JPS5828748A - Positioning device for transcribing device - Google Patents

Positioning device for transcribing device

Info

Publication number
JPS5828748A
JPS5828748A JP56125974A JP12597481A JPS5828748A JP S5828748 A JPS5828748 A JP S5828748A JP 56125974 A JP56125974 A JP 56125974A JP 12597481 A JP12597481 A JP 12597481A JP S5828748 A JPS5828748 A JP S5828748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
alignment
information
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56125974A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Hazama
間 潤治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp, Nippon Kogaku KK filed Critical Nikon Corp
Priority to JP56125974A priority Critical patent/JPS5828748A/en
Publication of JPS5828748A publication Critical patent/JPS5828748A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce greatly the alignment error, by performing the positioning previously to plural transcription regions on a wafer before the transcription, storing the information on the matching position and then controlling a shifting device during the transcription and based on the above-mentioned information. CONSTITUTION:For an exposure system of the step-and-repreat system, a mask 25 is positioned at the lower part of an alignment optical system 40 before the transcription. Then the shift of rotation between the mask 25 and the xy direction of the stages 7 and 11 of (x) and (y) axes is compensated by means of the system 40. A wafer 15 is set on a wafer stage 14, and the mask 25 is positioned to each of plural transcription regions on the wafer 15 with use of the marks provided to the mask 25 and the wafer 15. Then the information on the matching position is stored. In the transcription mode, the mask 25 is positioned at the lower part of a light source 46. Then the shift of the stages 11 and 7 is controlled based on the above-mentioned information to perform the transcription successively.

Description

【発明の詳細な説明】 る。[Detailed description of the invention] Ru.

従来から転写装置としては.アライメント位置すなわち
アライメント光学系の基においてマスクとウェハとの相
対的なアライメントを行なった後,両者を互いにクラン
プして相対位置がずれないようにして露光位置すなわち
露光用光学系の基へ移動させるものと.アライメント位
置と露光位置とを一致させアライメント終了後アライメ
ント光学系を退避させて露光を行なうものとがある。
Traditionally, it has been used as a transfer device. After relatively aligning the mask and wafer at the alignment position, that is, the base of the alignment optical system, the two are clamped together to prevent their relative positions from shifting, and then moved to the exposure position, that is, the base of the exposure optical system. and. There is a method in which the alignment position and the exposure position are matched, and after the alignment is completed, the alignment optical system is retracted and exposure is performed.

しかしながら、前者にあってはウェハとマスクを露光位
置へ移動する際両者間に位置のずれが生じてもこれを容
易に補正できず,また後者にあってはアライメント光学
系を退避させる必要があることから.アライメント光学
系の機械的強度及び精度が不安定となる欠点がある。
However, in the former case, even if a positional shift occurs between the wafer and mask when they are moved to the exposure position, this cannot be easily corrected, and in the latter case, the alignment optical system must be retracted. Because of that. There is a drawback that the mechanical strength and accuracy of the alignment optical system are unstable.

これらの欠点はいわゆるステップアンドリピート方式の
露光システムにおいて顕著となる。ここにステップアン
ドリピート方式とはウエハサイズj二比べて露光領域が
小さく設定され.ウェハ又はマスクを移動して小領域毎
に露光を行なうことによりウェハ全面に対スる露光を行
なうものであるが.このステップアンドリピート方式に
おいて,前者にあってウェハ又はマスクがアライメント
位置と露光位置との間を複数回往復する必要があり.ま
た後者にあっても各領域の露光毎にアライメント光学系
を退避させろ必要があるの,で、単位時間あたりの処理
数,いわゆるスループットがあげられないという問題が
生じろ。
These drawbacks become noticeable in so-called step-and-repeat exposure systems. Here, in the step-and-repeat method, the exposure area is set smaller than the wafer size j2. This method exposes the entire wafer by moving the wafer or mask and exposing each small area. In this step-and-repeat method, the wafer or mask must move back and forth multiple times between the alignment position and the exposure position. Furthermore, even in the latter case, it is necessary to retreat the alignment optical system every time each area is exposed, which causes the problem that the number of processing per unit time, so-called throughput, cannot be increased.

また、近年より細い線幅のパターンをウェハ上に形成す
るため,可視光等による露光の他に,波長の極めて短い
X線による転写技術が何党されている。例えば、マスク
とウェハをわずかに離して配置したプロキシミテイ方式
によりパターンを転写する際.ウェハに塗布されたレジ
ストの感度も含めてX線を照射する時間,いわゆる転写
時間が可視光等の露光時間よりも極めて長くなることが
問題にな線の線源とアライメント光学系は,当然離れた
位置に配置される。従って,先に述べたように.アライ
メント位置でマスクとウェハの相対位置を調整して,露
光位置すなわちX線の照射位置までウェハとマスクをそ
の相対位置でクランプしたまま移動して,転写すること
になる。この状態でウェハとマスクは長時間(例えば1
〜10分間)X線の照射を受けるが,その間にウェハと
マスクの相対的な位置がウェハ載置ステージクランプ等
の機械的な変動によってずれてしまうことがある。転写
中に一端ずれてしまうと,ウェハ上にはもはや正確に位
置決めされたパターンが転写できない。この結果,より
細い線幅のパターンを転写するためにX線を用いたこと
が十分に生かされないという欠点も生じていた。
In recent years, in order to form patterns with narrower line widths on wafers, in addition to exposure using visible light, several transfer techniques using X-rays with extremely short wavelengths have been used. For example, when transferring a pattern using the proximity method in which the mask and wafer are placed slightly apart. The problem is that the X-ray irradiation time, the so-called transfer time, including the sensitivity of the resist applied to the wafer, is much longer than the exposure time of visible light, etc.The source of the radiation and the alignment optical system are naturally separated. is placed in the correct position. Therefore, as stated earlier. The relative position of the mask and wafer is adjusted at the alignment position, and the wafer and mask are moved to the exposure position, that is, the X-ray irradiation position, while being clamped at that relative position, and transfer is performed. In this state, the wafer and mask are held together for a long time (for example, 1
During this period, the relative positions of the wafer and mask may shift due to mechanical fluctuations such as the wafer mounting stage clamp. If one end shifts during transfer, an accurately positioned pattern can no longer be transferred onto the wafer. As a result, there has been a drawback that the use of X-rays to transfer patterns with narrower line widths is not fully utilized.

