JPS5825894A - 半導体装置およびこれに用いるはんだ - Google Patents
半導体装置およびこれに用いるはんだInfo
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- JPS5825894A JPS5825894A JP57132297A JP13229782A JPS5825894A JP S5825894 A JPS5825894 A JP S5825894A JP 57132297 A JP57132297 A JP 57132297A JP 13229782 A JP13229782 A JP 13229782A JP S5825894 A JPS5825894 A JP S5825894A
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
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- Die Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発発は、少くとも８０％が鉛であり、残りのほぼすべ
てがインジウムおよび銀であるはんだにより金属部材に
はんだ付された金属化接点領域を有する半導体本体を具
える半導体装置に関するものである。本発明は更に・こ
のような半導体装置に用いるはんだにも関するものであ
る。
てがインジウムおよび銀であるはんだにより金属部材に
はんだ付された金属化接点領域を有する半導体本体を具
える半導体装置に関するものである。本発明は更に・こ
のような半導体装置に用いるはんだにも関するものであ
る。
半導体本体を金属部材に接着するのにはんだを用いるの
は、半導体産業、特に八−メチツク封止しない電力用半
導体装置の製造において通常行なわれていることであり
、この場合、接着が機械的および熱的応力や腐食に耐え
うるようにすることが重要である。従って、はんだ自体
が強力な接着・ ・を行ないつるようにするとともに
、周囲の影響或いは周期的な熟的応力により生ずる疲れ
のいずれかによる破損や腐食に耐えつる能力を有するよ
うにする必要がある。
は、半導体産業、特に八−メチツク封止しない電力用半
導体装置の製造において通常行なわれていることであり
、この場合、接着が機械的および熱的応力や腐食に耐え
うるようにすることが重要である。従って、はんだ自体
が強力な接着・ ・を行ないつるようにするとともに
、周囲の影響或いは周期的な熟的応力により生ずる疲れ
のいずれかによる破損や腐食に耐えつる能力を有するよ
うにする必要がある。
より一層明確には、強力な接着を行なう為の最適な面接
触を得る為に、はんだが連結すべき面に対して良好なｆ
１１ｆ！４特性を有するようにする必要がある。
触を得る為に、はんだが連結すべき面に対して良好なｆ
１１ｆ！４特性を有するようにする必要がある。
電力用半導体装置器の場合には、半導体装置が形成され
る半導体本体の接点領域を、３つ以上の異なる金属層の
構造体で金属化し、最外側の金属層を代表的に０．４５
ＰＩＩの厚さを有する金の肉薄層とするのが普通であ
る。船および錫より成るはんだは、これらの珪素との適
合性および良好な湿潤性の為に、金属接点部材を電力用
シリコン整流器に接着するのに広く用いられている。し
かし不所望なことに、錫を含むはんだはいわゆるゴール
ドスカベンジング（金掃夫）現象を呈する。すなわち、
錫は金を溶解し、この金を金属化接点領域から除去する
傾向にある０従って、接点領域は金属°化金がはがされ
た状態となるおそれがある０更に金が錫と反応して粗悪
な金属間化合物を形成し、これにより、はんだが冷却さ
れた際に接着部に脆性を生ぜしめるおそれがある０金が
掃去されると１錫は整流器の牛導体材料とも合金化し、
これによ゛・り整流器を電気的に且つ機械的に損なわし
めるおそれがある。
る半導体本体の接点領域を、３つ以上の異なる金属層の
構造体で金属化し、最外側の金属層を代表的に０．４５
ＰＩＩの厚さを有する金の肉薄層とするのが普通であ
る。船および錫より成るはんだは、これらの珪素との適
合性および良好な湿潤性の為に、金属接点部材を電力用
シリコン整流器に接着するのに広く用いられている。し
かし不所望なことに、錫を含むはんだはいわゆるゴール
ドスカベンジング（金掃夫）現象を呈する。すなわち、
錫は金を溶解し、この金を金属化接点領域から除去する
