JPS58224793A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS58224793A JPS58224793A JP57109332A JP10933282A JPS58224793A JP S58224793 A JPS58224793 A JP S58224793A JP 57109332 A JP57109332 A JP 57109332A JP 10933282 A JP10933282 A JP 10933282A JP S58224793 A JPS58224793 A JP S58224793A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- medium
- recording medium
- substrate
- optical recording
- naphthoquinone
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の光エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録媒体に関する。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは半導体レーザ
の発振波長の光エネルギーにより物質状態の変化を利用
して記録を行う光学記録媒体に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてＴｅ合金、Ｔｅ酸化
物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられていた。
物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられていた。
Ｔｅ合金は、Ｔｅと半導体、例えばＡｓ、Ｓｅ等の固溶
会合として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適会するが、化学的に不安定であり、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ 、Ａ
ｓ 、 Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
会合として用いられている。この媒体は、比較的書き込
み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半導
体レーザにも適会するが、化学的に不安定であり、空気
中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ 、Ａ
ｓ 、 Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
Ｔｅ酸化物は・、Ｔｅ曾会合り安定であるが、その光学
特性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏感をこ依存
する。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳
しく制御しなければならないという欠点を有する。
特性、例えば吸収率、反射率が酸化状態に敏感をこ依存
する。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳
しく制御しなければならないという欠点を有する。
バブル形成媒体は、反ｔＮ層、透過層、吸収層から成る
３層構造であり、繰り返し反射干渉により光の吸収率を
高め高感度化を図っているうしたがって、この媒体は現
在最も高感度な媒体の−っであるが、多層借造のため成
膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さに
大きく依存するため、成嗅時の嗅厚制御を厳しく行なわ
なければならないという欠点があるっ 有機色素媒体は種々の形態で開発されている。
３層構造であり、繰り返し反射干渉により光の吸収率を
高め高感度化を図っているうしたがって、この媒体は現
在最も高感度な媒体の−っであるが、多層借造のため成
膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さに
大きく依存するため、成嗅時の嗅厚制御を厳しく行なわ
なければならないという欠点があるっ 有機色素媒体は種々の形態で開発されている。
それらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に
溶剤で溶解させた相溶型ζこ分けられる。相溶型の媒体
はたとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されてい
るように高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色
素としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗
布法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長
領域（４００〜５００ｎｍ）に吸収を示すが、半導体レ
ーザの波長域（〜８００ ｎｍ ）ではほとんど吸収が
無く、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては
使用することができない。又、一般に相溶型の媒体は、
媒体形成法が溶媒塗布に限られ、承仮に樹脂を使用する
場合は、樹脂を酵解しない溶剤を選択しなければならな
いという制約がある。一方、色１１体型の媒体としては
、たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒体
が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色
