JPS5823477A - 光感応シリコンプレ−ナ形サイリスタ - Google Patents
光感応シリコンプレ−ナ形サイリスタInfo
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- JPS5823477A JPS5823477A JP56123270A JP12327081A JPS5823477A JP S5823477 A JPS5823477 A JP S5823477A JP 56123270 A JP56123270 A JP 56123270A JP 12327081 A JP12327081 A JP 12327081A JP S5823477 A JPS5823477 A JP S5823477A
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- Japan
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- region
- photothyristor
- junction
- photosensitive
- impurity concentration
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光感応サイリスタ％に光感応シリコンブレーナ
形ティリスタに関する。
形ティリスタに関する。
光感応サイリスタ鉱、例えばＰＮＰＮの４層構状態から
順方向導通状部に移行せしめるように形成されたサイリ
スタである。
順方向導通状部に移行せしめるように形成されたサイリ
スタである。
この光感応サイリスタは覗扱いうる電流により大電流用
と中小電流用に分けることができる。大電流としては阻
止接合がベベル形に形成された基板の側面に露出して−
るーわゆるベベル形構造が用いられており、これに対し
中小電流用としてはいわゆるプレーナ形構造のものが多
く用いられている。
と中小電流用に分けることができる。大電流としては阻
止接合がベベル形に形成された基板の側面に露出して−
るーわゆるベベル形構造が用いられており、これに対し
中小電流用としてはいわゆるプレーナ形構造のものが多
く用いられている。
これ線プレーナ形構造によるとリーク電流を小さくでき
るため比較的光感度を上げやいことと中小電流用では耐
圧もそう高耐圧で無くとも良−ためである。
るため比較的光感度を上げやいことと中小電流用では耐
圧もそう高耐圧で無くとも良−ためである。
しかしながら最近における光感応サイリスタの応用が進
むにつれてよシ高耐圧で一層光感度の高い光感応サイリ
スタの実用化が強く望まれている。
むにつれてよシ高耐圧で一層光感度の高い光感応サイリ
スタの実用化が強く望まれている。
１ｇ１図はか−る従来の光感応シリコ／プレーナ形サイ
リスタ（以下ホトサイリスタという。）の構造を示す模
式的断面図である。（酸化膜、電極などは省略しである
。） ＮＷｉのシリコン基板１に突抜は層２を有するＰ型の工
きツタ領域（Ｐ、領域）３とＮ型のベース領域（Ｎ１領
域）４とＰ臘のベース領域（ｐ、領域）５とＮＷｌのエ
ミッタ領域（Ｎ、領域）６からなるＰｌ。
リスタ（以下ホトサイリスタという。）の構造を示す模
式的断面図である。（酸化膜、電極などは省略しである
。） ＮＷｉのシリコン基板１に突抜は層２を有するＰ型の工
きツタ領域（Ｐ、領域）３とＮ型のベース領域（Ｎ１領
域）４とＰ臘のベース領域（ｐ、領域）５とＮＷｌのエ
ミッタ領域（Ｎ、領域）６からなるＰｌ。
Ｎ、、Ｐ、、Ｎ、の４層が順次相隣接して形成されてい
る。
る。