本発明はか\ろ事情を背景にして.ステップアンドリピ
ート方式の転写装置であって。
The present invention was developed against the background of these circumstances. It is a step-and-repeat type transcription device.

各小領域の露光のたびにアライメント装置を退避させる
必要がなく.シかもウェハ及びマスクをアライメント位
置と転写位置との間で何度も往復させる必要がなく,ア
ライメント時及び露光時のスループットが向上された転
写装置用の位置合わせ装置を提供することを目的とする
。
There is no need to retreat the alignment device each time each small area is exposed. It is an object of the present invention to provide an alignment device for a transfer device, which eliminates the need to reciprocate a wafer and a mask many times between an alignment position and a transfer position, and improves throughput during alignment and exposure. .

この目的を達成するために.本発明においては.転写に
先立ってマスクとウェハとを相対移動させ.各ステップ
位置において両者の整合位置を検知し相対位置に関する
情報を発生する整合検知装置と,これにより発せられる
情報を記憶する記憶手段と.転写の際上記情報に基づき
マスクとウェハとを相対的にステップ移動させるように
移動装置を制御する手段とを含むようにした。
to this end. In the present invention. Prior to transfer, the mask and wafer are moved relative to each other. An alignment detection device that detects the alignment position of both at each step position and generates information regarding the relative position, and a storage means that stores the information generated thereby. The present invention includes means for controlling a moving device so as to relatively move the mask and the wafer step by step based on the above information during transfer.

以下,本発明の実施例を示す図面をもとに説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図においてベース1上にはコラム2が軸受3を介し
てX軸方向(同図中左右方向)に移動可能に載置され、
コラム2はベース1上に固定されたモータ4によって送
りネジ4aを介して駆動されるようになっている。コラ
ム2上にはベアリング、ローラ等の転動体6を介してy
軸ステージ7がy軸方向(同図の紙面に垂直な方向)に
移動可能に載置され。
In FIG. 1, a column 2 is mounted on a base 1 so as to be movable in the X-axis direction (horizontal direction in the figure) via a bearing 3.
The column 2 is driven by a motor 4 fixed on the base 1 via a feed screw 4a. On the column 2, the y
A shaft stage 7 is mounted so as to be movable in the y-axis direction (direction perpendicular to the plane of the drawing).

コラム2に固定されたy軸モータ8によって駆動される
ようになっている。さらにy軸ステージZ上にはX軸ス
テージ11が転動体12を介してX軸方向に移動可能に
載置され。
It is driven by a y-axis motor 8 fixed to the column 2. Furthermore, an X-axis stage 11 is mounted on the y-axis stage Z so as to be movable in the X-axis direction via rolling elements 12.

y軸ステージ7上に固定されたX軸モータ13によって
駆動されるようになっている。X軸ステージ11上には
ウェハ15を装着するためのウェハステージ14が固定
され、このウェハステージ14はウェハ15自体のテー
パを補正′するとともにウェハ15とマスク(後述)2
5との間の間隙をだすためのレベリング機構、並びにX
軸ステージ11に対するウェハ150回転方向の誤差を
補正するためのウェハオリエンテーション機構を有して
いる上記コラム2は上方に延長部分2aを有しており、
当該部分にはマスク25を装着するためのマスクホルダ
21およびマスク25の装着時の回転誤差を補正するマ
スクオリエンテーション機構22が設けられ、マスクホ
ルダ21はマスクオリエンテーション機構22によって
コラムの延長部分2aに対して、x。
It is driven by an X-axis motor 13 fixed on the y-axis stage 7. A wafer stage 14 for mounting a wafer 15 is fixed on the X-axis stage 11, and this wafer stage 14 corrects the taper of the wafer 15 itself, and also supports the wafer 15 and a mask (described later) 2.
5 and a leveling mechanism to create a gap between
The column 2, which has a wafer orientation mechanism for correcting errors in the rotational direction of the wafer 150 with respect to the axis stage 11, has an upper extension portion 2a,
This part is provided with a mask holder 21 for attaching the mask 25 and a mask orientation mechanism 22 for correcting rotational errors when attaching the mask 25. T-x.

y軸ステージ11,7の各移動方向を含むXy軸平面内
で回転可能とされている。
It is rotatable within an Xy-axis plane that includes each movement direction of the y-axis stages 11 and 7.

上記X軸ステージ11及びコラム延長部分2aの端部に
はそれぞれX軸方向の位置検出用の平面反射ミラー26
及び27が取り付けられている。なお1図示はしないが
当該各端部にはそれぞれy軸方向の位置検出用の平面反
射ミラーも取り付けられている。
At the ends of the X-axis stage 11 and the column extension portion 2a, there are plane reflection mirrors 26 for position detection in the X-axis direction.
and 27 are attached. Although not shown, a plane reflection mirror for position detection in the y-axis direction is also attached to each end.

また上記コラム2の端部には測長用レーザ光源31及び
レーザ干渉計32が固定されている。レーザ光源31と
X軸ステージ11との間、並びに干渉計32とコラム2
との間にはそれぞれハーフミラ−63及び反射ミラー3
4が配置され、当該両ミラーろ3,34の上方でミラー
27に対向する位置には更に別の反射ミラー36が配置
されている。レーザ光源31及び干渉計32はミラー2
6とミラー27との相対距離を求める測長回路35に接
続されている。レーザ光源31からのレーザビームの一
部はハーフミラ−33を透過して反射ミラー26で反射
され、ミラー33及び34で下方及び左方に反射されて
レーザ干渉計32に至る。一方ハーフミラー33で反射
されたレーザビームの残部はミラー36で右方に、ミラ
ー27で左方に反射され、再びミラー36で下方に、ミ
ラー34で左方に反射されて干吟計32に至る。そして
測長回路′55において双方の入射光を比較することに
よってX軸ステージ11とコラムすなわちウェハ15と
マスク25との相対距離を求め。
Further, a length measuring laser light source 31 and a laser interferometer 32 are fixed to the end of the column 2. between the laser light source 31 and the X-axis stage 11, and between the interferometer 32 and the column 2.
There is a half mirror 63 and a reflective mirror 3 between them, respectively.
4 is disposed, and another reflective mirror 36 is disposed above the mirror filters 3 and 34 at a position opposite to the mirror 27. The laser light source 31 and the interferometer 32 are mirror 2
6 and the mirror 27 is connected to a length measuring circuit 35 for determining the relative distance between the mirror 27 and the mirror 27. A portion of the laser beam from the laser light source 31 passes through the half mirror 33, is reflected by the reflecting mirror 26, is reflected downward and to the left by the mirrors 33 and 34, and reaches the laser interferometer 32. On the other hand, the remainder of the laser beam reflected by the half mirror 33 is reflected to the right by the mirror 36 and to the left by the mirror 27, and is again reflected downward by the mirror 36 and left by the mirror 34, and is reflected to the tiginometer 32. reach. Then, the relative distance between the X-axis stage 11 and the column, that is, the wafer 15 and the mask 25 is determined by comparing both incident lights in the length measuring circuit '55.

