JPS59104996A - 光記録方法 - Google Patents
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- JPS59104996A JPS59104996A JP57215898A JP21589882A JPS59104996A JP S59104996 A JPS59104996 A JP S59104996A JP 57215898 A JP57215898 A JP 57215898A JP 21589882 A JP21589882 A JP 21589882A JP S59104996 A JPS59104996 A JP S59104996A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ等によシ情報を高密度に記録し、これ
を再生する光学記録媒体に関し7、詳しくは可視および
近赤外域の波長を有し、且つ、低エネルギーのレーザ等
によp高密度の光学記録および再生が可能な光学記録媒
体に関するものである。
を再生する光学記録媒体に関し7、詳しくは可視および
近赤外域の波長を有し、且つ、低エネルギーのレーザ等
によp高密度の光学記録および再生が可能な光学記録媒
体に関するものである。
一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い記録層に
形成された光学的に検出可能な小さな(例えば、約1μ
)ピットをらせん状又は円形のトラック形態にして高密
度情報を記憶することができる。この様なディスクに情
報を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザ
を走査し、とのレーザ光線が照射された表面のみがピッ
トを形成し、このピットをらせん状又は円形トラックの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エ
ネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は変形によシ小さ
な凹部(ピット)を形成できる。また、別のヒートモー
ド記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収
によシ、その個所に光学的に検出可能な化学変化によっ
て生じる酸化度差、反射率差あるいは濃度差を有するピ
ットを形成できる。
形成された光学的に検出可能な小さな(例えば、約1μ
)ピットをらせん状又は円形のトラック形態にして高密
度情報を記憶することができる。この様なディスクに情
報を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザ
を走査し、とのレーザ光線が照射された表面のみがピッ
トを形成し、このピットをらせん状又は円形トラックの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エ
ネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は変形によシ小さ
な凹部(ピット)を形成できる。また、別のヒートモー
ド記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収
によシ、その個所に光学的に検出可能な化学変化によっ
て生じる酸化度差、反射率差あるいは濃度差を有するピ
ットを形成できる。
この光学記録媒体に記録された情報は、レーザをトラッ
クに沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される。
クに沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される。
この様な記録−再生に用いる記録媒体としては、これま
でアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、
酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜など
の無機物質を主に用いたものや染料(色素)を含有させ
たプラスチック被膜などの有機物質を用いたものが知ら
れている。
でアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、
酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜など
の無機物質を主に用いたものや染料(色素)を含有させ
たプラスチック被膜などの有機物質を用いたものが知ら
れている。
しかし、これまでの前述の如き化学変化によってピット
を形成する方式の方法では、感度が不十分で、しかも、
ビット形成部とピット未形ト 酸部の光学上のコントラスIZ小さく、高いS/N比を
有する情報記録が得られない欠点を有しており、さらに
、記録された記録媒体は長期間に亘った保存において安
定性に欠く等の欠点を有している。一方、孔を形成する
方法では、高感度と高S/N比を得ることができる反面
、空気中に露出したレーザ感応層の表面が水分や酸化性
雰囲気を有する環境下において、酸化されて安定性に欠
くという欠点を有している。かかる欠点に対して、従来
