JPS5827303A - 厚膜抵抗体組成物、抵抗体及び抵抗体を形成する方法 - Google Patents
厚膜抵抗体組成物、抵抗体及び抵抗体を形成する方法Info
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- JPS5827303A JPS5827303A JP57127776A JP12777682A JPS5827303A JP S5827303 A JPS5827303 A JP S5827303A JP 57127776 A JP57127776 A JP 57127776A JP 12777682 A JP12777682 A JP 12777682A JP S5827303 A JPS5827303 A JP S5827303A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜抵抗体(thick film resi
stor)用の有用な組成物、特に伝導相(condu
clivephase)がルテニウムをば一スとするよ
うな組成物に関するものである。
stor)用の有用な組成物、特に伝導相(condu
clivephase)がルテニウムをば一スとするよ
うな組成物に関するものである。
厚膜材料は金属、ガラスおよび/またはセラミックの粉
末の混合物を有機媒質中に分散したものである。これら
の材料は非伝導性の基体に塗布して伝導性、抵抗性もし
くは絶縁性の膜を形成する。
末の混合物を有機媒質中に分散したものである。これら
の材料は非伝導性の基体に塗布して伝導性、抵抗性もし
くは絶縁性の膜を形成する。
厚膜材料は電子工学および弱電気の部品の広範囲の種々
のものに用いられる。
のものに用いられる。
個々の組成物の性質は組成物を構成している特定の成分
に依存する。この組成物はすべて3つの主成分を含む。
に依存する。この組成物はすべて3つの主成分を含む。
伝導相は形成された膜の電気的性質を決定し機械的性質
に影蕃する。伝導体組成物では、一般に伝導相は貴金属
もしく扛貴金属の混合物である。抵抗体組成物では伝導
相は一般に金属酸化物である。誘電体組成物では機能相
(functional phase、 ここでは誘電
相>Fi一般にガラスもしくはセラミックである。
に影蕃する。伝導体組成物では、一般に伝導相は貴金属
もしく扛貴金属の混合物である。抵抗体組成物では伝導
相は一般に金属酸化物である。誘電体組成物では機能相
(functional phase、 ここでは誘電
相>Fi一般にガラスもしくはセラミックである。
結合剤は1通常、ガラス、結晶質の酸化物もしくはこの
両者の組合せである。結合剤は膜をそれ自身および基体
に保持する。結合剤はまた最終の膜の機械的性質にも影
響する。
両者の組合せである。結合剤は膜をそれ自身および基体
に保持する。結合剤はまた最終の膜の機械的性質にも影
響する。
媒質はポリマーの有機溶媒中の溶液である。媒′j&[
は組成物の塗布特性を決定する。
は組成物の塗布特性を決定する。
本組成物中1機能相および結合剤は一般に粉末の形状で
あり媒質中に完全に分散させられている。
あり媒質中に完全に分散させられている。
厚膜材料は基体に塗布される。基体は最終の膜の支持体
として役立つとともにコンデンサーの誘電体のような電
気的機能を有する。基体材料に一般に非伝尋性である。
として役立つとともにコンデンサーの誘電体のような電
気的機能を有する。基体材料に一般に非伝尋性である。
最も普通に用いられる基体材料はセラミックである。萬
純肢(一般に96チ)の酸化アルミニウムが最も広く用
いられる。特別の用途には種々のチタン敏塩のセラミッ
ク、雲母、酸化ベリリウムおよび他の基体が用いられる
。これらは一般に。
純肢(一般に96チ)の酸化アルミニウムが最も広く用
いられる。特別の用途には種々のチタン敏塩のセラミッ
ク、雲母、酸化ベリリウムおよび他の基体が用いられる
。これらは一般に。
用途に対して必要な特定の電気的および機械的性質に応
じて用いられる。
じて用いられる。
ディスプレー(表示装置)のような基体が透明でなけれ
ばならぬ若干の用途ではガラスが用いられる。
ばならぬ若干の用途ではガラスが用いられる。
厚膜技術は製法によると同じ程度に材料もしくは適用法
によって決定される。基本的な厚膜製造工程はスクリー
ン印刷、乾燥および焼成(firing)である。厚膜
組成物は一般にスクリーン印刷により基体に塗布される
。不規則な形状の基体には場合によってディッピング、
バンディング(banding)、ブラッシングもしく
はスプレーが用いられる。
によって決定される。基本的な厚膜製造工程はスクリー
ン印刷、乾燥および焼成(firing)である。厚膜
組成物は一般にスクリーン印刷により基体に塗布される
。不規則な形状の基体には場合によってディッピング、
バンディング(banding)、ブラッシングもしく
はスプレーが用いられる。
スクリーン印刷法は押出し具(squeegee )で
厚膜組成物をステンシル・スクリーンを通して基体上へ
絞り出すことからなる。ステンシル・スクリーン上の孔
の開いたノ々ターンによって基体上に印刷されるノモタ
ーンが決まる。
厚膜組成物をステンシル・スクリーンを通して基体上へ
絞り出すことからなる。ステンシル・スクリーン上の孔
の開いたノ々ターンによって基体上に印刷されるノモタ
ーンが決まる。
印刷後、膜を乾燥し焼成する 一般に空気中で最高50
0〜1000℃の温度で、この方法は所望の機械的、電
気的性質を備えた硬い、接着性のよい膜を形成する。
0〜1000℃の温度で、この方法は所望の機械的、電
気的性質を備えた硬い、接着性のよい膜を形成する。
同じ基体に、スクリーン印刷、乾燥および焼成の操作を
繰り返えすことによって別の厚膜組成物をさらに塗布し
てもよい。このようにして、複雑な、互に結合された伝
導性、抵抗性および絶縁性の膜(複数)が作られる。
繰り返えすことによって別の厚膜組成物をさらに塗布し
てもよい。このようにして、複雑な、互に結合された伝
導性、抵抗性および絶縁性の膜(複数)が作られる。
厚膜抵抗体組成物は9通常デケイド(decade 。
10個1組の抵抗)の抵抗値のものが製造され。
広範囲のシート抵抗(0,5Ω/口〜1×10 Ω/[
])をもうた材料が利用できる。抵抗体の長さと巾方向
の比を変化させると0.5Ω/口より低い抵抗値および
lX10’Ω/口より高い抵抗値ならびに任意の中間の
抵抗値が与えられる。
])をもうた材料が利用できる。抵抗体の長さと巾方向
の比を変化させると0.5Ω/口より低い抵抗値および
lX10’Ω/口より高い抵抗値ならびに任意の中間の
抵抗値が与えられる。
二つの標準のデケイドの値の中間にある抵抗値を得るた
めに組成物を混合することは広く行われる技術である。
めに組成物を混合することは広く行われる技術である。
中間のシート抵抗値のものを作るために、隣接したデケ
イドの部材をあらゆる割合で混合することができる。混
合の操作は簡単であるが、注意と適当な装置が必要であ
る。普通、混合しても抵抗の温度係数(Teh+per
atureCoeficient of Re5ist
ance)に対しては極めて僅かな影響しか与えない。
イドの部材をあらゆる割合で混合することができる。混
合の操作は簡単であるが、注意と適当な装置が必要であ
る。普通、混合しても抵抗の温度係数(Teh+per
atureCoeficient of Re5ist
ance)に対しては極めて僅かな影響しか与えない。
微小回路に用いるための厚膜抵抗体組成物にとって決定
的に要求されることは安定性が高いことおよび製造感受
性の低いことである。特に必要なことは、膜の抵抗(R
)が広い範囲の温度条件で安定していることである。か
くして抵抗の温度係数(TCR)は如何なる厚膜抵抗体
組成物においても重要な変数(条件)である。厚膜抵抗
体組成物は機能性、即ち、伝導性の相と永久的な結合剤
の相を含むので、伝導相と結合相の性質ならびに相互間
のおよび基体との間の相互作用が抵抗とTCRの両方に
影響する。
的に要求されることは安定性が高いことおよび製造感受
性の低いことである。特に必要なことは、膜の抵抗(R
)が広い範囲の温度条件で安定していることである。か
くして抵抗の温度係数(TCR)は如何なる厚膜抵抗体
組成物においても重要な変数(条件)である。厚膜抵抗
体組成物は機能性、即ち、伝導性の相と永久的な結合剤
の相を含むので、伝導相と結合相の性質ならびに相互間
のおよび基体との間の相互作用が抵抗とTCRの両方に
影響する。
ルテニウム化合物をベースとする機能相は慣用の厚膜抵
抗体組成物の核心をなしている。
抗体組成物の核心をなしている。
パイロクロール(pyrochlore)属をベースと
するルテニウム化合物は、各ルテニウム原子が6個の酸
素原子で囲まれて8面体を形成している立体構造を有す
る。各酸素原子はもう一つ別の8面体に共有せられFL
u206の3次元の網状構造を形成する。この枠構造内
の空間領域は大きな陽イオンと付随する陰イオンで占め
られている。この二次的格子中では広い範囲の置換が可
能であって、それにより非常に沢山の化学的に改変した
ものが作られる。一般式A2B206〜7をもったパイ
ロクロール構造はこのような改変可能な構造である。金
属。
するルテニウム化合物は、各ルテニウム原子が6個の酸
