JPS5823738B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5823738B2 JPS5823738B2 JP48014396A JP1439673A JPS5823738B2 JP S5823738 B2 JPS5823738 B2 JP S5823738B2 JP 48014396 A JP48014396 A JP 48014396A JP 1439673 A JP1439673 A JP 1439673A JP S5823738 B2 JPS5823738 B2 JP S5823738B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- conductivity type
- region
- molybdenum
- metal molybdenum
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体基板の一導電型領域と外部配線との接続は基板表
面に被着された絶縁層の前記領域の上に位置する部分に
開孔を設け、該開孔を通じて導電型領域に電極金属を被
着して行なう。
面に被着された絶縁層の前記領域の上に位置する部分に
開孔を設け、該開孔を通じて導電型領域に電極金属を被
着して行なう。
しかし、前記導電型領域と前記接続用開孔の位置合かせ
が困難で、予、しめ導電型領域を大きく形成する必要が
あった。
が困難で、予、しめ導電型領域を大きく形成する必要が
あった。
この事が半導体装置、特に集積回路の集積度を低下する
原因となっていた。
原因となっていた。
また集積回路等の電極形成には電極材料となる金属が直
接半導体基板とコンタクトを形成するのが好ましく、そ
の為には容易に半導体とオーミックコンタクトを形成す
るアルミニウムが多用されているが、アルミニウムを用
いた場合には上記した導電型領域と接続用開孔との位置
合せの誤差を補償する事は出来ない。
接半導体基板とコンタクトを形成するのが好ましく、そ
の為には容易に半導体とオーミックコンタクトを形成す
るアルミニウムが多用されているが、アルミニウムを用
いた場合には上記した導電型領域と接続用開孔との位置
合せの誤差を補償する事は出来ない。
本発明はこのような問題点に鑑みて為されたものであっ
て、電極形成の為に良好なコンタクトを得ると同時に、
位置合せ誤差をも補償せんとしたもので、以下に本発明
の実施例を図面を参照しつつ詳述する。
て、電極形成の為に良好なコンタクトを得ると同時に、
位置合せ誤差をも補償せんとしたもので、以下に本発明
の実施例を図面を参照しつつ詳述する。
第１図に於て、１は一導電型半導体基板、例えばＮ型の
シリコン基板で、適宜の箇所にＰ型の不純物を拡散して
形成したＰ型頭域２，２．２が形成されている。
シリコン基板で、適宜の箇所にＰ型の不純物を拡散して
形成したＰ型頭域２，２．２が形成されている。
３は基板表面を保護すべく設けられた酸化シリコン膜等
から成る表面保護膜、４゜４．４は上記Ｐ型頭域２，２
．２を露出すべく表面保護膜３に穿たれた開孔で、通常
はとの開孔４゜４．４は各Ｐ型頭域２，２．２の表面部
分を露出させるものであるが、開孔４，４．４を穿つだ
めの位置合せの際の誤差に依ってとの開孔４，４゜４は
往々にしてＰ型頭域２，２．２以外のＮ型基板表面５を
も露出させてしまう場合がある。
から成る表面保護膜、４゜４．４は上記Ｐ型頭域２，２
．２を露出すべく表面保護膜３に穿たれた開孔で、通常
はとの開孔４゜４．４は各Ｐ型頭域２，２．２の表面部
分を露出させるものであるが、開孔４，４．４を穿つだ
めの位置合せの際の誤差に依ってとの開孔４，４゜４は
往々にしてＰ型頭域２，２．２以外のＮ型基板表面５を
も露出させてしまう場合がある。
次工程としては第２図に示す如く、斯る基板１にｐ ｉ
、４＋不純物の硼素（Ｂ）を添加しながらモリブデン（
Ｍ ｏ ）を被着し、硼素添加モリブデン薄膜６を形成
する。
、４＋不純物の硼素（Ｂ）を添加しながらモリブデン（
Ｍ ｏ ）を被着し、硼素添加モリブデン薄膜６を形成
する。
この際塩化モリブデン（ＭｏＣ１５）の水素還元法によ
ってモリブデンを前記基板１に被着させながら、臭化硼
素（ＢＢｒ３）ガスを送って硼素を添加した。
ってモリブデンを前記基板１に被着させながら、臭化硼
素（ＢＢｒ３）ガスを送って硼素を添加した。
上記モリブデン薄膜６は５０００久だつた。
次に上記基板１を水素雰囲気で１１”０．０℃の温度下
に２０分間放置し、モリブデン薄膜６中の硼素（Ｂ）を
上記基板露出表面５に拡散させた結果、第３図に示すよ
うにモリブデン薄膜６と直接接１した基板表面５にＰ型
の拡散補充層７が形成される。
に２０分間放置し、モリブデン薄膜６中の硼素（Ｂ）を
上記基板露出表面５に拡散させた結果、第３図に示すよ
うにモリブデン薄膜６と直接接１した基板表面５にＰ型
の拡散補充層７が形成される。
この拡散補充層７はＰ型領域２と同導電型であるので、
電気的に連結された状態にあり、結果的にこの補充層７
がモリブデン薄膜６と基板表面５と直接コンタクトする
のを防止する働きをしている。
電気的に連結された状態にあり、結果的にこの補充層７
がモリブデン薄膜６と基板表面５と直接コンタクトする
のを防止する働きをしている。
またモリブデン薄膜６とＰ型領域２，２゜２とのコンタ
クトはモリブデン薄膜６にＰ型の不純物が添加されてい
るので、非常に安定したオーミックコンタクトを為して
いる。
クトはモリブデン薄膜６にＰ型の不純物が添加されてい
るので、非常に安定したオーミックコンタクトを為して
いる。
以上の説明から明らかな如く、本発明は基板表面の一導
電型領域を露出させる為の開孔を絶縁膜に設け、との開
孔を通じて一導電型領域と同導電型の不純物を添加しな
がら金属モリブデンを基板表面に被着し、その後の加熱
処理に依って金属モリブデンに添加した不純物を上記開
孔を介して露出した基板表面に拡散して上記−導電型領
域につながった一導電型の拡散補充層を形成しているの
で、基板と金属モリブデンとの直接コンタクトカ防止さ
れ、上記開孔の中心が一導電型領域の中心からずれても