法ではレーザ感応層の上及び(又は)下側に保護層を設
けることが提案されてはいるが、この様々保護層が逆に
感度とS/N比を低下させる原因となっている。
を形成する方式の方法では、感度が不十分で、しかも、
ビット形成部とピット未形ト 酸部の光学上のコントラスIZ小さく、高いS/N比を
有する情報記録が得られない欠点を有しており、さらに
、記録された記録媒体は長期間に亘った保存において安
定性に欠く等の欠点を有している。一方、孔を形成する
方法では、高感度と高S/N比を得ることができる反面
、空気中に露出したレーザ感応層の表面が水分や酸化性
雰囲気を有する環境下において、酸化されて安定性に欠
くという欠点を有している。かかる欠点に対して、従来
法ではレーザ感応層の上及び(又は)下側に保護層を設
けることが提案されてはいるが、この様々保護層が逆に
感度とS/N比を低下させる原因となっている。
従って、本発明の目的は、前述の欠点を解消した新規な
光学記録媒体を提供することにある。
光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、感度および記録に伴う光学特性の
変化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。
変化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、記録後の経時において、安定
した記録を保持できる光学記録媒体を提供することにあ
る。
した記録を保持できる光学記録媒体を提供することにあ
る。
本発明のかかる目的は、電磁放射線を吸収して熱作用を
受け、かかる熱作用によって、光学変化を生じる物質を
フッ素化合物のマトリックス中に含有させ7辷ことから
なる電磁放射線感応層を有する光学記録媒体によって達
成される。
受け、かかる熱作用によって、光学変化を生じる物質を
フッ素化合物のマトリックス中に含有させ7辷ことから
なる電磁放射線感応層を有する光学記録媒体によって達
成される。
本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる物質、
例えば、Te (テルル)、pb (鉛)、Au (金
)、Sn (錫)、As (ヒ素)、Bi (ビスマス
)、In (インジウム)やカーボンブラックなどの物
質とフッ素化合物、例えば、Bias(フッ化ビスマス
)、MgF2(フッ化マグネシウム)、PbF2(フッ
化鉛)、LiF (フッ化りJ チウム)、CeF3(フッ化セシウム)、AgF (7
ツ化銀)、CaF2(フッ化カルシウム)、CrF。
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる物質、
例えば、Te (テルル)、pb (鉛)、Au (金
)、Sn (錫)、As (ヒ素)、Bi (ビスマス
)、In (インジウム)やカーボンブラックなどの物
質とフッ素化合物、例えば、Bias(フッ化ビスマス
)、MgF2(フッ化マグネシウム)、PbF2(フッ
化鉛)、LiF (フッ化りJ チウム)、CeF3(フッ化セシウム)、AgF (7
ツ化銀)、CaF2(フッ化カルシウム)、CrF。
(2フツ化クロム)やCrF3(3フツ化クロム)など
のフン化金属あるいはポリフッ化炭素などのフッ素炭化
物をそれぞれ別個の蒸着用ボート、蒸着用るつぼあるい
はエレクトロンビーム蒸着用るつぼに配置してから基板
上に混合蒸着又は混合スパッタリングさせることによシ
、電磁放射線感応層を形成することによって得ることが
できる。又、前述のフッ素化合物と金属との混合ペレッ
トを用いた抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着方式
、スバツタリ/グ方式など公知の薄膜形成方式を用いて
も電磁放射線感応層を形成することができる。これらの
方式のうち、真空蒸着法は、簡単な操作で再現性が良好
なことから好ましい方式の1つであシ、この際、5X1
0Torr以下の真空度で行なうことが望ましい。又、
この際の蒸着速度は、0.1〜50人/BeQ、好まし
くは1〜40λ/ secである。
のフン化金属あるいはポリフッ化炭素などのフッ素炭化
物をそれぞれ別個の蒸着用ボート、蒸着用るつぼあるい
はエレクトロンビーム蒸着用るつぼに配置してから基板
上に混合蒸着又は混合スパッタリングさせることによシ
、電磁放射線感応層を形成することによって得ることが
できる。又、前述のフッ素化合物と金属との混合ペレッ
トを用いた抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着方式
、スバツタリ/グ方式など公知の薄膜形成方式を用いて
も電磁放射線感応層を形成することができる。これらの
方式のうち、真空蒸着法は、簡単な操作で再現性が良好
なことから好ましい方式の1つであシ、この際、5X1
0Torr以下の真空度で行なうことが望ましい。又、
この際の蒸着速度は、0.1〜50人/BeQ、好まし
くは1〜40λ/ secである。
本発明の電磁放射線感応層は、前述の電磁放射線を吸収
して光学変化を生じる物質を20〜70モル係の範囲で
含有していることが好ましく、又、その膜厚は300A
〜5000^とすることが適している。
して光学変化を生じる物質を20〜70モル係の範囲で
含有していることが好ましく、又、その膜厚は300A