素原子で囲まれて8面体を形成している立体構造を有す
る。各酸素原子はもう一つ別の8面体に共有せられFL
u206の3次元の網状構造を形成する。この枠構造内
の空間領域は大きな陽イオンと付随する陰イオンで占め
られている。この二次的格子中では広い範囲の置換が可
能であって、それにより非常に沢山の化学的に改変した
ものが作られる。一般式A2B206〜7をもったパイ
ロクロール構造はこのような改変可能な構造である。金
属。
半導体もしくは絶縁体として働くパイロクロールは、適
当な結晶学的位置に制御された置換を行うことによって
得ることができる。現行のパイロクロールを基本とする
厚膜抵抗体の多くは機能相としてB 12 Ru 20
7を含む。
当な結晶学的位置に制御された置換を行うことによって
得ることができる。現行のパイロクロールを基本とする
厚膜抵抗体の多くは機能相としてB 12 Ru 20
7を含む。
二酸化ルテニウムはまた厚膜抵抗体組成物中の伝導相と
しても用いられる。そのルチル(rutile)型結晶
構造はパイロクロールのものと似ていて。
しても用いられる。そのルチル(rutile)型結晶
構造はパイロクロールのものと似ていて。
各ルテニウム原子は6個の等距離にある酸素原子で囲ま
れ8面体を形成している。しかしながら。
れ8面体を形成している。しかしながら。
ルチル型構造では各酸素ti3つの8面体で共有されて
いる。この結果複雑な6次元の網状構造となり、その中
ではパイロクロールの場合と異って化学的な置換が非常
に制限されることになる。
いる。この結果複雑な6次元の網状構造となり、その中
ではパイロクロールの場合と異って化学的な置換が非常
に制限されることになる。
特別な用途のための厚膜抵抗体組成物を処方する場合よ
く起ることは、予期された使用温度に対するTCRが高
すぎて、そのためにTCRを増加もしくは減少して抵抗
が操作温度範囲で変化しすぎないようにする必要がある
。厚膜抵抗体の技術分野で周知のことは、少量の種々の
無機化合物を添加すると、これが達成されるということ
である。
く起ることは、予期された使用温度に対するTCRが高
すぎて、そのためにTCRを増加もしくは減少して抵抗
が操作温度範囲で変化しすぎないようにする必要がある
。厚膜抵抗体の技術分野で周知のことは、少量の種々の
無機化合物を添加すると、これが達成されるということ
である。
例えば、ルテニウム酸化物をベースとする抵抗体ではこ
の目的に対してCdO,Nb2O5、TiO2、MnO
2゜Mn2O3、V2O5、N10,8b203および
5b205を用いることであって、これらはすべて負の
(negative)TCR% ドライバー“(TR
Cの値を動かすもの)である。つまりそれらはTCRを
減少させる。他方、 CuOはルテニウム酸化物なば
−スとする抵抗体での正の(positive) T
CRドライバートシテ公知である。
の目的に対してCdO,Nb2O5、TiO2、MnO
2゜Mn2O3、V2O5、N10,8b203および
5b205を用いることであって、これらはすべて負の
(negative)TCR% ドライバー“(TR
Cの値を動かすもの)である。つまりそれらはTCRを
減少させる。他方、 CuOはルテニウム酸化物なば
−スとする抵抗体での正の(positive) T
CRドライバートシテ公知である。
抵抗体の通常の処方の場合、負のTCRドライバーはT
CRを低下させるが同時に抵抗(R)を上昇させること
が判っている。逆に正のTC)Lドライバー1;jTc
Rを上昇させるが抵抗を低下させる。
CRを低下させるが同時に抵抗(R)を上昇させること
が判っている。逆に正のTC)Lドライバー1;jTc
Rを上昇させるが抵抗を低下させる。
負のTCRドライバーとして用いられた先行技術の材料
の使用で繰り返えし起る問題は、それらが用いられてい
る抵抗体の抵抗が、所望のレベルのTRCの減少が達成
されたとき、過剰に上昇することである。このことは、
同じレベルの抵抗を得るために伝導相を追加して混合す
る必要が生じるので不利である。さらに、別の伝導相を
追加して混合することは、焼成された抵抗体の時間に関
する抵抗値の安定性に不利に影畳する・先行技術のTR
Cドライバーの欠点は、ルテニウム化合物をベースとす
る抵抗体中に1式”n−x’x■2−y”yOs+n+
、であって9式中Mが0.4〜0.8人のイオン半径を
有する2価の金属陽イオンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり;nが1〜2であ
り Xが0〜0.5であり: yが0〜0.5であり;そして jは電気的中性を達成すべく変化する数である;ものに
対応するバナジン酸マンガンのTCRドライバを使用す
ることによって克服される。
の使用で繰り返えし起る問題は、それらが用いられてい
る抵抗体の抵抗が、所望のレベルのTRCの減少が達成
されたとき、過剰に上昇することである。このことは、
同じレベルの抵抗を得るために伝導相を追加して混合す
る必要が生じるので不利である。さらに、別の伝導相を
追加して混合することは、焼成された抵抗体の時間に関
する抵抗値の安定性に不利に影畳する・先行技術のTR
Cドライバーの欠点は、ルテニウム化合物をベースとす
る抵抗体中に1式”n−x’x■2−y”yOs+n+
、であって9式中Mが0.4〜0.8人のイオン半径を
有する2価の金属陽イオンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり;nが1〜2であ
り Xが0〜0.5であり: yが0〜0.5であり;そして jは電気的中性を達成すべく変化する数である;ものに
対応するバナジン酸マンガンのTCRドライバを使用す
ることによって克服される。
したがって本発明1d、 (a)ルテニウムを基本とす
る化合物;(b)無機結合剤:および(C)前記定義に
よるTC几ドライバーの微粉砕粒子の混合物を適当な有
機媒質中に分散したものである抵抗体組成物に関する。
る化合物;(b)無機結合剤:および(C)前記定義に
よるTC几ドライバーの微粉砕粒子の混合物を適当な有
機媒質中に分散したものである抵抗体組成物に関する。
別の観点では1本発明は前記の分散物の薄い層を焼成し
て不活性媒質を除去しガラスの液相焼結(liquid
phase sintering)を起させた後冷却
したものからなる抵抗体を指向するものである。
て不活性媒質を除去しガラスの液相焼結(liquid
phase sintering)を起させた後冷却
したものからなる抵抗体を指向するものである。
人、ルテニウム成分
本発明は主伝導相がルテニウム酸化物をベースとするも
のである抵抗体を指向する。ルテニウム酸化物をベース
とする抵抗体の技術の現状では。
のである抵抗体を指向する。ルテニウム酸化物をベース
とする抵抗体の技術の現状では。
これはauo2および式”C” 2−c)(”aR”2
−(1)07−eであって1式中 Mがイツトリウム、タリウム、インジウム、カドミウム
、鉛および原子番号57〜71の稀土類金員の全部から
なる群のうちの少くとも1つであり: M′が白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモ
ンのうちの少くとも1つであり; Cが0〜2の数であり; dが0〜約0・5の範囲の数であり、そのyは9M′が
ロジウムもしくは白金およびチタンのうちの1つより多
いときは0〜1の範囲の数であり;そして eが0〜1の範囲の数であって9Mが2価の鉛もしくは
カドミウムであるときは少くとも約x / 2に等しい
: ものに相当するルテニウム化合物を含むものとして公知
である。
−(1)07−eであって1式中 Mがイツトリウム、タリウム、インジウム、カドミウム
、鉛および原子番号57〜71の稀土類金員の全部から
なる群のうちの少くとも1つであり: M′が白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモ
ンのうちの少くとも1つであり; Cが0〜2の数であり; dが0〜約0・5の範囲の数であり、そのyは9M′が
ロジウムもしくは白金およびチタンのうちの1つより多
いときは0〜1の範囲の数であり;そして eが0〜1の範囲の数であって9Mが2価の鉛もしくは
カドミウムであるときは少くとも約x / 2に等しい
: ものに相当するルテニウム化合物を含むものとして公知
である。
これらの化合物およびそれらの製造1jBouchar
dの米国特許3,585,931およびまたドイツ特許
出願公開1,81 <S、105に開示されている。
dの米国特許3,585,931およびまたドイツ特許
出願公開1,81 <S、105に開示されている。
前記の活性材料の粒子寸法は9本発明におけるそれらの
技術的有効性から考えてきびしく臨界的ではない。しか
しながら、勿論、それらはそれらが塗布される方法(通
常スクリーン印刷である)および焼成に適当な寸法のも
のでなければならない。したがって金属材料Fi10μ
mより大きくてはならず、好ましくは約5μmより小さ
くなければならない。実際問題として金属の用い得る粒
子寸法は0.1μm程度の小さいものである。ルテニウ
ム成分の平均表面積は少くとも5rr?/lであること
が好ましく、なおさらに好ましくは少くとも8 rr?
