JPS5828748A - 転写装置の位置合わせ装置 - Google Patents

転写装置の位置合わせ装置

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JPS5828748A
JPS5828748A JP56125974A JP12597481A JPS5828748A JP S5828748 A JPS5828748 A JP S5828748A JP 56125974 A JP56125974 A JP 56125974A JP 12597481 A JP12597481 A JP 12597481A JP S5828748 A JPS5828748 A JP S5828748A
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JP
Japan
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mask
wafer
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mark
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JP56125974A
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English (en)
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Junji Hazama
間 潤治
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 る。
従来から転写装置としては.アライメント位置すなわち
アライメント光学系の基においてマスクとウェハとの相
対的なアライメントを行なった後,両者を互いにクラン
プして相対位置がずれないようにして露光位置すなわち
露光用光学系の基へ移動させるものと.アライメント位
置と露光位置とを一致させアライメント終了後アライメ
ント光学系を退避させて露光を行なうものとがある。
しかしながら、前者にあってはウェハとマスクを露光位
置へ移動する際両者間に位置のずれが生じてもこれを容
易に補正できず,また後者にあってはアライメント光学
系を退避させる必要があることから.アライメント光学
系の機械的強度及び精度が不安定となる欠点がある。
これらの欠点はいわゆるステップアンドリピート方式の
露光システムにおいて顕著となる。ここにステップアン
ドリピート方式とはウエハサイズj二比べて露光領域が
小さく設定され.ウェハ又はマスクを移動して小領域毎
に露光を行なうことによりウェハ全面に対スる露光を行
なうものであるが.このステップアンドリピート方式に
おいて,前者にあってウェハ又はマスクがアライメント
位置と露光位置との間を複数回往復する必要があり.ま
た後者にあっても各領域の露光毎にアライメント光学系
を退避させろ必要があるの,で、単位時間あたりの処理
数,いわゆるスループットがあげられないという問題が
生じろ。
また、近年より細い線幅のパターンをウェハ上に形成す
るため,可視光等による露光の他に,波長の極めて短い
X線による転写技術が何党されている。例えば、マスク
とウェハをわずかに離して配置したプロキシミテイ方式
によりパターンを転写する際.ウェハに塗布されたレジ
ストの感度も含めてX線を照射する時間,いわゆる転写
時間が可視光等の露光時間よりも極めて長くなることが
問題にな線の線源とアライメント光学系は,当然離れた
位置に配置される。従って,先に述べたように.アライ
メント位置でマスクとウェハの相対位置を調整して,露
光位置すなわちX線の照射位置までウェハとマスクをそ
の相対位置でクランプしたまま移動して,転写すること
になる。この状態でウェハとマスクは長時間(例えば1
〜10分間)X線の照射を受けるが,その間にウェハと
マスクの相対的な位置がウェハ載置ステージクランプ等
の機械的な変動によってずれてしまうことがある。転写
中に一端ずれてしまうと,ウェハ上にはもはや正確に位
置決めされたパターンが転写できない。この結果,より
細い線幅のパターンを転写するためにX線を用いたこと
が十分に生かされないという欠点も生じていた。
本発明はか\ろ事情を背景にして.ステップアンドリピ
ート方式の転写装置であって。
各小領域の露光のたびにアライメント装置を退避させる
必要がなく.シかもウェハ及びマスクをアライメント位
置と転写位置との間で何度も往復させる必要がなく,ア
ライメント時及び露光時のスループットが向上された転
写装置用の位置合わせ装置を提供することを目的とする
