JPH0518177B2 - - Google Patents
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- JPH0518177B2 JPH0518177B2 JP9340984A JP9340984A JPH0518177B2 JP H0518177 B2 JPH0518177 B2 JP H0518177B2 JP 9340984 A JP9340984 A JP 9340984A JP 9340984 A JP9340984 A JP 9340984A JP H0518177 B2 JPH0518177 B2 JP H0518177B2
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Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はプラズマ重合膜を連続手に形成する方
法に関する。 従来例の構成とその問題点 有機化合物を使うグロー放電には、条件により
重合膜の形成現象が伴ない、この現象の積極的な
利用が高分子薄膜の一形成手段として位置づけさ
れ、医学、工学分野に応用展開の検討が進んでい
る。この技術は従来の重合法で得られない重合膜
が得られることで注目されて研究が進められてい
るが、その工業的利用の前提となる薄膜形成速度
の点で難点がある。 第１図は従来使用されている代表的な重合装置
の例である。第１図で１は反応容器、２は高周波
コイル、３は基板、４は基板保持板、５は真空ポ
ンプ、６はモノマー導入管である。 この装置では、高周波無極放電を利用してお
り、放電電極に直接プラズマがふれないため、反
応容器を例えば石英ガラスで構成すれば、重合膜
に電極材料が混入する懸念がなくなるので、半導
体工業などの分野を中心によく検討されている。 この方法は、モノマーの使用効率面で優れてい
るが、膜形成速度は、例えば、60℃のシリカ基板
上にテトラエトキシシランの重合膜を形成する場
合でも高々150Å／min程度しか得られず、磁気
テープの保護膜などの工業規模での応用には、１
桁膜形成速度を大きくすることが望まれている。 従来法では、高周波電力に応じて膜形成速度が
ある程度上昇するが、やがて分解も起るようにな
り、重合度が低下し好ましくないため、高速化に
限界があつた。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、プラ
ズマ重合による薄膜形成速度の高速化をはかるこ
とを目的とする。 発明の構成 本発明の薄膜形成方法は、無極放電により発生
せしめた電離気体を対向電極のグロー放電に注入
混合させた状態でプラズマ重合膜を形成すること
を特徴とし、膜形成速度を大きくできるものであ
る。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明を説明する。第
２図は本発明の方法を適用して得られる磁気記録
媒体の一例の断面図である。第２図で７は高分子
基板、８は軟磁性層、９は垂直磁化膜で１０はプ
ラズマ重合膜である。 以下の説明で保護膜の形成を行う基板をウエブ
と呼ぶ。 第３図はウエブ上に高速でプラズマ重合膜を形
成するのに用いた薄膜形成装置である。 第３図に於て、１１は真空容器、１２，１３は
放電電極で１４は放電電源、１５は絶縁導入端
子、１６はガス導入ノズルＡ、１７は可変リーク
弁Ａ、１８は無極放電容器、１９は高周波コイ
ル、２０はガス導入ノズルＢ、２１は可変リーク
弁Ｂ、２２はウエブ２３は送り出し軸、２４は巻
取り軸、２５は回転ローラ、破線で示した２６
は、紙面に垂直な方向に配した排気孔である。 第３図に示したように対向電極間のグロー放電
だけでプラズマ重合を行うのより、数倍から10倍
の高速化が無極放電により発生させた電離気体を
前記対向電極間グローにさらすことで達成される
理由は、単独では、投入電力を大きくすると分解
が起るので高速化が頭打ちになるのに、２段にプ
ラズマを分けて構成する形になるので、分解が起
らないのでより高速化がはかれるものである。ノ
ズルＡとノズルＢとで異なるモノマー或いは、ノ
ズルＢよりモノマーガス、ノズルＡより酸素、窒
素、アルゴンなどのガスを導入することで、更に
混合モノマーの高速重合の他に、新しい構成元素
からなる重合膜を得ることもできる。又、無極放
電に用いる高周波と、対向電極間の放電に用いる
交流の周波数の選択により、共振現象に類似した
ことが起り、高速化を更に進めることができるな
どの特徴もある。 以下更に具体的に本発明の一実施例について説
明する。 無極放電の反応容器は石英ガラスで、直径20
cm、長さ40cmで、外周の高周波コイルは10ターン
で、ノズルの位置はコイルの上部とコイルの下部
（第３図に示した例）に変化させた。 対向電極は、電極の大きさ25cm角で電極間距離