傾向にある０従って、接点領域は金属°化金がはがされ
た状態となるおそれがある０更に金が錫と反応して粗悪
な金属間化合物を形成し、これにより、はんだが冷却さ
れた際に接着部に脆性を生ぜしめるおそれがある０金が
掃去されると１錫は整流器の牛導体材料とも合金化し、
これによ゛・り整流器を電気的に且つ機械的に損なわし
めるおそれがある。
” ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ ｒｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”
の１９７５年９月号の＠４５〜４８頁ｋ１．＠Ｐｒ０ｆ
ＯｒｌｌｌＬ Ｏｎ ＰｒｅｌｆＯｒ！１８″（ＯＪ、
Ｔ、Ｗｈｉｔｅ 、 Ｈ，０，８ｏｈ１氏著）と題して
記載・されている章には、電力用シリコン整流器に用い
られる他のはんだが記載されている。９Ｂ、ｌＳ’ｌの
鉛と、５優のインジウムと、１５慢の銀とより成るこの
はんだは、鉛（９！Ｉ％）および錫（５鳴）の合金より
も熱的周期性（ＩＩ返し）に良好に耐えするといわれて
いる。しかし、不所望なことに、この錫−インジウム−
銀合金は船−錫合金よりも湿潤性において劣っていると
記載されている。
の１９７５年９月号の＠４５〜４８頁ｋ１．＠Ｐｒ０ｆ
ＯｒｌｌｌＬ Ｏｎ ＰｒｅｌｆＯｒ！１８″（ＯＪ、
Ｔ、Ｗｈｉｔｅ 、 Ｈ，０，８ｏｈ１氏著）と題して
記載・されている章には、電力用シリコン整流器に用い
られる他のはんだが記載されている。９Ｂ、ｌＳ’ｌの
鉛と、５優のインジウムと、１５慢の銀とより成るこの
はんだは、鉛（９！Ｉ％）および錫（５鳴）の合金より
も熱的周期性（ＩＩ返し）に良好に耐えするといわれて
いる。しかし、不所望なことに、この錫−インジウム−
銀合金は船−錫合金よりも湿潤性において劣っていると
記載されている。
それにもかかわらず、鉛−インジウム−銀合金が電力用
半導体装置の製造に広く用いられており。
半導体装置の製造に広く用いられており。
組成比をわずかに変更したものが種々のはんだ製造業者
によって市販されている。例えば、朱国ニュー冒−り州
マウントパーノンのセミーアロイズ社（８ｅｍｉ −Ａ
１１ｏｙｓ Ｉｎｋ、 ）の１９８０年のカタログには
鉛：インジウム；銀を９１５１：５憾：２％および９０
％：５４１５４とした合金が開示されている。
によって市販されている。例えば、朱国ニュー冒−り州
マウントパーノンのセミーアロイズ社（８ｅｍｉ −Ａ
１１ｏｙｓ Ｉｎｋ、 ）の１９８０年のカタログには
鉛：インジウム；銀を９１５１：５憾：２％および９０
％：５４１５４とした合金が開示されている。
これらの鉛−インジウム−銀合金を比較的広く受は入れ
ることにより、産業界は折衷策、すなわち湿温特性を犠
牲にして金の掃去を減少させるという策を講じるように
なる。それにもかかわらず、熱的周期性に対する抵抗力
が強く、湿ＩＩＩＩＩＩ性の優れたはんだが必要である
。
ることにより、産業界は折衷策、すなわち湿温特性を犠
牲にして金の掃去を減少させるという策を講じるように
なる。それにもかかわらず、熱的周期性に対する抵抗力
が強く、湿ＩＩＩＩＩＩ性の優れたはんだが必要である
。
合金のインジウムおよび銀の組成は、はんだのＩＩＩ？
ｌＩ性を改善するある程度の効果があるということが分
っている。従って表面上は、インジウムおよび銀の全含
有量を増やすことによりｍａ特性が改善され、逆に、こ
れらの含有量を減少させることによりはんだの湿ｊｌ特
性が害されると結論づけるのが環にかなっているみたい
である〇本発明は、少くとも８０鳴が鉛であり、残りの
ほぼすべてがインジウムおよび銀であるはんだにより金
属部材にはんだ付された金属化接点領域を有する半導体
本体を具える半導体装置において、はんだのインジウム
含有量を銀含有量の少くとも４倍、多くとも１０倍とし
たことを特徴とする０このはんだの、銀に対するインジ
ウムの比は少くとも４．１である０こめはんだを、鉛、
インジウムおよび銀を有する従来のはんだと比較した場
合、４ ： １ （Ｉｎ ｓムぎ）の比はインジウムの
含有量を増やすか、或いは銀の含有量を減らすか、或い
はこれらの双方を行なうことにより得ることができる。
ｌＩ性を改善するある程度の効果があるということが分
っている。従って表面上は、インジウムおよび銀の全含
有量を増やすことによりｍａ特性が改善され、逆に、こ