この目的を達成するために.本発明においては.転写に
先立ってマスクとウェハとを相対移動させ.各ステップ
位置において両者の整合位置を検知し相対位置に関する
情報を発生する整合検知装置と,これにより発せられる
情報を記憶する記憶手段と.転写の際上記情報に基づき
マスクとウェハとを相対的にステップ移動させるように
移動装置を制御する手段とを含むようにした。
以下,本発明の実施例を示す図面をもとに説明する。
第1図においてベース1上にはコラム2が軸受3を介し
てX軸方向(同図中左右方向)に移動可能に載置され、
コラム2はベース1上に固定されたモータ4によって送
りネジ4aを介して駆動されるようになっている。コラ
ム2上にはベアリング、ローラ等の転動体6を介してy
軸ステージ7がy軸方向(同図の紙面に垂直な方向)に
移動可能に載置され。
コラム2に固定されたy軸モータ8によって駆動される
ようになっている。さらにy軸ステージZ上にはX軸ス
テージ11が転動体12を介してX軸方向に移動可能に
載置され。
y軸ステージ7上に固定されたX軸モータ13によって
駆動されるようになっている。X軸ステージ11上には
ウェハ15を装着するためのウェハステージ14が固定
され、このウェハステージ14はウェハ15自体のテー
パを補正′するとともにウェハ15とマスク(後述)2
5との間の間隙をだすためのレベリング機構、並びにX
軸ステージ11に対するウェハ150回転方向の誤差を
補正するためのウェハオリエンテーション機構を有して
いる上記コラム2は上方に延長部分2aを有しており、
当該部分にはマスク25を装着するためのマスクホルダ
21およびマスク25の装着時の回転誤差を補正するマ
スクオリエンテーション機構22が設けられ、マスクホ
ルダ21はマスクオリエンテーション機構22によって
コラムの延長部分2aに対して、x。
y軸ステージ11,7の各移動方向を含むXy軸平面内
で回転可能とされている。
上記X軸ステージ11及びコラム延長部分2aの端部に
はそれぞれX軸方向の位置検出用の平面反射ミラー26
及び27が取り付けられている。なお1図示はしないが
当該各端部にはそれぞれy軸方向の位置検出用の平面反
射ミラーも取り付けられている。
また上記コラム2の端部には測長用レーザ光源31及び
レーザ干渉計32が固定されている。レーザ光源31と
X軸ステージ11との間、並びに干渉計32とコラム2
との間にはそれぞれハーフミラ−63及び反射ミラー3
4が配置され、当該両ミラーろ3,34の上方でミラー
27に対向する位置には更に別の反射ミラー36が配置
されている。レーザ光源31及び干渉計32はミラー2
6とミラー27との相対距離を求める測長回路35に接
続されている。レーザ光源31からのレーザビームの一
部はハーフミラ−33を透過して反射ミラー26で反射
され、ミラー33及び34で下方及び左方に反射されて
レーザ干渉計32に至る。一方ハーフミラー33で反射
されたレーザビームの残部はミラー36で右方に、ミラ
ー27で左方に反射され、再びミラー36で下方に、ミ
ラー34で左方に反射されて干吟計32に至る。そして
測長回路′55において双方の入射光を比較することに
よってX軸ステージ11とコラムすなわちウェハ15と
マスク25との相対距離を求め。
求められた距離値は制御装置50に入力される。ウェハ
15とマスク25の相対距離は。
X軸方向についてもy軸方向についても同様に行なわれ
る。従って測長回路の出力信号は。
ミラー26とミラー27のX軸方向の相対的な距離(例
えばミラー26を基準としたミラー27までの距離)に
応じた値であり、このことはウェハ15とマスク25の
X軸方向の相対距離を意味する。また、y軸方向につい
ても同様の測長回路で相対距離が求められるから、結局
ウェハ15とマスク25の相対的な2次元位置(例えば
マスク25に対するウェハ15の座標値)が測定される
一方、マスクホルダ21の上方でベース1と一体になっ
ているベース41には、マスク25とウェハ15の各々
に設けられた位置合わせ用のマークを観察するためのア
ライメント光学系40が固定されており、その観察光は
側方に設けられたマーク検出部42に入力して各マーク
の位置を表わす電気信号に変換される。そして1位置ず
れ処理部43は、その電気信号の入力に基づいてウェハ
15とマスク25の各マークのずれの方向及びずれ量を
検知して1両マークのずれに応じた信号を発生する。従
ってこの信号はマスク25とウェハ15のずれ景を表わ
す。
ここで上記マーク検出部42及び位置ずれ処理部43に
よって扱われるウェハ15及びマスク25上のマークの
一例について第2図を基に説明する。第2図に示すよう
に、マスク25上には、所定の間隔だけ離れたマークM
、M’を設け、ウェハ15上にはマークM。