は12cmとした。 真空容器は内容積は0.1m3で、排気系は液体窒
素トラツプを用いた油拡散ポンプ系と、油回転ポ
ンプ系を併用した。得られた重合膜形成速度を含
め、表にまとめた。
法に関する。 従来例の構成とその問題点 有機化合物を使うグロー放電には、条件により
重合膜の形成現象が伴ない、この現象の積極的な
利用が高分子薄膜の一形成手段として位置づけさ
れ、医学、工学分野に応用展開の検討が進んでい
る。この技術は従来の重合法で得られない重合膜
が得られることで注目されて研究が進められてい
るが、その工業的利用の前提となる薄膜形成速度
の点で難点がある。 第１図は従来使用されている代表的な重合装置
の例である。第１図で１は反応容器、２は高周波
コイル、３は基板、４は基板保持板、５は真空ポ
ンプ、６はモノマー導入管である。 この装置では、高周波無極放電を利用してお
り、放電電極に直接プラズマがふれないため、反
応容器を例えば石英ガラスで構成すれば、重合膜
に電極材料が混入する懸念がなくなるので、半導
体工業などの分野を中心によく検討されている。 この方法は、モノマーの使用効率面で優れてい
るが、膜形成速度は、例えば、60℃のシリカ基板
上にテトラエトキシシランの重合膜を形成する場
合でも高々150Å／min程度しか得られず、磁気
テープの保護膜などの工業規模での応用には、１
桁膜形成速度を大きくすることが望まれている。 従来法では、高周波電力に応じて膜形成速度が
ある程度上昇するが、やがて分解も起るようにな
り、重合度が低下し好ましくないため、高速化に
限界があつた。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、プラ
ズマ重合による薄膜形成速度の高速化をはかるこ
とを目的とする。 発明の構成 本発明の薄膜形成方法は、無極放電により発生
せしめた電離気体を対向電極のグロー放電に注入
混合させた状態でプラズマ重合膜を形成すること
を特徴とし、膜形成速度を大きくできるものであ
る。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明を説明する。第
２図は本発明の方法を適用して得られる磁気記録
媒体の一例の断面図である。第２図で７は高分子
基板、８は軟磁性層、９は垂直磁化膜で１０はプ
ラズマ重合膜である。 以下の説明で保護膜の形成を行う基板をウエブ
と呼ぶ。 第３図はウエブ上に高速でプラズマ重合膜を形
成するのに用いた薄膜形成装置である。 第３図に於て、１１は真空容器、１２，１３は
放電電極で１４は放電電源、１５は絶縁導入端
子、１６はガス導入ノズルＡ、１７は可変リーク
弁Ａ、１８は無極放電容器、１９は高周波コイ
ル、２０はガス導入ノズルＢ、２１は可変リーク
弁Ｂ、２２はウエブ２３は送り出し軸、２４は巻
取り軸、２５は回転ローラ、破線で示した２６
は、紙面に垂直な方向に配した排気孔である。 第３図に示したように対向電極間のグロー放電
だけでプラズマ重合を行うのより、数倍から10倍
の高速化が無極放電により発生させた電離気体を
前記対向電極間グローにさらすことで達成される
理由は、単独では、投入電力を大きくすると分解
が起るので高速化が頭打ちになるのに、２段にプ
ラズマを分けて構成する形になるので、分解が起
らないのでより高速化がはかれるものである。ノ
ズルＡとノズルＢとで異なるモノマー或いは、ノ
ズルＢよりモノマーガス、ノズルＡより酸素、窒
素、アルゴンなどのガスを導入することで、更に
混合モノマーの高速重合の他に、新しい構成元素
からなる重合膜を得ることもできる。又、無極放
電に用いる高周波と、対向電極間の放電に用いる
交流の周波数の選択により、共振現象に類似した
ことが起り、高速化を更に進めることができるな
どの特徴もある。 以下更に具体的に本発明の一実施例について説
明する。 無極放電の反応容器は石英ガラスで、直径20
cm、長さ40cmで、外周の高周波コイルは10ターン
で、ノズルの位置はコイルの上部とコイルの下部
（第３図に示した例）に変化させた。 対向電極は、電極の大きさ25cm角で電極間距離
は12cmとした。 真空容器は内容積は0.1m3で、排気系は液体窒
素トラツプを用いた油拡散ポンプ系と、油回転ポ
ンプ系を併用した。得られた重合膜形成速度を含
め、表にまとめた。
【表】
【表】
＊１ 反応容器へのモノマーガス導入位置で上欄は高
周波コイルの上部、下欄は高周波コイルの下
部からガス導入をした場合である。尚比較例は上
欄は反応容器のみ、下欄は対向電極のみで動
作させた時の値を示してある。
表より明らかなように、本発明によれば、モノ
マーに依存する度合は小さく、殆んど1500Å／
min以上の従来法の10倍以上の高速成膜が可能で
あることが理解できる。 本発明によれば、磁気記録媒体の保護膜として
約100Å形成したピリジンの重合膜は、従来法で