れらの含有量を減少させることによりはんだの湿ｊｌ特
性が害されると結論づけるのが環にかなっているみたい
である〇本発明は、少くとも８０鳴が鉛であり、残りの
ほぼすべてがインジウムおよび銀であるはんだにより金
属部材にはんだ付された金属化接点領域を有する半導体
本体を具える半導体装置において、はんだのインジウム
含有量を銀含有量の少くとも４倍、多くとも１０倍とし
たことを特徴とする０このはんだの、銀に対するインジ
ウムの比は少くとも４．１である０こめはんだを、鉛、
インジウムおよび銀を有する従来のはんだと比較した場
合、４ ： １ （Ｉｎ ｓムぎ）の比はインジウムの
含有量を増やすか、或いは銀の含有量を減らすか、或い
はこれらの双方を行なうことにより得ることができる。
本発明によれば、腐食に対する、また機械的および熱的
応力に対する抵抗力をそのまま維持して湿潤特性が改曽
されるということを確かめた０実際に、既知の鉛−イン
ジウム−銀はんだを解析したところ、はんだのバルクが
純粋な鉛のように作用し、塊まり（ノンニール）がはん
だ中に存在するおそれがあり、これらの塊まりは冷却後
はんだの表面に形成されるおそれがあるということを蓚
かめた０更に、これらの塊重りはインジウムおよび銀を
含有するばかりか、これらの塊まりははんだ自体中の組
成比と同じ組成比でインジウムおよび銀を含有する０従
って、例えば鉛を９２．５憾、インジウムを！６Ｉ１６
、銀を８．５嘔含有するはんだの場合には、形成される
塊まりは！２１の比でのみインジウムおよび銀を含有す
る０これらの塊まりの融点は約４１０℃であり、はんだ
全体の融点は約δ００°Ｃであり、純粋な鉛の融点は約
８２７“Ｃである。従って、はんだのバルクを溶融する
のに充分高い例えば・８５０℃の温度まではんだを加熱
することによっては上述した塊重りを溶融しない為に、
不所望な結果が生じる。従って、一旦塊まりが形成され
ると、これらの塊まりは通常のはんだ条件の下で固まっ
たままに維持される。従って、塊まりは、インジウムお
よび銀をはんだから除来し、はんだがより純粋な鉛のよ
うに作用する為、期待されるようなはんだの１！ＩＩＩ
Ｉ作用が抑止される。
応力に対する抵抗力をそのまま維持して湿潤特性が改曽
されるということを確かめた０実際に、既知の鉛−イン
ジウム−銀はんだを解析したところ、はんだのバルクが
純粋な鉛のように作用し、塊まり（ノンニール）がはん
だ中に存在するおそれがあり、これらの塊まりは冷却後
はんだの表面に形成されるおそれがあるということを蓚
かめた０更に、これらの塊重りはインジウムおよび銀を
含有するばかりか、これらの塊まりははんだ自体中の組
成比と同じ組成比でインジウムおよび銀を含有する０従
って、例えば鉛を９２．５憾、インジウムを！６Ｉ１６
、銀を８．５嘔含有するはんだの場合には、形成される
塊まりは！２１の比でのみインジウムおよび銀を含有す
る０これらの塊まりの融点は約４１０℃であり、はんだ
全体の融点は約δ００°Ｃであり、純粋な鉛の融点は約
８２７“Ｃである。従って、はんだのバルクを溶融する
のに充分高い例えば・８５０℃の温度まではんだを加熱
することによっては上述した塊重りを溶融しない為に、
不所望な結果が生じる。従って、一旦塊まりが形成され
ると、これらの塊まりは通常のはんだ条件の下で固まっ
たままに維持される。従って、塊まりは、インジウムお
よび銀をはんだから除来し、はんだがより純粋な鉛のよ
うに作用する為、期待されるようなはんだの１！ＩＩＩ
Ｉ作用が抑止される。
また、期待した前述した結論のように銀の含有量を増や
すと、上述した問題が大きくなると、し為うんだな考慮
する。このはんだの融点番よ２９０〜．。
すと、上述した問題が大きくなると、し為うんだな考慮
する。このはんだの融点番よ２９０〜．。
８１０℃であるＯこの場合も塊まりが存在するも１これ
らの塊重りのインジウム封鎖の比ｉｔ １ ｔ １であ
り、これらの塊重りの融点は５ｇ５°Ｃを越えるＯこの
場合の塊まりは実際には、はん・だの７（ルクの表面カ
ラ突出ｔルク、ｌＪ Ｘ ＃ ９ イ） （ｏｒｙｓｔ
ａｕｉｔｅ）。
らの塊重りのインジウム封鎖の比ｉｔ １ ｔ １であ
り、これらの塊重りの融点は５ｇ５°Ｃを越えるＯこの
場合の塊まりは実際には、はん・だの７（ルクの表面カ
ラ突出ｔルク、ｌＪ Ｘ ＃ ９ イ） （ｏｒｙｓｔ
ａｕｉｔｅ）。
のようになり、はんだは前述したように実質的に純粋な
鉛となる。従って、はんだの湿潤作用が害される。
