサ01には電圧波形の立上りに応じた充電電流工O1
が流れ、この値はスイッチ投入時tI、に最も大きくな
る。この電流は微分回路の抵抗R1にも流れるから、第
4図(0)に示すように抵抗R8の両端には充電電流工
01の大きさに比例した電圧■h、が発生する。ツェナ
ーダイオードDiとして鳳 適当なツェナー電圧VDZ  を有するものを使用すれ
ば、このツェナー電圧以上の電圧が抵抗R1の両端で発
生したときにはとのツェナーダイオードに電流が流れる
。例えば第4図(0)においてツェナー電圧が破線に示
すレベルにあるとすれば、抵抗R1の両端電圧VR,は
t。においてのみツェナー電圧を超え、第4図(d)に
示すようにt、においては補助サイリスタ80R,のゲ
ートG、及びカソードに1間には電流工G、が流れる。
したがって補助サイリスタ5OR1はターンオンされ、
そのアノードA、−カソードに1間は導通状態となるた
め、電流は抵抗R7及び補助サイリスタ5OR1を通っ
て流れ、第4図(、)に示すように補助サイリスタS 
OR,のアノードA1−カソードに0間室圧VAN、は
無負荷であるためほとんど上らない一方で、第4図(f
)に示すように電流IAK、は抵抗R2で減衰された分
だけ少ないものが流れる。補助サイリスタ80R1が導
通状態となった結果、主サイリスタSOR,のゲートG
!−力ソードに8間の電流工G、は第4図伝)に示すよ
うに全く流れず主サイリスタSOR,はオフ状態のまま
であるから、そのアノードA、−力ソードに3間の電圧
は第4図(h)に示すようにTI   Tt間入力端子
がそのまま現われるが、その電流は第4図(1)に示す
ようにほとんど流れない。
人力は交流正弦波であるから、最大値を過ぎれば電圧値
は徐々に減少していき時刻t、でOとなる。これに応じ
て第4図(b)及び(a)に示すようにコンデンサC0
の充電電流IC3及び抵抗R,の両端電圧VR,は共に
正弦波の頂点で0になりその後はO近傍の値が続き、時
刻1.でマイナスのパルスが現われる1時刻t、におい
ては補助サイリスタSOR,のアノードA、−力ソード
に1間室圧VAK、け第4図(e)に示すようにOとな
り、カソードに、−ゲート08間電圧は入力電圧がその
ままかかるため0となるから、補助サイリスタBOR3
け自己復帰する。
時刻t、から始まる次の正弦波においては、波形が急減
には立上らないため、第4図(b)に示すようにコンデ
ンサC1の充電電流工0.はあまり大きくならない。こ
のため、第4図(c)に示すように抵抗R1の両端電圧
VR1は同様に大きくならず、ツェナー電圧VDRIを
超えることはない。したがって、補助サイリスタSOR
,のゲートG、−力ソードに、間の電流IG、は第4図
(a)に示すように流れず、補助サイリスタSOR,は
ターンオンされることはない。この結果、抵抗R8に流
れる電流は、抵抗R8全通して主サイリスタ80R,の
ゲートG、に流れ込み、ゲートG、−カソードK。
間には抵抗′R1、R,、R1の関係からR4に対応す
る分圧がかかり第4図@に示すように電流(11) 工G2  が現われる。そしてこの電流工G、が時間Δ
を後に一定値を超えると主サイリスタSOR。
けターンオンされ、SOR,は導通状態となる。
したがって、主サイリスタSOR,のアノードA。
−カソードに6間に時刻(を十△t)後から増加し始め
る電流工AK2が第4図(1)のように観察される。ま
た主サイリスタSOR,が導通状態とまることにより補
助サイリスタSOR,のアノードA。
−カソードに1間の電圧■AK1及び電流IAKlは1
、からのサイクルでは第4図(e)及び(f)に示すよ
うに常に0であり、ゲートGt−カソードに8間の電流
工G及びアノードA、−力ンードに3間の電圧VANは
第4図(g)及び(f)に示すように時刻! (1,十△t)後はOとなる。
時Mttからのサイクルでは時刻t1からt。
までのサイクルと全く同様の動作が行われ、以下同様に
くυ返される。結局、出力となる主サイリスタS OR