素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長領域に比
較的大きな吸収が記録感度はＴｅ合金よりも悪いっ 本発明の目的は、［）１■述の従来技術の欠点を改良し
、半導体レーザの波長領域において高感度で化学的に安
定な光記録媒体を提供することである。
溶剤で溶解させた相溶型ζこ分けられる。相溶型の媒体
はたとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されてい
るように高分子樹脂であるポリビニールアセテートに色
素としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し、回転塗
布法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波長
領域（４００〜５００ｎｍ）に吸収を示すが、半導体レ
ーザの波長域（〜８００ ｎｍ ）ではほとんど吸収が
無く、半導体レーザを使用する記録装置の媒体としては
使用することができない。又、一般に相溶型の媒体は、
媒体形成法が溶媒塗布に限られ、承仮に樹脂を使用する
場合は、樹脂を酵解しない溶剤を選択しなければならな
いという制約がある。一方、色１１体型の媒体としては
、たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒体
が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この色
素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長領域に比
較的大きな吸収が記録感度はＴｅ合金よりも悪いっ 本発明の目的は、［）１■述の従来技術の欠点を改良し
、半導体レーザの波長領域において高感度で化学的に安
定な光記録媒体を提供することである。
すなイつち本発明は、基板の片側または両側に記録層を
設け、情報をレーザ光線によって記録し、かつ読み取る
光学記録媒体においＣ１記録層として （式中几は０１−１． ＮＨ２、ＮＨＸ又はＮＸ２を表
わし、几′ｉｔ ０）−Ｉ 、 Ｎ）Ｉｚ 、 ＮＨＸ
、 ＮＸ２ 又＋ｓ ＮＨＧＸ’Ｅ ’ａｈ ｔ。
設け、情報をレーザ光線によって記録し、かつ読み取る
光学記録媒体においＣ１記録層として （式中几は０１−１． ＮＨ２、ＮＨＸ又はＮＸ２を表
わし、几′ｉｔ ０）−Ｉ 、 Ｎ）Ｉｚ 、 ＮＨＸ
、 ＮＸ２ 又＋ｓ ＮＨＧＸ’Ｅ ’ａｈ ｔ。
（ここでＸはアルキル基、Ｘ′は水素原子、アルキル基
、アリル基、アミノ基、置換アミノ基を表わす。））で
表わされるす７トキノン色素を主成分とする有機薄嘆を
形成したこと特徴とする。上記の一般式で表わされるナ
フトキノン色素は２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノンと総称され、５．８位の助色団ＪＲ’の種類によっ
て吸収ピーク波長が可視領域から赤外領域に移行するっ
上記の助色団Ｒ、Ｒ’として例示したものはどれも赤外
領域に吸収ピーク波長が赤外領域にあるが、上記一般式
中のＲとしてＮＨ２、ＩＬ’としてＮ Ｈ−Ｑ−Ｘ’を
性力口した化合物が半導体レーザの発振波長と最も良く
適合し、さらにＸｌ′をアルキル基としたものが他の諸
条件に対して最も好ましいものである。
、アリル基、アミノ基、置換アミノ基を表わす。））で
表わされるす７トキノン色素を主成分とする有機薄嘆を
形成したこと特徴とする。上記の一般式で表わされるナ
フトキノン色素は２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノンと総称され、５．８位の助色団ＪＲ’の種類によっ
て吸収ピーク波長が可視領域から赤外領域に移行するっ
上記の助色団Ｒ、Ｒ’として例示したものはどれも赤外
領域に吸収ピーク波長が赤外領域にあるが、上記一般式
中のＲとしてＮＨ２、ＩＬ’としてＮ Ｈ−Ｑ−Ｘ’を
性力口した化合物が半導体レーザの発振波長と最も良く
適合し、さらにＸｌ′をアルキル基としたものが他の諸
条件に対して最も好ましいものである。
たとえば ＮＨＸ ０
４Ｈ９
で表イつされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８＝（
４−ブチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンをアセト
ン溶剤中で測定した場合、この色素のスペクトルの吸収
極大波長λ”ａＸ ＬＪ ７５９ ｎｍであり、半導体
レーザの発振波長と良く適合することが判る。
４−ブチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンをアセト
ン溶剤中で測定した場合、この色素のスペクトルの吸収
極大波長λ”ａＸ ＬＪ ７５９ ｎｍであり、半導体
レーザの発振波長と良く適合することが判る。
前記ナフトキノン色素化合物は、比較的高幅、高湿の環
境条件でも安定であり、Ｔｅ合金０）ような空気中酸化
による劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期
間の使用に耐することを意味する。又この化合物は、一
般の有機色素と同（謙（こ低い熱伝導率を有しており、
その値は金属の１／ｌＯ〜１／１００である。したがっ
て、レーザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なく ｆ
、にり、光照射部の媒体温度を効率良く高めることがで
きる。
境条件でも安定であり、Ｔｅ合金０）ような空気中酸化
による劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期
間の使用に耐することを意味する。又この化合物は、一
般の有機色素と同（謙（こ低い熱伝導率を有しており、
その値は金属の１／ｌＯ〜１／１００である。したがっ
て、レーザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なく ｆ