＠２図はかかるホトサイリスタの光感度の試験回路の一
例を示し友もので、ホトサイリスタ７はバイアス電源８
により電流計９′ｔ−介して順バイアスされ、ホトダイ
オード１０により光がホトサイリスタ７の上面に照射さ
れるようにな９ている。
例を示し友もので、ホトサイリスタ７はバイアス電源８
により電流計９′ｔ−介して順バイアスされ、ホトダイ
オード１０により光がホトサイリスタ７の上面に照射さ
れるようにな９ている。
このような動作状態にお−ては、ＰｌとＮ１Ｏ接合Ｊ１
とＰ、とＮ、の接合Ｊ、は順バイアス、ＮｌとＰ。
とＰ、とＮ、の接合Ｊ、は順バイアス、ＮｌとＰ。
の接合Ｊ、は逆バイアスされるので、バイアス電圧はほ
とんど接合Ｊ、に印加されＪ、近傍に空間電荷層が形成
される。
とんど接合Ｊ、に印加されＪ、近傍に空間電荷層が形成
される。
この状態で光が照射されると、その光エネルギによりて
正孔−電子対が発生し接合Ｊ、の近傍で増幅されて１８
層あるーはＮ１ 層に流れ込み光電流工、を流すことに
なる。この光電流は通常のサイリスタにおけるゲート電
流と同様に少数キャリヤの増倍率を増大しター／オンさ
せることになる。
正孔−電子対が発生し接合Ｊ、の近傍で増幅されて１８
層あるーはＮ１ 層に流れ込み光電流工、を流すことに
なる。この光電流は通常のサイリスタにおけるゲート電
流と同様に少数キャリヤの増倍率を増大しター／オンさ
せることになる。
上述の説明からも明か−なとおり、このホトサイリスタ
で光感度を上げるためには光照射によりて発生される正
孔−電子対の発生効率を高めるとともに発生された正孔
−電子対を効率曳く接合Ｊ。
で光感度を上げるためには光照射によりて発生される正
孔−電子対の発生効率を高めるとともに発生された正孔
−電子対を効率曳く接合Ｊ。
に到達せしめ少数キャリヤＯ増倍率を上げさせることが
必要である。従りてこのためにはＰ、領域５の接合Ｊ、
の深さ！、、（１！１図参照、）ｆｔできるだけ浅く形
成しなければならないことになる。
必要である。従りてこのためにはＰ、領域５の接合Ｊ、
の深さ！、、（１！１図参照、）ｆｔできるだけ浅く形
成しなければならないことになる。
一方順方向耐圧であるところのピークオフ電圧（以下耐
圧という）は、接合Ｊ、の形状（正しくは形成される空
間電荷領域の形状）に依存することが大である。すなわ
ち−合５２ の底部両端部分の曲率半径ｒ（第１図参照
）が小さければ小さい程電界集中が強くなり耐圧が低下
する。従って上述のように光感度を上げるために接合Ｊ
、の深さＮ５．を浅くすればする１！、光感度は上がる
が耐圧が低下してしまい場合によりでは製品の規格を満
足しなくなる。
圧という）は、接合Ｊ、の形状（正しくは形成される空
間電荷領域の形状）に依存することが大である。すなわ
ち−合５２ の底部両端部分の曲率半径ｒ（第１図参照
）が小さければ小さい程電界集中が強くなり耐圧が低下
する。従って上述のように光感度を上げるために接合Ｊ
、の深さＮ５．を浅くすればする１！、光感度は上がる
が耐圧が低下してしまい場合によりでは製品の規格を満
足しなくなる。
次に光によシＰ、領域５中で発生した少数キャリヤであ
るところの電子を効率良く接合Ｊ８ に到達せしめる
には、発生した電子が再結合作用により消滅しないよう
に、Ｐ、領域５における少数キャリヤのライフタイムを
大としなければならない。
るところの電子を効率良く接合Ｊ８ に到達せしめる
には、発生した電子が再結合作用により消滅しないよう
に、Ｐ、領域５における少数キャリヤのライフタイムを
大としなければならない。
このためにはＰ、領域ＳＯＨ面不純物濃度Ｃ，を小さく
する必要がある。
する必要がある。
