JPS59143384A - 配向性金属薄膜の製造法 - Google Patents
配向性金属薄膜の製造法Info
- Publication number
- JPS59143384A JPS59143384A JP58016506A JP1650683A JPS59143384A JP S59143384 A JPS59143384 A JP S59143384A JP 58016506 A JP58016506 A JP 58016506A JP 1650683 A JP1650683 A JP 1650683A JP S59143384 A JPS59143384 A JP S59143384A
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- JP
- Japan
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- gold
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は撮像素子、焦電素子、圧電素子２発光素子、受
光素子、および各種センサー等の電極、さらには電子回
路の作製に応用される配向性金属薄膜の製造法に関する
ものである。
光素子、および各種センサー等の電極、さらには電子回
路の作製に応用される配向性金属薄膜の製造法に関する
ものである。
従来例の構成とその問題点
近年薄膜化した電子材料の開発がさかんに行なわれてい
る。特に、焦電効果といっだ結晶体の特定の性質を有効
に利用するために、配向性薄膜の開発が急がれている。
る。特に、焦電効果といっだ結晶体の特定の性質を有効
に利用するために、配向性薄膜の開発が急がれている。
たとえばチタン酸鉛またはチタン酸バリウムといったペ
ロプスカイト形強誘電体を用いて薄膜の赤外線検出器を
作製する場合２１、−ジ について検討する。一般に焦電形赤外線検出器の性能は
（ａｐｒ／ｄＴ） （１／仝）と表わされ、焦電係数（
ｄｐｔ／ｄＴ）が大きく、誘電率εの小さな材料が性能
がよい。上記のようなペロブスカイト形強誘電体では分
極軸がＣ軸であり、さらにＣ軸方向の誘電率はＣ軸に垂
直な方向の誘電率の約半分であり、かつその値も１００
前後と小さく、Ｃ軸方向に配向したペロプスカイト形強
誘電体薄膜が作製されれば、きわめて性能のよい赤外線
検出器となりうる。
ロプスカイト形強誘電体を用いて薄膜の赤外線検出器を
作製する場合２１、−ジ について検討する。一般に焦電形赤外線検出器の性能は
（ａｐｒ／ｄＴ） （１／仝）と表わされ、焦電係数（
ｄｐｔ／ｄＴ）が大きく、誘電率εの小さな材料が性能
がよい。上記のようなペロブスカイト形強誘電体では分
極軸がＣ軸であり、さらにＣ軸方向の誘電率はＣ軸に垂
直な方向の誘電率の約半分であり、かつその値も１００
前後と小さく、Ｃ軸方向に配向したペロプスカイト形強
誘電体薄膜が作製されれば、きわめて性能のよい赤外線
検出器となりうる。
一方、このような焦電形赤外線検出器を作製する際の基
板となる下地電極として、従来蒸着法まだはスパッタリ
ング法により作製した金まだは白金などの金属薄膜が用
いられてきた。しかしながら、通常の方法で作られる金
薄膜や白金薄膜は、多結晶体であるために、その上に成
長させた強誘電体薄膜は配向せずに、多結晶体となυ、
その電気的特性も劣化してし捷う。このように配向性強
誘電体薄膜の作製には多結晶体の電極は不利であり、大
きな欠点である。
板となる下地電極として、従来蒸着法まだはスパッタリ
ング法により作製した金まだは白金などの金属薄膜が用
いられてきた。しかしながら、通常の方法で作られる金
薄膜や白金薄膜は、多結晶体であるために、その上に成
長させた強誘電体薄膜は配向せずに、多結晶体となυ、
その電気的特性も劣化してし捷う。このように配向性強
誘電体薄膜の作製には多結晶体の電極は不利であり、大
きな欠点である。
３ ／、−ゾ
発明の目的
本発明は、上記の多結晶薄膜電極の持つ欠点を除去し、
特に大面積の配向性薄膜を容易に作製できることを特徴
とする新規なく１０ｏ〉配向の金まだは白金の薄膜から
なる電極の製造法である。
特に大面積の配向性薄膜を容易に作製できることを特徴
とする新規なく１０ｏ〉配向の金まだは白金の薄膜から
なる電極の製造法である。
発明の構成
本発明は、スパッタリング法を用いて金薄膜や白金薄膜
を形成する際に、スパッタガス中に、アルゴンガス中に
、体積百分率で１０％以上の酸素ガスを混入することを
特徴とするもので、これによれば単結晶酸化マグネシウ
ムの（１ｏＯ）面上に〈１００〉方向に配向した金また
は白金の薄膜が容易に得られる。
を形成する際に、スパッタガス中に、アルゴンガス中に
、体積百分率で１０％以上の酸素ガスを混入することを
特徴とするもので、これによれば単結晶酸化マグネシウ
ムの（１ｏＯ）面上に〈１００〉方向に配向した金また
は白金の薄膜が容易に得られる。
実施例の説明
薄膜は高周波マグネトロンスパッタリング法で作製した
。（１００）面にそって襞間した酸化マグネシウム単結
晶板をヒータ上に固定し、基板とした。基板の温度は７
００°Ｃである。雰囲気ガスにはアルゴンガス中に酸素
を混入したものを用いた。混合比は酸素を体積百分率で
０〜５ｏ％の範特開昭５９−１４３３８４（２） 回内で変化させた。いずれの場合も全圧は０．５ｐａで
あった。スパッタ膜付着速度は１５〜６ｏ八／分である
。得られた薄膜をＸ線回折および電子線回折で結晶の同
定、方位の決定を行なった。第１図（ａ） 、 （ｂ）
に金、白金それぞれのＸ線回折図形を示す。
。（１００）面にそって襞間した酸化マグネシウム単結
晶板をヒータ上に固定し、基板とした。基板の温度は７
００°Ｃである。雰囲気ガスにはアルゴンガス中に酸素
を混入したものを用いた。混合比は酸素を体積百分率で
０〜５ｏ％の範特開昭５９−１４３３８４（２） 回内で変化させた。いずれの場合も全圧は０．５ｐａで
あった。スパッタ膜付着速度は１５〜６ｏ八／分である
。得られた薄膜をＸ線回折および電子線回折で結晶の同
定、方位の決定を行なった。第１図（ａ） 、 （ｂ）
に金、白金それぞれのＸ線回折図形を示す。
第２図に白金の場合の（２０ｏ）Ｘ線回折強度の他の白
金の回折強度に対する割合と酸素混合比との関係を示す
。これらの図から明らかなように雰囲気ガス中に酸素を
混入することで、〈１００〉に配向した金および白金の
薄膜を得ることができる。！、だ、（１００，）配向し
た金および白金の薄膜の電子線回折像ではいずれも各回
折点が分離し、スポット状に出現することから、Ｍ（Ｊ
Ｏ上にエピタキシャル成長していることが確認された。
金の回折強度に対する割合と酸素混合比との関係を示す
。これらの図から明らかなように雰囲気ガス中に酸素を
混入することで、〈１００〉に配向した金および白金の
薄膜を得ることができる。！、だ、（１００，）配向し
た金および白金の薄膜の電子線回折像ではいずれも各回
折点が分離し、スポット状に出現することから、Ｍ（Ｊ
Ｏ上にエピタキシャル成長していることが確認された。
