JPS5826603B2 - 透明導電膜のプラズマエツチング方法 - Google Patents
透明導電膜のプラズマエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5826603B2 JPS5826603B2 JP51104672A JP10467276A JPS5826603B2 JP S5826603 B2 JPS5826603 B2 JP S5826603B2 JP 51104672 A JP51104672 A JP 51104672A JP 10467276 A JP10467276 A JP 10467276A JP S5826603 B2 JPS5826603 B2 JP S5826603B2
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- Japan
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- etching
- transparent conductive
- gas
- conductive film
- high frequency
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガスプラズマを利用したエツチング方法に関
するもので、特にガラス基板上に堆積された酸化インジ
ウム、酸化スズ等の透明導電膜のエツチングに関するも
のである。
するもので、特にガラス基板上に堆積された酸化インジ
ウム、酸化スズ等の透明導電膜のエツチングに関するも
のである。
透明導電膜は、主として電子卓上計算機及び電子時計の
液晶表示板の電極用として用いられている。
液晶表示板の電極用として用いられている。
これらの透明導電膜は、酸化スズ膜あるいは１０パーセ
ント前後のスズを含有する酸化インジウム膜が広く用い
られており、それぞれの用途に応じて、厚さ０．５〜２
山の透明ガラス板上に、スパッタリング法あるいは真空
蒸着法等により厚さ８００〜２０００Ａの均一な薄膜に
形成される。
ント前後のスズを含有する酸化インジウム膜が広く用い
られており、それぞれの用途に応じて、厚さ０．５〜２
山の透明ガラス板上に、スパッタリング法あるいは真空
蒸着法等により厚さ８００〜２０００Ａの均一な薄膜に
形成される。
しかし、膜厚が等しい均合酸化スズ膜の抵抗値は酸化イ
ンジウム膜の抵抗値より高いため、これまで主として酸
化インジウム膜が使用されていたが薄膜作成の上で安定
性に問題があるため、現在では工業的に安定に作成でき
る酸化スズ膜が主として用いられるようになってきた。
ンジウム膜の抵抗値より高いため、これまで主として酸
化インジウム膜が使用されていたが薄膜作成の上で安定
性に問題があるため、現在では工業的に安定に作成でき
る酸化スズ膜が主として用いられるようになってきた。
従来、これら透明導電膜のエツチングには酸化インジウ
ム用として常温の塩酸溶液、また酸化スズ用には亜鉛を
添加剤にし、加熱された塩酸溶液による化学エツチング
が用いられているが、次のような問題がある。
ム用として常温の塩酸溶液、また酸化スズ用には亜鉛を
添加剤にし、加熱された塩酸溶液による化学エツチング
が用いられているが、次のような問題がある。
第１にフォトレジスト等を透明導電膜に塗布するマスキ
ング処理によるエツチングにおいては、このマスク下部
への浸透を生じ易くまた浸食いわゆるサイドエツチング
を生じる。
ング処理によるエツチングにおいては、このマスク下部
への浸透を生じ易くまた浸食いわゆるサイドエツチング
を生じる。
また、このマスクの基板への付着力増強のため、通常エ
ツチングに先たちポストベークと呼ばれる熱処理が行な
われるが、この時の条件によっては、このマスクのパタ
ーン形状寸法が歪み、忠実なパターンエツチング形成が
害される。
ツチングに先たちポストベークと呼ばれる熱処理が行な
われるが、この時の条件によっては、このマスクのパタ
ーン形状寸法が歪み、忠実なパターンエツチング形成が
害される。
第２にこれらエツチング液が強酸であるため、多量の廃
液を処理するのには多くの費用を用する。
液を処理するのには多くの費用を用する。
第３に、エツチング液が酸化インジウムと酸化スズでは
異なり、特に酸化スズのエツチング条件は添加剤、及び
温度の条件が厳しく溶液管理が複雑である。
異なり、特に酸化スズのエツチング条件は添加剤、及び
温度の条件が厳しく溶液管理が複雑である。
これらの問題点を解決する方法として、ＣＣｌ２Ｆ２（
フロン−１２）等のフロン系ガスによるガスプラズマを
用いて透明導電膜をエツチングする方法があるが、この
ガスプラズマによるエツチング方法は、透明導電膜だけ
ではなく下地のガラスに対してもエツチング作用を有す
る。
フロン−１２）等のフロン系ガスによるガスプラズマを