/11である。
技術的有効性から考えてきびしく臨界的ではない。しか
しながら、勿論、それらはそれらが塗布される方法(通
常スクリーン印刷である)および焼成に適当な寸法のも
のでなければならない。したがって金属材料Fi10μ
mより大きくてはならず、好ましくは約5μmより小さ
くなければならない。実際問題として金属の用い得る粒
子寸法は0.1μm程度の小さいものである。ルテニウ
ム成分の平均表面積は少くとも5rr?/lであること
が好ましく、なおさらに好ましくは少くとも8 rr?
/11である。
好適なルテニウム化合物には。
B1PbRu204.5 、Bi 0.2pbIJRu
2o6.1 、Bi 2Ru207 、Pb2Ru2O
6およびRu2Oが含まれる。さらに、 RuO2の
前駆体、即ち焼成するとRu2Oを形成するであろう化
合物は、これらのうちの任意のものの混合物と同様に9
本発明中で使用するのに適している。
2o6.1 、Bi 2Ru207 、Pb2Ru2O
6およびRu2Oが含まれる。さらに、 RuO2の
前駆体、即ち焼成するとRu2Oを形成するであろう化
合物は、これらのうちの任意のものの混合物と同様に9
本発明中で使用するのに適している。
非ノモイロクロールRub2前駆体の適当なものを例示
するとルテニウム金属、樹脂酸ルテニウム。
するとルテニウム金属、樹脂酸ルテニウム。
BaRuO311Ba2Ru04 、Cak05 、C
02Ru04 、LaRuOsおよびL iRu O5
である。
02Ru04 、LaRuOsおよびL iRu O5
である。
組成物Fi4〜75重量−のルテニウムを基本とする一
成分を含んでいてもよく、10〜60重蓋チ含むことが
好ましい。
成分を含んでいてもよく、10〜60重蓋チ含むことが
好ましい。
B、バナジン酸マンガン化合物
本発明中で使用される適当なバナジン酸マンガン化合物
は1式”n −xMx■2−yMI、05+n+、であ
って9式中 Mが0.4〜0.8Aのイオン半径を有する金属陽イオ
ンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり:nが1〜2であ
妙 Xが0〜0.5であり; yが0〜0.5であり:そして 1は電気的中性を達成すべく質化する数である;ものに
相当する化合物である。
は1式”n −xMx■2−yMI、05+n+、であ
って9式中 Mが0.4〜0.8Aのイオン半径を有する金属陽イオ
ンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり:nが1〜2であ
妙 Xが0〜0.5であり; yが0〜0.5であり:そして 1は電気的中性を達成すべく質化する数である;ものに
相当する化合物である。
ここで用いる1イオン半径“なる用語は8hannou
、R,D、およびPrewi tt 、C,T、 、(
1969)tActa Cryst、、B25,925
. ’Effective IonicRadii
in 0xides and Fluoride“に与
えられている値を意味する。
、R,D、およびPrewi tt 、C,T、 、(
1969)tActa Cryst、、B25,925
. ’Effective IonicRadii
in 0xides and Fluoride“に与
えられている値を意味する。
好適なバナジン酸マンガン化合物は9式Mn av 2
0b であって1式中1が1〜2でありそしてbが6〜
7であるものに相当する化合物である。これらの物質の
主要゛な例はMn2V207およびMnV2O6であり
、後者は二つの結晶形(aとβ)がある。
0b であって1式中1が1〜2でありそしてbが6〜
7であるものに相当する化合物である。これらの物質の
主要゛な例はMn2V207およびMnV2O6であり
、後者は二つの結晶形(aとβ)がある。
、<ナリン酸塩材料は畳通9組成物中の固形物の0.0
5〜15重量−の濃度で用いられる。しかし0.05〜
55〜5重量%%に1〜5重量%が好ましい。
5〜15重量−の濃度で用いられる。しかし0.05〜
55〜5重量%%に1〜5重量%が好ましい。
バナジン酸マンガン化合物社高い表面積を有しているこ
とが好ましい、というのは表面積が太きいとき、その材
料FiTcRドライバーとしてのその機能がより効果的
゛であるからである。少くとも0.5v?/Iの表面積
が好ましい。本発明で用いられるバナジン酸塩材料の好
適なものは約0.8 d/Iの表面積を有するものであ
る。
とが好ましい、というのは表面積が太きいとき、その材
料FiTcRドライバーとしてのその機能がより効果的
゛であるからである。少くとも0.5v?/Iの表面積
が好ましい。本発明で用いられるバナジン酸塩材料の好
適なものは約0.8 d/Iの表面積を有するものであ
る。
本発明に用いられる好適な/Zナリン酸マンガン#1M
nCOxをV2O5と次の何れかの方法で反応させるこ
とにより作られる: 空気 MnCo5+V20s−MnV20b+C02↑! 空気 2MnC0,+V2O5−−〒1勤V2O7+2C02
↑空気 3MnC0,5+V2O5−一→MnV2O7+1/2
Mn 20.+3CO□↑特に、 MnCO3と■20
5の微粉砕粒子を湿式もしくは乾式で完全に混合し、そ
の混合物を空気中。
nCOxをV2O5と次の何れかの方法で反応させるこ
とにより作られる: 空気 MnCo5+V20s−MnV20b+C02↑! 空気 2MnC0,+V2O5−−〒1勤V2O7+2C02
↑空気 3MnC0,5+V2O5−一→MnV2O7+1/2
Mn 20.+3CO□↑特に、 MnCO3と■20
5の微粉砕粒子を湿式もしくは乾式で完全に混合し、そ
の混合物を空気中。
少くとも500℃の温度で焼成して反応を完了させる。
これは反応生成物のX−線回折によって判る。反応生成
物は9次いで、ボールミルのような何らかの適当な手段
により本発明の処方に望ましい寸法に粉砕される。
物は9次いで、ボールミルのような何らかの適当な手段
により本発明の処方に望ましい寸法に粉砕される。
前記のバナジン酸マンガンの好ましい製法では。
MnCO3とv205の粉末を乾式混合し、空気中。
650℃で16時間焼成する。冷却した後、固体の反応
生成物をボールミルにかけて製品が10標準メツシユの
篩を通過するように粉砕し9次いで再び空気中、650
℃で16時間焼成する。もう一度冷却した後、固体の生
成物をボールミルにかけて10メツシユの篩を通過させ
た後、脱塩水で洗浄し、140℃で24時間乾燥する。
生成物をボールミルにかけて製品が10標準メツシユの
篩を通過するように粉砕し9次いで再び空気中、650
℃で16時間焼成する。もう一度冷却した後、固体の生
成物をボールミルにかけて10メツシユの篩を通過させ
た後、脱塩水で洗浄し、140℃で24時間乾燥する。
得られる生成物はその物理的性質が非常に均一である。
本発明のルテニウム酸塩成分の場合と同様に。
バナジン酸塩材料の粒子寸法はきびみ〈臨界的ではない
が1組成物が塗布される方法に適当な寸法のものでなけ
ればならない。
が1組成物が塗布される方法に適当な寸法のものでなけ
ればならない。
C0無機結合剤
本発明の抵抗材料に用いられるガラス・フリットは、金
属のバナジン酸塩の融点より低い融点を有するものなら
周知のどの組成物でもよい。最も好適に用いられるガラ
ス・フリットハホウケイ酸塩のフリット、例えばホウケ
イ酸鉛のフリット。
属のバナジン酸塩の融点より低い融点を有するものなら
周知のどの組成物でもよい。最も好適に用いられるガラ
ス・フリットハホウケイ酸塩のフリット、例えばホウケ
イ酸鉛のフリット。
ビスマス、カドミウム、バリウム、カルシウムもしくは
他のアルカリ土類のホウケイ酸塩のフリットである。こ
のようなガラス・フリットの製造は周知であり9例えば
、ガラスの成分を、その酸化物の形で、−緒に溶融し、
このような溶融組成物を水中へ注ぎフリットを形成する
ことからなる。
他のアルカリ土類のホウケイ酸塩のフリットである。こ
のようなガラス・フリットの製造は周知であり9例えば
、ガラスの成分を、その酸化物の形で、−緒に溶融し、
