JPS5828749A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真感光体に関する。

電子写真感光体は所定の特性を得るため、あるいは適用
される電子写真プロセスの種類に応じて種々の構成をと
るものである。そして、電子写真感光体の代表的なもの
として、支持体に光導電層が形成されている感光体およ
び表面に絶縁層を備えた感光体があり、広く用いられて
いる。支持体と光導電層から構成される感光体は、最も
一般的々電子写真プロセスによる、即ち、帯電、画像露
光および現像、更に必要に応じて転写による画像形成に
用いられる。また、絶縁層を備えた感光体について、こ
の絶縁層は、光導電層の保護、感光体の機械的強度の改
善、暗減衰特性の改善、まだは、特定の電子写真プロセ
スに適用されるため（更には無公害化の為）等の目的の
ために設けられるものである。このような絶縁層を有す
る感光体または、絶縁層を有する感光体を用いる電子写
真プロセスの代表的な例は、例えば、米国特許第２８６
００４８号公報、特公昭４１−１６４２９号公報、特公
昭３８−１５４４６号公報、特公昭４６−３７１３号公
報、特公昭４２−２３９１０号公報、特公昭４３−２４
７４８号公報、特公昭４２−１９７４７号公報、特公昭
３６−４１２１号公報、などに記載されている。

電子写真感光体は、当然のことであるが、適用される電
子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、更には
光学特性を備えていることが要求される。しかし、それ
ばかりでなく、感光体の耐久性も重要な性質である。耐
久性は感光体を繰り返し使用する場合に要求される性質
であり、詳細な画像の形成に著しく影響を与えるもので
ある。感光体の耐久性を決める主な要因に、光導電層の
機械的強度、また表面絶縁層を備えた感光体にあっては
絶縁層と光導電層がある。

而して本発明は、光導電層としてアモルファスシリコン
層を採用し、また、絶縁層を光導電層上に強固に設けて
耐久性に優れた感光体を提供することを主たる目的とす
る。

本発明は、支持体、光導電層および絶縁層を基本構成と
する感光体において、光導電層がアモルファスシリコン
層からなり、アモルファスシリコン層の絶縁層側の表面
がエツチングされていることを特徴とする感光体である
。光導電層として用いるアモルファスシリコンは、従来
汎用されているＳｅ　、　Ｃｄ８　、　ＺｎＯなどの他
の光導電材料に較べて、機械的耐久性、耐熱性、耐湿性
、耐コロナイオン性等に優れており、また、Ｓｃとは異
なり毒性が皆無なので実際の利用に極めて有利である。

このようなアモルファスシリコンの特長を感光体全体の
特長とするために、本発明においては、アモルファスシ
リコン層の上に設けられる絶縁層の密着性を増強す可く
、アモルファスシリコン層の表面をエツチングして微細
彦凹凸面としたものである。その結果本発明による感光
体は、アモルファスシリコン層の耐久性の優秀性と絶縁
層のアモルファスシリコン脂に対する強固な密着性によ
って全体として非常に耐久性に優れているものである。

本発明による電子写真感光体の代表的な構成は、支持体
上にアモルファスシリコン層（以下「ａ−ｓ＋層」と称
する）を形成しその上に絶縁層を形成して成る。支持体
としては、例えばステンレス、　　ｋｌ、　Ｃｒ、　Ｍ
ｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔｍ、　Ｖ　。

Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ　　等の金属又はこれ等の合
金等の導電性支持体、或いは合成樹脂のフィルム又はシ
ート又はガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体であ
り、支持体−Ｆにａ　−Ｓ　ｉ層が堆積される前に、必
要に応じて一連の清浄処理が施される。この様な清浄処
理に於いて、一般的には、例えば金属性支持体であれば
、エツチングによって表面を効果的に清浄化するアルカ
リ性又は酸性の溶液と接触される。その後、支持体は清
浄雰囲気中で乾燥され、次いでａ　−Ｓ　ｉが支持体上
に堆積させる。なお、電気絶縁性支持体の場合には、必
要に応じて、その表面を導電処理される。

例えば、ガラスであれば、Ｉｎ１０Ｂ、　５ｎ０２等で
その表面が導電処理され、或いはポリイミドフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、Ａ／、Ａｇ。

Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ。

ＰＪ等の金属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。

支持体の厚さは適宜法められるが、可撓性が要求される
場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内
であれば、可能が限り薄くされる。百年ら、この様な場
合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされる。ａ　−Ｓ　１層は通
常、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法、真空蒸着法等の堆積法によって支持体上に形
成される。グロー放電法、スパッタリング法およびイオ
ンブレーティング法は放電現象を利用する堆積法であり
、堆積室内においてガスプラズマ雰囲気を所定時間維持
して必要な厚さのａ　−Ｓ　Ｉ層を形成する方法であり
、特に有効である。ａ　−Ｓ　４層の形成用物質として
は、シリコン単体の外、堆積中に分解してシリコンを生
ずるケイ素化合物が用いられる。このようなシリコン化
合物として代表的なのは、５ＩＨ４゜５ｔｕＨ，などの
シリコン水素化合物である。ａ−８４層の形成について
は、ａ−Ｓｉ層の暗抵抗及び光電利得の制御のために、
必要に応じて水素（Ｈ）、酸素、窒素およびまたは炭素
などを加えることも有効である。ａ　−Ｓ　４層へのＨ
の含有の代表的な方法は、層を形成する際、堆積装置系
内に５ｔｔｉ４．　Ｓｉ、Ｈ６等の化合およびＨ，の形
で導入し、気体放電によって、それらの化合物又はＨ，
を分解して、ａ−８１層中に、層の成長に併せて含有さ
せる。ａ　−Ｓ　１層形成材料としてＳｉＨ４゜５１２
Ｈ，などのシリコン水素化合物を用いる場合には、この
化合物中のシリコンがａ−Ｓｉ層の形成分として利用で
きるので通常、シリコン単体又は他のシリコン化合物を
併用しなくてよいが、必要に応じて、これらのシリコン
単体又は他のシリコン化合物を併用してもよい。ａ−８
ｉｊ−中に含有されるＨの量は通常の場合１０〜４０ａ
ｔｏｍｉｃ係、好適には１５〜３０　ａｔｏｍｉｃ係と
されるのが望ましい。ａ　−Ｓ　１層中へのＨの含有は
、例えば、グロー放電法では、ａ−８１を形成する出発
物質がＳｉＨ４，５ｉｌＨ４等の水素化合物を使用する
ので、８ｉＨ４，５ｉｌＨ＠等の水素化合物が分解して
ａ−Ｓｉ層が形成される際Ｈは自動的に層中に含有され
るが、更にＨの層中への含有を一層効率良く行なうには
、ａ−Ｓｉ層を形成する際に、グロー放電を行なう装置
系内にＨ２ガスを導入してやれば良い。

スパッタリング法による場合にはＡｒ等の不活性ガス又
はこのガスをベースとした混合ガス雰囲気中で、シリコ
ンをターゲットとしてスパッタリングを行なう際に塩ガ
スを導入してやるか又は５ＩＨ４，Ｓｔ！Ｈ，等のシリ
コン水素化合物ガス、或いは、不純物のドーピングも兼
ねてＢ２Ｈ６，ＰＨ３窒素および炭素を含有させる場合
についても、水素を含有させる場合と同様な手法で行う
ことができる。ａ−Ｓｉ層に酸素、窒素および炭素を含
有させるに用いられるものとしては、これらの単体およ
びこれの元素の化合物である。このような酸素化合物と
しては、８１０２．５Ｌ３Ｎ４．　Ｃｏ。

００２など、窒素化合物としてはＮｏ　、　Ｎｏ、　、
　ＮＨａ　ｈど、炭素化合物としては、炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数１〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。例
えば、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、エタン
（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７ＣＣｓＨａ）、ｎ−ブタン（ｎ
　−Ｃ４１’ｌｌＯ）、エチレン系炭化水素としては、
エチｖ　ｙ　（ＣｓＨ４）　＋　　プロピＬ’　７　（
ＣｓＨｓ）、ブチ７　１　（Ｃ＜Ｈａ）、ブチｙ　−２
（Ｃ４Ｈ３）、インブチレン（ＣａＨｓ）、アセチレン
系炭化水素としてハ、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、　　
メチルアセチレン（ＣｓＨ４）が挙げられる。ａ−Ｓｉ
層の形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物、炭
化物等の化合物のガスをａ　−Ｓ　ｌを形成する原料ガ
スと共に内部を減圧にし得る堆積室内に導入して該堆積
室内でグロー放電を生起させて光導電層を形成すれば良
い。