求められた距離値は制御装置50に入力される。ウェハ
15とマスク25の相対距離は。
The determined distance value is input to the control device 50. What is the relative distance between the wafer 15 and the mask 25?

X軸方向についてもy軸方向についても同様に行なわれ
る。従って測長回路の出力信号は。
The same process is performed in both the X-axis direction and the y-axis direction. Therefore, the output signal of the length measuring circuit is.

ミラー26とミラー27のX軸方向の相対的な距離(例
えばミラー26を基準としたミラー27までの距離)に
応じた値であり、このことはウェハ15とマスク25の
X軸方向の相対距離を意味する。また、y軸方向につい
ても同様の測長回路で相対距離が求められるから、結局
ウェハ15とマスク25の相対的な2次元位置(例えば
マスク25に対するウェハ15の座標値)が測定される
。
This value corresponds to the relative distance between the mirror 26 and the mirror 27 in the X-axis direction (for example, the distance from the mirror 26 to the mirror 27), and this means that the relative distance between the wafer 15 and the mask 25 in the X-axis direction means. Furthermore, since the relative distance in the y-axis direction is determined by a similar length measuring circuit, the relative two-dimensional position of the wafer 15 and the mask 25 (for example, the coordinate value of the wafer 15 with respect to the mask 25) is finally measured.

一方、マスクホルダ21の上方でベース1と一体になっ
ているベース41には、マスク25とウェハ15の各々
に設けられた位置合わせ用のマークを観察するためのア
ライメント光学系40が固定されており、その観察光は
側方に設けられたマーク検出部42に入力して各マーク
の位置を表わす電気信号に変換される。そして1位置ず
れ処理部43は、その電気信号の入力に基づいてウェハ
15とマスク25の各マークのずれの方向及びずれ量を
検知して1両マークのずれに応じた信号を発生する。従
ってこの信号はマスク25とウェハ15のずれ景を表わ
す。
On the other hand, an alignment optical system 40 for observing alignment marks provided on each of the mask 25 and the wafer 15 is fixed to a base 41 that is integrated with the base 1 above the mask holder 21. The observation light is input to a mark detection section 42 provided on the side and converted into an electrical signal representing the position of each mark. Based on the input of the electrical signal, the one-position displacement processing section 43 detects the direction and amount of displacement between each mark on the wafer 15 and the mask 25, and generates a signal corresponding to the displacement between the two marks. Therefore, this signal represents the misalignment between the mask 25 and the wafer 15.

ここで上記マーク検出部42及び位置ずれ処理部43に
よって扱われるウェハ15及びマスク25上のマークの
一例について第2図を基に説明する。第2図に示すよう
に、マスク25上には、所定の間隔だけ離れたマークM
、M’を設け、ウェハ15上にはマークM。
Here, an example of the marks on the wafer 15 and mask 25 handled by the mark detection section 42 and the positional deviation processing section 43 will be explained based on FIG. 2. As shown in FIG. 2, marks M are placed on the mask 25 at predetermined intervals.
, M' are provided, and a mark M is provided on the wafer 15.

M′に挾み込まれるような矩形状のマークWを設ける(
尚1図中台マークの斜線部は例えば光を反射する反射部
とする。)そして前述のように、アライメント光学系4
0によってこのマークM、M’とマークWを同時に観察
し。
Provide a rectangular mark W that is inserted into M' (
Note that the diagonally shaded portion of the center mark in FIG. 1 is a reflective portion that reflects light, for example. ) and as mentioned above, the alignment optical system 4
Observe marks M, M' and mark W at the same time using 0.

マーク検出部42として例えばレーザスポットを第2図
中矢印Sのように走査して、各マークからの反射光を光
電検出する。このときマーク検出部42は例えば各マー
クのとこ、ろでハイレベルの信号を、その間隔部a、b
のところではローレベルの信号を発生スる。この信号の
人力に基づいて9位置ずれ処理部43は間隔部a、bの
の大きさを検出して。
The mark detection section 42, for example, scans a laser spot in the direction of arrow S in FIG. 2, and photoelectrically detects reflected light from each mark. At this time, the mark detection unit 42 sends a high-level signal at each mark, for example, to the interval portions a and b.
At this point, a low level signal is generated. Based on the human input of this signal, the positional deviation processing section 43 detects the sizes of the gaps a and b.

マークMM’とマークWのずれの方向とその量に応じた
信号を発生する。またマーク検出部42として、ITV
の如き画像入力装置を用いて、その画像走査信号によっ
てマークのずれを求めてもよい。
A signal corresponding to the direction and amount of deviation between mark MM' and mark W is generated. In addition, as the mark detection section 42, the ITV
It is also possible to use an image input device such as the one described above to determine the displacement of the mark based on the image scanning signal.

尚、ウェハ15及びマスク25上の各マークは1例えば
第4図のように設けられている。
Note that each mark on the wafer 15 and the mask 25 is provided as shown in FIG. 4, for example.

ウェハ15上の複数の転写領域には各ステージ11.7
の移動方向X+Vに対して位置合わせできるように、1
つの転写領域Pについて2つのマークWx 、 Wy 
 が設けられろ。もちろん回路パターンを描画した領域
Qを有するマスク25上にも対応した2つのマークk1
M’x 。
Each stage 11.7 is provided in a plurality of transfer areas on the wafer 15.
1 so that the position can be aligned with the moving direction X+V of
Two marks Wx, Wy for one transfer area P
be established. Of course, two marks k1 also correspond to the mask 25 having the area Q where the circuit pattern is drawn.
M'x.

