JPS6043214A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6043214A JPS6043214A JP15232383A JP15232383A JPS6043214A JP S6043214 A JPS6043214 A JP S6043214A JP 15232383 A JP15232383 A JP 15232383A JP 15232383 A JP15232383 A JP 15232383A JP S6043214 A JPS6043214 A JP S6043214A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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-
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、例えばディジタル・オーディオ・テープレコ
ーダー（ＤＡＴ）等の磁気記録再生装置に用いられる薄
膜磁気＾ラドに関するものである。
ーダー（ＤＡＴ）等の磁気記録再生装置に用いられる薄
膜磁気＾ラドに関するものである。
（ロ）従来技術
一般に、斯る薄膜磁気ヘッドは薄膜磁気ヘッドパターン
を形成して成る下地用基板上に、保護用基板を接着して
構成されている。そして、斯る薄膜磁気ヘッドに用いら
れている例えば下地用基板には大きく分けて磁性と非磁
性の基板があり、磁性基板には一般にＮｉ−Ｚｎフェラ
イトの他Ｍｎ−Ｚｎフェライトやセンダスト等が用いら
れている。このうち、Ｎｉ−Ｚｎフェライト及びＭｎ−
Ｚｎフェライトは耐摩耗性についてはまずまずであるが
熱伝導性については余り芳しくないため、斯るＮｉ、−
ＬＺｎフェライト及びＭｎ−Ｚｎフェライトを記録用薄
膜磁気ヘッドの下地用基板として用いた場合にはコイル
に流す励磁電流による発熱が大きな問題になっていた。
を形成して成る下地用基板上に、保護用基板を接着して
構成されている。そして、斯る薄膜磁気ヘッドに用いら
れている例えば下地用基板には大きく分けて磁性と非磁
性の基板があり、磁性基板には一般にＮｉ−Ｚｎフェラ
イトの他Ｍｎ−Ｚｎフェライトやセンダスト等が用いら
れている。このうち、Ｎｉ−Ｚｎフェライト及びＭｎ−
Ｚｎフェライトは耐摩耗性についてはまずまずであるが
熱伝導性については余り芳しくないため、斯るＮｉ、−
ＬＺｎフェライト及びＭｎ−Ｚｎフェライトを記録用薄
膜磁気ヘッドの下地用基板として用いた場合にはコイル
に流す励磁電流による発熱が大きな問題になっていた。
即ち、薄膜磁気ヘッドはその構造上熱のほとんどが伝導
によって発散されることから、コイルの周辺の材料を熱
伝導性の良いもので構成してやらないと、熱のため流し
得る励磁電流（最大許容電流）が少なくなると同時に、
この熱が磁性層の温度を上昇させて磁性層の飽和磁束密
度及び透磁率等の磁気特性が劣化されることになる。そ
の結果、テープの記録に必要な漏洩磁場が弱くなり、記
録性能が劣化することになる。これは、磁気抵抗効果型
の再生用薄膜磁気ヘッドについても同様で、この場合は
センス電流による発熱が大きな問題になっていた。
によって発散されることから、コイルの周辺の材料を熱
伝導性の良いもので構成してやらないと、熱のため流し
得る励磁電流（最大許容電流）が少なくなると同時に、
この熱が磁性層の温度を上昇させて磁性層の飽和磁束密
度及び透磁率等の磁気特性が劣化されることになる。そ
の結果、テープの記録に必要な漏洩磁場が弱くなり、記
録性能が劣化することになる。これは、磁気抵抗効果型
の再生用薄膜磁気ヘッドについても同様で、この場合は
センス電流による発熱が大きな問題になっていた。
一方、センダストを下地用基板として用いた場合につい
ても、上記したフェライト系に比べて発熱に関するはっ
きりとした改善はみられず、耐摩耗性の点でもフェライ
ト系より劣るため満足のいく基板とは言えなかった。
ても、上記したフェライト系に比べて発熱に関するはっ
きりとした改善はみられず、耐摩耗性の点でもフェライ
ト系より劣るため満足のいく基板とは言えなかった。
欠に、斯る下地用基板が非磁性の基板である場合につい
てであるが、非磁性基板としてはＡｊｂ０３、Ａ７ｂ０