、にり、光照射部の媒体温度を効率良く高めることがで
きる。
記録媒体は、上記ナフトキノン色素を蒸着又は溶剤塗布
法により基板の片面又は両面に付着して形成される。基
板材料としては種々のものハＳ使用できるが、一般には
ガラス、ＡＩ、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては
ポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）、ポリビニールクロ
ライド（ＰｖＣ）、ポリサルホノ、ポリカーボネート等
がある。基板形状は円板形状、テープ形状、シート形状
が適用できる。
法により基板の片面又は両面に付着して形成される。基
板材料としては種々のものハＳ使用できるが、一般には
ガラス、ＡＩ、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては
ポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）、ポリビニールクロ
ライド（ＰｖＣ）、ポリサルホノ、ポリカーボネート等
がある。基板形状は円板形状、テープ形状、シート形状
が適用できる。
基板上に形成され１こナフトキノン色素膜に半導体レー
ザ光をレンズで吸光して照射すると、照射部の色素膜が
除去さ７１．て孔が形成さ１１．る。この孔形成の機構
は明確ではないが、蒸発（早華）をともなう融解凝集に
因ると考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光
の収光径、レーザパワー、照射時間ζこ依存するが、大
体０．２〜３μｍであることが望ましい。このような孔
形成に必要なレーザエネルギー（ば小さなものであり、
したがって短時間で孔形成が可能である。具体的には、
波長８３０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体レーザ光をビーム
径１．４μｍ１こ収３ＴｈＬ、た場合、色素膜面上での
パワーは２〜１０ｍＷ。
ザ光をレンズで吸光して照射すると、照射部の色素膜が
除去さ７１．て孔が形成さ１１．る。この孔形成の機構
は明確ではないが、蒸発（早華）をともなう融解凝集に
因ると考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光
の収光径、レーザパワー、照射時間ζこ依存するが、大
体０．２〜３μｍであることが望ましい。このような孔
形成に必要なレーザエネルギー（ば小さなものであり、
したがって短時間で孔形成が可能である。具体的には、
波長８３０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体レーザ光をビーム
径１．４μｍ１こ収３ＴｈＬ、た場合、色素膜面上での
パワーは２〜１０ｍＷ。
照射時間は５０〜３ Ｑ Ｑ ｎ５ｅＣの範囲で孔を形
成することができる。当然のこと“な；がら、上記パワ
ーあるいは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形成す
ることができるが、上記条件は望ましい使用柔性である
。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対応させてるこ
とによりなされる。・再常円板状媒体を等速回転させて
、記録層＠にこ会わせて孔を形成して情報を記録する。
成することができる。当然のこと“な；がら、上記パワ
ーあるいは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形成す
ることができるが、上記条件は望ましい使用柔性である
。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対応させてるこ
とによりなされる。・再常円板状媒体を等速回転させて
、記録層＠にこ会わせて孔を形成して情報を記録する。
なお、以上Ｕ）場合において色素膜の膜厚は０．０１〜
０．５μｍで、好適（こ（ま０，０２〜０．２μｍであ
る。このように記録された情報（孔）の読み出しは、媒
体からの反射光又は透過光Ｃυ光光度変化検出すること
によりなされる。一般に反射光を検出する方法が採用さ
れる。こイ′Ｌは、反射光検出の方が光学系が簡単にな
るためである。即 ′ら、一つの光学系で投光と集光
が可能であうためである。読み出しはレーザ光を連続さ
せて照射する。その時の光量は媒体に何らの形状変化が
起らない弱いエネルギーに設定され、通常記録時の光量
の１１５〜１／ｌＯである。
０．５μｍで、好適（こ（ま０，０２〜０．２μｍであ
る。このように記録された情報（孔）の読み出しは、媒
体からの反射光又は透過光Ｃυ光光度変化検出すること
によりなされる。一般に反射光を検出する方法が採用さ
れる。こイ′Ｌは、反射光検出の方が光学系が簡単にな
るためである。即 ′ら、一つの光学系で投光と集光
が可能であうためである。読み出しはレーザ光を連続さ
せて照射する。その時の光量は媒体に何らの形状変化が
起らない弱いエネルギーに設定され、通常記録時の光量
の１１５〜１／ｌＯである。
記録、再生時の光の入射方向として、媒体面１１！ＩＩ
と基板面側の２通りがある。＊例の如き単層媒１本では
両方向の配置と、も使用可能である。基板面側１Ｎ 入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響されることな
く記録、再生が可能であり、より望ましい形態である。
と基板面側の２通りがある。＊例の如き単層媒１本では
両方向の配置と、も使用可能である。基板面側１Ｎ 入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響されることな
く記録、再生が可能であり、より望ましい形態である。
なお、媒体が形成されている面の反対側の基板面上に付
着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥（ま、基板厚さが