〜5000^とすることが適している。
本発明の光学記録媒体は、支持体として用いる基体の上
に、前述の電磁放射線感応層を形成することによって得
られるが、各種補助層を設けることができる。例えば基
体の表面に熱定数を調整する目的で、無機あるいは有機
物質からなる表面被膜を有する基板を用いることができ
る。又、電磁放射線感応層の上に透明な材質からなる保
護層を設けることができ、この保護層は機械的損傷の防
止に対して有効となる上に、適幽な厚さで形成すること
によシ、反射防止膜とすることがで、きるので、感度の
向上にも有効である。又、電磁放射線感応層と基体の間
に反射層を設けることができる。この反射層は、アルミ
ニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又はラミ
ネート層とすることができる。
に、前述の電磁放射線感応層を形成することによって得
られるが、各種補助層を設けることができる。例えば基
体の表面に熱定数を調整する目的で、無機あるいは有機
物質からなる表面被膜を有する基板を用いることができ
る。又、電磁放射線感応層の上に透明な材質からなる保
護層を設けることができ、この保護層は機械的損傷の防
止に対して有効となる上に、適幽な厚さで形成すること
によシ、反射防止膜とすることがで、きるので、感度の
向上にも有効である。又、電磁放射線感応層と基体の間
に反射層を設けることができる。この反射層は、アルミ
ニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又はラミ
ネート層とすることができる。
又、本発明の光学記録媒体には、特願昭57−7237
4号明細書に記載のトランク案内溝や番地指定溝などの
機能をもつプレグルーブを形成することができる。
4号明細書に記載のトランク案内溝や番地指定溝などの
機能をもつプレグルーブを形成することができる。
本発明の好まし・具体例では、7フ化ビスマスBiFx
、 (0< x、 < 3 )又はフッ化鉛PbFx、
(0<x、 < 2 )からなるマトリックス中に、
Te(テルル)、Pb (鉛)、Au (金)、Sn
(錫)およびAs(ヒ素)からなる金属群から選択され
た少なくとも1種の金属を含有させた被膜を電磁放射線
感応層として用いることができる。この際、前述の金属
類は、ンフ化ビスマス又はフッ化鉛からなるマトリック
ス中に20〜70モルチの範囲で含有していることが好
ましく、この被膜に電磁放射線、例えばガリウムーヒ素
−アルミニウム半導体レーザ(発振波長: 820nm
)、アルゴンガスレーザ(発振波長: 488 nm
、 515 nm )、ヘリウム−ネオンガスレーザ(
発振波長: 632.8)その他、可視領域から赤外領
域に発振波長を有するレーザやキセノンフラッシュラン
プなどの各種短パルス発光ランプあるいは赤外線ランプ
光やヒータを照射あるいは接触させることによってピッ
トを形成することができる。このピット形成部は、ピッ
ト未形成部の反射率と異なっておシ、従って、例えば電
磁放射線をトラックに沿って走査することによってピッ
トを形成し、このピット形成部とピット未形成部に前述
のトラックに沿って低出力レーザを走査し、その反射率
差をフォトディテクターによって読み取ることができる
。
、 (0< x、 < 3 )又はフッ化鉛PbFx、
(0<x、 < 2 )からなるマトリックス中に、
Te(テルル)、Pb (鉛)、Au (金)、Sn
(錫)およびAs(ヒ素)からなる金属群から選択され
た少なくとも1種の金属を含有させた被膜を電磁放射線
感応層として用いることができる。この際、前述の金属
類は、ンフ化ビスマス又はフッ化鉛からなるマトリック
ス中に20〜70モルチの範囲で含有していることが好
ましく、この被膜に電磁放射線、例えばガリウムーヒ素
−アルミニウム半導体レーザ(発振波長: 820nm
)、アルゴンガスレーザ(発振波長: 488 nm
、 515 nm )、ヘリウム−ネオンガスレーザ(
発振波長: 632.8)その他、可視領域から赤外領
域に発振波長を有するレーザやキセノンフラッシュラン
プなどの各種短パルス発光ランプあるいは赤外線ランプ
光やヒータを照射あるいは接触させることによってピッ
トを形成することができる。このピット形成部は、ピッ
ト未形成部の反射率と異なっておシ、従って、例えば電
磁放射線をトラックに沿って走査することによってピッ
トを形成し、このピット形成部とピット未形成部に前述
のトラックに沿って低出力レーザを走査し、その反射率
差をフォトディテクターによって読み取ることができる
。
本発明の光学記録媒体を構成するには、支持体として用
いられる基板は、基板側から情報記録光(電磁放射線)
を入射させて記録する場合には透明であることが好まし
い。記録媒体に情報を記録するための光源として、前述
した様に半導体レーザー、アルゴンガスレーザー、ヘリ
ウム−ネオンガスレーザー、その他可視領域から赤外領
域に発振波長をもつレーザーや、キセノンフラッシュラ
ンプなどの各種短パルス発光ランプなども用いることが
できるので、透明基板としては、所望の光源の光波特性
に適した透明性を有する材質のものが感度の向上をはか
るうえで好ましい。この際、入射光の約90%以上の透
過率を一応の透明性の目安とすることができる。