鉛となる。従って、はんだの湿潤作用が害される。
本発明は、銀およびインジウムははんだのバルクから塊
まりとして分離する傾向にあるも、この１゜ことは、は
んだが通常加熱され゛る温度よりも低し１温度でインジ
、ラム−銀合金が溶融するようにインジウム封鎖の比を
設定すれば問題にする必要がないという事実を確かめ、
かかる認識を基に成したものである。鉛の含有量が８０
優よりも多し１鉛−４１゜インジウム−銀はんだを溶融
させるに＆ま、これら゛のはんだを例えば約８７０℃の
温度に加熱するのが普通である。インジウムを銀の１倍
有する合金は約δ４０°Ｃの温度で溶融する。換言すれ
＆１、通常のはんだ付温度では、本発明によらなけれ＆
ｚ番ま′・んだのバルクから分離されるおそれのあるイ
ンジウム−銀合金が溶融し、従ってはんだの湿潤作用に
害を及ぼさない。
まりとして分離する傾向にあるも、この１゜ことは、は
んだが通常加熱され゛る温度よりも低し１温度でインジ
、ラム−銀合金が溶融するようにインジウム封鎖の比を
設定すれば問題にする必要がないという事実を確かめ、
かかる認識を基に成したものである。鉛の含有量が８０
優よりも多し１鉛−４１゜インジウム−銀はんだを溶融
させるに＆ま、これら゛のはんだを例えば約８７０℃の
温度に加熱するのが普通である。インジウムを銀の１倍
有する合金は約δ４０°Ｃの温度で溶融する。換言すれ
＆１、通常のはんだ付温度では、本発明によらなけれ＆
ｚ番ま′・んだのバルクから分離されるおそれのあるイ
ンジウム−銀合金が溶融し、従ってはんだの湿潤作用に
害を及ぼさない。
本発明によるはんだは、少くと＋５９６のインジウムお
よび多くともｓ参の銀を含むようにするこｌ・・とがで
きる。銀の割合は前述した既知の鉛−インジウム−銀は
んだの場合よりも少ない為、このＧｉんだをより廉価に
造ることができるＯ はんだは銀の７倍のインジウムを含むようにするのが好
ましい０例えば約９８憾の鉛と、約７ｔ１１１゜のイン
ジウムと、約１憾の銀とを含むこのようなはんだの融点
は３９３℃〜３００℃の範囲にある。
よび多くともｓ参の銀を含むようにするこｌ・・とがで
きる。銀の割合は前述した既知の鉛−インジウム−銀は
んだの場合よりも少ない為、このＧｉんだをより廉価に
造ることができるＯ はんだは銀の７倍のインジウムを含むようにするのが好
ましい０例えば約９８憾の鉛と、約７ｔ１１１゜のイン
ジウムと、約１憾の銀とを含むこのようなはんだの融点
は３９３℃〜３００℃の範囲にある。
７：ｔの比を有するインジウム−銀の融点は約２５０℃
であり、従ってはんだ全体が例え１ｊ８７０°Ｃの通常
のはんだ付温度で溶、融する。
であり、従ってはんだ全体が例え１ｊ８７０°Ｃの通常
のはんだ付温度で溶、融する。
以下図面につき本発明の詳細な説明する０図面は、金属
部材にはんだ付された金属化接点領域を有する半導体本
体の断面図である。
部材にはんだ付された金属化接点領域を有する半導体本
体の断面図である。
以下の説明は、本発明によるはんだを用いて電力用シリ
コン整流器を金属部材にはんだ付する場合に関するもの
である。例えばサイリスタとすることのできるシリコン
整流器はシリコン（珪素）本体ｌ内に形成される。シリ
コン本体は実際には＼特定の整流器の型に依存して異な
る導電型の種々の層および領域を有すること勿論である
。例えばサイリスタは本質的にｓ ｐ−ｎ −ｐ −ｎ
の金層の装置であり、最外側のｐ型ＩＩＩ域はサイリス
タ装置の陽極を構成する。サイリスタやその他の牛導体
整流装費のｗｌｆｔは周知であり、従って他の詳細な説
明は省略する。図面を明歓とする為に、この図。
コン整流器を金属部材にはんだ付する場合に関するもの
である。例えばサイリスタとすることのできるシリコン
整流器はシリコン（珪素）本体ｌ内に形成される。シリ
コン本体は実際には＼特定の整流器の型に依存して異な
る導電型の種々の層および領域を有すること勿論である
。例えばサイリスタは本質的にｓ ｐ−ｎ −ｐ −ｎ
の金層の装置であり、最外側のｐ型ＩＩＩ域はサイリス
タ装置の陽極を構成する。サイリスタやその他の牛導体
整流装費のｗｌｆｔは周知であり、従って他の詳細な説
明は省略する。図面を明歓とする為に、この図。
面には、整流器が形成される半導体本体ｌを簡単なブロ
ックとして示す以外、興なる導電型層を示していない。
ックとして示す以外、興なる導電型層を示していない。
図面に示すように、半導体本体の生麦ｉｌｌ！は整流器
