JPS582293A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS582293A JPS582293A JP56102124A JP10212481A JPS582293A JP S582293 A JPS582293 A JP S582293A JP 56102124 A JP56102124 A JP 56102124A JP 10212481 A JP10212481 A JP 10212481A JP S582293 A JPS582293 A JP S582293A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- liquid phase
- carbon
- substrate
- growing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エビタキＶヤμ成長装置の改良に関するも
のである。
のである。
赤外線検知素子の材料として用いるテ／Ｉ／Ａ／化カド
ミウム水銀（Ｈｇｌ−ｘＣｄｚＴｅ）は一般に水銀（Ｈ
ｇ）が易蒸発性であるので、テ／Ｌ／／％／化カドミウ
ム（ＣｄＴｅ）の基板上にＨｇ１−ｘＣｄｚＴｅの結晶
層を液相エビタキＶヤｙ成長させて形成している。
ミウム水銀（Ｈｇｌ−ｘＣｄｚＴｅ）は一般に水銀（Ｈ
ｇ）が易蒸発性であるので、テ／Ｌ／／％／化カドミウ
ム（ＣｄＴｅ）の基板上にＨｇ１−ｘＣｄｚＴｅの結晶
層を液相エビタキＶヤｙ成長させて形成している。
このようなＨｇｌ ｚｃｄｚＴθの結晶層の従来の液相
エピタキシャル成長装置は第１図に示すようにカーボン
より１ｋｌ） Ｃ！ｄＴθの基板ｌを埋設する凹所２を
有する支持台８と該支持台上をスライドして移動し、該
基板ｌ上に形成すぺＩ Ｈｇ１−ｘＣ（１ｘＴｅの材料
の液相４を収容する貫通孔の液だめδを有するカーボン
製のスライド部材６からなっている。
エピタキシャル成長装置は第１図に示すようにカーボン
より１ｋｌ） Ｃ！ｄＴθの基板ｌを埋設する凹所２を
有する支持台８と該支持台上をスライドして移動し、該
基板ｌ上に形成すぺＩ Ｈｇ１−ｘＣ（１ｘＴｅの材料
の液相４を収容する貫通孔の液だめδを有するカーボン
製のスライド部材６からなっている。
このような液相エピタＩｔｖヤ〜成長装置を用いてＨｇ
１−ＸｃａＸ＋ｒ、の結晶層ｃａ’ｒｅ基板上１基板１
クＣ（ＩＴｅの基板管埋設し、一方スライド部材の液だ
めにはＨｇ１−１０（１ｚＴ＠の材料を充填し九のち、
前記支持台とスライド部材の液相エビタキＶヤル成長装
置を水素（Ｈ８）ガス雰囲気中の反応管中に挿入したの
ち該反応管を加熱炉にて加熱して前記Ｈｇｌ−２ｃａｘ
’ｒｅ の材料を溶融させる．その後スライド部材を矢
印Ａの方向に移動させ、液だめ５内の液相をＣｄＴｅ基
板上に静置させ加熱炉の温度を低下させながら基板上Ｋ
Ｆｉｇｓ−一αｚＴ４３の結晶層をエビタキＶヤル成長
させてい友。
１−ＸｃａＸ＋ｒ、の結晶層ｃａ’ｒｅ基板上１基板１
クＣ（ＩＴｅの基板管埋設し、一方スライド部材の液だ
めにはＨｇ１−１０（１ｚＴ＠の材料を充填し九のち、
前記支持台とスライド部材の液相エビタキＶヤル成長装
置を水素（Ｈ８）ガス雰囲気中の反応管中に挿入したの
ち該反応管を加熱炉にて加熱して前記Ｈｇｌ−２ｃａｘ
’ｒｅ の材料を溶融させる．その後スライド部材を矢
印Ａの方向に移動させ、液だめ５内の液相をＣｄＴｅ基
板上に静置させ加熱炉の温度を低下させながら基板上Ｋ
Ｆｉｇｓ−一αｚＴ４３の結晶層をエビタキＶヤル成長
させてい友。
しかし前記したカーボンよりなる液相エビタキＶヤル成
長装置を用い九場合、前記成長装置を構成するカーボン
の表面は顕微鏡にて観察した場合、凹凸形状を呈してお
りこの凹凸状の部分へＨｇ１−ｘＣｄＸＴｅ１１７）液
相が入り込む不都合を生じる。また基板上にＨｇｌ ｚ
ｃｄｚ’ｒｅの結晶層を形成してからスライド部材を矢
印Ａの方向に移動した場合、スライド部材の下部のカー
ボン材中に基板上に残留しているＨｇ１ ｇＣαｘＴｅ
の液相が入り込むことになり、この液相がスライド部材
を移動させるに従って基板−ヒに拡がる形となり、形成
されたエピタキＶヤル成長層の表面に凹凸形状を形成す
る不都合を生じる。このように凹凸形状を有したエピタ
キＶヤル成長層では、その後にマスク合せ等の工程で支
障をきたし、形成される赤外線検知素子の歩留が低下す