用いて透明導電膜をエツチングする方法があるが、この
ガスプラズマによるエツチング方法は、透明導電膜だけ
ではなく下地のガラスに対してもエツチング作用を有す
る。
一例としてガラス基板上に真空蒸着法で酸化インジウム
膜を形成した基板をフロン−１２（ＣＣ１２Ｆ２）をエ
ツチングガスとして、直径２８０間の試料テーブルに高
周波電力３００ｗを投入し、ガス圧力０．０２ｔｏｒｒ
の条件の下でエツチングした場合、酸化インジウムのエ
ツチング速度が２００〜３００Ａｍｉ であるのに対し
、下地のガラスのエツチング速度は３００ Ａ／ｍｉで
あった。
膜を形成した基板をフロン−１２（ＣＣ１２Ｆ２）をエ
ツチングガスとして、直径２８０間の試料テーブルに高
周波電力３００ｗを投入し、ガス圧力０．０２ｔｏｒｒ
の条件の下でエツチングした場合、酸化インジウムのエ
ツチング速度が２００〜３００Ａｍｉ であるのに対し
、下地のガラスのエツチング速度は３００ Ａ／ｍｉで
あった。
かかる現象は次のごとき不都合を生じる。
ガスプラズマエツチングの場合に生ずる基板内のエツチ
ング速度分布が均一な場合、既にエツチング終了した部
分は他のエツチング未終了部分が終了するまで、透明電
導膜の下地のガラス面はガスプラズマに晒されることに
なる。
ング速度分布が均一な場合、既にエツチング終了した部
分は他のエツチング未終了部分が終了するまで、透明電
導膜の下地のガラス面はガスプラズマに晒されることに
なる。
一例として、表面をよく研磨した５０Ｘ５０ｉｇ角のガ
ラス基板上に蒸着等により形成された酸化インジウム膜
をエツチングした場合、中央部は周辺部より約２倍のエ
ツチング時間を要した。
ラス基板上に蒸着等により形成された酸化インジウム膜
をエツチングした場合、中央部は周辺部より約２倍のエ
ツチング時間を要した。
このことは基板周辺部の酸化インジウムのパターンをガ
ラス基板から浮き立たせることになり、さらに干渉縞を
生じる原因となる。
ラス基板から浮き立たせることになり、さらに干渉縞を
生じる原因となる。
このためガラスに対するエツチング速度を抑制し、透明
電導膜のエツチング速度を増大させ、下地となるガラス
面へのエツチング量を減少できるガスプラズマを用いた
選択エツチングが望まれていた。
電導膜のエツチング速度を増大させ、下地となるガラス
面へのエツチング量を減少できるガスプラズマを用いた
選択エツチングが望まれていた。
本発明の目的は、従来の化学溶液による化学エツチング
及びフロン系ガスを用いたガスプラズマエツチングにお
ける問題点を解決しガラス基板上の透明導電膜を選択的
にエツチングし、忠実なエツチングパターンを形成する
方法を提供することにある。
及びフロン系ガスを用いたガスプラズマエツチングにお
ける問題点を解決しガラス基板上の透明導電膜を選択的
にエツチングし、忠実なエツチングパターンを形成する
方法を提供することにある。
本発明は、減圧された気密容器内に、塩素及び塩素を含
有せる炭化水素系ガス又はこれらガスと空気からなる混
合ガスを導入しプラズマガスを発生させ、該プラズマに
透明電導膜を曝し、活性な分子との化学反応により、塩
化インジウムあるいは塩化スズといった低融点塩化物を
つくり、蒸発気化させて真空ポンプによって排気除去す
ることによって、酸化インジウムあるいは酸化スズ等の
透明導電膜を選択的にエツチングするプラズマエツチン
グ方法にある。
有せる炭化水素系ガス又はこれらガスと空気からなる混
合ガスを導入しプラズマガスを発生させ、該プラズマに
透明電導膜を曝し、活性な分子との化学反応により、塩
化インジウムあるいは塩化スズといった低融点塩化物を
つくり、蒸発気化させて真空ポンプによって排気除去す
ることによって、酸化インジウムあるいは酸化スズ等の
透明導電膜を選択的にエツチングするプラズマエツチン
グ方法にある。
以下この発明を図面により詳細に説明する。
第１図はこの発明に用いられるプラズマエツチング装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
図において真空容器１０は、ペルジャー１１．ペースプ
レート１２よりなり、ペースプレート１２にはポンプ（
図示していない）に接続される排気口１３、及び可変リ
ークパルプ１５に接続されたガス吹き出し口１４、さら
に高周波電極組立２０、及び対向電極２４が取り付けら
れている。
レート１２よりなり、ペースプレート１２にはポンプ（
図示していない）に接続される排気口１３、及び可変リ
ークパルプ１５に接続されたガス吹き出し口１４、さら
に高周波電極組立２０、及び対向電極２４が取り付けら
れている。
高周波電極組立２０は、高周波電極２１、テフロンスペ
ーサ２２、及びシールド２３から構成され、高周波電極
２１には高周波電源３０が接続されていて高周波電圧が
印加することができる。
ーサ２２、及びシールド２３から構成され、高周波電極