MM’Y  が設けられる。本装置の場合、マスク25
に対してウェハ15がxy平面内を移動し、各転写領域
においてマークMM’x とマークWx及びマークMM
’ Yとマークwyを各々一致すなわち重ね合わせた状
態で転写を行なう。
MM'Y is provided. In the case of this device, mask 25
The wafer 15 moves within the xy plane, and marks MM'x, Wx, and MM are formed in each transfer area.
' Transfer is performed with Y and mark wy aligned, that is, overlapping each other.

このようにマークMM″とマークWとを合わせることに
よって、マスク25のパターンは領域P中に例えば第1
回目の転写により形成されたパターンと整合する。
By aligning the mark MM'' and the mark W in this way, the pattern of the mask 25 is formed in the region P, for example, by aligning the mark MM'' with the mark W.
It matches the pattern formed by the second transfer.

再び第1図に戻り、ベース41にはアライメント光学系
40に対してコラム2の移動方向に沿って離れた位置に
転写のための可視光線やX線の如きエネルギー線を発生
する光源46が設けられている。光源46は駆動部47
によってウェハ15への光線、X線等の照射が制御され
る。駆動部47には例えば光線等が通るアパーチャを遮
光するシャッター制御回路等が含まれる。上記位置ずれ
処理部43、測長回路35は制御装置50に接続され、
この制御装置50はモータ4,8及び13、駆動部47
に接続されている。この制御装置50は、所定の制御及
びデータの転送や蓄積を行なう計算機51の指令に基づ
いて。
Returning to FIG. 1 again, a light source 46 that generates energy rays such as visible light and X-rays for transfer is provided on the base 41 at a position apart from the alignment optical system 40 along the moving direction of the column 2. It is being The light source 46 is a drive unit 47
The irradiation of light beams, X-rays, etc. to the wafer 15 is controlled by. The drive unit 47 includes, for example, a shutter control circuit that blocks light from an aperture through which a light beam or the like passes. The positional deviation processing section 43 and length measurement circuit 35 are connected to a control device 50,
This control device 50 includes the motors 4, 8 and 13, and the drive section 47.
It is connected to the. This control device 50 is based on instructions from a computer 51 that performs predetermined control and transfers and stores data.

03) 各部の駆動及び状態検出等の制御を行なうものである。03) It controls the driving and state detection of each part.

第3図は制御装置5oについて詳しく説明するためのブ
ロック図である。制御装置5゜については、X軸、y軸
ステージ11,7を駆動するための構成のみについてブ
ロック図として示しである。位置ずれ処理部43で発生
したウェハ15とマスク25とのX軸方向のずれ量に応
じた信号Dt 、測長回路35によって測定されるマス
ク25とウェハ15のX軸方向での相対距離に応じた信
号D2.マスク25とウェハ15のy軸方向でのずれ量
に応じた信号D5.及びy軸方向での相対距離に応じた
信号D4  は演算処理回路1ooに入力する。
FIG. 3 is a block diagram for explaining the control device 5o in detail. Regarding the control device 5°, only the configuration for driving the X-axis and y-axis stages 11 and 7 is shown as a block diagram. A signal Dt corresponding to the amount of deviation in the X-axis direction between the wafer 15 and the mask 25 generated by the positional deviation processing unit 43, and a signal Dt corresponding to the relative distance in the X-axis direction between the mask 25 and the wafer 15 measured by the length measuring circuit 35. signal D2. A signal D5. corresponding to the amount of deviation between the mask 25 and the wafer 15 in the y-axis direction. A signal D4 corresponding to the relative distance in the y-axis direction is input to the arithmetic processing circuit 1oo.

この演算処理回路1ooは計算機51と位置合わせに関
する情報をやり取りしたり、信号り、 、 D3  の
入力に基づいてマスク25とウェハ15のX軸、y軸方
向のずれ量が所定値以下になるようにサーボ制御するた
めの信号(14) をモータ8,13の各々の駆動回路101゜102に出
力したり、信号D2.D3の人力に基づいてマスク25
とウェハ15のX軸、y軸方向の相対距離の値をXメモ
リ103.Yメモリ104に各々格納したり又は読み出
したりする動作を制御する。尚、Xメモリ103とYメ
モリ104は計算機51の内部のメモリとしてもよいこ
とは言うまでもない。
This arithmetic processing circuit 1oo exchanges information regarding positioning with the computer 51, and uses signals such as D3 to ensure that the amount of deviation in the X- and Y-axis directions between the mask 25 and the wafer 15 is below a predetermined value. The signal D2. Mask 25 based on D3 man power
and the relative distance values of the wafer 15 in the X-axis and y-axis directions are stored in the X memory 103. It controls the operation of storing and reading data into and from the Y memory 104. It goes without saying that the X memory 103 and the Y memory 104 may be internal memories of the computer 51.

次に本実施例の作動について第1及び第3図により説明
する。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to FIGS. 1 and 3.

まず、駆動モータ4によってコラム2を移動させ、マス
ク25をアライメント光学系40の下方に位置決めする
。次に、アライメント光学系40を用いてマスク25と
XiY軸スデステージ11のxy力方向対する回転ずれ
を補正する。この補正は例えばマスク25上の2ケ所に
設けた専用のマークを観察してオリエンテーション機構
22によって行なう。これによってマスクパターンがウ
ェハ15に対して斜めに焼き付けられることが防(15
) 止される。
First, the column 2 is moved by the drive motor 4, and the mask 25 is positioned below the alignment optical system 40. Next, using the alignment optical system 40, the rotational deviation of the mask 25 and the XiY axis stage 11 with respect to the xy force direction is corrected. This correction is performed by the orientation mechanism 22 by observing dedicated marks provided at two locations on the mask 25, for example. This prevents the mask pattern from being printed diagonally onto the wafer 15 (15
) will be stopped.

次にウェハステージ14上にウェハ15をセットし、ウ
ェハ15とマスク25との間隙(ギャップ)の調整を行
なう。このギャップの設定は1図示はされていないが、
近接センサ等を用いて行なう。
Next, the wafer 15 is set on the wafer stage 14, and the gap between the wafer 15 and the mask 25 is adjusted. The setting of this gap is 1.Although not shown in the diagram,
This is done using a proximity sensor, etc.