るおそれがある。
長装置を用い九場合、前記成長装置を構成するカーボン
の表面は顕微鏡にて観察した場合、凹凸形状を呈してお
りこの凹凸状の部分へＨｇ１−ｘＣｄＸＴｅ１１７）液
相が入り込む不都合を生じる。また基板上にＨｇｌ ｚ
ｃｄｚ’ｒｅの結晶層を形成してからスライド部材を矢
印Ａの方向に移動した場合、スライド部材の下部のカー
ボン材中に基板上に残留しているＨｇ１ ｇＣαｘＴｅ
の液相が入り込むことになり、この液相がスライド部材
を移動させるに従って基板−ヒに拡がる形となり、形成
されたエピタキＶヤル成長層の表面に凹凸形状を形成す
る不都合を生じる。このように凹凸形状を有したエピタ
キＶヤル成長層では、その後にマスク合せ等の工程で支
障をきたし、形成される赤外線検知素子の歩留が低下す
るおそれがある。
本発明は上述した欠点を除去するような液相エビタキン
ヤル成１〜提供を目的とするものである。
ヤル成１〜提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するための液相エビタキＶヤル成長装
置は基板を埋設する支持台と該支持台上をメツイドして
移動し、前記基板上に形成する結晶層の材料の液相を収
容しだ液だめを有するスフイド部材よりなる液相エビタ
キＶヤル成長装置において、前記装置が表面をカーボン
で被覆した石板 英よ怜なることを特徴とするものである。
置は基板を埋設する支持台と該支持台上をメツイドして
移動し、前記基板上に形成する結晶層の材料の液相を収
容しだ液だめを有するスフイド部材よりなる液相エビタ
キＶヤル成長装置において、前記装置が表面をカーボン
で被覆した石板 英よ怜なることを特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明のエピタキシャル成長装置の表面にカー
ボンコートを施す方法を説明するための概略図である。
ボンコートを施す方法を説明するための概略図である。
まず前述した支持台およびスライド部材よシなる液相エ
ピタキシャル成長装置を石英にて製造する。このように
石英にて形成したエビタキＶヤμ成長装置の表面は平滑
に仕上げられて顕微鏡で観察して４カーボン材で形成し
九エビタキＶヤル成長用装置の表面のように凹凸形状は
呈しておらず滑らかである。
ピタキシャル成長装置を石英にて製造する。このように
石英にて形成したエビタキＶヤμ成長装置の表面は平滑
に仕上げられて顕微鏡で観察して４カーボン材で形成し
九エビタキＶヤル成長用装置の表面のように凹凸形状は
呈しておらず滑らかである。
その後第２図に示すようにこのようなエピタキシャル成
長装置の例えば支持台８を石英の反応管１１中に挿入し
、該反応管の端部に石英製のキャップＩＢをすり合せて
設置する。一方該キャップに連なる配管１８にはアセト
ン（（ＣＨ８）、Ｃｏ）１４を充填した石英の蒸発器１
６を設置しておく。
長装置の例えば支持台８を石英の反応管１１中に挿入し
、該反応管の端部に石英製のキャップＩＢをすり合せて
設置する。一方該キャップに連なる配管１８にはアセト
ン（（ＣＨ８）、Ｃｏ）１４を充填した石英の蒸発器１
６を設置しておく。
このようにしてから１．キャップの開放端部Ｂよυ真空
ポンプにて反応管内の真空度１０ 、ｓ’ｒｏｒｒ程度
になるまで真空排気する。その後加熱炉１６の温度を上
昇させ該加熱炉の温度が１０００ｔＫなった時点で一定
値になるように加熱炉の温度を制御する。このようにし
て所定時間保つと前記（ＣＨｓ ） ｓＣｏが熱分解し
て生じ九カーボン（Ｃ）の微粒子が支持台１８の表面に
所定の厚さで付着するようになる。一方石英で形成した
スライド部材も上述したのと全く同様にしてその表面に
カーボンを塗布する。このように石英の上にカーボンを
塗布する理由は石英のｉｔではＨｇ１−ｘｃ（１ｘＴｅ
の材料が石英と非常になじみが良いので作業が終了して
該Ｈｇｘ＝ｘｃｃｔｘ’ｒｅの液相の固化したものをエ
ビタキＶヤ〃成長装置より取り出すときに前記エビタギ
シャμ装置に付着して該装置を破損するからである。
ポンプにて反応管内の真空度１０ 、ｓ’ｒｏｒｒ程度
になるまで真空排気する。その後加熱炉１６の温度を上
昇させ該加熱炉の温度が１０００ｔＫなった時点で一定
値になるように加熱炉の温度を制御する。このようにし
て所定時間保つと前記（ＣＨｓ ） ｓＣｏが熱分解し
て生じ九カーボン（Ｃ）の微粒子が支持台１８の表面に
所定の厚さで付着するようになる。一方石英で形成した