該！孔下の一導電型領域を補充する事が出来、モリブデ
ンが上記−導電型領域以外と不所望に接触する事がない
。
電型領域を露出させる為の開孔を絶縁膜に設け、との開
孔を通じて一導電型領域と同導電型の不純物を添加しな
がら金属モリブデンを基板表面に被着し、その後の加熱
処理に依って金属モリブデンに添加した不純物を上記開
孔を介して露出した基板表面に拡散して上記−導電型領
域につながった一導電型の拡散補充層を形成しているの
で、基板と金属モリブデンとの直接コンタクトカ防止さ
れ、上記開孔の中心が一導電型領域の中心からずれても
該！孔下の一導電型領域を補充する事が出来、モリブデ
ンが上記−導電型領域以外と不所望に接触する事がない
。
従って従来の方法のように上記両者の中心のずれを予定
して一導電型領域の面積をオーミックコンタクトを得る
為の開孔より大きくしておく必要がなくなり、半導体基
板内に設けるコンタクトの為の領域の面積を小さく出来
、基板内の収容能力が大きくなって半導体装置、特に集
積回路の高集積化を促進する事が出来る。
して一導電型領域の面積をオーミックコンタクトを得る
為の開孔より大きくしておく必要がなくなり、半導体基
板内に設けるコンタクトの為の領域の面積を小さく出来
、基板内の収容能力が大きくなって半導体装置、特に集
積回路の高集積化を促進する事が出来る。
また金属モリブデンと半導体とのオーミックコンタクト
は単なる熱処理だけでは得難いものとされているが、本
発明に於けるようにコンタクトを得んとする導電型と同
導電型の不純物をモリブデンに添加した状態で熱処理す
る方法を採用すれば、半導体とモリブデンとの間で良好
なオーミックコンタクトを得る事が出来、集積回路に於
けるオーミックコンタクトを容易に形成する事が可能と
なる。
は単なる熱処理だけでは得難いものとされているが、本
発明に於けるようにコンタクトを得んとする導電型と同
導電型の不純物をモリブデンに添加した状態で熱処理す
る方法を採用すれば、半導体とモリブデンとの間で良好
なオーミックコンタクトを得る事が出来、集積回路に於
けるオーミックコンタクトを容易に形成する事が可能と
なる。
第１図乃至第３図は本発明方法を工程順に示した断面図
であって、２はＰ型領域、４は開孔、５は露出基板表面
、６はモリブデン薄膜、７は拡散補充層、を夫々示して
いる。
であって、２はＰ型領域、４は開孔、５は露出基板表面
、６はモリブデン薄膜、７は拡散補充層、を夫々示して
いる。
Claims (1)
- １ 半導体基板表面に被着された絶縁膜に上記基板表面
に選択的に設けられた一導電型領域を露出させる為の開
孔を設け、該開孔を通して露出した基板表面に一導電型
の不純物を添加しながら金属モリブデンを成長させ、次
に熱処理する事に依って金属モリブデンに添加された不
純物を露出基板表面から拡散し、その金属モリブデンは
、上記−導電型領域に対してはオーミックコンタクトを
得ると共に、一導電型領域以外の基板表面に対してはと
の一導電型領域につながっだ一導電型の拡散補充層を形
成して基板と金属モリブデンとの直接コンタクトを防止
した事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48014396A JPS5823738B2 (ja) | 1973-02-05 | 1973-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48014396A JPS5823738B2 (ja) | 1973-02-05 | 1973-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49104588A JPS49104588A (ja) | 1974-10-03 |
| JPS5823738B2 true JPS5823738B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=11859878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48014396A Expired JPS5823738B2 (ja) | 1973-02-05 | 1973-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823738B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268236U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 | ||
| JPH0268232U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 | ||
| JPH0268233U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57153449A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Nec Corp | Integrated circuit device |
-
1973
- 1973-02-05 JP JP48014396A patent/JPS5823738B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268236U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 | ||
| JPH0268232U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 | ||
| JPH0268233U (ja) * | 1989-10-26 | 1990-05-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS49104588A (ja) | 1974-10-03 |
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