続いて、第2図で示したようにマスク25上の少なくと
も2ケ所に設けられたマークMM’  とウェハ15上
の対応する2ケ所に設けられたマークWとがその2ケ所
でほぼ一致するようにX軸ステージ11及びy軸ステー
ジ7をそれぞれモータ13,8によって移動させる。そ
して、ウェハ15のマスク25に対する回転ずれをアラ
イメント光学系40゜マーク検出部42及び位置ずれ信
号処理部43によって検出し、ウェハステージ14上の
オリエンテーション機構によってウェハ15を回転させ
てこのずれを補正する。
Next, as shown in FIG. 2, the marks MM' provided at at least two locations on the mask 25 and the marks W provided at two corresponding locations on the wafer 15 are made to almost match at those two locations. The X-axis stage 11 and the Y-axis stage 7 are moved by motors 13 and 8, respectively. Then, the rotational deviation of the wafer 15 with respect to the mask 25 is detected by the alignment optical system 40° mark detection section 42 and the positional deviation signal processing section 43, and the wafer 15 is rotated by the orientation mechanism on the wafer stage 14 to correct this deviation. .

次にX軸、y軸ステージ11.7を移動して、ウェハ1
5上の複数の転写領域毎にマス(16) り25の位置合わせを行なう。このために計算機51は
、1回目に焼き付けたウェハ15の各領域におけるマス
ク25との相対位置を測長回路35からの信号D2と信
号D4を演算回路100を介して各領域に対応した2次
元的な位置として予め記憶している。尚、予め計算機5
1に記憶された複数の2次元的な位置を以後指定位置と
する。まず、ウェハ15上の1つの領域に対して、計算
機51は対応する指定位置の情報を演算処理回路100
へ出力する。このとき演算処理回路100は。
Next, move the X-axis and y-axis stage 11.7 to place the wafer 1.
The positioning of the squares 25 is performed for each of the plurality of transfer areas on the image forming apparatus 5. For this purpose, the computer 51 calculates the relative position of each region of the wafer 15 with respect to the mask 25 in a two-dimensional manner corresponding to each region by transmitting the signals D2 and D4 from the length measuring circuit 35 through the calculation circuit 100. It is stored in advance as a specific position. In addition, please use the calculator 5 in advance.
The plurality of two-dimensional positions stored in 1 will be designated positions from now on. First, for one area on the wafer 15, the computer 51 transmits information on the corresponding specified position to the arithmetic processing circuit 100.
Output to. At this time, the arithmetic processing circuit 100.

測長回路35の信号D2及び信号D4に基づいて、マス
ク25とウェハ15の相対的な位置が指定位置と等しく
なるように駆動回路101゜102を制御する。これに
よりマスク25のパターンはウェハ15の1つの転写領
域中に形成されたパターンとほぼ整合する訳であるが、
ウェハ15を載置したときに微小なずれがあると、この
指定位置において完全な整合がなされているとは限らな
い。
Based on the signal D2 and the signal D4 of the length measuring circuit 35, the drive circuits 101 and 102 are controlled so that the relative position of the mask 25 and the wafer 15 becomes equal to the designated position. As a result, the pattern of the mask 25 almost matches the pattern formed in one transfer area of the wafer 15.
If there is a slight deviation when the wafer 15 is placed, perfect alignment may not be achieved at this specified position.

(17) その指定位置において、マスク25のマークMM’とウ
ェハ15のマークWとをアライメント光学系40により
同時観察して、マーク検出部42と位置ずれ処理部43
によってウェハ15のマスク25に対する位置ずれ量を
検出し、このずれ量に対応した信号D+、D3によって
制御装置5oの駆動回路IQ1.IQ3を制御し、ステ
ージ11.7を移動させてX軸方向及びy軸方向の位置
ずれ量が零となるようにサーボをかけろ。そしてウェハ
15とマスク25との位置ずれ量が予め設定されていた
特容値例えば第2図で示した間隔a、  l)がほぼ等
しくなった時点で、測長回路35で読み取ったステージ
11.7のその時のステージ位置の情報すなわち信号D
2.D4は演算処理回路100を介して、信号D2はX
メモリ10311ニーXtとして、信号D4はYメモリ
104にYl  として記憶される。すると計算機51
は次の指定位置に関する情報を演算処理回路100に出
力して、上述の動作がくり返され(18) る。
(17) At the specified position, the mark MM' on the mask 25 and the mark W on the wafer 15 are simultaneously observed by the alignment optical system 40, and the mark detection section 42 and the positional deviation processing section 43
detects the amount of positional deviation of the wafer 15 with respect to the mask 25, and uses signals D+ and D3 corresponding to this amount of deviation to drive the drive circuits IQ1. Control IQ3, move the stage 11.7, and apply the servo so that the amount of positional deviation in the X-axis direction and the y-axis direction becomes zero. Then, when the amount of positional deviation between the wafer 15 and the mask 25 becomes approximately equal to the preset characteristic value, for example, the distances a and l) shown in FIG. 2, the stage 11. 7, information on the stage position at that time, that is, signal D
2. D4 passes through the arithmetic processing circuit 100, and signal D2 passes through the
As memory 10311 knee Xt, signal D4 is stored in Y memory 104 as Yl. Then calculator 51
outputs information regarding the next specified position to the arithmetic processing circuit 100, and the above-mentioned operation is repeated (18).

上記の操作は、計算機51内に予め記憶されていたステ
ージ11.7の指定位置情報のすべてに対して繰り返さ
れ、各指定位置に対してマークMM’ 、マークWによ
って正確に求められたX軸ステージ11とy軸ステージ
7との相対的な位置はXメモリ103及びYメモリ10
4内に、順次(X2 、 Y2 ) 、 (Xs 、 
Y3)−m−として記憶される。尚、各メモリ103゜
104中に記憶された位置情報は、ウェハ15上の各領
域に対応した整合位置と呼ぶことにする。
The above operation is repeated for all of the specified position information of the stage 11.7 that has been stored in advance in the computer 51, and for each specified position, the X-axis is accurately determined by the marks MM' and The relative position of the stage 11 and the y-axis stage 7 is determined by the X memory 103 and the Y memory 10.
4, sequentially (X2, Y2), (Xs,
Y3) -m-. The position information stored in each of the memories 103 and 104 will be referred to as a matching position corresponding to each area on the wafer 15.