２１には高周波電源３０が接続されていて高周波電圧が
印加することができる。
エツチングすべき基板２６は高周波電極２１の上に配置
される。
される。
ポンプにより容器内を排気しガス吹き出し口１４よりエ
ツチングガスを導入し容器内を１Ｏ−２ｔｏｒｒ台より
１Ｏ−ｌｔｏｒｒ台の圧力範囲内で一定に保ち、高周波
電源３０より高周波電極２１に数百Ｗの高周波電力を供
給することにより放電を起し、特に高周波電極２１と対
向電極２４の間で強く放電する。
ツチングガスを導入し容器内を１Ｏ−２ｔｏｒｒ台より
１Ｏ−ｌｔｏｒｒ台の圧力範囲内で一定に保ち、高周波
電源３０より高周波電極２１に数百Ｗの高周波電力を供
給することにより放電を起し、特に高周波電極２１と対
向電極２４の間で強く放電する。
高周波電極２１の上に配置された基板２６は主としてプ
ラズマ内に発生する化学的に活性な分子によりエツチン
グされる。
ラズマ内に発生する化学的に活性な分子によりエツチン
グされる。
本発明の実施例１によれば、エツチングガスとして四塩
化炭素ガスを用いて、直径２８０ｍｍの高周波電極に周
波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０ｗを供給して
エツチングをした場合、酸化インジウムのエツチング速
度は、ｉ ５０１／ｍｉとなり、下地のガラスのエツチ
ング速度はＩＯＡ／ｒｎｉが得られ酸化インジウムとガ
ラスエツチング速度の相対比は１５となった。
化炭素ガスを用いて、直径２８０ｍｍの高周波電極に周
波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０ｗを供給して
エツチングをした場合、酸化インジウムのエツチング速
度は、ｉ ５０１／ｍｉとなり、下地のガラスのエツチ
ング速度はＩＯＡ／ｒｎｉが得られ酸化インジウムとガ
ラスエツチング速度の相対比は１５となった。
また実施例２によれば、実施例１と同じ条件で酸化スズ
をエツチングしたが、酸化インジウムと同じ１５０Ａ／
ｍｉのエツチング速度が得られた。
をエツチングしたが、酸化インジウムと同じ１５０Ａ／
ｍｉのエツチング速度が得られた。
さらに実施例３によれば四塩化炭素に若干の空気を混合
したガスをエツチングガスとしてガス圧力０．１ ｔｏ
ｒｒ直径２８゜ｎの高周波電極に高周波圧力１５０ｗを
供給してエツチングした場合、酸化インジウムのエツチ
ング速度５０Ａ／ｍｉとなり、下地のガラスのエツチン
グ速度は１〜２Ｘ／ｍｉ が得られ、酸化インジウムと
ガラスのエツチング速度の相対比は２５以上となった。
したガスをエツチングガスとしてガス圧力０．１ ｔｏ
ｒｒ直径２８゜ｎの高周波電極に高周波圧力１５０ｗを
供給してエツチングした場合、酸化インジウムのエツチ
ング速度５０Ａ／ｍｉとなり、下地のガラスのエツチン
グ速度は１〜２Ｘ／ｍｉ が得られ、酸化インジウムと
ガラスのエツチング速度の相対比は２５以上となった。
エツチング時のガス圧力を高めかつ空気を混合すること
により酸化インジウムとガラスの選択性が大きくなると
いうことは酸化インジウムに対するエツチング作用が、
前記の塩素を含有するガスによるガスプラズマの活性分
子による化学反応に負うところが大きいことを示してい
る。
により酸化インジウムとガラスの選択性が大きくなると
いうことは酸化インジウムに対するエツチング作用が、
前記の塩素を含有するガスによるガスプラズマの活性分
子による化学反応に負うところが大きいことを示してい
る。
これにより、第２図のこの発明による他の実施例のエツ
チング装置にも応用できる。
チング装置にも応用できる。
即ち気密容器５０で、石英製円筒容器５１の外部にコイ
ル５２が巻かれている。
ル５２が巻かれている。
該円筒容器５１には、ポンプ（図示していない）に接続
された排気口５３とエツチングガスを導入する可変リー
クパルプ５が取りつけられている。
された排気口５３とエツチングガスを導入する可変リー
クパルプ５が取りつけられている。
被処理基板６１は基板支持台６０に置かれ円筒容器５１
の中に配置される。
の中に配置される。
円筒容器の外部に巻かれたコイル５２０両端には高周波
電流を流す高周波電源７０が接続されている。
電流を流す高周波電源７０が接続されている。
これらへの応用が有益であることは関係分野の技術者に
とっては明らかである。
とっては明らかである。
第１図は本発明による実施例の構成図で、図において１
０は真空容器、２０は高周波電極組立、３０は高周波電
源をそれぞれ示す。 第２図は本発明による第二の実施例の構成図で、５０は
真空容器、６０は基板支持台、７０は高周波電源をそれ
ぞれ示す。
０は真空容器、２０は高周波電極組立、３０は高周波電
源をそれぞれ示す。 第２図は本発明による第二の実施例の構成図で、５０は
真空容器、６０は基板支持台、７０は高周波電源をそれ
ぞれ示す。
Claims (1)
