JPS5826702B2 - 自励式混合回路 - Google Patents

自励式混合回路

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Publication number
JPS5826702B2
JPS5826702B2 JP51004105A JP410576A JPS5826702B2 JP S5826702 B2 JPS5826702 B2 JP S5826702B2 JP 51004105 A JP51004105 A JP 51004105A JP 410576 A JP410576 A JP 410576A JP S5826702 B2 JPS5826702 B2 JP S5826702B2
Authority
JP
Japan
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excited
self
circuit
mixing circuit
electrode
Prior art date
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Expired
Application number
JP51004105A
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English (en)
Other versions
JPS5287914A (en
Inventor
博 宮本
充久 品川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US05/759,412 priority patent/US4112373A/en
Priority to AU21401/77A priority patent/AU503157B2/en
Publication of JPS5287914A publication Critical patent/JPS5287914A/ja
Publication of JPS5826702B2 publication Critical patent/JPS5826702B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0002—Types of oscillators
    • H03B2200/0008—Colpitts oscillator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0007—Dual gate field effect transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＦＭラジオ受信機やテレビジョン受信機などの
高周波回路に使用される自励式混合回路に関するもので
ある。
局部発振機能と周波数変換機能を１個の能動素子で行う
自励式混合回路は他励式混合回路に対して能動素子を１
個除去することができるので、回路構成が簡単である。
しかし、局部発振信号の注入量、発振の安定度、変換利
得を決定する能動素子のバイアス点が前記緒特性によっ
て相異なるため技術的にむずかしい。
現状においてはバイポーラトランジスタの自励式混合回
路が開発されているがこれは混変調特性が悪く改善する
必要がある。
本発明の目的は混変調特性に優れた自励式混合回路を提
供するにある。
本発明は能動素子としてデュアルゲー）ＦＥＴ（電界効
果トランジスタ）を使用することによって混変調特性の
改善を行い、また、同時にＲＦ（高周波信号）入力部と
局部発振信号帰還回路とを分離することによって相互の
悪影響を無くし、ＦＭ受信機やテレビジョン受信機など
の高周波回路に好適な自励式混合回路を実現する。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図に本発明による自励式混合回路を示す。
まず、直流系から説明する。
図において、２はデュアルゲートＦＥＴを示し、２ａ〜
２ｄは各々ドレイン電極、ソース電極、第１ゲート電極
、第２ゲート電極を示す。
ＦＥＴ２のソース電極２ｂは接地されている。
１ａは第２ゲート電極２ｄ用の直流バイアス電源であり
、抵抗６ａを介して印加される。
１ｂは第１ゲート電極２ｃ用の直流バイアス電源であり
抵抗６ｂを介して印加される。
１ｃはドレイン電極２ａ用の直流電源であり、チョーク
コイル４ｂとコイル４ａを介して印加される。
次に高周波系について説明する。
端子７ａから結合コンデンサ３ａを介して第１ゲート電
極２ｃにＲＦ（高周波）信号が入力される。
ドレイン電極２ａとアース間には発振周波数において容
量性の素子５Ｃが接続されている。
また、ドレイン電極２ａと第２ゲート電極２ｄ間には、
発振周波数において誘導性の回路５ｂが接続されている
。
また、第２ゲート電極２ｄとアース間には発振周波数に
おいて容量性の回路５ａが接続されている。
上記の回路５３〜５ｃの回路は帰還回路を示し、発振周
波数を決定するものである。
更に、ドレイン電極２ａにはコイル４ａ、コンデンサ３
ｂから成るＩＦ同調回路が接続され、コイル４ａとコン
デンサ３ｂとの接続点からコンデンサ３Ｃを介しＩＦ信
号が取り出される。
次に回路動作について説明する。
端子７ａにＲＦ信号が入力されるとドレイン電極２ａと
第２ゲート電極２ｄに接続された帰還回路５ａ、１５ｂ
１５ｃによって発生する局部発振信号と前記ＲＦ信号が
混合され、その差成分すなわちＩＦ信号がドレイン電極
２ａに接続された前記ＩＦ同調回路によって選択され、
端子７ｂにＩＦ信号が出力される。
本発明は特に能動素子として混変調特性の良好なデュア
ルゲートＦＥＴを使用したこと、またＲＦ信号入力と局
部発振用帰還回路とを分離したことに特徴がある。
すなわち、デュアルゲートＦＥＴを使用したことによっ
てバイポーラトランジスタを使用した自励式混合回路よ
りも良好な混変調特性を得ることができる。
また、帰還回路が全てドレイン電極と第２ゲート電極に
接続され、ＲＦ信号入力部と分離されることによって、
入力のマツチングが容易になり、さらに、発振回路が入
力からの悪影響を受けにくいようにすることができるの
で、良好な混合特性が得られる。
以上述べた様に本発明によれば、デュアルゲートＦＥＴ
を使用することによって混変調特性を改善し、入力と出
力の分離の良い回路構成としたので入力のマツチングが
容易になり、また、発振回路に対する入力からの悪影響
を受けにくくなり、良好な特性を期待できる自励式混合
回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明によるデュアルゲートＦＥＴを使用した自励
式混合回路の一実施例を示す回路図である。 １ａ〜１Ｃ：直流電源、２：デュアルゲートＦＢＴ、２
ａ： ドレイン電極、２ｂ：ソース電極、２Ｃ：第１ゲ
ート電極、２ｄ：第２ゲート電極、３８〜３ｃ：コンデ
ンサ、４ａ〜４ｂ：コイル、５ａ〜５Ｃ：帰還回路、６
ａ〜６ｂ：バイアス抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ デュアルゲートＦＥＴが使用された自励式混合回路
    であって、ソース電極が接地され、ＲＦ信号が第１ゲー
    ト電極に入力され、ドレイン電極と第２ゲート電極間に
    発振周波数において誘導性の帰還回路が接続され、ドレ
    イン電極とソース電極間に容量性の帰還回路が接続され
    、第２ゲート電極とソース電極間に容量性の帰還回路が
    接続され、ドレイン電極からＩＦ周波信号が取り出され
    ることを特徴とする自励式混合回路。
JP51004105A 1976-01-19 1976-01-19 自励式混合回路 Expired JPS5826702B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51004105A JPS5826702B2 (ja) 1976-01-19 1976-01-19 自励式混合回路
US05/759,412 US4112373A (en) 1976-01-19 1977-01-14 Self-excited mixer circuit using field effect transistor
AU21401/77A AU503157B2 (en) 1976-01-19 1977-01-18 Self excited mixer circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51004105A JPS5826702B2 (ja) 1976-01-19 1976-01-19 自励式混合回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5287914A JPS5287914A (en) 1977-07-22
JPS5826702B2 true JPS5826702B2 (ja) 1983-06-04

Family

ID=11575498

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JP51004105A Expired JPS5826702B2 (ja) 1976-01-19 1976-01-19 自励式混合回路

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