JPS5825053A - イオンビ−ム観察方法 - Google Patents
イオンビ−ム観察方法Info
- Publication number
- JPS5825053A JPS5825053A JP56120511A JP12051181A JPS5825053A JP S5825053 A JPS5825053 A JP S5825053A JP 56120511 A JP56120511 A JP 56120511A JP 12051181 A JP12051181 A JP 12051181A JP S5825053 A JPS5825053 A JP S5825053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- sample
- electron
- image
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンビームによる試料の分析領域を知る為の
イオンビーム観察方法に関する。
イオンビーム観察方法に関する。
近時、イオンビームを試料Ｃζ照射し、発生した二次イ
オンから該照射領域の表面元素分析を行なって−る。こ
の試料−ζ照射されるイオンビームの径が大きいと照射
領域が大きくなって試料の平均的性質しか分からないの
で、微小径のイオンビームを試料に照射するのが試料分
析−ζ有効である。
オンから該照射領域の表面元素分析を行なって−る。こ
の試料−ζ照射されるイオンビームの径が大きいと照射
領域が大きくなって試料の平均的性質しか分からないの
で、微小径のイオンビームを試料に照射するのが試料分
析−ζ有効である。
所で、微小径イオンビームを試料に照射し、該照射微小
領域を分析する際、その分析領域の大きさや位置を知る
必要がある。
領域を分析する際、その分析領域の大きさや位置を知る
必要がある。
本発明は斯くの如き目的を達成する為にｔｇれたもので
、微小径イオンビームを照射した試料上を訪イオンビー
ムの径より小さ１径の電子ビームで走査し、該試料上か
ら発生した二次電子ビームのｍｅ表示して、微小分析領
域を知るようにした新１１１＆イオンビーム観察方法を
提供するものである・ 本発明は以下１ζ述べる如き原理に基づいてなされて−
る。
、微小径イオンビームを照射した試料上を訪イオンビー
ムの径より小さ１径の電子ビームで走査し、該試料上か
ら発生した二次電子ビームのｍｅ表示して、微小分析領
域を知るようにした新１１１＆イオンビーム観察方法を
提供するものである・ 本発明は以下１ζ述べる如き原理に基づいてなされて−
る。
即ち、試料上ｄとイオンの当っている部分は組成的及び
化学的に変化しているので一試料上に電子Ｉｓｆ：照射
した時の二次電子収率もイオンの当っていない部分に対
し変化している。従って、微小径イオンビームを照射し
た試料上を該イオンビームの径より小さめ径の電子ビー
ムで走査し、該試料上から発生した二次電子ビームのｆ
ｌｌを見ると、該儂中−ζイオンの当った部分が表われ
ている。
化学的に変化しているので一試料上に電子Ｉｓｆ：照射
した時の二次電子収率もイオンの当っていない部分に対
し変化している。従って、微小径イオンビームを照射し
た試料上を該イオンビームの径より小さめ径の電子ビー
ムで走査し、該試料上から発生した二次電子ビームのｆ
ｌｌを見ると、該儂中−ζイオンの当った部分が表われ
ている。
第１図は本発明のイオンビーム観察方法の一具体例を示
したものである０図中１はイオン銃、２は集束レンズ、
６は偏向レンズで、前記イオン銃１から射出されたイオ
ンビーム５は微小−ζ絞られて試料４上の適宜な位置−
ζ照射され、その結果生じた例えば二次イオンが適宜な
手段によって分析される。６は電子銃、７は集束レンズ
、８は偏向レンズで前記電子銃６から射出された電子ビ
ーム９は前記イオンビーム５より更に小さく絞られ、前
記偏向【ノンズ８により前記試料４上を走査する。
したものである０図中１はイオン銃、２は集束レンズ、
６は偏向レンズで、前記イオン銃１から射出されたイオ
ンビーム５は微小−ζ絞られて試料４上の適宜な位置−
ζ照射され、その結果生じた例えば二次イオンが適宜な
手段によって分析される。６は電子銃、７は集束レンズ
、８は偏向レンズで前記電子銃６から射出された電子ビ
ーム９は前記イオンビーム５より更に小さく絞られ、前
記偏向【ノンズ８により前記試料４上を走査する。
１０は二次電子検出器で、前記試料４から発生した二次
電子ビーム１１を検出し、増幅器１２を介して陰極線管
１３へ送る。１４は走査信号発生器で、前記偏向レンズ
８と前記陰極線管１６の偏向レンズ１５へ同期して走査
信号を送る。
電子ビーム１１を検出し、増幅器１２を介して陰極線管
１３へ送る。１４は走査信号発生器で、前記偏向レンズ
８と前記陰極線管１６の偏向レンズ１５へ同期して走査
信号を送る。
さて、微小径イオンビーム５を試料４の適宜な位置へ照
射すると同時に、該イオンビームより更暴こ小さな径の
電子ビーム９で該試料上を走査すると、陰極線Ｗ１５の
画面ヒに試料４の二次電子儂が表示される。この際、錦
二次電子像中ｌこｆ４２図に示す様５こ前記原理に基づ
くイオンビーム像１６が表われる。例えば試料がシリコ
ンの時、黒味かかったイオンビーム像が表われる。
射すると同時に、該イオンビームより更暴こ小さな径の
電子ビーム９で該試料上を走査すると、陰極線Ｗ１５の
画面ヒに試料４の二次電子儂が表示される。この際、錦
二次電子像中ｌこｆ４２図に示す様５こ前記原理に基づ
くイオンビーム像１６が表われる。例えば試料がシリコ
ンの時、黒味かかったイオンビーム像が表われる。
従って、このイオンビーム像の径から分析領域を知るこ
とが出来、該ビーム像の位置から分析領域の位置を知る
ことが出来る。
とが出来、該ビーム像の位置から分析領域の位置を知る
ことが出来る。
ＩＩＩｔ１図は本発明のイオンビーム皺察方法の一具体
例を示したもの、第２図はその動作の説明を補足する為
の図である。 １：イオン銃、２．７：集束レンズ、６．８：偏向レン
ズ、４：試料、５：イオンビーム、６：電子銃、９：電
子ビーム、１ｏ：二次電子検出器、１１：二次電子ビー
ム、１５：陰極線管。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
例を示したもの、第２図はその動作の説明を補足する為
の図である。 １：イオン銃、２．７：集束レンズ、６．８：偏向レン
ズ、４：試料、５：イオンビーム、６：電子銃、９：電
子ビーム、１ｏ：二次電子検出器、１１：二次電子ビー
ム、１５：陰極線管。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
Claims (1)
- イオンビームを照射した試料上を該イオンビームの径よ
り小さＶＳ＠の電子ビームで走査し、該試料上における
イオンビームの照射領域を表示するようにしたイオンビ
ーム観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120511A JPS5825053A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオンビ−ム観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120511A JPS5825053A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオンビ−ム観察方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825053A true JPS5825053A (ja) | 1983-02-15 |
Family
ID=14788018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56120511A Pending JPS5825053A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオンビ−ム観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56120511A patent/JPS5825053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
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