又、例えば光導電層をスパッタリング法で形（号１しく
ＩＪ 成する場合には、排キ、例えば（Ｓｉ十〇）。

（８１−１−８１０，）　、　（Ｓｉ　＋Ｓｉ、Ｎ４　
）　　なる成分で混合成形したスパッタ用のターゲット
を使用するか、ＳｉウェハーとＣ８１０３又は５ｌｌＮ
４ウエハーの二枚のターゲットを使用して、スパッタリ
ングを行うか、又は酸素ガスや窒素ガス又は炭素、酸素
又は窒素を含んだ化合物のガスを、例えばムｒガス等の
スパッタ用のガスと共に堆積室内に導入して、５ＩＧｅ
のターゲットを使用してスパッタリングを行ってａ−Ｓ
ｉ層を形成すれは良い。酸素、窒素又は炭素のａ−８１
層への含有量は、適宜設定されるものであるが、通常の
場合、０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％、好適には０１〜２
０ａｔｏｍＩＣ％、最適には、０．２〜１５　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。ａ−８１層を放電現象を
利用する堆積法によって形成する場合には、所望のプラ
ズマ雰囲気を形成するに有効な放電現象を堆積室内に生
起させるに、放電電流密度を、通常は０．１〜１．　Ｑ
ｍＡ／ｄ好適には１〜５ｍＡ、イ雇２としたＡＣ又はＤ
Ｃ電流とするのが良く、又充分なパワーを得る為には、
通常１００〜５００ｖ１好適には３００〜５００Ｖの電
圧に調整され、投入される電力としては、通常Ｏ１１〜
５０Ｗ１好適には０．５〜ＩＯＷとされるのが良い。又
、更には、ＡＣの場合、その周波数は、通常０．２〜３
０　ＭＨｚ　、好適には５〜２０　ＭＨｚとされるのが
望ましい。

ａ　−Ｓｉ層は、製造時の不純物ドーピングによって真
性にし得、又その伝導型を制御することができる。ａ−
８ｉ層中にドーピングされる不純物としては、ａ−８ｉ
層をＰ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、例えば
Ｂ、　ｋｌ、　ＧＢ、　Ｉｎ　。

Ｔ７等が好適力ものとして挙げられ、ｎ型にする場合に
は、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ、　　Ｐ、　
Ａｓ、　Ｓｂ、旧等が好適なものとして挙けられる。

ａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物の量は、所望さ
れる電気的、光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第■族Ａの不純物の場合には通常１０″〜１０’
ａｔｏｍｉｃ％、好適には１ｏ−３〜１ｏ−４ａｔｏｍ
ｉｃ％、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には、通常１
０−８〜１０″ａｔｏｍｉｃ％、好適には１０−８〜］
　Ｏ−７０−７ａｔｏ％とされるのが望ましい。

これ等不純物のａ−８ｉ層中へのドーピング方法は、ａ
−８ｉ層を形成する際に採用される製造方法によって各
々異なるものであって、具体的には、以降の説明又は実
施例に於いて詳述される。

ａ−８ｉ系光導電層の層厚としては、所望される電子写
真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要求されるか否
か等に応じて適宜決定されるものであるが、通常の場合
５〜８０μ、好適には１０〜７０μ、最適には１０〜５
０μとされるのが望捷しい。

ａ　−８ｌ　ｌｉ５　（７）エツチング方法としては、
エツチング液による場合、電子線照射による場合、プラ
ズマエツチングによる場合などが挙げられる。

エツチング液としては、フッ化水素とフッ化アンモニウ
ムの混合水溶液、フッ化水素と硝酸の混合水ｍ液、王水
および水酸化アルカリなどの水溶液、Ｎａ２ＣＯ３，Ｂ
２０ｇ　、　ＮａＯＨおよびＣａＯなどの融解アルカリ
（融点以上に加熱溶融したもの）、などが用いられる。

