JPS5824382B2 - ゲルマニウムサンビスマスハクマクノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ゲルマニウムサンビスマスハクマクノ セイゾウホウホウInfo
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- JPS5824382B2 JPS5824382B2 JP50034121A JP3412175A JPS5824382B2 JP S5824382 B2 JPS5824382 B2 JP S5824382B2 JP 50034121 A JP50034121 A JP 50034121A JP 3412175 A JP3412175 A JP 3412175A JP S5824382 B2 JPS5824382 B2 JP S5824382B2
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- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ゲルマニウム酸ビスマスＢｉ１□ＧｅＯ２０
薄膜、特に体心立方構造の薄膜を製造する方法に関する
ものである。
薄膜、特に体心立方構造の薄膜を製造する方法に関する
ものである。
ゲルマニウム酸ビスマス結晶は体心立方構造をもつ圧電
体で、その圧電定数はｅ１４＝ｏ、９ｓｃ／ｍ２と非常
に大きく、超音波トランスデユーサの材料として極めて
有用である。
体で、その圧電定数はｅ１４＝ｏ、９ｓｃ／ｍ２と非常
に大きく、超音波トランスデユーサの材料として極めて
有用である。
また、その音速は他の圧電材料に比べて著しく遅く、た
とえばニオブ酸リチウムＬ ｉ Ｎ ｂ ０３の約１／
２である。
とえばニオブ酸リチウムＬ ｉ Ｎ ｂ ０３の約１／
２である。
そのため、超音波遅延線として用いた場合、単位長さ当
りの遅延時間が長くなり、それだけ小形化さイするとい
う点で優れている。
りの遅延時間が長くなり、それだけ小形化さイするとい
う点で優れている。
その他このゲルマニウム酸ビスマスは顕著な光弾性効果
や電気光学効果を示すので、光偏向や光変調素子の材料
としても有用である。
や電気光学効果を示すので、光偏向や光変調素子の材料
としても有用である。
このようなゲルマニウム酸ビスマスは回転引上法により
良好なバルク単結晶を成長させることができるが、薄膜
結晶については、これまで良好なものが得られていなか
った。
良好なバルク単結晶を成長させることができるが、薄膜
結晶については、これまで良好なものが得られていなか
った。
これまでにも気相エピタキシャル法によりゲルマニウム
酸ビスマス薄膜を成長させることが試られているけれど
も、ゲルマニウム酸ビスマス単結晶を基板として使用し
ても、得られた膜は不連続で、実用にならないものであ
った。
酸ビスマス薄膜を成長させることが試られているけれど
も、ゲルマニウム酸ビスマス単結晶を基板として使用し
ても、得られた膜は不連続で、実用にならないものであ
った。
発明者らは、このように、これまで得られていなかった
良好なゲルマニウム酸ビスマス結晶性薄膜を、イオン衝
撃による蒸着機構を利用した蒸着方法、すなわらスパッ
タリング法を適用することにより、任意の基板上に容易
に成長させる方法を見出した。
良好なゲルマニウム酸ビスマス結晶性薄膜を、イオン衝
撃による蒸着機構を利用した蒸着方法、すなわらスパッ
タリング法を適用することにより、任意の基板上に容易
に成長させる方法を見出した。
本発明は、このスパッタリング法によりゲルマニウム酸
ビスマスからなる結晶性薄膜の製造方法を提供しようと
するものである。
ビスマスからなる結晶性薄膜の製造方法を提供しようと
するものである。
本発明の方法により製造した結晶性薄膜を用いることに
より、高効率でかつマイクロ波領域にも及ぶ超音波（体
積弾性波）のトランスデユーサが得られる。
より、高効率でかつマイクロ波領域にも及ぶ超音波（体
積弾性波）のトランスデユーサが得られる。
また表面弾性波トランスデユーサについても、高価なバ
ルク単結晶を用いることなく、容易にかつ大量に製造す
ることができる。
ルク単結晶を用いることなく、容易にかつ大量に製造す
ることができる。
その他、この薄膜を光導波路とし、光偏向や光変調素子
を構成することができ、優れた光集積回路の材料となり
得る。
を構成することができ、優れた光集積回路の材料となり
得る。
以下、本発明の方法を実施例により説明する。
ここで述べる実施例は、高周波スパッタリング法により
薄膜を形成するものである。
薄膜を形成するものである。
すなわち排気部を有する気密容器内に薄膜の原料物質よ
りなる電極（ターゲット電極）、および薄膜を形成すべ
き基板を装着した金属電極を対向させて設置し、容器内
に微量の雰囲気ガスを満たすとともに、両電極間に高周
波電圧を印加して放電を生じさせる。
りなる電極（ターゲット電極）、および薄膜を形成すべ
き基板を装着した金属電極を対向させて設置し、容器内
に微量の雰囲気ガスを満たすとともに、両電極間に高周
波電圧を印加して放電を生じさせる。
電離したガス分子の衝突により原料物質がスパッタリン
グ蒸発し、基板上に膜として形成される。
グ蒸発し、基板上に膜として形成される。
ターゲット電極にはたとえばゲルマニウム酸ビスマスの
多結晶焼結体を用いる。
多結晶焼結体を用いる。