このような溶融組成物を水中へ注ぎフリットを形成する
ことからなる。
パッチの成分は、勿論、7リツト製造の通常の条件下で
所望の酸化物を与えるような化合物ならどんなものでも
よい。例えば酸化ホウ素はホウ酸から得られ、二酸化ケ
イ素はフリント(flint)から製造され、酸化バリ
ウムは炭酸バリウムから製造される。など。ガラスは好
ましくは水とともにボールミル中で粉砕し、フリット粒
子の寸法を小さぐし実質的に均一な寸法のフリットを得
る。
所望の酸化物を与えるような化合物ならどんなものでも
よい。例えば酸化ホウ素はホウ酸から得られ、二酸化ケ
イ素はフリント(flint)から製造され、酸化バリ
ウムは炭酸バリウムから製造される。など。ガラスは好
ましくは水とともにボールミル中で粉砕し、フリット粒
子の寸法を小さぐし実質的に均一な寸法のフリットを得
る。
ガラスは慣用のガラス製造の技術によって製造されるも
のであって、所望の成分を所望の割合で混合し、その混
合物を加熱して溶融物を形成する。
のであって、所望の成分を所望の割合で混合し、その混
合物を加熱して溶融物を形成する。
当業者に周知のように、溶融物が完全に液体になり均一
になるようなピーク温度までおよび時間にわたって加熱
を行う。本研究においては成分を。
になるようなピーク温度までおよび時間にわたって加熱
を行う。本研究においては成分を。
プラスチックのボールを容れたポリエチレン製の瓶(j
ar)中で振盪して予備混合した後、所望の温度で白金
るつぼ中で溶融する。溶融物をピーク温度で1〜17時
間にわたって加熱する。次いで溶融物を冷水中へ注ぐ。
ar)中で振盪して予備混合した後、所望の温度で白金
るつぼ中で溶融する。溶融物をピーク温度で1〜17時
間にわたって加熱する。次いで溶融物を冷水中へ注ぐ。
急冷中の水の最高温度は。
水と溶融物の容積比を増すことによって成るべく低温に
保持する。水から分離した粗製のフリットは、空気中で
乾燥するかもしくはメタノールで洗浄して水を置換する
かして、残留する水分を除去する。次いで粗製のフリッ
トをアルミナ製容器中アルミナ製ボールを用いて3〜5
時間ボールミルにかける。かりに材料中へアルミナが混
入してもX線回折分析で111足できる限度程ではない
。
保持する。水から分離した粗製のフリットは、空気中で
乾燥するかもしくはメタノールで洗浄して水を置換する
かして、残留する水分を除去する。次いで粗製のフリッ
トをアルミナ製容器中アルミナ製ボールを用いて3〜5
時間ボールミルにかける。かりに材料中へアルミナが混
入してもX線回折分析で111足できる限度程ではない
。
粉砕されたフリットをミルから取り出した後。
過剰の溶媒を傾瀉して除き、フリット粉末を室温で乾燥
する。乾燥した粉末を9次いで、325メツシユの篩を
通して大きな粒子があれば除去する。
する。乾燥した粉末を9次いで、325メツシユの篩を
通して大きな粒子があれば除去する。
フリットの2つの主な性質Fi:それが無機の結晶質の
微粒子材料の液相焼結を助けること:および厚膜抵抗体
製造時の加熱冷却サイクル(焼成サイクル)におころ失
透によって非結晶質(無定形)もしくは結晶質の材料を
形成することである。この光透過程によって、前駆体の
非結晶質(ガラス状態)の物質と同じ組成を有する単一
の結晶貧相か、もしくは前駆体のガラス状態の物質と異
る組成を有する多結晶質の相のいずれかを与えることが
できる。
微粒子材料の液相焼結を助けること:および厚膜抵抗体
製造時の加熱冷却サイクル(焼成サイクル)におころ失
透によって非結晶質(無定形)もしくは結晶質の材料を
形成することである。この光透過程によって、前駆体の
非結晶質(ガラス状態)の物質と同じ組成を有する単一
の結晶貧相か、もしくは前駆体のガラス状態の物質と異
る組成を有する多結晶質の相のいずれかを与えることが
できる。
D、有機媒質
無機の粒子を本質的に不活性の液体媒質(medium
、vehicle)と機械的に混合(例:ロールミルで
)して、スクリーン印刷に適当な粘稠性(consis
tency)と粘弾性(rheology)を有するは
イスト状組成物を形成する。このものを慣用の方法で慣
用の誘電性基体上にゝ厚膜“として印刷する。
、vehicle)と機械的に混合(例:ロールミルで
)して、スクリーン印刷に適当な粘稠性(consis
tency)と粘弾性(rheology)を有するは
イスト状組成物を形成する。このものを慣用の方法で慣
用の誘電性基体上にゝ厚膜“として印刷する。
任意の不活性液体が媒質として用いられる。種々の有機
液体が、濃厚化剤(thickening agent
)および/または安定化剤および/または他の普通に用
いられる添加剤を加えたり加えなかったりして、媒質と
して用いられる。使用可能な有機液体の例としては、脂
肪族アルコール、これらのアルコールのエステル、例え
ば酢酸エステルおよびプロピオン酸エステル、テルペン
、例えばパイン油。
液体が、濃厚化剤(thickening agent
)および/または安定化剤および/または他の普通に用
いられる添加剤を加えたり加えなかったりして、媒質と
して用いられる。使用可能な有機液体の例としては、脂
肪族アルコール、これらのアルコールのエステル、例え
ば酢酸エステルおよびプロピオン酸エステル、テルペン
、例えばパイン油。
テルピネオールなど、樹脂9例えば低級アルコールのメ
タクリル酸エステルの溶液、およびエチルセルロースを
/?:イン油のような溶媒にとがした溶液およびエチレ
ングリコールモノアセタートのモツプチルエーテルであ
る。好適な媒質はエチルセルロースとβ−テルピネオー
ルを基本とするものである。媒質には、基体に塗布後に
硬化(setting′)i!:速かにさせるため揮発
性液体を含ませてもよい。
タクリル酸エステルの溶液、およびエチルセルロースを
/?:イン油のような溶媒にとがした溶液およびエチレ
ングリコールモノアセタートのモツプチルエーテルであ
る。好適な媒質はエチルセルロースとβ−テルピネオー
ルを基本とするものである。媒質には、基体に塗布後に
硬化(setting′)i!:速かにさせるため揮発
性液体を含ませてもよい。
分散体中での媒質と固形物の比率は可成り変化Q青るも
ので9分散体が塗布される方法と用いる媒質に依存する
。普通、塗被を良くするために。
ので9分散体が塗布される方法と用いる媒質に依存する
。普通、塗被を良くするために。
分散体F160〜9CIO固形物と40〜109にの媒
質を補足的に含む。本発明の組成物は、勿論。
質を補足的に含む。本発明の組成物は、勿論。
その有用性を害しない他の材料を加えて改質することが
できる。このような処方は当業者の常識の範囲内にある
。
できる。このような処方は当業者の常識の範囲内にある
。
はイストは5本ロールミルで慣用的に製造される。はイ
ストの粘[はブルックフィールドHBT粘度針で低、中
および高剪断速度で測定したとき。
ストの粘[はブルックフィールドHBT粘度針で低、中
および高剪断速度で測定したとき。
典型的には次記の箒囲内にある。
0.2 1oo−sooo −3
00−2000好適 <500−1500 最適 4 40−400 −100−2
50 好適 140−200 最適 384 7−4 □
−10−25好適 12−18 最適 使用される媒質の量は最終的に所望される処方物の粘度
によって決められる。
00−2000好適 <500−1500 最適 4 40−400 −100−2
50 好適 140−200 最適 384 7−4 □
−10−25好適 12−18 最適 使用される媒質の量は最終的に所望される処方物の粘度
によって決められる。
処方および適用(塗布)
本発明の組成物の製造において、微粒の無機の固形物を
有機の担体と混合し、3本ロールミルのような適当な装
置で分散させて、s!濁物を形成し。
有機の担体と混合し、3本ロールミルのような適当な装
置で分散させて、s!濁物を形成し。
それによって組成物の粘度が4秒 の剪断速度で約10
0〜15QPa−秒の範Hになるようにする。
0〜15QPa−秒の範Hになるようにする。
後で述べる実施例において処方は次の方法により行った