スライド部材も上述したのと全く同様にしてその表面に
カーボンを塗布する。このように石英の上にカーボンを
塗布する理由は石英のｉｔではＨｇ１−ｘｃ（１ｘＴｅ
の材料が石英と非常になじみが良いので作業が終了して
該Ｈｇｘ＝ｘｃｃｔｘ’ｒｅの液相の固化したものをエ
ビタキＶヤ〃成長装置より取り出すときに前記エビタギ
シャμ装置に付着して該装置を破損するからである。
以上のように（ＯＨ３）ｇｃｏを熱分解して得られたカ
ーボンは微粒子状を呈しており、これが平滑な石英で形
成したエピタキシャル成長装置に付着するため、該装置
の表面は平滑状となシ、前述したＨｇｔ−ｚｏｄｚＴｅ
の液相が前記カーボンの微粒子中に入シ込むようなこと
はなｌ、Ｄ、そのためエビタキＶヤμ成長後基板上に残
留しているＨｇ １−ｘｃｄｘＴｅの液相も前記スフイ
ド部材の下端部でぬぐいとられて除去できるので、形成
されるエピタキＶヤｐ成長層の表面も平滑となる。
ーボンは微粒子状を呈しており、これが平滑な石英で形
成したエピタキシャル成長装置に付着するため、該装置
の表面は平滑状となシ、前述したＨｇｔ−ｚｏｄｚＴｅ
の液相が前記カーボンの微粒子中に入シ込むようなこと
はなｌ、Ｄ、そのためエビタキＶヤμ成長後基板上に残
留しているＨｇ １−ｘｃｄｘＴｅの液相も前記スフイ
ド部材の下端部でぬぐいとられて除去できるので、形成
されるエピタキＶヤｐ成長層の表面も平滑となる。
以上述べたよ゛うに本発明の液相エビタキＶヤル成長装
置を用いれば形成されるエピタキＶヤ〃結晶層の一面が
平滑に゛な夛、このようガ結晶を用いて赤外線検知素子
を形成すれば該検知素子の歩留が向上十ゐ利点を生じ為
。
置を用いれば形成されるエピタキＶヤ〃結晶層の一面が
平滑に゛な夛、このようガ結晶を用いて赤外線検知素子
を形成すれば該検知素子の歩留が向上十ゐ利点を生じ為
。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長装置を示す図、
第８図は本発明の液相エピタキシャル成長装置にカーボ
ンコートを臘す方法を説明するだめの概略図である。
第８図は本発明の液相エピタキシャル成長装置にカーボ
ンコートを臘す方法を説明するだめの概略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板を埋設する支持台と該支持台上をスライドして移動
し前記基板上に形成する結晶層の材料の液相を収容した
液だめを有するスライド部材よりなる液相エピタキＶヤ
ル成長装置において、前記装置がその表面をカーボンで
被覆し九石英よシな９幌 ることを特命とする液相エピタキＶヤμ成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102124A JPS582293A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102124A JPS582293A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582293A true JPS582293A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14319036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102124A Pending JPS582293A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483791A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Nec Corp | 液相エピタキシャル結晶育成法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56102124A patent/JPS582293A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483791A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Nec Corp | 液相エピタキシャル結晶育成法 |
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