雰囲気ガスはアルゴンと酸素の混合ガスが適しており、
その混合比は１例として１：１（容量比）である。
その混合比は１例として１：１（容量比）である。
基板は後述の基板温度に耐える物質であれば任意の材料
を用いることができ、無定形物質たとえば通常のガラス
および結晶性物質、たとえばシリコン単結晶などのいず
れでも用いることができる。
を用いることができ、無定形物質たとえば通常のガラス
および結晶性物質、たとえばシリコン単結晶などのいず
れでも用いることができる。
薄膜の形成速度は広範囲に選ぶことができるが、たとえ
ば０．１〜１μｍ／時が好適である。
ば０．１〜１μｍ／時が好適である。
この場合、発明者らは、基板温度が３５０〜９３０℃の
範囲にお。
範囲にお。
いて圧電性を有する体心立方構造のゲルマニウム酸ビス
マス薄膜が形成されることを見出した。
マス薄膜が形成されることを見出した。
すなわち基板温度が３５０℃より低い場合、形成された
膜は無定形あるいは体心立方構造以外の構造をもつ結晶
となり、圧電性を有しない。
膜は無定形あるいは体心立方構造以外の構造をもつ結晶
となり、圧電性を有しない。
また、基板温度が９３０℃より高くなると、形成された
膜は溶融し、均一な膜が得られにくい。
膜は溶融し、均一な膜が得られにくい。
したがって上記の体心立方構造の膜は、上記基板温度が
３５０〜９３０℃の範囲で形成される。
３５０〜９３０℃の範囲で形成される。
実際にはなるべく低い基板温度が望ましいが、下限の３
５０°Ｃ付近では目的外の構造の結晶が混在する可能性
があるため、温度制御に留意しなければならない。
５０°Ｃ付近では目的外の構造の結晶が混在する可能性
があるため、温度制御に留意しなければならない。
基板温度としては４００〜５００℃がもつとも推奨でき
る範囲であった。
る範囲であった。
以上の方法で製造したゲルマニウム酸ビスマス薄膜は、
従来得られなかった一様で良好な結晶性を示し、高い実
用価値を有するものである。
従来得られなかった一様で良好な結晶性を示し、高い実
用価値を有するものである。
以上に述べた実施例は、高周波スパッタリング法による
ものであるが、これと同様のイオン衝撃に基く蒸発機構
を利用した他の蒸着方法、たとえば直流スパッタリング
法、イオンビーム蒸着法によっても同様に基板温度を前
記範囲内に選ぶことによって良好な薄膜を形成すること
ができる。
ものであるが、これと同様のイオン衝撃に基く蒸発機構
を利用した他の蒸着方法、たとえば直流スパッタリング
法、イオンビーム蒸着法によっても同様に基板温度を前
記範囲内に選ぶことによって良好な薄膜を形成すること
ができる。
Claims (1)
- １ イオン衝撃による蒸着機構を利用した蒸着方法を用
いて、ゲルマニウム酸ビスマスからなるターゲットをス
パッタリング蒸発させ、３５０〜９３０°Ｃの温度に保
たれた基板上に付着させて、体心立方構造の薄膜を形成
することを特徴とするゲルマニウム酸ビスマス薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50034121A JPS5824382B2 (ja) | 1975-03-20 | 1975-03-20 | ゲルマニウムサンビスマスハクマクノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50034121A JPS5824382B2 (ja) | 1975-03-20 | 1975-03-20 | ゲルマニウムサンビスマスハクマクノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51109300A JPS51109300A (en) | 1976-09-28 |
| JPS5824382B2 true JPS5824382B2 (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=12405409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50034121A Expired JPS5824382B2 (ja) | 1975-03-20 | 1975-03-20 | ゲルマニウムサンビスマスハクマクノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824382B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102575339B (zh) * | 2009-10-13 | 2014-03-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质 |
| CN102597303B (zh) * | 2009-11-20 | 2014-08-27 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质 |
-
1975
- 1975-03-20 JP JP50034121A patent/JPS5824382B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51109300A (en) | 1976-09-28 |
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