,のアノードA、−カソードに8間にはスイッチ投入時
には電流が流れず、次のサイクルからは位相θ付近で回
路の開閉を行う、いわゆ(12) るゼロクロススイッチングが行われることになる。
このような動作は第3図(b)に示す回路でも同様であ
るが、ダイオードD、ないしり、によυ構成されるブリ
ッジ回路の作用により入力端子T、及びT、のいずれが
正側となっていても動作が可能である。すガわち、主サ
イリスタがターンオンした状態を考えると、端子T、が
正側のとき電流は端子T、→ダイオードD、→主サイリ
スタ5OR1→ダイオードD4→端子T4の順で流れ、
逆に端子T、が正側のときは電流は端子T、→ダイオー
ドD3→主サイリスタSOR,→ダイオードD。
→端子T、の順で流れ、結果として入力電圧が正、負に
わたって繰シ返すものであっても突入電流だけを低減さ
せることができる。
第5図は第3図に示した回路を使用する例を示した接続
図であって、第5図(a)は半波整流回路にA回路を使
用した例、第5図(b)は全波整流回路のブリッジ回路
DBの出力にA回路を接続した例、第5図(、)は全波
整流回路におけるブリッジ回路DBの前段で交流正弦波
に対して3回路を接続した例、第5図(d)は全波整流
回路における電圧変換トランスTfの前段で交流正弦波
に対して3回路を接続した例を示したものである。ここ
で、0は電解コンデンサ、3け負荷である。
第5図(C)の接続例において、電解コンデンサOとし
て4704 Fのもの負荷として300  の抵抗を用
いた場合の突入電流の低減効果を第6図の波形図に示す
。第6図(a)は3回路を接続せず制限抵抗を用いた場
合、第6図(b)は制限抵抗の代りに3回路を接続した
場合において、共に位相90°すなわち正弦波の頂点に
おいて電源を投入した場合の突入電流を示し、第6図(
a)では突入電流が160ムであるのに対して第6図(
b)では2OAと彦っておシ突入電流低減の効果がはっ
きり現われている。
以上の突入電流防止回路において、各抵抗、コンデンサ
の値は使用するサイリスタ、定電圧素子により適宜定め
ればよい。特に国!、Rm、R4の関係については、主
サイリスタS OR,のアノードA、−力ソ−ドに1間
に加わった電圧のうちR1に対応する分圧がゲート電圧
となって主サイ(15) リスクSOR,をターンオンさせることと々るため、タ
イミングを考慮して選択する必要がある。
また、微分回路中の抵抗R1に発生した電圧を検出する
定電圧素子としては実施例中のツェナーダイオードの他
レベルシフトダイオード等など各種のものが使用できる
〔発明の効果〕
主サイリスタと、そのアノード−カソード間に接続され
た微分回路及び補助サイリスタと、微分回路中の抵抗−
コンデンサの接続点及び補助サイリスタのゲート間に接
続された定電圧素子と、補助サイリスタのアノードから
主サイリスタのゲートに接続された抵抗と、主サイリス
タのグートーカソード間を接続する回路からなる本発明
にかかる突入電流防止回路を使用すれば、スイッチ投入
時のように立上りが急な場合には微分回路に大きな電流
が流れ微分回路中の抵抗に大きな電圧が発生し定電圧素
子を通して補助サイリスタがターンオンされるため大き
な制限抵抗を通して電流が流れる一方で、通常の正弦波
の立上りでは補助サイ(16) リスクはターンオンされず主サイリスタのゲートに電流
が流れる結果主サイリスタはターンオンされ入力端子間
の電流通過が自由になり、結果として突入電流を防止す
ることができる。
これにより従来制限抵抗のみの場合のように定格の大き
い高価な部品を使用したり、突入電流を考慮した配線を
行う必要がないばかりか、制限抵抗による電力消費を防
止することができる。また、リレースイッチやトライア
ックにより制限抵抗を短絡するために必要であった電圧
検出回路、タイマー回路、リレー駆動回路等が不要とな
り、コストの低下を図ることができる。
また、この突入電流防止回路を4つのダイオードからな