M′に挾み込まれるような矩形状のマークWを設ける(
尚1図中台マークの斜線部は例えば光を反射する反射部
とする。)そして前述のように、アライメント光学系4
0によってこのマークM、M’とマークWを同時に観察
し。
マーク検出部42として例えばレーザスポットを第2図
中矢印Sのように走査して、各マークからの反射光を光
電検出する。このときマーク検出部42は例えば各マー
クのとこ、ろでハイレベルの信号を、その間隔部a、b
のところではローレベルの信号を発生スる。この信号の
人力に基づいて9位置ずれ処理部43は間隔部a、bの
の大きさを検出して。
マークMM’とマークWのずれの方向とその量に応じた
信号を発生する。またマーク検出部42として、ITV
の如き画像入力装置を用いて、その画像走査信号によっ
てマークのずれを求めてもよい。
尚、ウェハ15及びマスク25上の各マークは1例えば
第4図のように設けられている。
ウェハ15上の複数の転写領域には各ステージ11.7
の移動方向X+Vに対して位置合わせできるように、1
つの転写領域Pについて2つのマークWx 、 Wy 
 が設けられろ。もちろん回路パターンを描画した領域
Qを有するマスク25上にも対応した2つのマークk1
M’x 。
MM’Y  が設けられる。本装置の場合、マスク25
に対してウェハ15がxy平面内を移動し、各転写領域
においてマークMM’x とマークWx及びマークMM
’ Yとマークwyを各々一致すなわち重ね合わせた状
態で転写を行なう。
このようにマークMM″とマークWとを合わせることに
よって、マスク25のパターンは領域P中に例えば第1
回目の転写により形成されたパターンと整合する。
再び第1図に戻り、ベース41にはアライメント光学系
40に対してコラム2の移動方向に沿って離れた位置に
転写のための可視光線やX線の如きエネルギー線を発生
する光源46が設けられている。光源46は駆動部47
によってウェハ15への光線、X線等の照射が制御され
る。駆動部47には例えば光線等が通るアパーチャを遮
光するシャッター制御回路等が含まれる。上記位置ずれ
処理部43、測長回路35は制御装置50に接続され、
この制御装置50はモータ4,8及び13、駆動部47
に接続されている。この制御装置50は、所定の制御及
びデータの転送や蓄積を行なう計算機51の指令に基づ
いて。
03) 各部の駆動及び状態検出等の制御を行なうものである。
第3図は制御装置5oについて詳しく説明するためのブ
ロック図である。制御装置5゜については、X軸、y軸
ステージ11,7を駆動するための構成のみについてブ
ロック図として示しである。位置ずれ処理部43で発生
したウェハ15とマスク25とのX軸方向のずれ量に応
じた信号Dt 、測長回路35によって測定されるマス
ク25とウェハ15のX軸方向での相対距離に応じた信
号D2.マスク25とウェハ15のy軸方向でのずれ量
に応じた信号D5.及びy軸方向での相対距離に応じた
信号D4  は演算処理回路1ooに入力する。
この演算処理回路1ooは計算機51と位置合わせに関
する情報をやり取りしたり、信号り、 、 D3  の
入力に基づいてマスク25とウェハ15のX軸、y軸方
向のずれ量が所定値以下になるようにサーボ制御するた
めの信号(14) をモータ8,13の各々の駆動回路101゜102に出
力したり、信号D2.D3の人力に基づいてマスク25
とウェハ15のX軸、y軸方向の相対距離の値をXメモ
リ103.Yメモリ104に各々格納したり又は読み出
したりする動作を制御する。尚、Xメモリ103とYメ
モリ104は計算機51の内部のメモリとしてもよいこ
とは言うまでもない。
次に本実施例の作動について第1及び第3図により説明
する。
まず、駆動モータ4によってコラム2を移動させ、マス
ク25をアライメント光学系40の下方に位置決めする
。次に、アライメント光学系40を用いてマスク25と
XiY軸スデステージ11のxy力方向対する回転ずれ
を補正する。この補正は例えばマスク25上の2ケ所に
設けた専用のマークを観察してオリエンテーション機構
22によって行なう。これによってマスクパターンがウ
ェハ15に対して斜めに焼き付けられることが防(15
) 止される。
次にウェハステージ14上にウェハ15をセットし、ウ
ェハ15とマスク25との間隙(ギャップ)の調整を行
なう。このギャップの設定は1図示はされていないが、
近接センサ等を用いて行なう。
続いて、第2図で示したようにマスク25上の少なくと
も2ケ所に設けられたマークMM’  とウェハ15上
の対応する2ケ所に設けられたマークWとがその2ケ所
でほぼ一致するようにX軸ステージ11及びy軸ステー
ジ7をそれぞれモータ13,8によって移動させる。そ