いられる基板は、基板側から情報記録光(電磁放射線)
を入射させて記録する場合には透明であることが好まし
い。記録媒体に情報を記録するための光源として、前述
した様に半導体レーザー、アルゴンガスレーザー、ヘリ
ウム−ネオンガスレーザー、その他可視領域から赤外領
域に発振波長をもつレーザーや、キセノンフラッシュラ
ンプなどの各種短パルス発光ランプなども用いることが
できるので、透明基板としては、所望の光源の光波特性
に適した透明性を有する材質のものが感度の向上をはか
るうえで好ましい。この際、入射光の約90%以上の透
過率を一応の透明性の目安とすることができる。
上記の光源のいず疵に対しても十分な透過率をもつ透明
基板としては、ガラスなどの無機材料や、ポリエステル
、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル
、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
トなどのポリマー、あるいは、これらの変成ポリマー、
コポリマー、ブレンドポリマーなどのポリマー類からな
るフィルム又はシートをあげることができる。ビデオデ
ィスクなどのように基板自体の表面平滑性が信号のS/
N比に大きく影響する場合には、別の基板上に前述のポ
リマー類をスピンナーコートなどで均一に塗布した基板
を用いることが好ましい。特に好ましく用いられる透明
基板としては、ポリエステル又はポリメチルメタクリレ
ートからなるフィルム及びシートをあげることができる
。
基板としては、ガラスなどの無機材料や、ポリエステル
、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル
、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
トなどのポリマー、あるいは、これらの変成ポリマー、
コポリマー、ブレンドポリマーなどのポリマー類からな
るフィルム又はシートをあげることができる。ビデオデ
ィスクなどのように基板自体の表面平滑性が信号のS/
N比に大きく影響する場合には、別の基板上に前述のポ
リマー類をスピンナーコートなどで均一に塗布した基板
を用いることが好ましい。特に好ましく用いられる透明
基板としては、ポリエステル又はポリメチルメタクリレ
ートからなるフィルム及びシートをあげることができる
。
一方、基板の反対側から情報記録光を入射させて記録す
る場合には、前述の透明基板の外に、無機材料又はポリ
マー類に色素(染料)、顔料、強化剤などを添加したフ
ィルムやシートあるいはアルミニウム合金などの金属板
を基板として用いることができる。
る場合には、前述の透明基板の外に、無機材料又はポリ
マー類に色素(染料)、顔料、強化剤などを添加したフ
ィルムやシートあるいはアルミニウム合金などの金属板
を基板として用いることができる。
本発明によれば、従来のレーザ光照射により記録面に孔
を形成する方式で用いる記録媒体あるいは記録面に反射
率、透過率などの光学特性を変化させたピットを形成す
る方式で用いる記録媒体に較べ、次に示す効果を有して
いる。
を形成する方式で用いる記録媒体あるいは記録面に反射
率、透過率などの光学特性を変化させたピットを形成す
る方式で用いる記録媒体に較べ、次に示す効果を有して
いる。
(1) 高感就である。レーザ感応薄膜の記録レーザ
ー光に対する吸収効率が大きく、エネルギー密度50
mJ/ad以下のヘリウム−ネオンガスレーザー光ある
いは半導体レーザー光の照射により記録が行える。
ー光に対する吸収効率が大きく、エネルギー密度50
mJ/ad以下のヘリウム−ネオンガスレーザー光ある
いは半導体レーザー光の照射により記録が行える。
(2) 再生効率が高い。ヘリウム−ネオンガスレー
ザー光、半導体レーザー光等で記録された情報を再生す
る場合に、初期未記録部と記録部の透過率の差ΔTを2
5チ以上、反射率の差部を15チ以上とすることができ
る。
ザー光、半導体レーザー光等で記録された情報を再生す
る場合に、初期未記録部と記録部の透過率の差ΔTを2
5チ以上、反射率の差部を15チ以上とすることができ
る。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明する。なお、
実施例中に記載の「充填率」とは電磁放射線感応層中の
添加金属の体積含有率を意味する。
実施例中に記載の「充填率」とは電磁放射線感応層中の
添加金属の体積含有率を意味する。
実施例1
キャスト法によって作製した表面平滑性のよいポリメチ
ルメタクリレートの直径30cIILのディスク状基板
を真空蒸着機槽内にセットした。
ルメタクリレートの直径30cIILのディスク状基板
を真空蒸着機槽内にセットした。
ディスクは装置内の中央付近で回転できる様になってい
る。又、装置内には、回転の中心軸を中心として3つの
加熱蒸着用ボートと、5つのるつぼを持つ電子ビーム蒸
着装置を備えている。
る。又、装置内には、回転の中心軸を中心として3つの
加熱蒸着用ボートと、5つのるつぼを持つ電子ビーム蒸
着装置を備えている。
この2つのボートにそれぞれ、フッ化ビスマス(BiF
、)とTe (テルル)を入れた。槽内を2×10’T
orrの真空度にした後、基板回転速度を50 rpm
トした後、フッ化ビスマスとテルルの充填率が50e