一方すイリスタＯターンオｙ％性の安定性を規定する重
要な特性の一つであるオフ電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）
Ｉｄこのｐ、領域５Ｆ）抵抗が大スｅわち宍面不純瞼
濃度Ｃ０が小さくなると、その領域における偏位電流に
よる電圧降下が大となるためＫ ｄ ｖ ／ ｄ ｔ
が小さくなる。
要な特性の一つであるオフ電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）
Ｉｄこのｐ、領域５Ｆ）抵抗が大スｅわち宍面不純瞼
濃度Ｃ０が小さくなると、その領域における偏位電流に
よる電圧降下が大となるためＫ ｄ ｖ ／ ｄ ｔ
が小さくなる。
上に詳細に説明したとおり、従来のホトサイリスタはそ
の光感！ｌ！を上げようとすると耐圧が低下するとと４
にｄマ／ｄｔが小さくなるために、高光感度・高耐圧・
高ｄマ／ｄｔ特性を併せ持つとζろのホトサイリスタを
製作することが非常に困難であり、この難点を打開して
高光感度・高耐圧―高ｄマ／ｄｔ 特性のホトサイリス
タの実現が強く望まれている。
の光感！ｌ！を上げようとすると耐圧が低下するとと４
にｄマ／ｄｔが小さくなるために、高光感度・高耐圧・
高ｄマ／ｄｔ特性を併せ持つとζろのホトサイリスタを
製作することが非常に困難であり、この難点を打開して
高光感度・高耐圧―高ｄマ／ｄｔ 特性のホトサイリス
タの実現が強く望まれている。
本発明の目的は、かかる難点を打開して高光感度・高耐
圧・高ｄｖ／ｄｔ 特性の光感鞄シリコンプレーナ形サ
イリスタを提供することにある。
圧・高ｄｖ／ｄｔ 特性の光感鞄シリコンプレーナ形サ
イリスタを提供することにある。
本発明のホトサイリスタは、第１導電型のシリコン基板
に突抜は層を有する第２導電型のエミッタ領域とＩＩＩ
導電臘のベース領域と１！２導電型のベース領域と第１
導電区のエミッタ領域との４層が順次相隣接して形成さ
れてなる光感応シリコンプレーナ形サイリスタにお−で
、前記第２導電截のベース領域の表面不純物濃度が（２
Ｘ１０１７〜２ Ｘ １０”） ／ｃＡかりその接合深
さカ（４３〜６０）μｍであることからなりている。
に突抜は層を有する第２導電型のエミッタ領域とＩＩＩ
導電臘のベース領域と１！２導電型のベース領域と第１
導電区のエミッタ領域との４層が順次相隣接して形成さ
れてなる光感応シリコンプレーナ形サイリスタにお−で
、前記第２導電截のベース領域の表面不純物濃度が（２
Ｘ１０１７〜２ Ｘ １０”） ／ｃＡかりその接合深
さカ（４３〜６０）μｍであることからなりている。
以下１本発明について図面を用い詳細に説明する。
本発明のホトサイリスタは上に詳しく説明した従来技術
の有する難点を解決するために、第１図に示したと同じ
構成すなわち、Ｎ型シリコン基板ｌに突接は層２を有す
るＰ型のエンツタ領域（η領域）３とＮＷＡのペース領
域（Ｎ、領域）４とＰ型のペース領域（Ｐ、領域）５と
Ｎ型のエンツタ領域（Ｎ２領域）６からなるＰＫ、Ｎｌ
、Ｐ、、Ｎｌの４層が順次相隣して形成されでなるホト
サイリスタについて、Ｐ、領域５０接合Ｊ、の深さ”ｊ
ｐ及びその表面不純物濃度Ｃ１を金色と変えて実験した
結果、前述の従来技術による推論とは反対に、光感度を
上げるためには接合Ｊ、の深さを従来よりも却って深く
したところに、更にその表面不純物濃度Ｃ３も従来より
も却９て大としたところに最適範囲が存在することを見
出したことによる。この事は上述の従来技術の説明から
明らかな如く耐圧並びにｄｖ／ｄｔ をも高めること
になり、本発明の目的とした高光感・高耐圧・高ｄマ／