１回以上であれば、その面でのビーム径が充分大きいの
で記録、再生に悪影響を与えないっ情報は孔列として記
録される。
着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥（ま、基板厚さが
１回以上であれば、その面でのビーム径が充分大きいの
で記録、再生に悪影響を与えないっ情報は孔列として記
録される。
孔列は一般に同心円状又はスパイラル状の多数のトラッ
クを形成するっ再生する場合、光ビームは特定トラ、り
の孔列上を精度良く追跡する必要がある。こｎを実現す
る一つの手段として回転機構の精度を空気軸受などを使
用して高めるという方法があるっしかし、この場合は、
回転系が複雑となり、又高価となるので実用的で（マナ
い。より望ましいのは基板上曇こ光の案内溝を設は命方
法である。ビーム径程度の溝に光が入射すると、光が回
折される。ビール中心が溝からずれるにつれて回折光強
度の空間分布が異なり、これを検出して、ビームを溝の
中心（こ入射させるようにサーボ系を構成することがで
きる。通常溝の幅は０．６〜１．２μｍ。
クを形成するっ再生する場合、光ビームは特定トラ、り
の孔列上を精度良く追跡する必要がある。こｎを実現す
る一つの手段として回転機構の精度を空気軸受などを使
用して高めるという方法があるっしかし、この場合は、
回転系が複雑となり、又高価となるので実用的で（マナ
い。より望ましいのは基板上曇こ光の案内溝を設は命方
法である。ビーム径程度の溝に光が入射すると、光が回
折される。ビール中心が溝からずれるにつれて回折光強
度の空間分布が異なり、これを検出して、ビームを溝の
中心（こ入射させるようにサーボ系を構成することがで
きる。通常溝の幅は０．６〜１．２μｍ。
その深さは使用する記録再生波長の１／８〜１／４の範
囲に設定される。したがって記録層は溝付基板面上に形
成される。
囲に設定される。したがって記録層は溝付基板面上に形
成される。
２．３−ジシアーノー１，４−ナフトキノン色素の薄模
は通常の抵抗加熱蒸着法により容易に形成することがで
きる。室温に保持さ７１．た基板上に薄１ｉ１；ｊを形
成すると、その結晶性は無定形、即ち非晶質となる。非
晶質１漢からの反射光には、多結晶１回で見られる粒界
ノイズが含まれないので非晶質膜を使用した時の再生の
Ｓハは良好である。
は通常の抵抗加熱蒸着法により容易に形成することがで
きる。室温に保持さ７１．た基板上に薄１ｉ１；ｊを形
成すると、その結晶性は無定形、即ち非晶質となる。非
晶質１漢からの反射光には、多結晶１回で見られる粒界
ノイズが含まれないので非晶質膜を使用した時の再生の
Ｓハは良好である。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明するつ第１図は
、実際に蒸着で基板上ζこ作成しｆこ５−アミノ−２，
３−ジシアノ−８（４−ブチルアニリノ）−１，４−ナ
フトキノン色素の薄１漢の吸収スペクトルを示したもの
である。こイｔより％ Ａ Ｉ ＧａＡｓ半導体レーザ
の発掘波長である〜８００ ｎｍ付近に吸収極太があり
、本色素が半４体レーザを使用する光学記録媒体として
好適であることが確認されたＯ 次に１．２＋＋＋ｍ厚の円板状のＰＭＭＡ基板上に、５
〜アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−ブチルアニリ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着し
、膜厚５５０Ａ（／Ｊ膜を得た。抵抗加熱ボート材はＭ
Ｏであり、蒸着前及び蒸着時の真空度はそれぞれ６ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ、 ９ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒであ
った。
、実際に蒸着で基板上ζこ作成しｆこ５−アミノ−２，
３−ジシアノ−８（４−ブチルアニリノ）−１，４−ナ
フトキノン色素の薄１漢の吸収スペクトルを示したもの
である。こイｔより％ Ａ Ｉ ＧａＡｓ半導体レーザ
の発掘波長である〜８００ ｎｍ付近に吸収極太があり
、本色素が半４体レーザを使用する光学記録媒体として
好適であることが確認されたＯ 次に１．２＋＋＋ｍ厚の円板状のＰＭＭＡ基板上に、５
〜アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−ブチルアニリ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着し
、膜厚５５０Ａ（／Ｊ膜を得た。抵抗加熱ボート材はＭ
Ｏであり、蒸着前及び蒸着時の真空度はそれぞれ６ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ、 ９ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒであ
った。
基板は室温自然放置とし、蒸着による基板湿度上昇には
ほとんど認められなか−った。ボート温度を徐々に上げ
て行くと２２０℃で色素が融解し、この温度に固定して
蒸着し１こ。蒸着速度（ま５ Ａ／ ｓｅｃである。
ほとんど認められなか−った。ボート温度を徐々に上げ
て行くと２２０℃で色素が融解し、この温度に固定して
蒸着し１こ。蒸着速度（ま５ Ａ／ ｓｅｃである。
第２図（ま、このようにして形成された媒体１を示して
いる。ＰＭＭＡ基板１０上に色素１換２０が形成されて
いる。この媒体１に矢印３０の方向から波長８３ Ｑ
ｎｍの半導体レーザ光を光学系（図示せず）で収光して
照射した。この場合レーザ光は媒体面上のパワーで２〜
１２ｍＷ１照射時間５０〜３００ｎｓｅｃの条件で行な
った。この記録波長での記録感度は約１６ｍＪ／ｃＡで
あった。この記録により、色素膜２０中に約０．９μｍ
の径の孔４０が形成さイ１゜た。このような記録は、基
板１′０を介して、即ち矢印５０方向から光を入射して