lbづつになる様に、厚さ1oooAの被膜となるまで
蒸着を行った。この際の蒸着速度は1人/seeであっ
た。− こうして作成した記録媒体をターンテーブル上に取υ付
け、ターンテーブルをモータで100゜rpmの回転速
度で回転させながら、光学レンズを通してスポットサイ
ズ1.0μに集光した光源出力15mWおよび4111
1zのパルス幅に変調したガリウムーヒ素−アルミニウ
ム半導体レーザ(発振波長: 820 nm )をフッ
化ビスマス−テルル層にトラック状で走査して記録を行
なった。
、)とTe (テルル)を入れた。槽内を2×10’T
orrの真空度にした後、基板回転速度を50 rpm
トした後、フッ化ビスマスとテルルの充填率が50e
lbづつになる様に、厚さ1oooAの被膜となるまで
蒸着を行った。この際の蒸着速度は1人/seeであっ
た。− こうして作成した記録媒体をターンテーブル上に取υ付
け、ターンテーブルをモータで100゜rpmの回転速
度で回転させながら、光学レンズを通してスポットサイ
ズ1.0μに集光した光源出力15mWおよび4111
1zのパルス幅に変調したガリウムーヒ素−アルミニウ
ム半導体レーザ(発振波長: 820 nm )をフッ
化ビスマス−テルル層にトラック状で走査して記録を行
なった。
この記録された記録媒体の表面を光学顕微鏡で観察した
ところ、短径約1μの楕円形状のピット形成部がピット
未形成部に較べ明るい、すなわち反射率が高いものとし
て判別できた。
ところ、短径約1μの楕円形状のピット形成部がピット
未形成部に較べ明るい、すなわち反射率が高いものとし
て判別できた。
また、前述と同様の記録媒体を真空下で200℃の温度
で20分間加熱した時の透過率変化を測定したところ、
第1図に明らかにした様な光学変化を生じていることが
判明した。尚、図中1は加熱前の透過率(%)、2は加
熱後の透過率(鉤を示している。
で20分間加熱した時の透過率変化を測定したところ、
第1図に明らかにした様な光学変化を生じていることが
判明した。尚、図中1は加熱前の透過率(%)、2は加
熱後の透過率(鉤を示している。
1だ、記録後の経時における耐久安定性を測定するため
に、前述の記録された記録媒体を温度35°Cおよび相
対湿度90チの強制環境下に96時間放置した後、記録
された記録媒体の表面を前述と同様に走査顕微鏡で観察
したが、耐久テスト前に観察した時と同様の高い反射率
を有するピントが認められた01だ、この記録され、且
つ、耐久テストされた記録媒体に低出力のガリウムーヒ
素−アルミニウム半導体レーザを入射し、反射光の検知
を行なったところ、十分に高いS△比を有する波形が得
られた。
に、前述の記録された記録媒体を温度35°Cおよび相
対湿度90チの強制環境下に96時間放置した後、記録
された記録媒体の表面を前述と同様に走査顕微鏡で観察
したが、耐久テスト前に観察した時と同様の高い反射率
を有するピントが認められた01だ、この記録され、且
つ、耐久テストされた記録媒体に低出力のガリウムーヒ
素−アルミニウム半導体レーザを入射し、反射光の検知
を行なったところ、十分に高いS△比を有する波形が得
られた。
実施例2
前述の実施例1に記載の光学記録媒体を作成した時に用
いたTe (テルル)に代えてIn(インジウム)を用
いたほかは、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作
成した。
いたTe (テルル)に代えてIn(インジウム)を用
いたほかは、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作
成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に200℃の温
度で20分間Do熱した時の透過率変化を測定した。こ
の結果を第2図に示す。図中、3は加熱前の透過率優)
、4は加熱後の透過率(%)である。
度で20分間Do熱した時の透過率変化を測定した。こ
の結果を第2図に示す。図中、3は加熱前の透過率優)
、4は加熱後の透過率(%)である。
又、本例で作成した記録媒体に実施例1と同様の方法で
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつピットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とガ比については、何れも十分なもの
であることが判明した。
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつピットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とガ比については、何れも十分なもの
であることが判明した。
実施例3
前述の実施例1に記載の光学記録媒体を作成した時に用
いたTe (テルル)に代えてSn(錫)を用いたほか
は、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作成した。
いたTe (テルル)に代えてSn(錫)を用いたほか
は、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に200°Cの
温度で20分間カロ熱した時の透過率変化を測定した。
温度で20分間カロ熱した時の透過率変化を測定した。