ｄｔ 伸性Ｏホトサイリスタが得られることになる。
の有する難点を解決するために、第１図に示したと同じ
構成すなわち、Ｎ型シリコン基板ｌに突接は層２を有す
るＰ型のエンツタ領域（η領域）３とＮＷＡのペース領
域（Ｎ、領域）４とＰ型のペース領域（Ｐ、領域）５と
Ｎ型のエンツタ領域（Ｎ２領域）６からなるＰＫ、Ｎｌ
、Ｐ、、Ｎｌの４層が順次相隣して形成されでなるホト
サイリスタについて、Ｐ、領域５０接合Ｊ、の深さ”ｊ
ｐ及びその表面不純物濃度Ｃ１を金色と変えて実験した
結果、前述の従来技術による推論とは反対に、光感度を
上げるためには接合Ｊ、の深さを従来よりも却って深く
したところに、更にその表面不純物濃度Ｃ３も従来より
も却９て大としたところに最適範囲が存在することを見
出したことによる。この事は上述の従来技術の説明から
明らかな如く耐圧並びにｄｖ／ｄｔ をも高めること
になり、本発明の目的とした高光感・高耐圧・高ｄマ／
ｄｔ 伸性Ｏホトサイリスタが得られることになる。
次にこれらの実験結果について詳しく説明する。
実験に用−た試験回路は先に説明した第２図に示す回路
を用いた。ここで使用したＬＢＤＩＯとしては通常ＬＢ
Ｄとホトサイリスタを結合させたホトサイリスタカプラ
として良く用いられる発光波長が０．９４μｍ付近にピ
ークを有するＧａＡｓ赤外発光ダイオードを用いた。そ
してバイアス電源８によｆｉ１２Ｖのバイアス電圧を与
えホトサイリスタ７の暗電流を光電流Ｉ８ として測定
した。
を用いた。ここで使用したＬＢＤＩＯとしては通常ＬＢ
Ｄとホトサイリスタを結合させたホトサイリスタカプラ
として良く用いられる発光波長が０．９４μｍ付近にピ
ークを有するＧａＡｓ赤外発光ダイオードを用いた。そ
してバイアス電源８によｆｉ１２Ｖのバイアス電圧を与
えホトサイリスタ７の暗電流を光電流Ｉ８ として測定
した。
（実験ｌ） 接合Ｊ、の接合深さ”ｊｐと光電流ＩＲｏ
関係。
関係。
Ｐ、領域の表面不純物濃度をＩ Ｘ １０”（／ｃａ）
一定にして、接合深さ”ｊｐのみを金色変えた場合の■
８の測定結果を第３図に示す、同図の横軸はｘｊ、（μ
ｍ）、縦軸はＩ、（μ人）である。
一定にして、接合深さ”ｊｐのみを金色変えた場合の■
８の測定結果を第３図に示す、同図の横軸はｘｊ、（μ
ｍ）、縦軸はＩ、（μ人）である。
この図から明らかなように、■、はｘＪｐとして５０μ
ｍ付近に最大値を有する曲線で示すことができ、従来用
−られている４０μｍ以下よシは却９て深いところに光
感度の大きい領域が存在すると、とになる、このことは
使用したＬＢＤＩＯの波長０．９４μｍの赤外光Ｏシリ
コ／中への平均浸透深さが約５０μｍである門と考える
と容易に理解することかで睡る。
ｍ付近に最大値を有する曲線で示すことができ、従来用
−られている４０μｍ以下よシは却９て深いところに光
感度の大きい領域が存在すると、とになる、このことは
使用したＬＢＤＩＯの波長０．９４μｍの赤外光Ｏシリ
コ／中への平均浸透深さが約５０μｍである門と考える
と容易に理解することかで睡る。
（実験２）Ｎ、領域ＯＰ、面不純物濃度Ｃ，と光電施工
、の関係。
、の関係。
接合Ｊ、の深さ”ｊｐをそれぞれ４０，５０．６０μｍ
一定としてＰ、領域の表面不純物濃度Ｃ８を金色変えた
場合ＯＩ、の測定結果を第４図に示す。
一定としてＰ、領域の表面不純物濃度Ｃ８を金色変えた
場合ＯＩ、の測定結果を第４図に示す。
同図の横軸は表面不純物濃度Ｃ，（／ｃｊ ） 、縦軸
は光電流ＩＮ（μ人）、パラメータはＸ４．（μｍ）で
ある。
は光電流ＩＮ（μ人）、パラメータはＸ４．（μｍ）で
ある。
この図から明らかなように、１１はＣ８がｌ×１σ８／