:約5重量−に相当する有機成分を差引いて、成分を容
器中へ一緒に秤菫して入れる。成分を1次いで、激しく
混合して均一な混和物を形成し1次いでこの混和物を6
本ロールミルのような分散装置を通過させて9粒子をよ
く分散させる。
:約5重量−に相当する有機成分を差引いて、成分を容
器中へ一緒に秤菫して入れる。成分を1次いで、激しく
混合して均一な混和物を形成し1次いでこの混和物を6
本ロールミルのような分散装置を通過させて9粒子をよ
く分散させる。
はイスト中の粒子の分散状態を測定するにはヘーグマン
・ゲージを用いる。この装置は鋼製のブロックの、一方
の端では25μm (1ミル)の深さであり、他方の端
では深さが0になるように坂になった溝で構成されてい
る。溝の長手方向に沿ってブレード(刃)を用いてスイ
ストを掻き下す(draw down) 、集合体の直
径が溝の深さより大きいときけ、引掻き(scratc
h)が現れる。満足な分散物では典型的には10〜18
μmの第4の引掻き点を与える。溝の半分が、よく分散
したはイストで被合されていない点は典型的には3と8
μmの間にある。>20声mの第4の引掻きが測定され
たときおよび〉10μmの半@(half−chann
el )“が測定されたときは分散の悪い懸濁物である
ことを示している。
・ゲージを用いる。この装置は鋼製のブロックの、一方
の端では25μm (1ミル)の深さであり、他方の端
では深さが0になるように坂になった溝で構成されてい
る。溝の長手方向に沿ってブレード(刃)を用いてスイ
ストを掻き下す(draw down) 、集合体の直
径が溝の深さより大きいときけ、引掻き(scratc
h)が現れる。満足な分散物では典型的には10〜18
μmの第4の引掻き点を与える。溝の半分が、よく分散
したはイストで被合されていない点は典型的には3と8
μmの間にある。>20声mの第4の引掻きが測定され
たときおよび〉10μmの半@(half−chann
el )“が測定されたときは分散の悪い懸濁物である
ことを示している。
次に、ベイストの有機成分からなる残りの5−を加え、
樹脂含量を調節して、完全に処方したときの粘度が4秒
の剪断速度において140と200 Paの間になる
ようにする。
樹脂含量を調節して、完全に処方したときの粘度が4秒
の剪断速度において140と200 Paの間になる
ようにする。
次いで、この組成物をアルミナ・七うオックのような基
体上へ9通常はスクリーン印刷法により。
体上へ9通常はスクリーン印刷法により。
湿潤時の厚さが約30〜80μm、好1しくは55〜7
0fim、最も好ましくFr2O〜50μmで塗布する
。本発明の組成物は自動もしくは手動の印刷機を用い慣
用の方法で基体上へ印刷することができる。好ましくt
i200〜325メッシュのスクリーンを用いて自動の
スクリーン・ステンシルの技術を用いる。次いで印刷さ
れた/ぞターフ1i200℃よ吟低い9例えば約150
℃で約5〜15分間乾燥後焼成する。無機の結合剤と微
粉砕された金属の粒子の両方を焼結させるための焼成は
、好ましくは9.よく1通気されたベルト・コンベヤ式
炉中で、約300〜600℃で有機物を燃焼させてしま
い、800〜950℃の最高温度を約5〜15分間持続
した後制御しながら冷却するサイクルを行う温度プロフ
ィルで行って、中間の温度での過剰焼結や不必要な化学
反応、または冷却速度が速やすぎると起る基体の破壊を
防止する。
0fim、最も好ましくFr2O〜50μmで塗布する
。本発明の組成物は自動もしくは手動の印刷機を用い慣
用の方法で基体上へ印刷することができる。好ましくt
i200〜325メッシュのスクリーンを用いて自動の
スクリーン・ステンシルの技術を用いる。次いで印刷さ
れた/ぞターフ1i200℃よ吟低い9例えば約150
℃で約5〜15分間乾燥後焼成する。無機の結合剤と微
粉砕された金属の粒子の両方を焼結させるための焼成は
、好ましくは9.よく1通気されたベルト・コンベヤ式
炉中で、約300〜600℃で有機物を燃焼させてしま
い、800〜950℃の最高温度を約5〜15分間持続
した後制御しながら冷却するサイクルを行う温度プロフ
ィルで行って、中間の温度での過剰焼結や不必要な化学
反応、または冷却速度が速やすぎると起る基体の破壊を
防止する。
全体の焼成操作は、好ましくは、約1時間にわたってお
り、焼成温度に達するまでに20〜25分。
り、焼成温度に達するまでに20〜25分。
焼成温度で約10分そして冷却に約20〜25分である
。ある場合にH30分程度の短かい全サイクル時間でも
行い得る。
。ある場合にH30分程度の短かい全サイクル時間でも
行い得る。
試料の調製
抵抗の温度係数(’rcR)を測定するための試料の製
法は次の通りである: 試験すべき抵抗体組成物の/ぞターンを10個の番号を
つけたAlsimag 614の2.54 cIIL
X 2.54cIL(1×1インチ)のセラミックの基
体の各々の上にスクリーン印刷し、室温で平衡化させた
後150℃で乾燥する。焼成前の乾燥した膜の各組の平
均の厚さはブラシ表面分析計(Brush8urfan
alyser)で測って22〜284mでなければなら
ない。乾燥し、印刷された基体を次いで。
法は次の通りである: 試験すべき抵抗体組成物の/ぞターンを10個の番号を
つけたAlsimag 614の2.54 cIIL
X 2.54cIL(1×1インチ)のセラミックの基
体の各々の上にスクリーン印刷し、室温で平衡化させた
後150℃で乾燥する。焼成前の乾燥した膜の各組の平
均の厚さはブラシ表面分析計(Brush8urfan
alyser)で測って22〜284mでなければなら
ない。乾燥し、印刷された基体を次いで。
35℃/分で850℃まで加熱し、850℃で9〜10
分間保ち、30℃/分の割合で還境温度まで冷却すると
いうサイクルに、より、約60分間焼成する。
分間保ち、30℃/分の割合で還境温度まで冷却すると
いうサイクルに、より、約60分間焼成する。
抵抗の測定と計算
試験すべき基体を、温度制御した室の中の端子位置に載
せ、ディジタル抵抗針に電気的に接続する。室の中の温
度を25℃に調節し、平衡化させた後、各基体の抵抗を
測定し記録する。
せ、ディジタル抵抗針に電気的に接続する。室の中の温
度を25℃に調節し、平衡化させた後、各基体の抵抗を
測定し記録する。
次に室の温度を125℃に上昇し、平衡化させた後再び
基体の抵抗を測定し記録する。
基体の抵抗を測定し記録する。
室の温度を9次いで、−55℃まで冷却し、平衡化させ
、低温での抵抗を測定し配録する。
、低温での抵抗を測定し配録する。
高温および低温での抵抗の温度係数(TCR)は次のよ
うにして計算する。: R2511::の値ならびに高温および低温でのTCR
の値を平均し、IL 値を25μmの乾燥25℃ 印刷厚さくdry printed thicknes
s)に正規化し、25μmの乾燥印刷厚さで平方当りの
オーム数として抵抗を報告する。多重試験の値の正規化
は次の関係式により計算する: 正規化された抵抗 25μm レーザー加工安定度(Laser Trim 8tab
ility)厚膜抵抗体のレーザー・トリミングはハイ
ブリット型の微小電子回路の製造に重要な技術である。
うにして計算する。: R2511::の値ならびに高温および低温でのTCR
の値を平均し、IL 値を25μmの乾燥25℃ 印刷厚さくdry printed thicknes
s)に正規化し、25μmの乾燥印刷厚さで平方当りの
オーム数として抵抗を報告する。多重試験の値の正規化
は次の関係式により計算する: 正規化された抵抗 25μm レーザー加工安定度(Laser Trim 8tab
ility)厚膜抵抗体のレーザー・トリミングはハイ
ブリット型の微小電子回路の製造に重要な技術である。
(D 、W、 Hamme rとJ、V、Bigger
s によるThickFilm )lybrid Mj
crocircuit Technology(Wi
ley、 1972)p、175以下に述べらレテイ
ル〕一群の基体上に同じ抵抗値を有するインキで印刷さ
れた9%別の抵抗体の抵抗がガウス分布に似た分布を有