以上のようにして、マスク25に対するX軸ステージ1
1及びy軸ステージ7のすべての整合位置が各メモリ1
03.1(Illに記憶されたならば、モータ4により
コラム2が移動されて、マスク25は光源46の下方に
位置決めされる。
As described above, the X-axis stage 1 with respect to the mask 25
1 and all alignment positions of the y-axis stage 7 are stored in each memory 1
03.1 (Once stored in Ill, the column 2 is moved by the motor 4 and the mask 25 is positioned below the light source 46.

次に計算機51は転写開始の指令を演算処理部100に
出力する。この指令に基づいて。
Next, the computer 51 outputs a transfer start command to the arithmetic processing section 100. Based on this Directive.

(19) 各メモリ103.10A中に記憶された整合位置の情報
のうち、いずれか1つ2例えば(χ+、Y+)が演算処
理部100に取り込まれる。そして、演算処理部100
は信号D2゜D4  と整合位置の情報(Xl、Y+)
を比較して1例えばその差が零になるようにX軸、y軸
ステージ11.7を移動させろ駆動回路IQ1,102
を制御する。すなわち、情報(Xl、  Yt )を基
準値として、ウェハ15とマスク25の相対的な位置が
常にこの基準値と一致するように制御される。従って、
各ステージ11.7やその送り機構に何らかの原因で機
械的な変動が生じても、ウェハ15とマスク25の相対
的な位置は常に整合位置に維持される。
(19) Among the matching position information stored in each memory 103.10A, any one (2), for example (χ+, Y+), is taken into the arithmetic processing unit 100. Then, the arithmetic processing unit 100
is the signal D2゜D4 and matching position information (Xl, Y+)
1. For example, move the X-axis and y-axis stage 11.7 so that the difference becomes zero. Drive circuit IQ1, 102
control. That is, using the information (Xl, Yt) as a reference value, the relative positions of the wafer 15 and the mask 25 are controlled so as to always match this reference value. Therefore,
Even if mechanical fluctuations occur for some reason in each stage 11.7 or its feeding mechanism, the relative positions of wafer 15 and mask 25 are always maintained at aligned positions.

こうして、ウェハ15上の1つの領域にマスク25のパ
ターンが整合すると、計算機51は制御装置50を介し
て光源46の駆動部47へ、転写用照明光又はエネルギ
ー線の照射開始の指令を発する。そして所定時間:(2
0) マスク25上へ照射することによってウェハ15上の1
つの領域にパターンが転写される。
When the pattern of the mask 25 matches one area on the wafer 15 in this way, the computer 51 issues a command to the drive section 47 of the light source 46 via the control device 50 to start irradiation with the transfer illumination light or energy beam. And predetermined time: (2
0) 1 on the wafer 15 by irradiating onto the mask 25
The pattern is transferred to two areas.

尚、転写中は、常に駆動回路101,102が働いて、
整合位置を保ち続げろ。その後。
Incidentally, during the transfer, the drive circuits 101 and 102 are always working,
Continue to maintain alignment. after that.

光源46の照射は中止され、Xメモリ103゜Yメモリ
104から次の整合位置の情報(x2゜Y2)が演算処
理回路100に取り込まれろ。
Irradiation from the light source 46 is stopped, and information on the next matching position (x2°Y2) is taken into the arithmetic processing circuit 100 from the X memory 103° and the Y memory 104.

そして前述のように各ステージ11,7を移動して、ウ
ェハ15上の次の領域に同様にマスク25のパターンを
転写する。このようにして、各メモリ103,104中
に記憶された各整合位置の情報に基づいて、ウェハ15
上の各領域中のパターンにマスク25のパターンが整合
されて順次転写される。
Then, as described above, each stage 11, 7 is moved to similarly transfer the pattern of the mask 25 to the next area on the wafer 15. In this way, the wafer 15 is
The pattern of the mask 25 is aligned with the pattern in each area above and transferred sequentially.

以上述べた本発明の実施例による位置合わせ装置におい
て、各整合位置を求めて記憶する際、指定位置の近傍で
各ステージ11.7を移動して1例えばX方向に対して
第4図に示すマークM M’ xとマークWx  とが
一致したことを光電的に検出してパルス信号を発生する
(21) ようにマーク検出部42を構成する。そして。
In the alignment apparatus according to the embodiment of the present invention described above, when each alignment position is determined and stored, each stage 11.7 is moved in the vicinity of the specified position, for example, as shown in FIG. 4 in the X direction. The mark detection section 42 is configured to photoelectrically detect that the mark M M' x and the mark Wx match and generate a pulse signal (21). and.

演算処理回路100がこのパルス信号を受けたとき、測
長回路35の信号D2  をXメモリ103に記憶する
ようにしてもよい。もちろんX方向に対しても同様であ
る。
When the arithmetic processing circuit 100 receives this pulse signal, the signal D2 from the length measuring circuit 35 may be stored in the X memory 103. Of course, the same applies to the X direction.

第5図は1本発明による位置合わせ装置を用いた他の転
写装置の構成を示す説明図である。第1図の構成と異な
る点は、マスク25の位置をベース1に対して不動とし
、アライメント光学系40.光源46をベース41に対
して移動可能としたことである。このために、アライメ
ント光学系40と光源46を空間的に干渉しないように
マウント61に固定する。マウント61は、ベース41
に固定された軸受63,64によって懸架される送りネ
ジ62により第5図中左右方向に移動する。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the configuration of another transfer device using the alignment device according to the present invention. The difference from the configuration shown in FIG. 1 is that the mask 25 is fixed in position with respect to the base 1, and the alignment optical system 40. The light source 46 is made movable relative to the base 41. For this purpose, the alignment optical system 40 and the light source 46 are fixed to the mount 61 so as not to spatially interfere with each other. The mount 61 is the base 41
It is moved in the left and right direction in FIG. 5 by a feed screw 62 which is suspended by bearings 63 and 64 fixed to.

この移動は、第1図に示したモータ4と同様の働きをす
るモータ65によって制御される3一方マスク25を保
持するマスクホルダ21及びマスクオリエンテーション
機構22は。
This movement is controlled by a motor 65 which functions similarly to the motor 4 shown in FIG.

(22) ベース1と一体になったアーム60に取り付けられる。(22) It is attached to an arm 60 that is integrated with the base 1.