ｃｄ付近に最大値を有する曲線で示すことかで龜る。
ｃｄ付近に最大値を有する曲線で示すことかで龜る。
更に”ｊｐに対する依存性はほとんど見られず第１図に
示した工、対”ｊ？の関係に従りて各曲線が移行して−
ることが分る。
示した工、対”ｊ？の関係に従りて各曲線が移行して−
ることが分る。
この結果も前述の従来技術による表面不純物濃度Ｃ１が
小さｖｈ＠光感ｆＣＩ、に相当）が高−はずであるとい
う推論とは異なハＣ１の大舞いところにしかも最適値が
存在することを明らかにして−る。
小さｖｈ＠光感ｆＣＩ、に相当）が高−はずであるとい
う推論とは異なハＣ１の大舞いところにしかも最適値が
存在することを明らかにして−る。
この結果は次のように考えると曳く理解することかで話
る。光照射によりＰ、領域５に発生した少数キャリヤと
しての電子はＰ、領域を拡散にようて接合Ｊ３に向って
運ばれるとともにＰ、領域内の不純物の濃度勾配によシ
誘起されるドリフト電界によって加速を受ける。そして
このドリフト電界はＣ，の大なる程強くなる。−刀先に
説明した如く前記電子は正孔との再結合によりて接合Ｊ
８に到達前に消滅するものがある。すなわち光照射界に
より運ばれる割合Ｍ、との相乗積に関連して定まる。（
Ｍａｃ（ｔ−Ｍ、）Ｍ、）。ところで、 Ｃｓ大ではＭ
ｌ大、Ｍ、大＊ （１−Ｍｌ）小、Ｃ１小ではＮ１小、
Ｎ８小、（１−Ｍｌ）大であるので特定のＣ１（ｃ、。
る。光照射によりＰ、領域５に発生した少数キャリヤと
しての電子はＰ、領域を拡散にようて接合Ｊ３に向って
運ばれるとともにＰ、領域内の不純物の濃度勾配によシ
誘起されるドリフト電界によって加速を受ける。そして
このドリフト電界はＣ，の大なる程強くなる。−刀先に
説明した如く前記電子は正孔との再結合によりて接合Ｊ
８に到達前に消滅するものがある。すなわち光照射界に
より運ばれる割合Ｍ、との相乗積に関連して定まる。（
Ｍａｃ（ｔ−Ｍ、）Ｍ、）。ところで、 Ｃｓ大ではＭ
ｌ大、Ｍ、大＊ （１−Ｍｌ）小、Ｃ１小ではＮ１小、
Ｎ８小、（１−Ｍｌ）大であるので特定のＣ１（ｃ、。
）でＭが最大となる。かくして”Ｊｐｔ−一定にしてＣ
１を変えるとＣ１，でＩＲが最大となる曲線が得られる
ことになる。
１を変えるとＣ１，でＩＲが最大となる曲線が得られる
ことになる。
しからばどの範囲に”ｊｐ及びＣ，の範囲を定めたら本
発明の目的とする高光感度ホトサイリスタが得られるか
を次に検討する。
発明の目的とする高光感度ホトサイリスタが得られるか
を次に検討する。
まず、従来技術によるホトサイリスタの光感度はＩＲの
値として１０μ人であるのでこれを満足するところの範
囲を求める。＠４図においてＩ、−１０μＡの線を引く
と３（、、−５９μｍの曲線とＣ５が２ Ｘ １ｏ１？
／ｃ−と２ｘｌＯ”／ｃｄの２点で交わり、Ｃ１がｌＸ
１０”／Ｃ−ではＩＲが２２鮎であることが分る。次い
で第３図において工、が２２μ人となるｘ −６０μｍ
に対応する”ｊｐのｊｐ 籠を求るとＸ、、！４３μｍを得る。すなわちＩ、７１
０μＡｔ”最低規格とした場合には、ｘｌ、として（４
３〜６０）ａｍかツＣ３とじて（２Ｘ１０１７〜２ＸＩ
Ｏ””）／Ｃ−を有するところのＰ、領域５を形成すれ
ば良ｉことになる。
値として１０μ人であるのでこれを満足するところの範
囲を求める。＠４図においてＩ、−１０μＡの線を引く
と３（、、−５９μｍの曲線とＣ５が２ Ｘ １ｏ１？
／ｃ−と２ｘｌＯ”／ｃｄの２点で交わり、Ｃ１がｌＸ
１０”／Ｃ−ではＩＲが２２鮎であることが分る。次い
で第３図において工、が２２μ人となるｘ −６０μｍ
に対応する”ｊｐのｊｐ 籠を求るとＸ、、！４３μｍを得る。すなわちＩ、７１