まだ、基板の温度を４００℃から７ｏＯ°Ｃの間で変化
させても、酸素を１０％以上加えたアルゴン雰囲気中で
スパッタリングすることにより、〈１００〉配向した金
や白金の薄膜を再現性よく得ることができだ。
させても、酸素を１０％以上加えたアルゴン雰囲気中で
スパッタリングすることにより、〈１００〉配向した金
や白金の薄膜を再現性よく得ることができだ。
上述のようにして作製した金および白金の薄膜５・・−
ジ 上に、ペロブスカイト形強誘電体であり、赤外線検出器
として有望なＰｂＴｉＯ３の薄膜をそれぞれ作製した。
ジ 上に、ペロブスカイト形強誘電体であり、赤外線検出器
として有望なＰｂＴｉＯ３の薄膜をそれぞれ作製した。
その結果、金、白金いずれの場合にもきわめて高度にＣ
軸方向に配向しだＰｂＴｉＯ３の薄膜が得られた。これ
は、〈１０ｏ〉方向に配向した金まだは白金の薄膜を用
いることによってはじめて得られたものである。
軸方向に配向しだＰｂＴｉＯ３の薄膜が得られた。これ
は、〈１０ｏ〉方向に配向した金まだは白金の薄膜を用
いることによってはじめて得られたものである。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明に記載の金まだ
は白金の薄膜の製造法によれば、〈１ｏｏ〉配向の薄膜
が安定に、しかも再現性よく作製できる０
は白金の薄膜の製造法によれば、〈１ｏｏ〉配向の薄膜
が安定に、しかも再現性よく作製できる０
第１図体） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の方法で作製
された金、白金の薄膜のＸ線回折図形を示す図、第２図
はアルゴンガス中の酸素混合比と白金の（２００）回折
強度の他の回折強度に対する割合との関係を示す図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （０，） ２θ（ＱｔＫｓ） （ｂ］ ２θ ＣＣｕＫａノ 第２図
された金、白金の薄膜のＸ線回折図形を示す図、第２図
はアルゴンガス中の酸素混合比と白金の（２００）回折
強度の他の回折強度に対する割合との関係を示す図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （０，） ２θ（ＱｔＫｓ） （ｂ］ ２θ ＣＣｕＫａノ 第２図
Claims (1)
- 体積百分率で６％以上酸素を含むアルゴンガス雰囲気中
において、金または白金をスパッタリングすることを特
徴とする配向性金属薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1650683A JPH0781183B2 (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 配向性金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1650683A JPH0781183B2 (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 配向性金属薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143384A true JPS59143384A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0781183B2 JPH0781183B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=11918157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1650683A Expired - Lifetime JPH0781183B2 (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 配向性金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781183B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170561A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高融点金属膜形成方法 |
| JPS6283462A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性金属薄膜の製造方法 |
| JPH0261060A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の生成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491134A (ja) * | 1972-04-17 | 1974-01-08 | ||
| JPS4945464A (ja) * | 1972-08-01 | 1974-04-30 | ||
| JPS52131727A (en) * | 1976-04-12 | 1977-11-04 | Toray Industries | Method of producing electrophotographic photosensitive body |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP1650683A patent/JPH0781183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491134A (ja) * | 1972-04-17 | 1974-01-08 | ||
| JPS4945464A (ja) * | 1972-08-01 | 1974-04-30 | ||
| JPS52131727A (en) * | 1976-04-12 | 1977-11-04 | Toray Industries | Method of producing electrophotographic photosensitive body |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170561A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高融点金属膜形成方法 |
| JPS6283462A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性金属薄膜の製造方法 |
| JPH0261060A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0781183B2 (ja) | 1995-08-30 |
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