３ Ｔｉ、Ｃ，Ｔ’１０２ Ｂａ、ＯＺｎＯ２等のセラ
ミック系のものやＳｉ単結晶等がある。このうち、セラ
ミック系のものについてはＮ ’ｉ−−Ｚ ｎフェライ
ト等よりも耐摩耗性が優れているが、熱伝導性について
はＮｉ、Ｚｎフェライト等と同様余り芳しくなかった。
てであるが、非磁性基板としてはＡｊｂ０３、Ａ７ｂ０
３ Ｔｉ、Ｃ，Ｔ’１０２ Ｂａ、ＯＺｎＯ２等のセラ
ミック系のものやＳｉ単結晶等がある。このうち、セラ
ミック系のものについてはＮ ’ｉ−−Ｚ ｎフェライ
ト等よりも耐摩耗性が優れているが、熱伝導性について
はＮｉ、Ｚｎフェライト等と同様余り芳しくなかった。
一方、Ｓ１単結晶を下地用基板として用いた場合、その
最大許容電流についてはＮ’Ｌ−Ｚｎフェライト基板の
場合よりも約１５％程度の向上が見られるが、耐摩耗性
についてはＮｊ−−Ｚｎフェライトよりも劣るため、基
板として最適なものではなかった。
最大許容電流についてはＮ’Ｌ−Ｚｎフェライト基板の
場合よりも約１５％程度の向上が見られるが、耐摩耗性
についてはＮｊ−−Ｚｎフェライトよりも劣るため、基
板として最適なものではなかった。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点に鑑み成されたもので、薄膜磁気ヘッド
に新たな基板材料を用いることによって上記した従来薄
膜磁気ヘッドの問題点を解決し、その性能及び信頼性を
向上させることを目的としたものである。
に新たな基板材料を用いることによって上記した従来薄
膜磁気ヘッドの問題点を解決し、その性能及び信頼性を
向上させることを目的としたものである。
に）発明の構成
本発明は上記した目的を達成するために、薄膜磁気ヘッ
ドパターンを形成して成る下地用基板上に、保護用基板
を接着して構成される薄膜磁気ヘッドであっ４て、前記
下地用基板と保護用基板の両方若しくは片方に熱伝導率
がＳｉ単結晶と同等か若しくはそれ以上のセラミックス
材料、具体的にはＳＩＣを主成分としたセラミックスを
用いたものである。
ドパターンを形成して成る下地用基板上に、保護用基板
を接着して構成される薄膜磁気ヘッドであっ４て、前記
下地用基板と保護用基板の両方若しくは片方に熱伝導率
がＳｉ単結晶と同等か若しくはそれ以上のセラミックス
材料、具体的にはＳＩＣを主成分としたセラミックスを
用いたものである。
（ホ）実施例
以下、本発明の一実施例である記録用薄膜磁気ヘッドに
ついて図面と共に説明する。
ついて図面と共に説明する。
先ず、記録用薄膜磁気ヘッドの下地用基板として硬度（
１１１ち、耐摩耗性）が高く、且つＳｉ単結晶と同等若
しくはそれ以上に熱伝導性の高いＳｉＣを主成分とした
セラミックス、即ちＳｉＣセラミックス（例えば、商品
名としてＨ工ＴＡＣＥＲＡＭ ５Ｏ−１０１がある）を
用いた場合の製造過程について第１図並びに第２図を参
照にしながら述べる。
１１１ち、耐摩耗性）が高く、且つＳｉ単結晶と同等若
しくはそれ以上に熱伝導性の高いＳｉＣを主成分とした
セラミックス、即ちＳｉＣセラミックス（例えば、商品
名としてＨ工ＴＡＣＥＲＡＭ ５Ｏ−１０１がある）を
用いた場合の製造過程について第１図並びに第２図を参
照にしながら述べる。
即ち、ＳｉＣセラミックスよりなる下地用基板（１）上
に下部磁性層（２）であるパーマロイ（Ｎｉ、８１％−
Ｆｅｉ９％）を約５μｍの厚みに全面スパッタ蒸着し、
その上に絶縁層（Ｓ ｉ、 ０２、厚み約１μｍ）を同
じく全面スパッタ蒸着する。そして、欠にコイル用の導
体層＋３１（Ｃｕ、厚み約２ Ｉｔ ｍ ）を上下に接
着層（ＣｒやＴ１等、厚み約０．０５μｍ）を配して全
面に真空、蒸着或いはスパッタ蒸着を行い、ドライエツ
チング（ケミカルエツチングも可）で所定の導体形状に
パターン化する。尚、斯る導体層（３）は幅が最も狭い
部分で５０μｍの１ターン型とする。そして、更にこの
上にリード線接続部を覆うように金属マスクを配した所
謂マスクスパッタ法により絶縁層（Ｓ Ｔ０２、厚み約
１μｍ）を成膜した後、作動ギャップ長を形成する部分
のみエツチングで取り除き新たに作動ギャップ長ｆに等
しい厚みの絶縁層（Ｓ−１０２、厚み約０．５μｍ）を
成膜する。次いで下部磁性層（２１の後部接続部の絶縁
層のみを取り除き、下部磁性層（４）（パーマロイ、厚
さ約７μｍ）を全面スパッタ蒸着した後、ドライエツチ