０μＡｔ”最低規格とした場合には、ｘｌ、として（４
３〜６０）ａｍかツＣ３とじて（２Ｘ１０１７〜２ＸＩ
Ｏ””）／Ｃ−を有するところのＰ、領域５を形成すれ
ば良ｉことになる。
更に、高光感度ホトサイリスタとして工、Ｏ値を従来の
もの０２倍の２０μ人とした場合を検討する。ｔず、Ｉ
Ｉ４図にお−て、Ｃ６が２ Ｘ １０１？、イ（及び２
Ｘ １０”／ ｃｊの２点ＫＴｈｌｎてＩ、−２０μ
Ａとなるように％ｌ、、Ｍ５Ｑμｍの曲線に相似的に曲
線を引き％Ｃ，ｔｌＸ１０”ν′Ｃ−に対する工、）値
としてＩ、−３０，５μＡｌｉ得る０次に第３図よシこ
の１．■３０．５μ人に対応するｘ、、。
もの０２倍の２０μ人とした場合を検討する。ｔず、Ｉ
Ｉ４図にお−て、Ｃ６が２ Ｘ １０１？、イ（及び２
Ｘ １０”／ ｃｊの２点ＫＴｈｌｎてＩ、−２０μ
Ａとなるように％ｌ、、Ｍ５Ｑμｍの曲線に相似的に曲
線を引き％Ｃ，ｔｌＸ１０”ν′Ｃ−に対する工、）値
としてＩ、−３０，５μＡｌｉ得る０次に第３図よシこ
の１．■３０．５μ人に対応するｘ、、。
籠として４５５ｍ及び５５μｍを得る。すなわち工Ｒｗ
ｚ２９μ人を最低規格とした場合には’ ｘＪｐトして
（４５〜５５）μｍかつＣとして（２Ｘ１０”＄ ／ｃｄ 〜２ ｘ １０”／ｃｓａ）／ｃｍを有すると
ころノＰ。
ｚ２９μ人を最低規格とした場合には’ ｘＪｐトして
（４５〜５５）μｍかつＣとして（２Ｘ１０”＄ ／ｃｄ 〜２ ｘ １０”／ｃｓａ）／ｃｍを有すると
ころノＰ。
領域５を形成すれば良いことになる。
＠５図は以上の検討結果から得られたものを図示したも
のである。なお図の表し方は繭と同様である。
のである。なお図の表し方は繭と同様である。
第５図から本発明のホトサイリスタは、Ｐ、領域として
弐面不純吻濃度Ｃ１を（２Ｘ１０１７〜２ｘｘＯ”）／
ｃｄかつ一合Ｊ、 Ｏ深さＸ、、ｔ（４３〜６０）μｍ
を有するよう形成されて−るので、光感度はＩＩｌとし
て従来のものの値であるｌＯμ人よりは４倍近くも大き
ｖｈ（［のものまで容易に得られることが分る。
弐面不純吻濃度Ｃ１を（２Ｘ１０１７〜２ｘｘＯ”）／
ｃｄかつ一合Ｊ、 Ｏ深さＸ、、ｔ（４３〜６０）μｍ
を有するよう形成されて−るので、光感度はＩＩｌとし
て従来のものの値であるｌＯμ人よりは４倍近くも大き
ｖｈ（［のものまで容易に得られることが分る。
更に、高光感度のもＯｅ）みが必要な場合には、Ｃｓ
ｔ （２Ｘ １０ ” 〜２ Ｘ １０ ’ ” ）
／ ７かり”Ｉｔ町（４５〜５５）μｍとすることに
よｐ工、の値が従来のものの２倍である２０μＡ以上の
よｐ 一層高光感度のホト・サイリスタを容易に得るこ
とかで自る。
ｔ （２Ｘ １０ ” 〜２ Ｘ １０ ’ ” ）
／ ７かり”Ｉｔ町（４５〜５５）μｍとすることに
よｐ工、の値が従来のものの２倍である２０μＡ以上の
よｐ 一層高光感度のホト・サイリスタを容易に得るこ
とかで自る。
であるところの耐圧とｄｖ／ｄｔは、本発明のホトサイ
リスタはＰ、領域５０表面不純物濃度Ｃ８を従来よりも
高くしであるのでｄｖ／ｄｔ は従来のものよりも大
となる。又接合Ｊ、の深さを深くしであるので、Ｊ、
Ｏ底部両端における曲率中径ｒはより大舞くなシ従うて
耐圧もより高くなる。（これらはいずれも実験的にも確
められて−る。）これまでの説明にお―ては、シリコ／
基板１としてＮ＠の場合を採り上げたけれども、これが
Ｐ鉦の場合におりても同様に本発明が適用で愈ることは
言うまでもな−。
リスタはＰ、領域５０表面不純物濃度Ｃ８を従来よりも
高くしであるのでｄｖ／ｄｔ は従来のものよりも大
となる。又接合Ｊ、の深さを深くしであるので、Ｊ、