して、ウェハ15のマスク25に対する回転ずれをアラ
イメント光学系40゜マーク検出部42及び位置ずれ信
号処理部43によって検出し、ウェハステージ14上の
オリエンテーション機構によってウェハ15を回転させ
てこのずれを補正する。
次にX軸、y軸ステージ11.7を移動して、ウェハ1
5上の複数の転写領域毎にマス(16) り25の位置合わせを行なう。このために計算機51は
、1回目に焼き付けたウェハ15の各領域におけるマス
ク25との相対位置を測長回路35からの信号D2と信
号D4を演算回路100を介して各領域に対応した2次
元的な位置として予め記憶している。尚、予め計算機5
1に記憶された複数の2次元的な位置を以後指定位置と
する。まず、ウェハ15上の1つの領域に対して、計算
機51は対応する指定位置の情報を演算処理回路100
へ出力する。このとき演算処理回路100は。
測長回路35の信号D2及び信号D4に基づいて、マス
ク25とウェハ15の相対的な位置が指定位置と等しく
なるように駆動回路101゜102を制御する。これに
よりマスク25のパターンはウェハ15の1つの転写領
域中に形成されたパターンとほぼ整合する訳であるが、
ウェハ15を載置したときに微小なずれがあると、この
指定位置において完全な整合がなされているとは限らな
い。
(17) その指定位置において、マスク25のマークMM’とウ
ェハ15のマークWとをアライメント光学系40により
同時観察して、マーク検出部42と位置ずれ処理部43
によってウェハ15のマスク25に対する位置ずれ量を
検出し、このずれ量に対応した信号D+、D3によって
制御装置5oの駆動回路IQ1.IQ3を制御し、ステ
ージ11.7を移動させてX軸方向及びy軸方向の位置
ずれ量が零となるようにサーボをかけろ。そしてウェハ
15とマスク25との位置ずれ量が予め設定されていた
特容値例えば第2図で示した間隔a、  l)がほぼ等
しくなった時点で、測長回路35で読み取ったステージ
11.7のその時のステージ位置の情報すなわち信号D
2.D4は演算処理回路100を介して、信号D2はX
メモリ10311ニーXtとして、信号D4はYメモリ
104にYl  として記憶される。すると計算機51
は次の指定位置に関する情報を演算処理回路100に出
力して、上述の動作がくり返され(18) る。
上記の操作は、計算機51内に予め記憶されていたステ
ージ11.7の指定位置情報のすべてに対して繰り返さ
れ、各指定位置に対してマークMM’ 、マークWによ
って正確に求められたX軸ステージ11とy軸ステージ
7との相対的な位置はXメモリ103及びYメモリ10
4内に、順次(X2 、 Y2 ) 、 (Xs 、 
Y3)−m−として記憶される。尚、各メモリ103゜
104中に記憶された位置情報は、ウェハ15上の各領
域に対応した整合位置と呼ぶことにする。
以上のようにして、マスク25に対するX軸ステージ1
1及びy軸ステージ7のすべての整合位置が各メモリ1
03.1(Illに記憶されたならば、モータ4により
コラム2が移動されて、マスク25は光源46の下方に
位置決めされる。
次に計算機51は転写開始の指令を演算処理部100に
出力する。この指令に基づいて。
(19) 各メモリ103.10A中に記憶された整合位置の情報
のうち、いずれか1つ2例えば(χ+、Y+)が演算処
理部100に取り込まれる。そして、演算処理部100
は信号D2゜D4  と整合位置の情報(Xl、Y+)
を比較して1例えばその差が零になるようにX軸、y軸
ステージ11.7を移動させろ駆動回路IQ1,102
を制御する。すなわち、情報(Xl、  Yt )を基
準値として、ウェハ15とマスク25の相対的な位置が
常にこの基準値と一致するように制御される。従って、
各ステージ11.7やその送り機構に何らかの原因で機
械的な変動が生じても、ウェハ15とマスク25の相対
的な位置は常に整合位置に維持される。
こうして、ウェハ15上の1つの領域にマスク25のパ
ターンが整合すると、計算機51は制御装置50を介し
て光源46の駆動部47へ、転写用照明光又はエネルギ
ー線の照射開始の指令を発する。そして所定時間:(2
0) マスク25上へ照射することによってウェハ15上の1
つの領域にパターンが転写される。
尚、転写中は、常に駆動回路101,102が働いて、
整合位置を保ち続げろ。その後。
光源46の照射は中止され、Xメモリ103゜Yメモリ
104から次の整合位置の情報(x2゜Y2)が演算処
理回路100に取り込まれろ。
そして前述のように各ステージ11,7を移動して、ウ
ェハ15上の次の領域に同様にマスク25のパターンを
転写する。このようにして、各メモリ103,104中
に記憶された各整合位置の情報に基づいて、ウェハ15
