JPS5827372U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

Info

Publication number
JPS5827372U
JPS5827372U JP12250281U JP12250281U JPS5827372U JP S5827372 U JPS5827372 U JP S5827372U JP 12250281 U JP12250281 U JP 12250281U JP 12250281 U JP12250281 U JP 12250281U JP S5827372 U JPS5827372 U JP S5827372U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
growth equipment
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12250281U
Other languages
English (en)
Inventor
昭夫 山口
隆一 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP12250281U priority Critical patent/JPS5827372U/ja
Publication of JPS5827372U publication Critical patent/JPS5827372U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の液相エピタキシャル成長装置を示す図
、第2図は本考案の液相エピタキシャル成長装置を示す
図である。図において、1゛は基板ホルダー、2は基板
、3はスライダー、4は溶液、5は蓋、6はとじこめら
れた雰囲気ガス、7はガス抜き用の中孔をそれぞれ示す

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 、(1)蓋をそなえた溶液だめを少くとも1つ有する液
    相エピタキシャル成長装置において、該蓋に少くとも1
    つの貫通する小孔を設けたことを特徴とする液相エピタ
    キシャル成長装置。 (2)  上記蓋の溶液と接触する面の形状が凹面であ
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載
    の液相エピタキシャル成長装置。
JP12250281U 1981-08-19 1981-08-19 液相エピタキシヤル成長装置 Pending JPS5827372U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12250281U JPS5827372U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 液相エピタキシヤル成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12250281U JPS5827372U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 液相エピタキシヤル成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5827372U true JPS5827372U (ja) 1983-02-22

Family

ID=29916420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12250281U Pending JPS5827372U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 液相エピタキシヤル成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5827372U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5827372U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS58163570U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS605480U (ja) 塗膜形成装置
JPS59103770U (ja) 薄膜気相成長装置
JPS5961531U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS58168572U (ja) 液相成長装置
JPS5853136U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS58138330U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS60193970U (ja) 液相成長用ボ−ト
JPS5851866U (ja) 半田槽
JPS59129882U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS6072154U (ja) 立筒裁培用ポケツト部品
JPS6086567U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS59173265U (ja) 乾電池キヤツプ
JPS5851578U (ja) 端子盤
JPS59169370U (ja) 液相エピタキシヤル膜成長用基板ホルダ
JPS58196833U (ja) 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト
JPS58173236U (ja) 結晶成長装置
JPS60119744U (ja) エピタキシヤル層の形成工程に使用するウエハ用ホルダ−
JPS6268229U (ja)
JPS6117729U (ja) 半導体液相エピタキシヤル結晶成長用ボ−ト
JPS59125399U (ja) アイロン用型板
JPS5955943U (ja) 盆まな板
JPS61199035U (ja)
JPS59128730U (ja) 液相成長装置