得た約300Åの膜と、ビデオテープレコーダのス
チルモードでの耐久性が同等であり、生産性は更
に有利になることが確かめられている。 本発明は他の多くのモノマーについてもその効
果が十分確かめられているものである。 発明の効果 本発明は対抗電極によるグロー放電中に、無極
放電による電離気体を導入することで、プラズマ
重合の膜形成速度を従来法の10倍以上に高速化で
きるものでその実用的効果は大きい。
周波コイルの上部、下欄は高周波コイルの下
部からガス導入をした場合である。尚比較例は上
欄は反応容器のみ、下欄は対向電極のみで動
作させた時の値を示してある。
表より明らかなように、本発明によれば、モノ
マーに依存する度合は小さく、殆んど1500Å／
min以上の従来法の10倍以上の高速成膜が可能で
あることが理解できる。 本発明によれば、磁気記録媒体の保護膜として
約100Å形成したピリジンの重合膜は、従来法で
得た約300Åの膜と、ビデオテープレコーダのス
チルモードでの耐久性が同等であり、生産性は更
に有利になることが確かめられている。 本発明は他の多くのモノマーについてもその効
果が十分確かめられているものである。 発明の効果 本発明は対抗電極によるグロー放電中に、無極
放電による電離気体を導入することで、プラズマ
重合の膜形成速度を従来法の10倍以上に高速化で
きるものでその実用的効果は大きい。
第１図は従来用いられたプラズマ重合装置で、
第２図は本発明を用いてできる磁気記録媒体の拡
大断面図、第３図は本発明の実施に利用できるプ
ラズマ重合装置の一例である。 １２，１３……対向電極、１８……反応容器、
１９……高周波コイル。
第２図は本発明を用いてできる磁気記録媒体の拡
大断面図、第３図は本発明の実施に利用できるプ
ラズマ重合装置の一例である。 １２，１３……対向電極、１８……反応容器、
１９……高周波コイル。
Claims (1)
- １ 移動する基板上に、少なくともモノマーガス
の無極放電により生じた電離気体を導入し、対向
電極のグロー放電と混合させた状態でプラズマ重
合膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093409A JPS60238304A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093409A JPS60238304A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60238304A JPS60238304A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0518177B2 true JPH0518177B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14081495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093409A Granted JPS60238304A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60238304A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647463B2 (ja) * | 1985-10-24 | 1994-06-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化砒素よりの三塩化砒素の製造方法 |
| JPS62100416A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 三塩化砒素の蒸留精製方法 |
| GB0207350D0 (en) * | 2002-03-28 | 2002-05-08 | Univ Sheffield | Surface |
| GB0313569D0 (en) * | 2003-06-12 | 2003-07-16 | Plasso Technology Ltd | Method |
| US20070065596A1 (en) * | 2003-11-20 | 2007-03-22 | Pavel Koulik | Plasma thin-film deposition method |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59093409A patent/JPS60238304A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60238304A (ja) | 1985-11-27 |
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