まだフッ素ガス（常温）、塩素ガス（４３０°０以上）
および臭素ガス（５００°０以上）などのエツチング気
体も用いることができる。形成直後のａ−８ｉ層の表面
は通常、非常に清浄でありエツチングのための前処理は
不要である。エツチング液によるエツチング処理後は、
通常、水洗し、乾燥し、溶剤洗浄（溶剤蒸気、超音波等
を用いてもよい）シ、最後に乾燥する。。次いで絶縁層
を形成する。他のエツチング方法として絶縁層形成用塗
材中にエツチング剤を含有させてエツチングを行うこと
も有効である。この場合には、絶縁層形成と同時にエツ
チング処理が行われる。電子線照射にょすａ−８ｉ層を
エツチングする方式としてはスキャンニング方式、エレ
クトロカーテン方式々とが採用される。エツチング状態
は、電子線の加速電圧および電流によって制御される。

通常、加速電圧は、１００に■〜５．０００に■、特に
は３００〜３，０００（■に、電流は１０ｍＡ〜３００
ｍＡ特には２０ｍＡ〜１００　ｍＡに設定されるのが好
適である。形成後の５−８１層の表面に電子線を照射し
てエツチングした後に絶縁層を形成する。プラズマによ
るエツチングは、プラズマ状態を形成する気体雰囲気中
で放電を行い放電エネルギにより気体分子を解離させて
プラズマ状態とし、生じた荷電粒子が５−８ｉ層表面に
作用して、ＳＩと反応して、この反応生成物がａ−８１
層表面から解離して行われる。プラズマエツチングに用
いられる代表的気体としては、フッ化炭化水素類、例え
ば、ＣＦ４が用いられる、プラズマ状態を生じさせる電
圧条件は通常、周波数１〜１００　ＭＨｚ　。

電力１００〜６００Ｗに設定される、気体の圧力は０１
〜１０　ｔｏｒｒ、エツチング時間は１〜６０分程度で
ある。

その他のエツチング方法としては、ａ−８ｉ層を陽極と
して電解液中で腐食させる方法、ｓ−８Ｉ層表面をフォ
ーニング処理する方法、コロナ放電処理する方法などを
用いることができる。

エツチングにより形成されるａ−８ｉ層表面の凹凸度は
適宜設定されるが、２０人−３μ、特には０．０５μ〜
１μの範囲が好適である。　壕だ、絶縁層形成用塗材中
にエツチング剤を含有させて行う場合には、０００５μ
〜０．１μ程度で良い。

一般に、感光体の作画及び耐久性、暗減衰特性の改善等
を主目的として絶縁層を付設する場合には絶縁層は比較
的薄く設定され、感光体を特定の電子写真プロセスに用
いる場合に設けられる絶縁層は比較的厚く設定される。

通常、絶縁層の厚さは、０１〜１００μｍ１　特には、
０１〜５０μに設定される。

絶縁層の形成に用いられる樹脂としては、通常の樹脂が
適宜用いられるものである。例えば、ポリエチレン、ポ
リエステル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニール、ポリ酢酸ビニール、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート、シリコン樹脂、弗素樹脂、エポキシ樹脂等な
どで５ ある。

実施例１ 第１図に示す装置を用い、以下の様にしてａ−Ｓ　ｉ層
を製造した。

１％のＮｍｏｌ’ｌなる溶液を用いて表面処理を行い、
充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１　′闘、
大きさ１０α×５ｃＩｒＬのアルミニウム支持体２を用
意して、グロー放電蒸着槽１内の所定位置にある固定部
材３の所定位置にヒーター４とは約１０鎖程度離して堅
固に固定した。

次いで、メインパルプ１４を全開して蒸着槽１内の空気
を排気し、約５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒの真空度にした。

その後ヒーター４を点火してアルミニウム支持体を均一
に加熱して１５０″０に上昇させ、この温度に保った。

その後、補助パルプ１３を全開し、引続いてボンベ７の
パルプ１１、ボンベ８のパルプ１２を全開した後、流量
調節パルプ９及び１０を徐々に開いて、ボンベ７よりム
ｒガスを、ボンベ８よりＳＩＫ、ガスを蒸着槽１内に導
入した。この時、メインパルプ１４を調節６ して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５　ｔｏｒｒに保
持される様にしだ。