も同様に可能であった０ 前記実施例と同様に、Ｒ′がＮＨ，０−１（である５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−アニリノ−１，４−ナ
フトキノン及び■どがＮＪ、（−ＱＰ−ＣＩ（３であろ
５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−メチルアニ
リノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着
してそれぞれの薄膜を得た。前者（まボート温度が３４
０℃で昇華が始まり、後者は２５０℃で融解して蒸着可
能となる。それぞれの膜（膜厚２５０Ａ）に半導体レー
ザで書き込みを行ない書き込み感度を求めると、前記実
施例と同様な結果を得たつ上記実施例から明らかなよう
に、本発明により得られる光学記録媒体は、Ｔｅ合金媒
体より高感度であり、媒体形成が容易であり、化学的（
こ安定で長期保存に耐え、再生のＳ／Ｎが良好であると
いう蝮イｔた利点を有していることが分る。
いる。ＰＭＭＡ基板１０上に色素１換２０が形成されて
いる。この媒体１に矢印３０の方向から波長８３ Ｑ
ｎｍの半導体レーザ光を光学系（図示せず）で収光して
照射した。この場合レーザ光は媒体面上のパワーで２〜
１２ｍＷ１照射時間５０〜３００ｎｓｅｃの条件で行な
った。この記録波長での記録感度は約１６ｍＪ／ｃＡで
あった。この記録により、色素膜２０中に約０．９μｍ
の径の孔４０が形成さイ１゜た。このような記録は、基
板１′０を介して、即ち矢印５０方向から光を入射して
も同様に可能であった０ 前記実施例と同様に、Ｒ′がＮＨ，０−１（である５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−アニリノ−１，４−ナ
フトキノン及び■どがＮＪ、（−ＱＰ−ＣＩ（３であろ
５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−メチルアニ
リノ）−１，４−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着
してそれぞれの薄膜を得た。前者（まボート温度が３４
０℃で昇華が始まり、後者は２５０℃で融解して蒸着可
能となる。それぞれの膜（膜厚２５０Ａ）に半導体レー
ザで書き込みを行ない書き込み感度を求めると、前記実
施例と同様な結果を得たつ上記実施例から明らかなよう
に、本発明により得られる光学記録媒体は、Ｔｅ合金媒
体より高感度であり、媒体形成が容易であり、化学的（
こ安定で長期保存に耐え、再生のＳ／Ｎが良好であると
いう蝮イｔた利点を有していることが分る。
第１図は５−アミノ−、−２，３−ジシアノ−８−（４
−ブチルアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素蒸膜膜
の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は２、本発明
による光学記録媒体の断面図であり図中１０は基板、２
０は色素膜、３０ 、５０け光Ｑ）入射方向、４０は孔
を示す。 り１り ノ Ｕ豆Ｅ） 璋長 （ル牝） 第２口 手続補正書（自発） ５８．９．１２ １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１０９
３３２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五−１−目３７番８号 住人
三田ビル（連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の一対象 明細書の特許請求の範囲の稠 明細書の発明の詳細な説明の― 図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 １、本願明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する
。 ２ 明細書第４頁第９行目ｋ「収が」とあるのを「収を
示すが」と補正する。 ３、明細１１８４頁第１２行口ＶＣ「光記録媒体」とあ
るのを「光学記録媒体」と補正する。 ４、明細書第４頁第１７行目より第１９行目Ｋか５、明
細Ｗ第５頁第１０行目に「どれも赤外領域Ｋ」とあるの
を「どれも」と補正する。 ６、明細書酊５頁１１６行目から第２１９１目にが７、
明細書第６頁第９行目に「謝する」とあるのを「耐え
る」と補正する。 ８、明細書第７頁第５行目に「吸光」とあるのを「収光
」と補正する。 ９、明細を第７頁第７行目に「早華」とあるのを「昇華
」と補正する。 ｌＯｌ 明細書第１０頁第１行目に「ジシアーノ」と
あるのを「ジシアノ」と補正する。 １１、明細書第１０頁第１０行目に「−８（４′−」と
あるのを「−８−（４’−Ｊと補正する。 ν、明細書第１１頁第４行目に１−昇には」とあるのを
「昇は」と補正する。 Ｂ、明粁１書紀１２頁第１８行目に「素蒸膜膜」、とあ
るのを１素蒸着膜」と補正する。 ・ ’、 ｑ、ｚ 別 紙 特許請求の範囲 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体において
前記記録層として す。（ここでＸはアルキル基、Ｘ′は水素原子、アルキ
ル基、アリル基、アミノ基、又Ｇｉ置換７ミノ基を表わ
す。））で表わさｔｌるナソ）−Ｖノン色素を主成分と
する有機薄膜を形成したこと！特徴とする光学記録媒体
。 ６、パ− 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 詐 願第１０９
３３２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 コ、補正の内容 明細書第１２頁第６行目に１〜３４０’ Ｃで〜］とあ
るのを１〜２４０″Ｃで〜」と補正する。
−ブチルアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素蒸膜膜