の接点領域である。例えばサイリスタの場合には、この
接点領域は陽極接点領、域となる。接点領域は金属層の
構造体８で金属化する０この構造体は例えばり党五層上
にニッケル層す設け、ニッケル層上に金層を設けて成る
８層構造体にすることができ、最外側の層は金とする。
の接点領域である。例えばサイリスタの場合には、この
接点領域は陽極接点領、域となる。接点領域は金属層の
構造体８で金属化する０この構造体は例えばり党五層上
にニッケル層す設け、ニッケル層上に金層を設けて成る
８層構造体にすることができ、最外側の層は金とする。
金、ニッケルｉおよびクロム層は蒸着により通常のよう
にして設けることができ、これらの層の厚さはそれぞれ
０．４５μ” Ｉ Ｏ，２５μｍおよび０．０５μ−と
することができる。図面を簡単とする為に、図画には各
別の金属層を示しておらず、層構造体８を単一のものと
して示しである〇 シリコン本体１は、はんだ５により金属部材４に接着す
る。金属部材番は、例えばシリコンの熱膨張係数と同様
な熱膨張係数を有するモリブデン。
にして設けることができ、これらの層の厚さはそれぞれ
０．４５μ” Ｉ Ｏ，２５μｍおよび０．０５μ−と
することができる。図面を簡単とする為に、図画には各
別の金属層を示しておらず、層構造体８を単一のものと
して示しである〇 シリコン本体１は、はんだ５により金属部材４に接着す
る。金属部材番は、例えばシリコンの熱膨張係数と同様
な熱膨張係数を有するモリブデン。
のような材料より成る台座とすることができる。
電力用整流器を製造する′のに一般的なこのような台座
の使用により、この台ｊ１ｔｔ使用しない場合に互いに
はんだ付される素子の熱ｇ’４ＩＩ係数の相違により生
じる歪みからシリコン本体１を保護する。
の使用により、この台ｊ１ｔｔ使用しない場合に互いに
はんだ付される素子の熱ｇ’４ＩＩ係数の相違により生
じる歪みからシリコン本体１を保護する。
通常のように、この台座番自体１は、基部部材（ＷＪ示
せず）と熱的に且つ電気的に接触させることが□できる
。
せず）と熱的に且つ電気的に接触させることが□できる
。
以下の方法は半導体本体ｌを台ｆｆ１番にはんだ付する
のに用いることができる。この方法では、はんだのプレ
ホーム（ｐｒｅｆｏｒｍ ）を使用する◎はん・だのプ
レホーム自体は電力用半導体装筐の当業者にとって周知
である。基本的には、プレホームは、行なうべき特定の
はんだ付作業に適合した形状のはんだの予備形成片であ
る。本例ではこのプレホームを１００・μ簡の厚さとす
ることができるＯ ｂ＋このはんだプレホームは約９２
囁の鉛と、約７鴫のインジウムと、約１％の銀とを有す
る合金から造る。これらの割合は、実際に゛この合金中
に存在するおそれのある不純物を許容したものであるこ
とに注意する必要がある。このはんだの融点は約１３９
５°Ｃ〜８０１ｓ℃の範囲にある。
のに用いることができる。この方法では、はんだのプレ
ホーム（ｐｒｅｆｏｒｍ ）を使用する◎はん・だのプ
レホーム自体は電力用半導体装筐の当業者にとって周知
である。基本的には、プレホームは、行なうべき特定の
はんだ付作業に適合した形状のはんだの予備形成片であ
る。本例ではこのプレホームを１００・μ簡の厚さとす
ることができるＯ ｂ＋このはんだプレホームは約９２
囁の鉛と、約７鴫のインジウムと、約１％の銀とを有す
る合金から造る。これらの割合は、実際に゛この合金中
に存在するおそれのある不純物を許容したものであるこ
とに注意する必要がある。このはんだの融点は約１３９
５°Ｃ〜８０１ｓ℃の範囲にある。
はんだ付すべき素子を組合せる前に、ｐｙｎｌＬＯｈｅ
ｌｌｌＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｌｉｍ１ｔｅｄに
よって市販されているダイナプライ） （ｎｙｎａｂｒ
ｉ、ｔｅ ｌ商品名）の浴中にプレホームを約６０秒間
浸し、このプレホームを清浄とする。次に、このプレホ
ームを台塵鳴上に１配置し、シリコン整流器をその接点
領域８がはんだに面するようにプレホーム上に配置する
。整流器ノ接点領域３は、前述したようにクロム上ニニ
ッケルを設け、その上に金を設けた金属層構造体。
ｌｌｌＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｌｉｍ１ｔｅｄに
よって市販されているダイナプライ） （ｎｙｎａｂｒ
ｉ、ｔｅ ｌ商品名）の浴中にプレホームを約６０秒間