続いて、高周波電源５のスイッチをＯＮにして、′畦極
６，６′間に１３．５６ＭＩ（寡の高周波電圧を印加し
てグロー放電を起し、アルミニウム支持体上にａ　−Ｓ
　ｉ層を形成した。この時のグロー放電電流は約０．５
　ｍＡ　／ｃｙｓｔ”で電圧は５００Ｖであった。又、
この時のａ−８ｉ層の成長速度は、約４λ／ｓｅｃであ
って、１５時間蒸着を行い、アルミニウム支持体上に１
０μ厚のａ−８ｉ層を形成した。蒸着終了後、メインパ
ルプ１４、パルプ１１，１２、流量調節パルプ９，１０
．補助パルプ１３を閉じ、代りにパルプ１５を開いて蒸
着槽１内の真空を破り、外部に取り出した。

次に、フッ化水素と硝酸の混合水溶液（１：４）で３分
間（２５°Ｃ）処理後、水洗（蒸留水）し乾燥しないう
ちにエタノール置換し、さらにＭＥＫ置換してから乾燥
した。次に、このようにエツチング処理されたｍ−８ｉ
層上に８０　ｃｐｓに粘度調製されたアクリル化つレタ
ジ樹脂（商品名二ゾンネ、関西ペイント製）を塗布、乾
燥にして製造された感光体を（Ａ）とする。一方、エツ
チング処理をしないで直接絶縁層を形成して製造した感
光体を（Ｂ）とする。

（Ａ）、　（Ｂ）について−次の帯電、二次ＡＣ除電、
同時電光、全面照射、ｅトナーによる乾式現像、トナー
画像転写およびブレードによるクリーニング処理からな
る電子写真プロセスで、耐久試験を実施した結果、感光
体（Ａ）は５０，０００回後でも、画像は良好で、絶縁
層の剥離現象は観察されなかったが、感光体（Ｂ）は３
，０００回で絶縁層の部分的剥離による画像ボケが生じ
た。

実施例２ 実施例１において、エツチング液としてフッ化水素と硝
酸の混合水溶液の代りに３Ｎ水酸化ナトリウムの水溶液
を用いて１分間（４５°０）エツチング処理を行った。

まだ、絶縁層は、光硬化性アクリル化エポキシ樹脂（商
品名＝ｖ−５０５１、犬日本インキ製）を用いて１５μ
厚に形成した。このようにして製造された感光体につい
て、実施例１と同様の耐久試験をした結果、５０．００
０回後でも画像は良好で絶縁層の剥離は生じなかった。

一方、エツチング処理しないで直接絶縁層を形成して製
造された感光体については、２，０００回後で絶縁層の
部分的剥離による画像ボケが生じた。

実施例３ エチレンアクリル酸樹脂（商品名：　ＥＡＡ　９３００
゜ＶＣＣ製）２８％のアンモニア水に溶解させ、粘度２
５０　Ｃｐｓの溶液とし、さらにこれに水酸化ナトリウ
ムと水酸化アンモニウム溶液（水酸化ナトリウム１９ｗ
ｔ％含有）を溶液のＰＨが１０となるように加えた。こ
の溶液を実施例１で製造されたａ　−Ｓ　ｉ層上に塗布
して１２０℃で１５分間乾燥してエツチング処理と同時
に、４μ厚の絶縁層を形成した。更に、その上に、熱硬
化ウレタン樹脂（商品名：　ＣＡ　１０７．日本油脂源
）を塗布し、１５０℃で２０分間加熱硬化させて１２μ
厚の絶縁層を形成した。このようにして製造された感光
体について、実施例１と同様の耐久試験をした結果、１
００，０００回後でも画像は良好で絶縁ｊ−の剥離は生
じなかった。一方、エツチング処理しないで直接熱硬化
ウレタン樹脂を用いて絶縁層を１６μ厚に形成して製造
された感光体については、２０，０００回後で絶縁層の
部分的剥離による画像ボケが生じた。

実施例４ 実施例１において、エツチング液によるエツチング処理
の代りに８０係フツ素ガス雰囲気中にａ　−Ｓ　１層を
６分間放置することによりエツチング処理して製造され
た感光体について、実施例１と同様の耐久試験をした結
果、１００，０００回後でも画像は良好で絶縁層の剥離
は生じなかった。

