JPS6038823A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6038823A
JPS6038823A JP58146923A JP14692383A JPS6038823A JP S6038823 A JPS6038823 A JP S6038823A JP 58146923 A JP58146923 A JP 58146923A JP 14692383 A JP14692383 A JP 14692383A JP S6038823 A JPS6038823 A JP S6038823A
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JP
Japan
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layer
limited
solder
nicr
film
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Pending
Application number
JP58146923A
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English (en)
Inventor
Katsuaki Yanagisawa
柳沢　克明
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の裏面電極構造に関するものである
。
トランジスター等の半導体素子の裏面電極、１１４成及
びその後面電極構、或方法は、従来酸々の構造及びその
構ｌ戊方法がとられてｊ＝−９、最も一般的に用いられ
てきた構造としては蒸着等で金（へＵ月漠を形成し、熱
でアロイするものがあげられる。これらのＡｕアロイ素
子全基板等にマウントする場合には、いわゆるハードソ
ルグ（例えばＡｕ片又はＡｕ−８ｂ片等）にて、マウン
）ｋ行うのが常であった。しかし１、上記ハードソルダ
一方式はベレットサイズが大きいとベレットクラック衾
Ｉ、φこしたり、又、ハードソルク”−は全音用いてい
るため、。
その価格が高いという欠点があった。
そこで、近年ｔま、ハードソルダ一方式から、上記欠点
を補９目的でノットソルダー（ｉ′ｂ−８＋＋　−Ａｇ
　）方式が、かなり使われるようにな・っでさた。この
場合ペレット素子の裏面も従来のＡｕＪｕイ構造のもの
をそのま寸ソフトソルダーに使用し、た場合、Ａｕが収
容芒れ裏面抵抗が増加して［７“ま９ため、素子の裏面
構造も変更する必要を生じ一般にオーミック性の点など
を考慮、して、ＩＮ　ｉ層、Ａｕ層合金順次メッキ法ど
で形成したり、１１１層、Ａ、９層、Ａｌ１層を蒸着方
法で順次形成する方法がしはしげ用いられている。こＣ
で従来方法の一例ｆｆ：ｉ＋図に示す。半導体基板１１
の裏面をエツチングしたものに、へ１層１２　、　Ａｇ
層１３．ＡｕＪｍ１４’に順次蒸着し、しかる後、約５
００°０で１０分シンターする。しかし、」１記のよう
な従来構造のものであると、Ｎ１膜は元来あ−Ｉ８す密
層性が良くないため、ハンダにくわれたり、膜ハガレを
秒こしたりし、又、Ｎ＋−へＵ膜のものでは、シンター
により、Ａｕ及びＳｉ　がＮ１中に拡散し、Ａｕ−８ｊ
合金ケ作るため、ソフトソルダーとなじ！：ないなどの
欠点があり、又、Ａｇは酸化しやすいためハンダとなじ
まなくなったりするなどという欠点があった。
そこで本発明は、上記欠点であるハンダとのヌレ性の改
善及び、膜の密層性の向上を目的としたもので、本発明
は、半導体基体の裏面に第一層としてニッケルクロム（
Ｎｉｅｒ）層が形ＩｊＺさｉＬ、Ｎｌｅｒ層上に第２層
として、パラジウム層か形成でれ、第３層として第３の
導体層が形成さす１．ていること′ｆ３：特徴とする半
導体製置である。
以下に本発明を実施例をもとにして、第２図を参照しな
がら、説明する。
Ｓｌ　ウェハー２１の裏Ｉｆｉ金研磨した区、スパッタ
法により、３０００人＋７）　Ｎ　ｉ　（、ｌ　ｒ層２
２　、２ｏｏｏＡの１ｄ７ｉ２３　、４ｏｏｏＡのＡｕ
層２４を順次、形成する。しかる後、約５００υで１０
分シンターする。
以上のようにして本発明により、作られ７′（、半導体
素子は、〕７トソルダーによるマソント金行っても裏面
抵抗の増ＩＡＪもなく、又、１“４ｉＣｒは、′藩着性
が良く、ハンダを７二も強い７ｔめ、ハンダにも強いた
め、ハンダによるクヮレもなく、又、パラジウム層が中
間にはいっているため、シンター熱による１ｓＩＩｃｒ
及びＳｌの拡散も防げ、ハンダとのなじみも、すぐれて
いる。なお本実施？ｌＪ　ｒはＮ１Ｕｒ（１０００Ａ）
　−）’　ｄ　（２（ＪＯＯＡ）Ａｕ　（４０ＵＯＡ）
　（Ｄ例ｆｚあけたが、膜厚はもちろんこの限りではな
く、又、構成方法もスパッタ法ｒあげたが、こＪしもこ
の限りでなく、蒸オｆ方法でも良い。それに膜構成も、
３層とは限らずＮｉＣｒ−Ｐｄ　−Ａ、９−ＡＬ＋％７
；、の４層あるいは、更にそれ以上でも良い。又拡散防
止層もパラジウムとは限らず、同等のものならば良い。
以上のように本発明は、ン７トソルクーーマウント方式
を可能にし、信頼性のすぐれ、がっ、経済的な牛導体装
置金、提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術ｒ示す図てあり、第２図は本発明によ
る実施り１ｊを示す図であ、５゜図中で、１１．２１・
・・・・・８ｉウエハー、１２・・・・・・Ｎｉ層、２
２・・・・・・Ｎ１（ｊｒ層、１３・・・・・・Ａ！Ｉ
ｌ書、２３−−−−−−Ｐａ１ｗ、１４，２４−−・−
Ａｕ、＋＜≧；、全それぞれ示す。 代理人　升理土　日　原　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 牛４体基体の裏面に、第１層としてニッケルクロム層が
    形成され、該ニッケルクロム層上に第２層としてパラジ
    ウム層が形成され、その上に第３層として導体層が形成
    されていること全特徴とする半導体装置。
JP58146923A 1983-08-11 1983-08-11 半導体装置 Pending JPS6038823A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58146923A JPS6038823A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58146923A JPS6038823A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6038823A true JPS6038823A (ja) 1985-02-28

Family

ID=15418623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58146923A Pending JPS6038823A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 半導体装置

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JP (1) JPS6038823A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63310552A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Ushio Inc 白熱電球の製造方法
JPH0351854U (ja) * 1989-09-28 1991-05-20
JPH0414750A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Koito Mfg Co Ltd ウエッジベースバルブにおけるリード線の封止方法
EP0701281A3 (de) * 1994-09-07 1996-09-11 Heraeus Gmbh W C Substrat mit bondfähiger Beschichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586143A (ja) * 1981-07-02 1983-01-13 Matsushita Electronics Corp 半導体装置

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