- １ 塩素あるいは塩化炭化水素を含むガスをプラズマ化
し、このプラズマガスにより透明導電膜をエツチングす
る透明導電膜のプラズマエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51104672A JPS5826603B2 (ja) | 1976-09-01 | 1976-09-01 | 透明導電膜のプラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51104672A JPS5826603B2 (ja) | 1976-09-01 | 1976-09-01 | 透明導電膜のプラズマエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5330798A JPS5330798A (en) | 1978-03-23 |
| JPS5826603B2 true JPS5826603B2 (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=14386952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51104672A Expired JPS5826603B2 (ja) | 1976-09-01 | 1976-09-01 | 透明導電膜のプラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826603B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2233286A (en) * | 1989-06-01 | 1991-01-09 | P Maguire | Pattern processing on tin oxide films |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3001891B2 (ja) * | 1987-10-01 | 2000-01-24 | グンゼ株式会社 | 透明導電膜のエッチング方法及びその装置 |
| US12051589B2 (en) | 2016-06-28 | 2024-07-30 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| KR102722138B1 (ko) | 2017-02-13 | 2024-10-24 | 램 리써치 코포레이션 | 에어 갭들을 생성하는 방법 |
| US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
| US11355353B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-06-07 | Lam Research Corporation | Tin oxide mandrels in patterning |
| KR102841279B1 (ko) | 2018-03-19 | 2025-07-31 | 램 리써치 코포레이션 | 챔퍼리스 (chamferless) 비아 통합 스킴 (scheme) |
| KR102748920B1 (ko) | 2019-06-27 | 2024-12-30 | 램 리써치 코포레이션 | 교번하는 에칭 및 패시베이션 프로세스 |
| US12584216B2 (en) | 2021-04-21 | 2026-03-24 | Lam Research Corporation | Minimizing tin oxide chamber clean time |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141015A (en) * | 1974-10-03 | 1976-04-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Sankasuzumaku no etsuchinguhoho |
-
1976
- 1976-09-01 JP JP51104672A patent/JPS5826603B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2233286A (en) * | 1989-06-01 | 1991-01-09 | P Maguire | Pattern processing on tin oxide films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5330798A (en) | 1978-03-23 |
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