Ｏ底部両端における曲率中径ｒはより大舞くなシ従うて
耐圧もより高くなる。（これらはいずれも実験的にも確
められて−る。）これまでの説明にお―ては、シリコ／
基板１としてＮ＠の場合を採り上げたけれども、これが
Ｐ鉦の場合におりても同様に本発明が適用で愈ることは
言うまでもな−。
以上詳細に説明したとおり１本発明の光感応シリコンプ
レーナ形サイリスタは、＠２導電型のペース領域として
弐面不純物濃度が（２Ｘ１０ 〜２Ｘ１０” ） ／
ａｌ並びにそＯ接合深さが（４３−６０）μｍとそれぞ
れ従来のものよシも大きく、かつそれぞれの光感度に対
ｆ、ｈ最大値を有するところの感度曲線に基づいて従来
のものよりも大話な光感度が得られるようにそれらの範
囲は定めであるので、光感度は平均として従来のものの
約（２〜３）倍の高光感度を有するとともに耐圧並びｙ
Ｃｄ ｖ ／ｄｔの一層大きな高光感度・高耐圧・高ｄ
ｖ／ｄｔ特性の光感応シリーンプレーナ形サイリスタを
提供できることになシその効果は大である。
レーナ形サイリスタは、＠２導電型のペース領域として
弐面不純物濃度が（２Ｘ１０ 〜２Ｘ１０” ） ／
ａｌ並びにそＯ接合深さが（４３−６０）μｍとそれぞ
れ従来のものよシも大きく、かつそれぞれの光感度に対
ｆ、ｈ最大値を有するところの感度曲線に基づいて従来
のものよりも大話な光感度が得られるようにそれらの範
囲は定めであるので、光感度は平均として従来のものの
約（２〜３）倍の高光感度を有するとともに耐圧並びｙ
Ｃｄ ｖ ／ｄｔの一層大きな高光感度・高耐圧・高ｄ
ｖ／ｄｔ特性の光感応シリーンプレーナ形サイリスタを
提供できることになシその効果は大である。
第１図は従来のホトサイリスタの構造を示す模式的断面
図、第２図はホトサイリスタの試験回路図、第３図は接
合Ｊ、 Ｏ深さｘ３９対光電流工、特性曲線図、第４図
及び＠５図は”ｊｐをパラメータとしたＰ、領域の異面
不純物濃度゛Ｃ１対光電流−特性曲線図である。 １・・・・・・Ｎ＠のシリコ／基板、２・・・・・・突
接は層、３・・・・・・Ｐａ１のエミッタ領域（Ｐ、領
域）４・・・・・・Ｎ型のペース領域（Ｎ、領域）％５
・・・・・・Ｐｇのペース領域（Ｐ、領域）、６・・・
・・・Ｎ１１のエミッタ領域（Ｎ、 領域）、７・・
・・・・ホトサイリスタ、８・・・・・・ノ（イアスミ
源、９・・・・・・電流針、１０・・・・・・ホトダイ
オ−ド（ＬＥＤ）、Ｊｌ、Ｊ、、Ｊ、−−−−−−接合
、”ｊｐ”””接合ＪｌＯ深さ、Ｃ１・・・・・・領域
Ｐ、Ｏ表面不純物濃度。 ト で ５ 袷 ミ ま 膓Ｓ２―戦
ご（１） 扁 ５ 砲 タ ミ （呆修櫨ζ
（１）
図、第２図はホトサイリスタの試験回路図、第３図は接
合Ｊ、 Ｏ深さｘ３９対光電流工、特性曲線図、第４図
及び＠５図は”ｊｐをパラメータとしたＰ、領域の異面
不純物濃度゛Ｃ１対光電流−特性曲線図である。 １・・・・・・Ｎ＠のシリコ／基板、２・・・・・・突
接は層、３・・・・・・Ｐａ１のエミッタ領域（Ｐ、領
域）４・・・・・・Ｎ型のペース領域（Ｎ、領域）％５
・・・・・・Ｐｇのペース領域（Ｐ、領域）、６・・・
・・・Ｎ１１のエミッタ領域（Ｎ、 領域）、７・・
・・・・ホトサイリスタ、８・・・・・・ノ（イアスミ
源、９・・・・・・電流針、１０・・・・・・ホトダイ
オ−ド（ＬＥＤ）、Ｊｌ、Ｊ、、Ｊ、−−−−−−接合
、”ｊｐ”””接合ＪｌＯ深さ、Ｃ１・・・・・・領域
Ｐ、Ｏ表面不純物濃度。 ト で ５ 袷 ミ ま 膓Ｓ２―戦
ご（１） 扁 ５ 砲 タ ミ （呆修櫨ζ
（１）
Claims (1)
- ＠ｌ導電ＷＩＯシリラ／基板に実技は層を有する＠２導
電型のエミッタ領域と第１導電型のベース領域と第２導
