JPS59155178A - シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置 - Google Patents
シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置Info
- Publication number
- JPS59155178A JPS59155178A JP59005557A JP555784A JPS59155178A JP S59155178 A JPS59155178 A JP S59155178A JP 59005557 A JP59005557 A JP 59005557A JP 555784 A JP555784 A JP 555784A JP S59155178 A JPS59155178 A JP S59155178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier diode
- semiconductor device
- film
- shotgun
- schottky barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シ言ットキバリアダイオ・−ドを有するバイ
ポーラＩＣ１ＭＴＳＴＣなどの半導体装置に関する。
ポーラＩＣ１ＭＴＳＴＣなどの半導体装置に関する。
従来、ショットキバリアダイオードは、半導体とバリア
メタルとの接触によって生ずる電位障壁を利用したもの
であるため、バリア周辺部をガードリング構造−ＩＰＭ
Ｏ８構造として、その周辺部における電界集中をやわら
げたり、結晶の不完全性を改善して、逆方向電圧−電流
特性等の性能向上を行なっているのが一般的である。
メタルとの接触によって生ずる電位障壁を利用したもの
であるため、バリア周辺部をガードリング構造−ＩＰＭ
Ｏ８構造として、その周辺部における電界集中をやわら
げたり、結晶の不完全性を改善して、逆方向電圧−電流
特性等の性能向上を行なっているのが一般的である。
しかしながら、バイポーラＩＣやＭＩＳＩＣ等に組み込
んだショットキバリアダイオードにおいては、ガードリ
ング構造やＭＯ８構造をとることにより、それらを形成
するためのマスク合わせ余裕等が必要となり、Ｘ子面積
が大となり、ＩＣの集積度を向上させるための大きな制
約となっている。
んだショットキバリアダイオードにおいては、ガードリ
ング構造やＭＯ８構造をとることにより、それらを形成
するためのマスク合わせ余裕等が必要となり、Ｘ子面積
が大となり、ＩＣの集積度を向上させるための大きな制
約となっている。
そこで１本発明者は、ガードリング構造やＭＯ８構造を
採用することなく所期の特性が得られ、素子面積が可及
的小なるショットキバリアダイオードを組み込んだバイ
ポーラＩＣ等の半導体装置を検討した。
採用することなく所期の特性が得られ、素子面積が可及
的小なるショットキバリアダイオードを組み込んだバイ
ポーラＩＣ等の半導体装置を検討した。
このような目的を達成するために１本発明は。
半導体鎖酸とバリアメタルとの周辺界面の少な（とも一
部領域に１選択熱酸化処理をもって形成されたフィール
ド酸１ヒ膜が介在してなるショットキバリアダイオード
を有する半導体装置を検討した。
部領域に１選択熱酸化処理をもって形成されたフィール
ド酸１ヒ膜が介在してなるショットキバリアダイオード
を有する半導体装置を検討した。
以下１本発明者が検討したショットキバリアダイオード
を有するＩＣを図面を参照しながら具体的に詳述するう 第１図は１本発明者が検討したＩＣにおけるショットキ
バリアダイオードを示す断面図である。
を有するＩＣを図面を参照しながら具体的に詳述するう 第１図は１本発明者が検討したＩＣにおけるショットキ
バリアダイオードを示す断面図である。
同図において、１ｆｌＮ型シリコン領域でバイポーラＩ
ＣにおけるＮ型エピタキシャル層、ＭＯ８ＩＣにおける
Ｎ型シリコン基板等で、ショットキバリアダイオードに
おける半導体領域である。、２に、フィールド酸化シリ
コン膜で、ナイトライド膜を酸化抑止膜とした選択熱酸
化処理により形成したもので、ＬＯＣＯ８構造またはア
イソプレーナ構造のもので、バイポーラＩＣにおいてに
、アイソレーション領域にも使用年れるものである。こ
の酸化シリコン膜２の形状は、図示するように、ナイト
ライド膜下の周辺においてバードビークが形成されてい
るものである。、３１ｄ、バリアメタルであり、ＩＣの
配線金属として使用されるアルミニウムあるいは白金、
タングステン、クロム、モリブデン等を下地膜とし、そ
の上に電極用導電体膜を重層したものである。
ＣにおけるＮ型エピタキシャル層、ＭＯ８ＩＣにおける
Ｎ型シリコン基板等で、ショットキバリアダイオードに
おける半導体領域である。、２に、フィールド酸化シリ
コン膜で、ナイトライド膜を酸化抑止膜とした選択熱酸
化処理により形成したもので、ＬＯＣＯ８構造またはア
イソプレーナ構造のもので、バイポーラＩＣにおいてに
、アイソレーション領域にも使用年れるものである。こ
の酸化シリコン膜２の形状は、図示するように、ナイト
ライド膜下の周辺においてバードビークが形成されてい
るものである。、３１ｄ、バリアメタルであり、ＩＣの
配線金属として使用されるアルミニウムあるいは白金、
タングステン、クロム、モリブデン等を下地膜とし、そ
の上に電極用導電体膜を重層したものである。
上記の例においては、バリアメタ／Ｉ／３とＮ型シリコ
ン領域ｌとの周辺界面の全部をバードビーク形状を有す
る酸化シリコン膜２により介在させている構造としてい
る。
ン領域ｌとの周辺界面の全部をバードビーク形状を有す
る酸化シリコン膜２により介在させている構造としてい
る。
上述したように、上記のＩＣにおけるショットキバリア
ダイオードは、バリアメタル３とＮＳシリコン（半導体
）領域１との周辺界面にバードビーク形状の酸化シリコ
ン膜２を介在させてなるものであるため、その領域での
電界集中をバードビーク形状の酸化シリコン膜２によっ
て緩和すると共に、結晶欠陥等の発生が防止できる。こ
れは、バードビーク形状の酸化シリコン膜１は、連続的
に膜厚が変化してなり、従来のＭＯ８構造のものに酷似
した効果を奏するためで、このバードビーク形状のもの
に、選択熱酸化により酸化シリコン膜２を形成する際、