ングにてパターン化する。
に下部磁性層（２）であるパーマロイ（Ｎｉ、８１％−
Ｆｅｉ９％）を約５μｍの厚みに全面スパッタ蒸着し、
その上に絶縁層（Ｓ ｉ、 ０２、厚み約１μｍ）を同
じく全面スパッタ蒸着する。そして、欠にコイル用の導
体層＋３１（Ｃｕ、厚み約２ Ｉｔ ｍ ）を上下に接
着層（ＣｒやＴ１等、厚み約０．０５μｍ）を配して全
面に真空、蒸着或いはスパッタ蒸着を行い、ドライエツ
チング（ケミカルエツチングも可）で所定の導体形状に
パターン化する。尚、斯る導体層（３）は幅が最も狭い
部分で５０μｍの１ターン型とする。そして、更にこの
上にリード線接続部を覆うように金属マスクを配した所
謂マスクスパッタ法により絶縁層（Ｓ Ｔ０２、厚み約
１μｍ）を成膜した後、作動ギャップ長を形成する部分
のみエツチングで取り除き新たに作動ギャップ長ｆに等
しい厚みの絶縁層（Ｓ−１０２、厚み約０．５μｍ）を
成膜する。次いで下部磁性層（２１の後部接続部の絶縁
層のみを取り除き、下部磁性層（４）（パーマロイ、厚
さ約７μｍ）を全面スパッタ蒸着した後、ドライエツチ
ングにてパターン化する。
その上に保護層としての絶縁層ｆ５）（Ｓｉ、０２、厚
み約２μｍ）をマスクスパッタ法で成膜する。そして最
後にエポキシ系樹脂等の接着剤（６）（或いはガラスで
も良い）にて上部保護用基板（７）（例えばガラス）を
接着し、切断加工後にケース入れ、テープ対接面加工、
リード線接続等を行って所定の薄膜磁気ヘッドに仕上げ
る。ここで、（８）は上部磁性層（４）をスパッタ蒸着
するまでの間に成膜される絶縁層である。尚、本実施例
では下地用基板のみにＳＩＣセラミックスを用いた場合
について説明したが上部保護用基板と両方に用いても良
い。
み約２μｍ）をマスクスパッタ法で成膜する。そして最
後にエポキシ系樹脂等の接着剤（６）（或いはガラスで
も良い）にて上部保護用基板（７）（例えばガラス）を
接着し、切断加工後にケース入れ、テープ対接面加工、
リード線接続等を行って所定の薄膜磁気ヘッドに仕上げ
る。ここで、（８）は上部磁性層（４）をスパッタ蒸着
するまでの間に成膜される絶縁層である。尚、本実施例
では下地用基板のみにＳＩＣセラミックスを用いた場合
について説明したが上部保護用基板と両方に用いても良
い。
この様にして出来た本発明の薄膜磁気ヘッド（この場合
１日トラックとする）と、ＳｉＣセラミックス基板を用
いていない従来タイプの薄膜磁気ヘッド（この場合、３
６トラツクとする）を比較するために夫々各トラックに
別々に電流を流してその最大許容電流をめる実験を行っ
た結果、従来薄膜磁気ヘッドの場合１ｉ７Ａ１６）ラッ
クｉＣセラミックスを用いた場合ｔ６９Ａ（１Ｂトラツ
ク平均）となった。尚、この実験で用いたＳｉＣセラミ
ックスの熱伝導率はＳ’ｌ単結晶の２倍以上の２７０
（Ｗ／ｍ −ｔ）である。二の様に、下地用基板にＳｊ
［セラミックスを用いることで最大許容電流は約１８％
程向上し、その上部保護基板にもＳｉＣセラミックスを
用いることで更に約５％向上させることが出来る。
１日トラックとする）と、ＳｉＣセラミックス基板を用
いていない従来タイプの薄膜磁気ヘッド（この場合、３
６トラツクとする）を比較するために夫々各トラックに
別々に電流を流してその最大許容電流をめる実験を行っ
た結果、従来薄膜磁気ヘッドの場合１ｉ７Ａ１６）ラッ
クｉＣセラミックスを用いた場合ｔ６９Ａ（１Ｂトラツ
ク平均）となった。尚、この実験で用いたＳｉＣセラミ
ックスの熱伝導率はＳ’ｌ単結晶の２倍以上の２７０
（Ｗ／ｍ −ｔ）である。二の様に、下地用基板にＳｊ
［セラミックスを用いることで最大許容電流は約１８％
程向上し、その上部保護基板にもＳｉＣセラミックスを
用いることで更に約５％向上させることが出来る。
ところで、実際に薄膜磁気ヘッドに流す電流はその最大
許容電流より大幅に少ない値（例えば、最大許容電流の
５０％以下）に押さえる必要があるが、本発明のように
最大許容電流を向上させたことによって実用範囲で流し
得る電流値も高くなることから結゛果的に記録磁場の強
い高性能な薄膜磁気ヘッドを実現することが出来る。ま
た、従来タイプの薄膜磁気ヘッドと同じ値の電流を流し
た場合でも磁性層の昇温か引き起こす勝気特性の劣化が
少ない分だけその信頼性を向上させるこ′とが出来る。
許容電流より大幅に少ない値（例えば、最大許容電流の