していることを考えると、それを用いることの意味が理
解できる。適当に回路を作動させるためKすべての抵抗
体が同じ設計値を持つようにするために、レーザーを用
いて抵抗体材料の小部分を除去(蒸発)するととによっ
て抵抗を調整(trim up)する。したがって、ト
リミングされた抵抗体の安定度は、レーザー・トリミン
グの彼に起きる抵抗の微小変化(ドリア)、 dri
ft)の大きさによる。低い抵抗のドリフト−高安定性
−は抵抗を適当に(ロ)路を作動させるための設計値の
近辺に保つために必要である。
s によるThickFilm )lybrid Mj
crocircuit Technology(Wi
ley、 1972)p、175以下に述べらレテイ
ル〕一群の基体上に同じ抵抗値を有するインキで印刷さ
れた9%別の抵抗体の抵抗がガウス分布に似た分布を有
していることを考えると、それを用いることの意味が理
解できる。適当に回路を作動させるためKすべての抵抗
体が同じ設計値を持つようにするために、レーザーを用
いて抵抗体材料の小部分を除去(蒸発)するととによっ
て抵抗を調整(trim up)する。したがって、ト
リミングされた抵抗体の安定度は、レーザー・トリミン
グの彼に起きる抵抗の微小変化(ドリア)、 dri
ft)の大きさによる。低い抵抗のドリフト−高安定性
−は抵抗を適当に(ロ)路を作動させるための設計値の
近辺に保つために必要である。
笑施例1
式Mn V 206に相当するバナジン酸マンガンヲ次
の方法て製造した: MnV2O4の化学量論的比率で、乾燥したV205と
MnCO3の粉末をめのうの乳鉢と乳棒で磨砕し振り動
かして混合した。この混合された粉末を白金るつぼの中
に入れ、炉内で14時間620℃で加熱した。このよう
に加熱された材料を取抄出した後9等しい重量の蒸留水
を加えてボールミルにかけた。磨砕された材料を炉内で
140℃で乾燥し。
の方法て製造した: MnV2O4の化学量論的比率で、乾燥したV205と
MnCO3の粉末をめのうの乳鉢と乳棒で磨砕し振り動
かして混合した。この混合された粉末を白金るつぼの中
に入れ、炉内で14時間620℃で加熱した。このよう
に加熱された材料を取抄出した後9等しい重量の蒸留水
を加えてボールミルにかけた。磨砕された材料を炉内で
140℃で乾燥し。
篩分し、振り動かして乾式混合した。この乾燥した混合
物を再び白金るつぼに入れ更に16時間。
物を再び白金るつぼに入れ更に16時間。
620℃で炉加熱した。炉から敗り出した後、混合物を
粉砕して集合体を完全になくなるようにし。
粉砕して集合体を完全になくなるようにし。
再度白金るつぼに入れて26時間620℃で焼成した。
次に、材料を徐冷させた後1等重量の水を加えてボール
ミルにかけた。
ミルにかけた。
実施例2
式MnV 207に相当する第2のバナジン酸マンガン
は次の操作によって製造された。
は次の操作によって製造された。
MnV 207の化学量論的比率で、乾燥したV2O5
とMnCO3の粉末を、蒸留水中で粉末をスラリー化し
て混合した。このスラリーを170℃で2時間乾燥した
。乾燥した混合物を白金るつぼに入れ620℃で10分
間加熱し、炉から取り出し空気中で急冷して冷却した。
とMnCO3の粉末を、蒸留水中で粉末をスラリー化し
て混合した。このスラリーを170℃で2時間乾燥した
。乾燥した混合物を白金るつぼに入れ620℃で10分
間加熱し、炉から取り出し空気中で急冷して冷却した。
乳鉢と乳棒を用いて磨砕後、それを白金るつぼに戻し、
20時間620℃中で急冷した。X@@折により調べた
処変化hgめられなかったので単−相の物質であること
が判った。
20時間620℃中で急冷した。X@@折により調べた
処変化hgめられなかったので単−相の物質であること
が判った。
j11隨Y
式Mn V 207に対応する更に大量のバナジン酸マ
ンガンを次の操作によって製造した: A 、 MnV2O7の化学量論的比率の、乾燥したV
2O5とMnCO3の粉末を乳鉢と乳棒を用いて乾式粉
砕して混合し、白金るつぼに入れ炉内で620℃で1時
間予備加熱した。冷却した材料を再び乳鉢と乳棒を用い
て粉砕、620℃の炉中へ67時間戻した。その時にそ
れをもう一度乳鉢と乳棒を用いて粉砕し、X@回折によ
り調ぺた。MnV2O7の単−相であることが示された
。
ンガンを次の操作によって製造した: A 、 MnV2O7の化学量論的比率の、乾燥したV
2O5とMnCO3の粉末を乳鉢と乳棒を用いて乾式粉
砕して混合し、白金るつぼに入れ炉内で620℃で1時
間予備加熱した。冷却した材料を再び乳鉢と乳棒を用い
て粉砕、620℃の炉中へ67時間戻した。その時にそ
れをもう一度乳鉢と乳棒を用いて粉砕し、X@回折によ
り調ぺた。MnV2O7の単−相であることが示された
。
B、前記人の操作を用い、 BJn3V20B の化
学量論的比率(i’)、 MnCO3とV2O5に、7
40℃での加熱を4時間追加的に与え、X線回折によ妙
調べた。
学量論的比率(i’)、 MnCO3とV2O5に、7
40℃での加熱を4時間追加的に与え、X線回折によ妙
調べた。
単−相の物質であることは認められなかった。
実施例4〜8
厚膜のルテニウム酸化物をベースとする抵抗体の一連の
ものを、TCRドライバーとして、異った起源のバナジ
ン酸マンガンを用いるものである前記の方法により処方
した。各抵抗体について前記の方法で抵抗および高温で
のTCfLを試験した。
ものを、TCRドライバーとして、異った起源のバナジ
ン酸マンガンを用いるものである前記の方法により処方
した。各抵抗体について前記の方法で抵抗および高温で
のTCfLを試験した。
この一連の抵抗体の無機結合剤成分は65重量−のPb
O、54重量−の8i02 および1重量%のAt2
03の組成であった。これらの試験のデータによると、
すべてのバナジン酸マンガンは高温で著しく負のTCR
ドライバーであることが判る。
O、54重量−の8i02 および1重量%のAt2
03の組成であった。これらの試験のデータによると、
すべてのバナジン酸マンガンは高温で著しく負のTCR
ドライバーであることが判る。
第1表
成分 (重量96)
B+2)Lu207 3[)0 30830J] 3
0−0 50−0結合剤39=039.039.039
.059.0MnV2O6”’ 1.0 − −
−MnV2O7(2)−1,0−−− Mnv206C3) −−1,0−− MnV2O7” 1−0 −Mn
V 207 + −−−−1,0 Mn20.(5) 有機媒質(6)30830.0 5α03α03aOR
の平均値 740.7926655問956.0 B9
6.8(Ω/口) 高温で′)TCR−256−354−188−425−
410(p pm/l ) (1) 実施例1の操作により製造されたもの9表面
積0.79 m’/ g 。
0−0 50−0結合剤39=039.039.039
.059.0MnV2O6”’ 1.0 − −
−MnV2O7(2)−1,0−−− Mnv206C3) −−1,0−− MnV2O7” 1−0 −Mn
V 207 + −−−−1,0 Mn20.(5) 有機媒質(6)30830.0 5α03α03aOR
の平均値 740.7926655問956.0 B9
6.8(Ω/口) 高温で′)TCR−256−354−188−425−
410(p pm/l ) (1) 実施例1の操作により製造されたもの9表面
積0.79 m’/ g 。
(21MnV2O699−9重量%1表面積o、42
m’/ g 。
m’/ g 。
Cerac Inc、、Milwaukeeから購入の
WI53233゜ (3)実施例2の操作により製造されたもの9表面積は
測定せず。
WI53233゜ (3)実施例2の操作により製造されたもの9表面積は
測定せず。
(4)実施例3Aの操作により製造されたもの1表面積
は測定せず、 MnC0,対■205のモル比2:1゜
(5)実施例3Bの操作により製造されたもの1表面積
は測定せず、 MnCO3対v205のモル比3:1゜
(6)有機媒質はエチルセルロース、a−およびβ−テ
ルピネオールの混合物、ブチルカルピトールならびに0