自然にできるものである。そのため、上記の例は、従来
のガードリング構造や′ＭＯ８構造と採用して、素子面
積を大とする必要がなく、逆方向電圧−電流特性がより
、リーク電流が極めて小さい、す□ぐれた性能のショッ
トキバリアダイオードである。また、このショットキバ
リアダイオードは、その製作において、極めて簡易であ
る。
ダイオードは、バリアメタル３とＮＳシリコン（半導体
）領域１との周辺界面にバードビーク形状の酸化シリコ
ン膜２を介在させてなるものであるため、その領域での
電界集中をバードビーク形状の酸化シリコン膜２によっ
て緩和すると共に、結晶欠陥等の発生が防止できる。こ
れは、バードビーク形状の酸化シリコン膜１は、連続的
に膜厚が変化してなり、従来のＭＯ８構造のものに酷似
した効果を奏するためで、このバードビーク形状のもの
に、選択熱酸化により酸化シリコン膜２を形成する際、
自然にできるものである。そのため、上記の例は、従来
のガードリング構造や′ＭＯ８構造と採用して、素子面
積を大とする必要がなく、逆方向電圧−電流特性がより
、リーク電流が極めて小さい、す□ぐれた性能のショッ
トキバリアダイオードである。また、このショットキバ
リアダイオードは、その製作において、極めて簡易であ
る。
第２図は１本発明の実施例を示す素子要部の断面図でＴ
ｈｅ、バリアメタル３とＮ型シリコン領域１との周辺界
面の一部にガードリング用Ｐ＋型層４を設け、その上に
通常の絶縁膜５を設けているものであろう他の領域はバ
ードビークをもつ酸化シリコン膜２である。
ｈｅ、バリアメタル３とＮ型シリコン領域１との周辺界
面の一部にガードリング用Ｐ＋型層４を設け、その上に
通常の絶縁膜５を設けているものであろう他の領域はバ
ードビークをもつ酸化シリコン膜２である。
これは、バリアメタル３とＮ型シリコン領域１との周辺
界面を設計仕様上バードビークをもつ酸イヒシリコン膜
２により介在させることができない場合に有効である。
界面を設計仕様上バードビークをもつ酸イヒシリコン膜
２により介在させることができない場合に有効である。
本発明は、アイソプレーナ構造のバイポーラＩＣやＬＯ
ＣＯ８構造のＭＩＳＩＣ等の選択熱酸化により絶縁膜を
形成する半導体装置におけるショットキバリアダイオー
ドに適用できるものである。
ＣＯ８構造のＭＩＳＩＣ等の選択熱酸化により絶縁膜を
形成する半導体装置におけるショットキバリアダイオー
ドに適用できるものである。
第１図は本発明者が検討したＩＣにおけるショットキバ
リアダイオードを示す断面図、第２図は本発明の実施例
を示す断面図である。 １・・・Ｎ型シリコンウエーノ・、２・・・選択熱酸化
により設けたバードビークをもつ酸化シリコン膜、３・
・・バリアメタル、４・・・Ｐ＋型層、５・・・醸化シ
リコン膜。
リアダイオードを示す断面図、第２図は本発明の実施例
を示す断面図である。 １・・・Ｎ型シリコンウエーノ・、２・・・選択熱酸化
により設けたバードビークをもつ酸化シリコン膜、３・
・・バリアメタル、４・・・Ｐ＋型層、５・・・醸化シ
リコン膜。
Claims (1)
- １、第１導電をの半導体領域とバリアメタルとの周辺界
面の少なくとも一部領域に選択酸化処理なもって形成さ
れた酸化膜が介在し、前記第１導電型の半導体領域の１
部には上記バリアメタルと接する第２導電型の半導体領
域を有することを特徴とするショットキバリアダイオー
ドを有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005557A JPS59155178A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005557A JPS59155178A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5532477A Division JPS53140979A (en) | 1977-05-16 | 1977-05-16 | Semiconductor device having schottky barrier diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155178A true JPS59155178A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=11614497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005557A Pending JPS59155178A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011175A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Canon Inc | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
| JP2017085184A (ja) * | 2017-02-14 | 2017-05-18 | キヤノン株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59005557A patent/JPS59155178A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011175A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Canon Inc | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
| US9553211B2 (en) | 2012-06-27 | 2017-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and apparatus using the same |
| JP2017085184A (ja) * | 2017-02-14 | 2017-05-18 | キヤノン株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
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