この結果を第3図に示す。図中、5は加熱前の透過率(
チ)、6は加熱後の透過率(4)である。
チ)、6は加熱後の透過率(4)である。
又、本例で作成した記録媒体に実施例1と同様の方法で
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつビットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とS/N比については、伺れも十分な
ものであることが判明した。
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつビットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とS/N比については、伺れも十分な
ものであることが判明した。
実施例4
前述の実施例1に記載の光学記録媒体を作成した時に用
いたTe (テルル)に代えてAu(金)を用いたほか
は、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作成した。
いたTe (テルル)に代えてAu(金)を用いたほか
は、実施例1と同様の方法で光学記録媒体を作成した。
この様にして作成した記録媒体を真空下に300°Cの
温度で15分間kJ熟した時の反射率変化を測定した。
温度で15分間kJ熟した時の反射率変化を測定した。
この結果を第4図に示す。図中、7は加熱前の反射率(
%)、8は加熱後の反射率(%)である。
%)、8は加熱後の反射率(%)である。
又、本例で作成した記録媒体に実施例1と同様の方法で
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつピットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とS/N比については、何れも十分な
ものであることが判明した。
レーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、高
い反射率をもつピットが認められた。さらに、耐久安定
性およびS/N比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性とS/N比については、何れも十分な
ものであることが判明した。
実施例5
前述の実施例1に記載の光学記録媒体を作成した時に用
いたBiF3(フッ化ビスマス)ニ代工てPbF2(フ
ン化鉛)を用いたほかは、実施例1と同様の方法で光学
記録媒体を作成した。
いたBiF3(フッ化ビスマス)ニ代工てPbF2(フ
ン化鉛)を用いたほかは、実施例1と同様の方法で光学
記録媒体を作成した。
この様にして作成した記録媒体に実施例1と同様の方法
でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、
高い反射率をもつビットが認められた。さらに、耐久安
定性およびS△比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性と輸比については、何れも十分なもの
でるることが判明した。
でレーザを走査した後、光学顕微鏡で観察したところ、
高い反射率をもつビットが認められた。さらに、耐久安
定性およびS△比の測定を実施例1と同様に測定したと
ころ、耐久安定性と輸比については、何れも十分なもの
でるることが判明した。
第1図乃至第4図は、本発明の光学記録媒体が熱作用を
受けた時の光学特性変化を示す説明図である。 1′°。 (透 i喚 1 (%ン 」 壜伎(几7IL) ′il長(71m)
受けた時の光学特性変化を示す説明図である。 1′°。 (透 i喚 1 (%ン 」 壜伎(几7IL) ′il長(71m)
Claims (8)
- (1) 基体とフッ素化合物お1よび電磁放射線を吸
収して光学変化を生じる物質を含有する薄膜を有するこ
とを特徴とする光学記録媒体。 - (2) 前記薄膜がフッ素化合物からなるマlツクス
中に電磁放射線を吸収して光学変化を生じる物質を含有
させたことからなる被膜である特許請求の範囲第1項記
載の光学記録媒体。 - (3) 前記フッ素化合物がBiF3、MgF2、P
bF、、LiF 、 CeF3、AgF 、 CaF’
、、CrF2、CrF、およびフッ化炭素からなる群か
ら選択された少なくとも1種の化合物である特許請求の
範囲第1項記載の光学記録媒体。 - (4) 前記フッ素化合物がBiFx、 (0< x
□く3)である特許請求の範囲第3項記載の光学記録媒
体。 - (5) 前記フッ素化合物がPbFx、 (0< x
、 < 2 )である特許請求の範囲第3項記載の光学
記録媒体。 - (6) 前記電磁放射線を吸収して光学変化を生じる
物質が熱作用により光学変化を生じる物質である特許請
求の範囲第1項記載の光学記録媒体。 - (7) 前記電磁放射線を吸収して光学変化を生じる
物質がTe −、Pb 、、Au 、%Sn −、As
−、Bl % Inおよび炭素からなる群から選択さ
れた、少なくとも1種の物質である特許請求の範囲第6
項記載の光学記録媒体。 - (8) 前記電磁放射線が半導体レーザ、アルゴンガ
スレーザ又はヘリウム−ネオンガスレーザである特許請