.2重量−〇安定剤の溶液であった。
は測定せず、 MnC0,対■205のモル比2:1゜
(5)実施例3Bの操作により製造されたもの1表面積
は測定せず、 MnCO3対v205のモル比3:1゜
(6)有機媒質はエチルセルロース、a−およびβ−テ
ルピネオールの混合物、ブチルカルピトールならびに0
.2重量−〇安定剤の溶液であった。
実施例9〜15
更に一連の抵抗体を製造し、 MnV2O4のTCRド
ライバーとしての作用を、 MnO2およびV2O5
ならひにそれらの混合物を含む若干の先行技術のTCR
ドライバーと比較した。抵抗体を製造するためのはイス
トの無機結合剤および有機媒質は実施例4〜8のものと
同じであった。抵抗体の組成。
ライバーとしての作用を、 MnO2およびV2O5
ならひにそれらの混合物を含む若干の先行技術のTCR
ドライバーと比較した。抵抗体を製造するためのはイス
トの無機結合剤および有機媒質は実施例4〜8のものと
同じであった。抵抗体の組成。
それらの抵抗および高温におけるTCR(HTCR)の
性質は次の第2表に示されている。
性質は次の第2表に示されている。
前記のデーターは、先行技術の化合物が室温より高い温
度では一般に強い負のTCRドライバーであるが、それ
らはこの機能を果すために抵抗値を可成りぎせいにして
いることを全く如実に示している。即ち、抵抗はTCR
ドライバーを含ませるととにより実質的に上昇する。他
方9本発明のMnV2O6材料FiHTcRを300p
pm/℃より低くしてしかも抵抗は6嘩しか増加させな
い効果があった。抵抗値を実質的に増加することなくH
TCRを減少させることができるMnV2O6の性能は
、その前駆体、即ち、 MnO2もしくはV2O5の何
れよりも著しく勝れていることを指摘することは興味深
いことである。即ち、 MnO2は有効な’I’CRy
ライパーであるが抵抗値を157%上昇させた。他方、
V2O5は負のTCRドライバーとして有効でなく抵抗
値に対して全熱効目がなかった。興味深いことに、 M
nO2とV2O5の混合物は。
度では一般に強い負のTCRドライバーであるが、それ
らはこの機能を果すために抵抗値を可成りぎせいにして
いることを全く如実に示している。即ち、抵抗はTCR
ドライバーを含ませるととにより実質的に上昇する。他
方9本発明のMnV2O6材料FiHTcRを300p
pm/℃より低くしてしかも抵抗は6嘩しか増加させな
い効果があった。抵抗値を実質的に増加することなくH
TCRを減少させることができるMnV2O6の性能は
、その前駆体、即ち、 MnO2もしくはV2O5の何
れよりも著しく勝れていることを指摘することは興味深
いことである。即ち、 MnO2は有効な’I’CRy
ライパーであるが抵抗値を157%上昇させた。他方、
V2O5は負のTCRドライバーとして有効でなく抵抗
値に対して全熱効目がなかった。興味深いことに、 M
nO2とV2O5の混合物は。
個々の材料のHTCRの値の中間のHTCRになった。
しかしながら、 MnO2/V2O5。混合物。抵抗値
は別々の成分の何れかの抵抗値より低かった。
は別々の成分の何れかの抵抗値より低かった。
実施例16および1フ
ルテニウムを基本とする成分がRuO2であり。
バナジン酸マンガンがMnV2O6である。全く低い抵
抗値をもった2個の抵抗体を製造した。この場合、ガラ
スの組成は49.4 %のPb0. 24.8−のSi
0,13.9チノB2O5,7,9′%のMn 02お
よび4.0 %のλ1203であった。これら2個の抵
抗体の組成および電気的性質を、ノシナジン酸マンガン
を含まない対照組成のものと比較して9次の第3表に示
す。
抗値をもった2個の抵抗体を製造した。この場合、ガラ
スの組成は49.4 %のPb0. 24.8−のSi
0,13.9チノB2O5,7,9′%のMn 02お
よび4.0 %のλ1203であった。これら2個の抵
抗体の組成および電気的性質を、ノシナジン酸マンガン
を含まない対照組成のものと比較して9次の第3表に示
す。
R4102!17.5 37.2 37.0結合剤
37.5 37.2 37.0MnV2O6−0,
6tO 有機媒質 25.0 25fl 25ft
凡の平均11(Q10) 1(1151!1.0
17.0HTCR(ppm7℃)約+175−132
−296ルテニウムを基本とする成分としてパイロク
ロールの代妙にRu O2を用いたとき、その組成物の
抵抗値を不当に上昇させずに負のTCRドライバーとし
て働(MnV2O6の効果が、上記のデーターで再び示
されている。
37.5 37.2 37.0MnV2O6−0,
6tO 有機媒質 25.0 25fl 25ft
凡の平均11(Q10) 1(1151!1.0
17.0HTCR(ppm7℃)約+175−132
−296ルテニウムを基本とする成分としてパイロク
ロールの代妙にRu O2を用いたとき、その組成物の
抵抗値を不当に上昇させずに負のTCRドライバーとし
て働(MnV2O6の効果が、上記のデーターで再び示
されている。
実施例18〜21
活性金属相がaUO2と酸化銀の両方からなり。
バナジン酸マンガンがMnV2O6である。低い抵抗値
を有するさらに一連の抵抗体を製造した。ガラス結合剤
成分は重量基準で55.9−のPbO、28,0チの8
i02,8.194 (iり B203t 4.7 %
〕A1203$?ヨヒ3.3チのTiO,2を含んで
いた。このシリーズの抵抗体ではバナジン酸マンガンT
CRドライバーの量を変化させて、抵抗体の電気的性質
に対するその濃度の効果を観察した。次の第4表に示す
このシリーズの試験データによると1本発明のTCRド
ライバーによって抵抗値は僅かばかり上昇するが約5重
量−で極大値を通過した。負のTCRドライバーとして
最も大きな力を示すのは大体それと同じ濃度においてで
ある。
を有するさらに一連の抵抗体を製造した。ガラス結合剤
成分は重量基準で55.9−のPbO、28,0チの8
i02,8.194 (iり B203t 4.7 %
〕A1203$?ヨヒ3.3チのTiO,2を含んで
いた。このシリーズの抵抗体ではバナジン酸マンガンT
CRドライバーの量を変化させて、抵抗体の電気的性質
に対するその濃度の効果を観察した。次の第4表に示す
このシリーズの試験データによると1本発明のTCRド
ライバーによって抵抗値は僅かばかり上昇するが約5重
量−で極大値を通過した。負のTCRドライバーとして
最も大きな力を示すのは大体それと同じ濃度においてで
ある。
第4表
バナジン酸マンガンTCRドライバーの効果成 分
(重量eIj)Ru02 5
0 50 50 50 50Ag20
20 20 20 20 20結合剤
30 25 20 15 13MnV2O,65101
517 有機媒質□所望粘度を得るまで□ R(7)平均値(Ω/D)12.2 31.3 1B
S148 13.SHTCR(ppm/C)+777−
210 −70 −147−133」(1例22〜25 もう少し高い抵抗値を有する。さらに一連の抵抗体を、
活性金属相がRuO2と酸化銀の両方からなり、バナジ
ン酸マンガンTCRドライバーがMnV2O6である組
成物で処方した。ガラス結合剤成分は重量基準で49.
4−のPbO,24,8%の8i02.15−9チのB
20.、7.9チの胤CO,および4.0%のAl 2
03 からなっていた。この一連の試験で胤■206
の量は19重量%から41重tチまで変化させ、これに
対応してガラスの量を22重i![%から0まで変化さ
せた。次の第5表に示した。
(重量eIj)Ru02 5
0 50 50 50 50Ag20
20 20 20 20 20結合剤
30 25 20 15 13MnV2O,65101
517 有機媒質□所望粘度を得るまで□ R(7)平均値(Ω/D)12.2 31.3 1B
S148 13.SHTCR(ppm/C)+777−
210 −70 −147−133」(1例22〜25 もう少し高い抵抗値を有する。さらに一連の抵抗体を、
活性金属相がRuO2と酸化銀の両方からなり、バナジ
ン酸マンガンTCRドライバーがMnV2O6である組
成物で処方した。ガラス結合剤成分は重量基準で49.