電型のベース領域と第１導電型のエミッタ領域と０４層
が順次相隣接して形成されてなる光感応シリコンブレー
ナ形すイリスタにおいて、前記ｗｉ２導電導電ｍ−ペー
ス領域面不純物濃＆カ（２Ｘ １０”〜２ ｘ １０”
）／ｃ４がりその接合深さが（４３〜６０）μｍである
ことを特徴とする光感応シリコ／プレーナ形サイリスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123270A JPS5823477A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 光感応シリコンプレ−ナ形サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123270A JPS5823477A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 光感応シリコンプレ−ナ形サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823477A true JPS5823477A (ja) | 1983-02-12 |
| JPH0136265B2 JPH0136265B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=14856400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56123270A Granted JPS5823477A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 光感応シリコンプレ−ナ形サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823477A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53164773U (ja) * | 1977-05-31 | 1978-12-23 | ||
| JPS5412574A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Shindengen Electric Mfg | Photosensitive thyristor |
| JPS54102993A (en) * | 1978-01-31 | 1979-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-05 JP JP56123270A patent/JPS5823477A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53164773U (ja) * | 1977-05-31 | 1978-12-23 | ||
| JPS5412574A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Shindengen Electric Mfg | Photosensitive thyristor |
| JPS54102993A (en) * | 1978-01-31 | 1979-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136265B2 (ja) | 1989-07-31 |
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