上の各領域中のパターンにマスク25のパターンが整合
されて順次転写される。
以上述べた本発明の実施例による位置合わせ装置におい
て、各整合位置を求めて記憶する際、指定位置の近傍で
各ステージ11.7を移動して1例えばX方向に対して
第4図に示すマークM M’ xとマークWx  とが
一致したことを光電的に検出してパルス信号を発生する
(21) ようにマーク検出部42を構成する。そして。
演算処理回路100がこのパルス信号を受けたとき、測
長回路35の信号D2  をXメモリ103に記憶する
ようにしてもよい。もちろんX方向に対しても同様であ
る。
第5図は1本発明による位置合わせ装置を用いた他の転
写装置の構成を示す説明図である。第1図の構成と異な
る点は、マスク25の位置をベース1に対して不動とし
、アライメント光学系40.光源46をベース41に対
して移動可能としたことである。このために、アライメ
ント光学系40と光源46を空間的に干渉しないように
マウント61に固定する。マウント61は、ベース41
に固定された軸受63,64によって懸架される送りネ
ジ62により第5図中左右方向に移動する。
この移動は、第1図に示したモータ4と同様の働きをす
るモータ65によって制御される3一方マスク25を保
持するマスクホルダ21及びマスクオリエンテーション
機構22は。
(22) ベース1と一体になったアーム60に取り付けられる。
そしてX軸、y軸ステージ11゜7はベース1に対して
2次元移動する。尚。
その他の構成について、第1図と同じであるから説明を
省略する。
また、マーク検出部42.光源46の駆動部47.モー
タ8,13等の制御についても。
第1及び第3図に示した制御系がそのまま使われる。こ
の場合の位置合わせ動作は前述の説明と同じであるが、
異なる点は、ウェハ15への転写時は、制御装置50が
第1図で示したモータ4のかわりに、モータ65を駆動
するように制御することである。
本例のように転写装置を構成することにより1機械的な
安定性を要求されるX軸、y軸ステージ11.7をコラ
ム2に載せる必要がなくなるので1機械的な強度及び安
定性等が十分に高いステージを使うことができる。その
結果位置合わせ精度が向上するという利点も生じろ。
(23) 以上述べた実施例によれば、ウェハ15への露光時のた
びにアライメント光学系を退避させる必要がなく、アラ
イメント光学系の機械的安定性を上げることかでき、ま
たアライメント位置から転写位置へ移動する際のマスク
25とウェハ15との位置ずれは、露光時においてレー
ザ干渉計の分解能以下にすることかできる。アライメン
ト光学系40と光源46とが分離されているので両者が
干渉することはなく、各々に十分な機械的余裕をもたせ
て高精度の光学系を形成することができ。
さらにアライメント時及び露光時のスループットをあげ
ることができる。
また、転写装置のその他の構成として、第5図のように
ベース1上にX軸、y軸ステージ11.7を載せ、アラ
イメント光学系40のみを同図゛中水平方向に移動可能
にすると共に、光源46はマスク25の上方に上下動可
能に配置する。モしてアライメント光学系40を用いる
ときには、光源46を上方へ退(24) 避させ、転写の際にはアライメント光学系40を水平方
向に退避させて光源46を下方の所定位置まで移動させ
るようにすることも、できる。さらに、その他の露光装
置1例えばステップアンドリピート式の投影型、露光装
置にも利用できるのは言うまでもない。
以上述べたように1本発明によれば転写の前に、ウェハ
上の複数の転写領域に対して予めマスクを位置合わせし
てその整合位置の情報を記憶し、転写時には、その記憶
された情報に基づいてマスクとウェハの相対位置は整合
位置に維持するように制御されるから、転写中に生じる
ステージの微動による位置合わせ誤差、いわゆるアライ
メント誤差は極めて低いものとなる。このため、IC等
の半導体装置の製造において、より細い線幅のパターン
を歩留りよく管理できる。
また、ウェハとマスクを相対的にステップ移動させて転
写する場合、各停止位置すなわち整合位置を7ライメン
ト光学系で観察して(25) チェックする必要もなくなる。このため、半導体装置の
製造工程におけろスループットの向上が達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す説明図。 第2図はウェハマーク及びマスクマークを示す断面図、
第3図は制御装置(50)のブロック図、第4図はウェ
ハマーク及びマスクマークを示す斜視図、第5図は本発
明の別の実施例を示す第1図に対応する説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 7.11−−−一移動装置 31、32.35.40.42.43 −−一整合検知