求の範囲第7項記載の光学記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215898A JPS59104996A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 光記録方法 |
| US07/080,193 US4816840A (en) | 1982-12-08 | 1987-07-31 | Optical recording medium and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215898A JPS59104996A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 光記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104996A true JPS59104996A (ja) | 1984-06-18 |
| JPH0157680B2 JPH0157680B2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=16680076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215898A Granted JPS59104996A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 光記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4816840A (ja) |
| JP (1) | JPS59104996A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6190341A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS61146594A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| US4908250A (en) * | 1985-12-09 | 1990-03-13 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium and production method thereof |
| US10020423B2 (en) | 2009-06-26 | 2018-07-10 | University Of Surrey | Light emitting semiconductor device |
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| JPS6488936A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Dainippon Ink & Chemicals | Optical recording medium |
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| JPS545742A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS5522961A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
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| US3959799A (en) * | 1974-09-09 | 1976-05-25 | International Business Machines Corporation | Information storage by laser beam initiated reactions |
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| US4460636A (en) * | 1981-03-27 | 1984-07-17 | Sony Corporation | Optical information record member |
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| JPS5856892A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-04 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57215898A patent/JPS59104996A/ja active Granted
-
1987
- 1987-07-31 US US07/080,193 patent/US4816840A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0157680B2 (ja) | 1989-12-06 |
| US4816840A (en) | 1989-03-28 |
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