浸し、このプレホームを清浄とする。次に、このプレホ
ームを台塵鳴上に１配置し、シリコン整流器をその接点
領域８がはんだに面するようにプレホーム上に配置する
。整流器ノ接点領域３は、前述したようにクロム上ニニ
ッケルを設け、その上に金を設けた金属層構造体。
で既知のようにして予め金属化しておく０次に、最大温
度が約８７０℃となるベルト状のＰ内に導入する前に通
常のジグを用いて組合せ体を固定保持する。ｐ内の雰囲
気は、はんだに対する７ラツクスとして作用する水素よ
り成る。代表的には組１．。
度が約８７０℃となるベルト状のＰ内に導入する前に通
常のジグを用いて組合せ体を固定保持する。ｐ内の雰囲
気は、はんだに対する７ラツクスとして作用する水素よ
り成る。代表的には組１．。
合せ体をｐ中で移動させ、はんだが約５〜７分間の間そ
の融点よりも高い温度に保持されるようにする。
の融点よりも高い温度に保持されるようにする。
冷却されると、台座番がシリコン本体に強力に接合され
、更に、はんだ接合部は腐食や熱的およ、。
、更に、はんだ接合部は腐食や熱的およ、。
び機械的応力に極めて耐えつるようになる。
上述したところでは、金属台座なシリコン本体の金属化
接点領域にはんだ付、する場合につき説明したが、本発
明によるはんだは、他の金属部材を半導体本体の金属化
接点領域に接着するのに用いうろこと明らかである◎例
えば、銅の接点導線を・サイリスタの金属化ゲート接点
領域に接着するのに上述したようなはんだを用いること
ができる０本発明は上述した例のみに限定されず、幾多
の変更な加えうること勿論である。例えば１接点領域を
、８よりも多い或いは少ない異なる金属層の構造体で金
属化することができる。更に、最外側の層は金とは興な
る金属、例えば銀とすることができる。
接点領域にはんだ付、する場合につき説明したが、本発
明によるはんだは、他の金属部材を半導体本体の金属化
接点領域に接着するのに用いうろこと明らかである◎例
えば、銅の接点導線を・サイリスタの金属化ゲート接点
領域に接着するのに上述したようなはんだを用いること
ができる０本発明は上述した例のみに限定されず、幾多
の変更な加えうること勿論である。例えば１接点領域を
、８よりも多い或いは少ない異なる金属層の構造体で金
属化することができる。更に、最外側の層は金とは興な
る金属、例えば銀とすることができる。
図面は、金属部材にはんだ付された金属化接点領域を有
する半導体本体を示す断面図である◎ｌ・・・シリコン
本体 ８・・・接点領域 ８・・・金属層構造体 番・・・金属部材 ６・・・はんだ
する半導体本体を示す断面図である◎ｌ・・・シリコン
本体 ８・・・接点領域 ８・・・金属層構造体 番・・・金属部材 ６・・・はんだ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 少くとも８０％が鉛であり、残りのほぼすべてがイ
ンジウムおよび銀であるはんだにより金属部材にはんだ
付された金属化接点領域を有する半導体本体を具える半
導体装置において、はんだのインジウム含有量を銀含有
量の少くとも４倍、多くとも１０倍としたこと。 を特徴とする半導体装置。 λ 特許請求の範囲ｌ記載の半導体装置において、はん
だが少くとも５％のインジウムと多くとも２鴫の銀とを
含有するようにしたことを特徴とする半導体装置。 ＆ 特許請求の範Ｂｌまたは２に記載の半導体装置にお
いて、はんだのインジウム含有量を銀含有量の７倍とし
たことを特徴とする半導体装置。 ｔ 特許請求の範囲８記載の半導体装置において、はん
だが約９ｓ憾の鉛と、約７憾のイン２ジウムと、約１１
の銀とを含有するようにしたことを特徴とする半導体装
置。 ４ 特許請求の範囲トｉのいずれか１つに記載の半導体
装置において、接点領域を複数の異なる金属層の構造体
で金属化し、最外側の層を金としたことを特許とする半
導体装Ｗｌ。 ａ 特許請求の範囲１−５のいずれか１つに記載の半導
体装置において、半導体本体が主としてシリコンを有す
るようにしたことを特徴１、。 とする半導体装置・ Ｉ 少くとも８０襲が鉛であり、残りのほぼすべてがイ
ンジウムおよび銀であるはんだ用合金において、インジ
ウム含有量を銀含有量の少くとも４倍、多くとも１０倍
としたことを特徴とするはんだ用合金。 ＆ 特ＷｌｆＷ求の範囲フ記職のはんだ用合金において
、インジウム含有量を少くとも５ｇ６とし・銀含有量を