手段103.1(1−−一記憶手段 1QQ、 IQl、 102−−一制御手段dO,42
,43−m−位置ずれ検知手段D+ 、 D5−−−一
検知出力 MM’、W−−−−マーク (26)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 マスクとウェハとを相対的(−移動する移動装置
    を備え、マスクとウェハを相対的に所定量ステップ移動
    させ、各ステップ位置(=おいてマスクのパターンをウ
    ェハ上のパターンに重ねて転写することをくり返す装置
    において。 転写に先立ってマスクとウェハとを相対移動させ、各ス
    テップ位置においてマスクとウェハの両パターンの整合
    を検知して。 マスクとウェハとの相対位置に関する情報を発生する整
    合検知装置と;該情報を順次記憶する記憶手段と;転写
    の際に、該記憶手段の情報に基づいてマスクとウェハと
    を相対的にステップ移動させる如く前記移動装置を制御
    する制御手段とを備えることを特徴とする位置合わせ装
    置。 2、 前記マスクとウェハは夫々位置合わせのためのマ
    ークを有し、前記整合検知装置は該マスクのマークとウ
    ェハのマークとの2次元的な位置ずれを検知する位置ず
    れ検知手段を含み、転写に先立って前記制御手段はその
    検知出力に応じて両マークを所定の位置関係にする如く
    前記移動装置を特徴する特許請求の範囲第1項に記載の
    位置合わせ装置。 6、 前記移動装置はウェハを載置すると共にマスクに
    対して2次元的に移動する移動ステージを有し、前記整
    合検知装置は該移動ステージのマスクに対する相対位置
    に関する情報を発生する2次元測長手段を含み。 転写の際に、前記制御手段は該2次元測長手段の情報と
    前記記憶手段に記憶された各ステップ位置に対応した情
    報とを所定の関係に維持する如く前記移動ステージをス
    テップ移動させる特許請求の範囲第2項に記載の位置合
    わせ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62200725A (ja) * 1986-02-28 1987-09-04 Canon Inc 露光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53105376A (en) * 1977-02-25 1978-09-13 Hitachi Ltd Positioning unit
JPS5459883A (en) * 1978-10-11 1979-05-14 Hitachi Ltd Pattern printing apparatus
JPS5541739A (en) * 1978-09-20 1980-03-24 Hitachi Ltd Micro-projection type mask alignment device
JPS55134934A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection exposing method
JPS5643156B2 (ja) * 1976-12-02 1981-10-09

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643156B2 (ja) * 1976-12-02 1981-10-09
JPS53105376A (en) * 1977-02-25 1978-09-13 Hitachi Ltd Positioning unit
JPS5541739A (en) * 1978-09-20 1980-03-24 Hitachi Ltd Micro-projection type mask alignment device
JPS5459883A (en) * 1978-10-11 1979-05-14 Hitachi Ltd Pattern printing apparatus
JPS55134934A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection exposing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62200725A (ja) * 1986-02-28 1987-09-04 Canon Inc 露光装置

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