そしてX軸、y軸ステージ11゜7はベース1に対して
2次元移動する。尚。
The X-axis and y-axis stages 11.7 move two-dimensionally relative to the base 1. still.

その他の構成について、第1図と同じであるから説明を
省略する。
The rest of the configuration is the same as that in FIG. 1, so the explanation will be omitted.

また、マーク検出部42.光源46の駆動部47.モー
タ8,13等の制御についても。
Also, the mark detection section 42. Drive unit 47 of light source 46. Also regarding control of motors 8, 13, etc.

第1及び第3図に示した制御系がそのまま使われる。こ
の場合の位置合わせ動作は前述の説明と同じであるが、
異なる点は、ウェハ15への転写時は、制御装置50が
第1図で示したモータ4のかわりに、モータ65を駆動
するように制御することである。
The control system shown in FIGS. 1 and 3 is used as is. The alignment operation in this case is the same as described above, but
The difference is that during transfer to the wafer 15, the control device 50 controls the motor 65 to be driven instead of the motor 4 shown in FIG.

本例のように転写装置を構成することにより1機械的な
安定性を要求されるX軸、y軸ステージ11.7をコラ
ム2に載せる必要がなくなるので1機械的な強度及び安
定性等が十分に高いステージを使うことができる。その
結果位置合わせ精度が向上するという利点も生じろ。
By configuring the transfer device as in this example, it becomes unnecessary to mount the X-axis and y-axis stages 11.7, which require mechanical stability, on the column 2.1 Mechanical strength and stability are improved. A sufficiently high stage can be used. As a result, there will be an advantage that alignment accuracy will be improved.

(23) 以上述べた実施例によれば、ウェハ15への露光時のた
びにアライメント光学系を退避させる必要がなく、アラ
イメント光学系の機械的安定性を上げることかでき、ま
たアライメント位置から転写位置へ移動する際のマスク
25とウェハ15との位置ずれは、露光時においてレー
ザ干渉計の分解能以下にすることかできる。アライメン
ト光学系40と光源46とが分離されているので両者が
干渉することはなく、各々に十分な機械的余裕をもたせ
て高精度の光学系を形成することができ。
(23) According to the embodiment described above, it is not necessary to retreat the alignment optical system every time the wafer 15 is exposed, and the mechanical stability of the alignment optical system can be improved. The positional deviation between the mask 25 and the wafer 15 when they are moved to a certain position can be made smaller than the resolution of the laser interferometer during exposure. Since the alignment optical system 40 and the light source 46 are separated, there is no interference between them, and a highly accurate optical system can be formed by providing each with sufficient mechanical margin.

さらにアライメント時及び露光時のスループットをあげ
ることができる。
Furthermore, the throughput during alignment and exposure can be increased.

また、転写装置のその他の構成として、第5図のように
ベース1上にX軸、y軸ステージ11.7を載せ、アラ
イメント光学系40のみを同図゛中水平方向に移動可能
にすると共に、光源46はマスク25の上方に上下動可
能に配置する。モしてアライメント光学系40を用いる
ときには、光源46を上方へ退(24) 避させ、転写の際にはアライメント光学系40を水平方
向に退避させて光源46を下方の所定位置まで移動させ
るようにすることも、できる。さらに、その他の露光装
置1例えばステップアンドリピート式の投影型、露光装
置にも利用できるのは言うまでもない。
In addition, as another configuration of the transfer device, as shown in FIG. 5, an X-axis and y-axis stage 11.7 is mounted on the base 1, and only the alignment optical system 40 is made movable in the horizontal direction in the figure. , the light source 46 is arranged above the mask 25 so as to be movable up and down. When using the alignment optical system 40, the light source 46 is retracted upward (24), and during transfer, the alignment optical system 40 is retracted horizontally and the light source 46 is moved downward to a predetermined position. You can also do it. Furthermore, it goes without saying that the present invention can also be used in other exposure apparatuses 1, such as step-and-repeat projection type exposure apparatuses.

以上述べたように1本発明によれば転写の前に、ウェハ
上の複数の転写領域に対して予めマスクを位置合わせし
てその整合位置の情報を記憶し、転写時には、その記憶
された情報に基づいてマスクとウェハの相対位置は整合
位置に維持するように制御されるから、転写中に生じる
ステージの微動による位置合わせ誤差、いわゆるアライ
メント誤差は極めて低いものとなる。このため、IC等
の半導体装置の製造において、より細い線幅のパターン
を歩留りよく管理できる。
As described above, according to the present invention, before transfer, a mask is aligned in advance with respect to a plurality of transfer areas on a wafer, and information on the alignment positions is stored, and during transfer, the stored information is Since the relative positions of the mask and wafer are controlled to be maintained at aligned positions based on the above, positioning errors due to minute movements of the stage that occur during transfer, so-called alignment errors, are extremely low. Therefore, in the manufacture of semiconductor devices such as ICs, patterns with narrower line widths can be managed with good yield.