の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は２、本発明
による光学記録媒体の断面図であり図中１０は基板、２
０は色素膜、３０ 、５０け光Ｑ）入射方向、４０は孔
を示す。 り１り ノ Ｕ豆Ｅ） 璋長 （ル牝） 第２口 手続補正書（自発） ５８．９．１２ １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１０９
３３２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五−１−目３７番８号 住人
三田ビル（連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の一対象 明細書の特許請求の範囲の稠 明細書の発明の詳細な説明の― 図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 １、本願明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する
。 ２ 明細書第４頁第９行目ｋ「収が」とあるのを「収を
示すが」と補正する。 ３、明細１１８４頁第１２行口ＶＣ「光記録媒体」とあ
るのを「光学記録媒体」と補正する。 ４、明細書第４頁第１７行目より第１９行目Ｋか５、明
細Ｗ第５頁第１０行目に「どれも赤外領域Ｋ」とあるの
を「どれも」と補正する。 ６、明細書酊５頁１１６行目から第２１９１目にが７、
明細書第６頁第９行目に「謝する」とあるのを「耐え
る」と補正する。 ８、明細書第７頁第５行目に「吸光」とあるのを「収光
」と補正する。 ９、明細を第７頁第７行目に「早華」とあるのを「昇華
」と補正する。 ｌＯｌ 明細書第１０頁第１行目に「ジシアーノ」と
あるのを「ジシアノ」と補正する。 １１、明細書第１０頁第１０行目に「−８（４′−」と
あるのを「−８−（４’−Ｊと補正する。 ν、明細書第１１頁第４行目に１−昇には」とあるのを
「昇は」と補正する。 Ｂ、明粁１書紀１２頁第１８行目に「素蒸膜膜」、とあ
るのを１素蒸着膜」と補正する。 ・ ’、 ｑ、ｚ 別 紙 特許請求の範囲 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体において
前記記録層として す。（ここでＸはアルキル基、Ｘ′は水素原子、アルキ
ル基、アリル基、アミノ基、又Ｇｉ置換７ミノ基を表わ
す。））で表わさｔｌるナソ）−Ｖノン色素を主成分と
する有機薄膜を形成したこと！特徴とする光学記録媒体
。 ６、パ− 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 詐 願第１０９
３３２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 コ、補正の内容 明細書第１２頁第６行目に１〜３４０’ Ｃで〜］とあ
るのを１〜２４０″Ｃで〜」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体において
前記記録層として ハＯＨ、ＮＨ２、ＮＨＸ 、 ＮＸ２ 又ｉｉ ＮＨ−
ｏ）−Ｘ’；ｆ 表ワｔ。 （ここでＸはアルキル基、ｙは水素原子、アルキル基、
アリル基、アミン基、又は置換アミン基を表わす。））
で表わされるナフトキノン色素を主成分とする有機薄膜
を形成したこと特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109332A JPS58224793A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 光学記録媒体 |
| US06/507,312 US4504548A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| DE8383106192T DE3366578D1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| EP19830106192 EP0097929B1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109332A JPS58224793A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 光学記録媒体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175461A Division JPS5976297A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光記録方式 |
| JP58175460A Division JPS5976296A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光学記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224793A true JPS58224793A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0415112B2 JPH0415112B2 (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=14507536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109332A Granted JPS58224793A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224793A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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