4−のPbO,24,8%の8i02.15−9チのB
20.、7.9チの胤CO,および4.0%のAl 2
03 からなっていた。この一連の試験で胤■206
の量は19重量%から41重tチまで変化させ、これに
対応してガラスの量を22重i![%から0まで変化さ
せた。次の第5表に示した。
このシリーズのデーターから、活性伝導相を一定にした
とき、バナジン酸塩の負のTCRドライバーとしての能
力は無機結合剤の量と逆に変化することが判る。
とき、バナジン酸塩の負のTCRドライバーとしての能
力は無機結合剤の量と逆に変化することが判る。
Ru 02 44 44 44 44 44
Ag20 15 15 15 15 15結
合剤 22 18 12 6 − MnV2O61923293541 有機媒質 Rの平均[(Ω/T]) 255 17.7 23+
280 40.9HCRP(ppmA) +117
+90 +39 −58−278実施例26〜2
9 活性伝導相としてRuO2および結合剤成分としてガラ
スを等しい重量部用いて他の一連の抵抗体を製造した。
Ag20 15 15 15 15 15結
合剤 22 18 12 6 − MnV2O61923293541 有機媒質 Rの平均[(Ω/T]) 255 17.7 23+
280 40.9HCRP(ppmA) +117
+90 +39 −58−278実施例26〜2
9 活性伝導相としてRuO2および結合剤成分としてガラ
スを等しい重量部用いて他の一連の抵抗体を製造した。
TCRドライバーFiMnV 206であつ゛た。この
シリーズの試験においては、それらからレーザートリミ
ングにより製造した抵抗体の48時間レーザー加工安定
[(LT8)を測定した。
シリーズの試験においては、それらからレーザートリミ
ングにより製造した抵抗体の48時間レーザー加工安定
[(LT8)を測定した。
このシリーズのデーターによると、濃度の非常に高いと
ころではMnV2O6/fi負のTCRドライバーとし
ては効果はより少くなり、レーザー・トリミングを行っ
た後の抵抗値のドリフトもまた増加することが判る。こ
れらのデーターを次の第6表に示す。
ころではMnV2O6/fi負のTCRドライバーとし
ては効果はより少くなり、レーザー・トリミングを行っ
た後の抵抗値のドリフトもまた増加することが判る。こ
れらのデーターを次の第6表に示す。
第6表
RuO2/ガラス100 99 97 90
70MnV2O6−131030 有 機 媒 質−□所望粘度を得るまで□−凡の平均値
(Ω/D)25 32 55 61 66)
JTCR(ppm/l) −52−199−507−3
51+82LT8(%) 045 086
Q、91 1.1<5 3.31特許出願人 イー
・アイ・デュ・ボン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパ
ニー 鵠人弁理士松井政広 (外1名)
70MnV2O6−131030 有 機 媒 質−□所望粘度を得るまで□−凡の平均値
(Ω/D)25 32 55 61 66)
JTCR(ppm/l) −52−199−507−3
51+82LT8(%) 045 086
Q、91 1.1<5 3.31特許出願人 イー
・アイ・デュ・ボン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパ
ニー 鵠人弁理士松井政広 (外1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t (a)4〜75重量%のルテニウム酸化物なに一
スとする伝導性物質: (b) 96〜25重量%の非
伝導性ガラス材料;および(c) O−05〜15重量
−の。 式’ ”n−XMX■2−y’4y05+n+7 であ
って9式中Mが0.4〜0.8のイオン半径を有する金
属陽イオンでめり: 。 M′が4〜6@の金属陽イオンでめり7nが1〜2であ
り; Xが0〜0.5であり; yが0〜0.5でろり;そして dが電気的中性を達成するために変化する数:であるも
のに相当するバナジン酸マンガン化合物の微粉砕された
粒子の混合物であって、骸混合物が有機媒質中に分散し
ているものからなる抵抗体組成物。 2、特許請求の範囲第1項記載の組成物でろって。 前記バナジン酸マンガンが式Mn 3V20b であ
って。 式中aが1〜2であり、bが6〜7であるものに相当す
るもの。 3、特許請求の範囲第2項記載の組成物であって。 前記バナジン酸マンガンがGmもしくはβ−型のMnV
2O64たはそれらの混合物であるものであるもの。 4、特許請求の範囲第2項記載の組成物であって。 前記バナジン酸マンガンがbin V 207であるも
の。 5、特許請求の範囲第1項記載の組成物であって。 前記ルテニウム酸化物をベースとする伝導性物質がRu
O□9式 %式% に相当し9式中 Mがイツトリウム、タリウム、インジウム、カドミウム
、鉛および原子番号57〜71の稀土類金属からなる群
のうちの少くとも1つでろゆ。 M’が白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモ
ンのうちの少くとも1つであり; Cが0〜2め範囲にある数であり: dが0〜約0.5の範囲の数であり、そのyは9M′が
ロジウムもしくは白金およびチタンのうちの1つより多
いときは0〜1の範囲の数であり;そして eが0〜1の範囲の数であって1Mが2価の鉛もしくは
カドミウムであるときは少くとも約x / 2に等しい
; ものに相当する化合物およびそれらの混合物からなる群
から選ばれるものであるもの。 6、%許請求の範闘第5項記載の組成物であって。 前記伝導性物質がB i 2 Ru 207であるもの
。 2、特許請求の範囲第5項記載の組成物であって。 前記伝導性物質がB1PbRu206,5であるもの。 a 特許請求の範囲第5項記載の組成物であって。 前記伝導性物質がB10.2”bl、8”u206.1
であるもの。 9I¥f許請求の範囲第5項記載の組成物であって。 前記伝導性物質がPb2Ru2O6であるもの。 to、 (a)4〜75重量%のルテニウム酸化物をベ
ースとする伝導性物質、(b)96〜25重量−の非伝
導性ガラス材料:および(C)0.05〜15重量%の
。 式’ ”n−xMxv2−yMly05+n+、であっ
て9式中Mが0.4〜0.8のイオン半径を有する金属
陽イオンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり:nが1〜2であ
り; Xが0〜0.5であり; yが0〜0.5でめり;そして Δが電気的中性を達成するために変化する数;であるも
のに相当するバナジン酸マンガン化合物の微粉砕された
粒子の混合物であって、該混合物が有機媒質中に分散し
ているものからなる抵抗体組成物の薄い層を焼成して前
記有機媒質を揮発させ。 前記ガラスノ液相焼結(Liquid phasesi
n七ering)を起させたものからなる抵抗体。 11(a)4〜7−5重量−のルテニウム酸化物をに一
スとする伝導性物質:(b)96〜25重量%の非伝導
性ガラス材料;および(C)0.05〜15重量%の。 式=MrIn □MxV 2−、M’、05 +n +
7 であって1式中Mが0.4〜0.8のイオン半
径を有する金属陽イオンであり; M′が4〜6価の金属陽イオンであり;nが1〜2であ
り: Xが0〜0.5であり; yが0〜0.5であ抄;そして 1が電気的中性を達成するために変化する数:であるも
のに相当するバナジン酸マンガン化合物の微粉砕された
粒子の混合物であって、#混合物が有機媒質中に分散し
ているものからなる抵抗体組成物からなるパターンの薄
い層を形成すること。 鉄層な乾燥すること、および該乾燥された層を焼成して
前記有機媒質を揮発させ、前記ガラスの液相焼結を起さ
せること、からなる抵抗体を形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US286558 | 1981-07-24 | ||
| US06/286,558 US4362656A (en) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | Thick film resistor compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827303A true JPS5827303A (ja) | 1983-02-18 |
| JPS6355842B2 JPS6355842B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=23099143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127776A Granted JPS5827303A (ja) | 1981-07-24 | 1982-07-23 | 厚膜抵抗体組成物、抵抗体及び抵抗体を形成する方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4362656A (ja) |
| EP (1) | EP0071190B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5827303A (ja) |
| CA (1) | CA1172844A (ja) |
| DE (1) | DE3263530D1 (ja) |
| DK (1) | DK161231C (ja) |
| GR (1) | GR76179B (ja) |
| IE (1) | IE53688B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290902A (ja) * | 1983-01-21 | 1987-04-25 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | パタ−ン化した酸化ルテニウムベ−ス抵抗体 |
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