また、ウェハとマスクを相対的にステップ移動させて転
写する場合、各停止位置すなわち整合位置を7ライメン
ト光学系で観察して(25) チェックする必要もなくなる。このため、半導体装置の
製造工程におけろスループットの向上が達成できる。
Furthermore, when transferring by moving the wafer and mask in steps relative to each other, there is no need to observe and check each stop position, that is, the alignment position using the 7-line optical system (25). Therefore, throughput can be improved in the manufacturing process of semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す説明図。 第2図はウェハマーク及びマスクマークを示す断面図、
第3図は制御装置(50)のブロック図、第4図はウェ
ハマーク及びマスクマークを示す斜視図、第5図は本発
明の別の実施例を示す第1図に対応する説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 7.11−−−一移動装置 31、32.35.40.42.43 −−一整合検知
手段103.1(1−−一記憶手段 1QQ、 IQl、 102−−一制御手段dO,42
,43−m−位置ずれ検知手段D+ 、 D5−−−一
検知出力 MM’、W−−−−マーク (26)
FIG. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention. Figure 2 is a cross-sectional view showing wafer marks and mask marks;
FIG. 3 is a block diagram of the control device (50), FIG. 4 is a perspective view showing wafer marks and mask marks, and FIG. 5 is an explanatory diagram corresponding to FIG. 1 showing another embodiment of the present invention. . [Explanation of symbols of main parts] 7.11 --- One moving device 31, 32.35.40.42.43 -- One matching detection means 103.1 (1-- One storage means 1QQ, IQl, 102- - one control means dO, 42;
, 43-m-positional deviation detection means D+, D5--1 detection output MM', W---- mark (26)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 マスクとウェハとを相対的(−移動する移動装置
を備え、マスクとウェハを相対的に所定量ステップ移動
させ、各ステップ位置(=おいてマスクのパターンをウ
ェハ上のパターンに重ねて転写することをくり返す装置
において。 転写に先立ってマスクとウェハとを相対移動させ、各ス
テップ位置においてマスクとウェハの両パターンの整合
を検知して。 マスクとウェハとの相対位置に関する情報を発生する整
合検知装置と;該情報を順次記憶する記憶手段と;転写
の際に、該記憶手段の情報に基づいてマスクとウェハと
を相対的にステップ移動させる如く前記移動装置を制御
する制御手段とを備えることを特徴とする位置合わせ装
置。 2、 前記マスクとウェハは夫々位置合わせのためのマ
ークを有し、前記整合検知装置は該マスクのマークとウ
ェハのマークとの2次元的な位置ずれを検知する位置ず
れ検知手段を含み、転写に先立って前記制御手段はその
検知出力に応じて両マークを所定の位置関係にする如く
前記移動装置を特徴する特許請求の範囲第1項に記載の
位置合わせ装置。 6、 前記移動装置はウェハを載置すると共にマスクに
対して2次元的に移動する移動ステージを有し、前記整
合検知装置は該移動ステージのマスクに対する相対位置
に関する情報を発生する2次元測長手段を含み。 転写の際に、前記制御手段は該2次元測長手段の情報と
前記記憶手段に記憶された各ステップ位置に対応した情
報とを所定の関係に維持する如く前記移動ステージをス
テップ移動させる特許請求の範囲第2項に記載の位置合
わせ装置。
[Claims] 1. A moving device that moves the mask and the wafer relatively (-) is provided, and the mask and the wafer are moved relatively by a predetermined amount of steps, and the pattern of the mask is placed on the wafer at each step position (=). In a device that repeatedly transfers a pattern overlapping the pattern of an alignment detection device that generates information regarding the position; a storage device that sequentially stores the information; and a movement device that moves the mask and the wafer in steps relative to each other based on the information in the storage device during transfer. 2. The mask and the wafer each have marks for alignment, and the alignment detection device detects two marks between the mark on the mask and the mark on the wafer. Claim 1, characterized in that the moving device includes positional deviation detection means for detecting dimensional positional deviation, and prior to transfer, the control means brings both marks into a predetermined positional relationship according to the detection output thereof. The alignment device according to item 1. 6. The moving device has a moving stage that places a wafer and moves two-dimensionally with respect to the mask, and the alignment detection device detects the relative position of the moving stage with respect to the mask. and a two-dimensional length measuring means for generating information about the two-dimensional length measuring means. During transfer, the control means sets the information of the two-dimensional length measuring means and the information corresponding to each step position stored in the storage means into a predetermined relationship. 3. The positioning apparatus according to claim 2, wherein the moving stage is moved in steps so as to maintain the position.
JP56125974A 1981-08-13 1981-08-13 Positioning device for transcribing device Pending JPS5828748A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56125974A JPS5828748A (en) 1981-08-13 1981-08-13 Positioning device for transcribing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56125974A JPS5828748A (en) 1981-08-13 1981-08-13 Positioning device for transcribing device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62198129A Division JPS63158404A (en) 1987-08-10 1987-08-10 Position-aligning device in transfer apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5828748A true JPS5828748A (en) 1983-02-19

Family

ID=14923595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56125974A Pending JPS5828748A (en) 1981-08-13 1981-08-13 Positioning device for transcribing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5828748A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62200725A (en) * 1986-02-28 1987-09-04 Canon Inc Projection and exposure device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53105376A (en) * 1977-02-25 1978-09-13 Hitachi Ltd Positioning unit
JPS5459883A (en) * 1978-10-11 1979-05-14 Hitachi Ltd Pattern printing apparatus
JPS5541739A (en) * 1978-09-20 1980-03-24 Hitachi Ltd Micro-projection type mask alignment device
JPS55134934A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection exposing method
JPS5643156B2 (en) * 1976-12-02 1981-10-09

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643156B2 (en) * 1976-12-02 1981-10-09
JPS53105376A (en) * 1977-02-25 1978-09-13 Hitachi Ltd Positioning unit
JPS5541739A (en) * 1978-09-20 1980-03-24 Hitachi Ltd Micro-projection type mask alignment device
JPS5459883A (en) * 1978-10-11 1979-05-14 Hitachi Ltd Pattern printing apparatus
JPS55134934A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection exposing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62200725A (en) * 1986-02-28 1987-09-04 Canon Inc Projection and exposure device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3376179B2 (en) Surface position detection method
JP3203719B2 (en) Exposure apparatus, device manufactured by the exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method using the exposure method
US6624433B2 (en) Method and apparatus for positioning substrate and the like
JP2829642B2 (en) Exposure equipment
JP2785146B2 (en) Automatic focus adjustment controller
JPS6028137B2 (en) How to copy a mask onto a workpiece
US5777722A (en) Scanning exposure apparatus and method
JP2646412B2 (en) Exposure equipment
JPH0257333B2 (en)
JPH09223650A (en) Exposure equipment
JP2884830B2 (en) Automatic focusing device
JP3754743B2 (en) Surface position setting method, wafer height setting method, surface position setting method, wafer surface position detection method, and exposure apparatus
JPH10294257A (en) Substrate surface position control method and control device, and exposure method and exposure device
JP2886957B2 (en) Automatic focusing device
JP2777931B2 (en) Exposure equipment
JP3204253B2 (en) Exposure apparatus, device manufactured by the exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device using the exposure method
JPS63158404A (en) Position-aligning device in transfer apparatus
JP2000106345A (en) Exposure apparatus, device manufactured by the exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method using the exposure method
JPH1070065A (en) Exposure equipment
JPH0237709A (en) Aligner
JP2882821B2 (en) Alignment device
JP2829636B2 (en) Exposure equipment
JPH03198319A (en) Exposure device
KR20250017679A (en) Detecting apparatus, exposure apparatus, and detecting method
JP2000150369A (en) Exposure apparatus, device manufactured by the exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method using the exposure method