るブリッジ回路の共通アノード接続点と共通カソード接
続点の間に接続した回路では、上記効果の他、入力が交
流正弦波である場合にも突入電流防止の作用を行わせる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の制限抵抗を用いた突入電流防止法を示す
回路図、第2図は従来の制限抵抗短絡方式による突入電
流防止法を示す回路図、第3図は本発明の突入電流防止
回路を示す回路図、第4図は本発明の突入電流防止回路
の動作を示すタイムチャート、第5図は本発明の突入電
流防止回路を接続すべき電源回路を示す回路図、第6図
は本発明の突入電流防止回路の効果を示す波形図である
。 l・・・負荷、2・・・リレー駆動回路、3・・・負荷
、SOR,、SOR,・・・サイリスタ、O@ 、Ot
 +++コンデンサ、R1%  R1%  R1%  
R4”’抵抗、DZパツエナーダイオード%  11%
  71%  711%  ’r4・・・端子、D1%
 91% D14  D4・・・ダイオード。 出願人代理人  猪 股   清 ・l’+ ”l) [8” 3 L:l二41                   
        1’l      l(C) (b)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、入力端子にアノードが、出力端子にカソードが接続
    された主サイリスタと、 前記主サイリスタのアノードに接続されたコンデンサ及
    びこれに直列に接続され他端が前記主サイリスタのカソ
    ードに接続された第1の抵抗よシなる微分回路と、 前記主サイリスタのアノードに第2の抵抗を介してアノ
    ードが接続され、前記主サイリスタのカソードにカソー
    ドが接続された補助サイリスタと、 前記微分回路のコンデンサ及び抵抗の接続点にカソード
    が、前記補助サイリスタのゲートにアノードが接続され
    た定電圧素子と、 前記補助サイリスタのアノードから前記上す1リスタの
    ゲート及びカソードに接続され、前記主サイリスタのア
    ノード及びカソード間に電圧が加わったときは、前記第
    2の抵抗との関係で前記主サイリスタのゲート及びカソ
    ード間に適当な電圧を発生させる回路、 とからなる突入電流防止回路。 2.4つの整流用ダイオードからなるブリッジ回路と、 前記ブリッジ回路の共通カソード接続点にアノードが、
    共通アノード接続点にカソードが接続された主サイリス
    タと、 前記主サイリスタのアノードに接続されたコンデンサ及
    びこれに直列に接続され他端が前記主サイリスタのカソ
    ードに接続された第1の抵抗よりなる微分回路と、 前記主サイリスタのアノードに第2の抵抗を介してアノ
    ードが接続され、前記主サイリスタのカソードにカソー
    ドが接続された補助サイリスタと、前記微分回路のコン
    デンサ及び抵抗の接続点にカソードが、前記補助サイリ
    スタのゲートにアノードが接続された定電圧素子と、 前記補助サイリスタのアノード及び前記主サイリスタの
    ゲート及びカソードに接続され、前記主サイリスタのア
    ノード及びカソード間に電圧が加わったときは前記第2
    の抵抗との関係で前記主サイリスタのゲート及びカソー
    ド間に適当々ゲート電圧を発生させる回路、 とからなる突入電流防止回路。
JP10735782A 1982-06-22 1982-06-22 突入電流防止回路 Pending JPS58224558A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023154840A (ja) * 2022-04-08 2023-10-20 富士電機株式会社 サイリスタの強制転流回路

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