多くともＳ−としたことを特徴とするはんだ用合金。 鼠 特許請求の範囲７ｔたは８紀載のはんだ用合金にお
いて、インジウム含有量を銀含有量の７倍としたことを
特徴とするはんだ用合金１（Ｌ ’１１’許請求の範
＠９記載のはんだ用合金において、鉛、インジウムおよ
゛び銀の含有量をそれぞれ約２１２％、７憾部よび１％
としたことを特徴とするはんだ用合金・
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8123478A GB2102833B (en) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | Lead-indium-silver alloy for use in semiconductor devices |
| GB8123478 | 1981-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825894A true JPS5825894A (ja) | 1983-02-16 |
| JPH0133278B2 JPH0133278B2 (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=10523597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132297A Granted JPS5825894A (ja) | 1981-07-31 | 1982-07-30 | 半導体装置およびこれに用いるはんだ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504849A (ja) |
| EP (1) | EP0071314B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5825894A (ja) |
| DE (1) | DE3271833D1 (ja) |
| GB (1) | GB2102833B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259547A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用部品 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU591231B2 (en) * | 1986-02-18 | 1989-11-30 | Parker Chemical Company | Aluminum cleaning process |
| GB2201545B (en) * | 1987-01-30 | 1991-09-11 | Tanaka Electronics Ind | Method for connecting semiconductor material |
| JPH02310330A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Taiho Kogyo Co Ltd | すべり軸受用オーバレイ合金 |
| US5027189A (en) * | 1990-01-10 | 1991-06-25 | Hughes Aircraft Company | Integrated circuit solder die-attach design and method |
| JPH09321187A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路の製造方法およびその構造 |
| US5982038A (en) * | 1997-05-01 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Cast metal seal for semiconductor substrates |
| US20070228112A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Wei Shi | Method and arrangement for forming a microelectronic package |