５０％以下）に押さえる必要があるが、本発明のように
最大許容電流を向上させたことによって実用範囲で流し
得る電流値も高くなることから結゛果的に記録磁場の強
い高性能な薄膜磁気ヘッドを実現することが出来る。ま
た、従来タイプの薄膜磁気ヘッドと同じ値の電流を流し
た場合でも磁性層の昇温か引き起こす勝気特性の劣化が
少ない分だけその信頼性を向上させるこ′とが出来る。
最後に、第５図辺ものは上部保護用基板（７）にＳｉＣ
セラミックスを用いた他の実施例を示し、この場合下地
用基板（１）にはＮ ５−−Ｚ ｎフェライト（即ち、
絶縁性磁性材）が用いられるため、下部磁性層（２）並
ひに、下地用基板（１）と導体１ｉｉｊ ｉ３）との間
に介在する絶縁層を省くことが出来、その他は第２図の
ものと同様の過程で製造される。
セラミックスを用いた他の実施例を示し、この場合下地
用基板（１）にはＮ ５−−Ｚ ｎフェライト（即ち、
絶縁性磁性材）が用いられるため、下部磁性層（２）並
ひに、下地用基板（１）と導体１ｉｉｊ ｉ３）との間
に介在する絶縁層を省くことが出来、その他は第２図の
ものと同様の過程で製造される。
（へ）発明の効果
Claims (2)
- （１）薄膜磁気ヘッドパターンを形成して成る下地用基
板上に、保護用基板を接着して構成される薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記下地用基板と保護用基板の両方若しく
は片方に熱伝導率がＳｉ単結晶と同等か若しくはそれ以
上のセラミックス材料を用いた事を特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - （２）前記セラミックス材料としてＳｉＣを主成分とし
たセラミックスを用いた事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15232383A JPS6043214A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15232383A JPS6043214A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043214A true JPS6043214A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15538013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15232383A Pending JPS6043214A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043214A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278416A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Fujitsu Ltd | Thin-film integrated multiplex magnetic head |
| JPS5826308A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜素子部品 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15232383A patent/JPS6043214A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278416A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Fujitsu Ltd | Thin-film integrated multiplex magnetic head |
| JPS5826308A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜素子部品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
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