実施例５ 実施例１において、エツチング液によるエツチング処理
の代りに、ａ−８層層を３５０°Ｃにて融解した水酸化
す）　ＩＪウム液中に１分間浸漬してエツチング処理し
て製造された感光体について実施例１と同様の耐久試験
をした結果、１００．０００回後でも１面像は良好で絶
縁層の剥離は生じなかった。

実施例６ スキヤンニング巾３５０１１ｍ、送り速度５朋／８１！
ｅ　、加速電圧３００にＶＸ電流２００　ｍＡの電子線
照射条件で実施例１で製造したａ−８層層表面を電子線
照射してエツチング処理した後、アクリル樹脂（商品名
：Ｃム１０４２日本油脂Ｉりをスプレー塗布して、再び
電子線を３．７　Ｍｒａｄ（３ＱＱにＶ、　　１００ｍ
ｍＡ、　１２ｍ／　ｓｅｃ　）照射して硬化させて１５
μ厚の絶縁層を形成した。このようにして製造された感
光体について、実施例１と同様の耐久試験をした結果、
５０，０００回後でも画像は良好で絶縁層の剥離は生じ
なかった。

実施例７ 第２図に示す装置を用いてａ−８１層を製造した。即ち
、ボンベ１６からパルプ１８を開いてＡｒで１０％に希
釈された８ｉＨ４ガスを流量１０ｍｌ／ｍ　ｌ　ｎで石
英ガラス製堆積室２０内に導入する。

アルミニウム支持体２４は固定部材２３の上に載置され
ている。ｒｆコイル２１の両端に周波数１３．５６　Ｍ
Ｈｚ　、電圧１に■、電力２００Ｗを印加して誘導法に
よりプラズマを堆積室内に起した。

このとき、堆積室内の圧力がＱ、１ｔｏｒｒになるよう
にメインパルプ２５の開口面積を調整し、アルミニウム
支持体温度はヒーター２２によって１００℃に設定され
ている。このようにして３０μ厚のａ−８１層をアルミ
ニウム支持体上に形成させた。

次Ｋ、ａ−８層層上にステンレス製の１００メツシユの
網目板をのせる。パルプ１８を閉め、ボンベ１７からパ
ルプ１９を開いてＣＦ４ガスを堆積室内に導入し、上記
と同一条件でプラズマを起し、ａ−８層層表面をエツチ
ングした。エツチング時間は１０分間で、深さ約１００
０Ａの凹凸パターンが形成された。このようにしてエツ
チング処理されたａ−８層層を堆積室から取り出し、そ
の上に、熱硬化エポキシ樹脂（商品名：エボニクス、大
日本塗料製）を塗膜形成し、１８０“Ｃで１０分間加熱
して４０μ厚の絶縁層を形成した。このようにして製造
された感光体について、実施例１と同様の耐久試験をし
た結果、１００．０００回後でも画像は良好で絶縁層の
剥離は生じなかった。一方エッチング処理しないで直接
絶縁１−を形成して製造された感光体については、２５
，０００回後で絶縁層の部分的剥離による画像ボケが生
じた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子写真感光体のａ　−Ｓｔ層を
形成するための装置の１態様を示す。 第２図は本発明による電子写真感光体のａ−８ｉ層を形
成し、さらにａ−８１層をエツチング処理するだめの装
置の１態様を示す。 １６および１７はボンベ、１８．１９および２５はパル
プ、２０は堆積室、２１はｒｆコイル、２２はヒーター
、２３は固定部材、２４は支持体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体、支持体上の光導電層および光導電層上の
   絶縁層を基本構成として有する電子写真感光体において
   、光導電層がアモルファスシリコン層からなり、アモル
   ファスシリコン層の絶縁層の表面がエツチングされてい
   ることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）　　アモルファスシリコン層のエラチンフカエツ
   チング液による処理でなされたものである特許請求の範
   囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）　　アモルファスシリコン層のエツチングがプラ
   ズマエツチングによりなされたものである特許請求の範
   囲第１項記載の電子写真感光体。
4. （４）　　アモルファスシリコン層のエラチンフカ電子
   線照射によりなされたものである特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体。