| US7649730B2 (en) * | 2007-03-20 | 2010-01-19 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1149606A (en) * | 1967-02-27 | 1969-04-23 | Motorola Inc | Mounting for a semiconductor wafer which is resistant to fatigue caused by thermal stresses |
| US3601667A (en) * | 1968-12-09 | 1971-08-24 | Gen Electric | A semiconductor device with a heat sink having a foot portion |
| US3706915A (en) * | 1970-03-09 | 1972-12-19 | Gen Electric | Semiconductor device with low impedance bond |
| US3878442A (en) * | 1970-05-26 | 1975-04-15 | Harshad J Bhatt | Electrical conductor having a high resistance to electromigration |
| US3771211A (en) * | 1970-09-18 | 1973-11-13 | Ppg Industries Inc | Method of fabricating transparent electroconductive window |
| US3820152A (en) * | 1973-04-24 | 1974-06-25 | Du Pont | Circuit package with fugitive shorting bar |
| US3913120A (en) * | 1973-12-28 | 1975-10-14 | Ibm | Thin film resistors and contacts for circuitry |
| US3986255A (en) * | 1974-11-29 | 1976-10-19 | Itek Corporation | Process for electrically interconnecting chips with substrates employing gold alloy bumps and magnetic materials therein |
| JPS5578536A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-31 GB GB8123478A patent/GB2102833B/en not_active Expired
-
1982
- 1982-07-14 US US06/398,124 patent/US4504849A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-22 DE DE8282200939T patent/DE3271833D1/de not_active Expired
- 1982-07-22 EP EP19820200939 patent/EP0071314B1/en not_active Expired
- 1982-07-30 JP JP57132297A patent/JPS5825894A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259547A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0071314B1 (en) | 1986-06-25 |
| US4504849A (en) | 1985-03-12 |
| EP0071314A2 (en) | 1983-02-09 |
| GB2102833A (en) | 1983-02-09 |
| EP0071314A3 (en) | 1984-04-25 |
| JPH0133278B2 (ja) | 1989-07-12 |
| DE3271833D1 (en) | 1986-07-31 |
| GB2102833B (en) | 1984-08-01 |
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