JPS6161106B2 - - Google Patents
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- JPS6161106B2 JPS6161106B2 JP16232978A JP16232978A JPS6161106B2 JP S6161106 B2 JPS6161106 B2 JP S6161106B2 JP 16232978 A JP16232978 A JP 16232978A JP 16232978 A JP16232978 A JP 16232978A JP S6161106 B2 JPS6161106 B2 JP S6161106B2
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- JP
- Japan
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- layer
- photoreceptor
- photoconductive layer
- support
- gas
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関する。
電子写真感光体は所定の特性を得るため、ある
いは適用される電子写真プロセスの種類に応じて
種々の構成をとるものである。そして、電子写真
感光体の代表的なものとして、支持体上に光導電
層が形成されている感光体および表面に絶縁層を
備えた感光体があり、広く用いられている。支持
体と光導電層から構成される感光体は、最も一般
的な電子写真プロセスによる、即ち、帯電、画像
露光および現像、更に必要に応じて転写による画
像形成に用いられる。また、絶縁層を備えた感光
体について、この絶縁層は、光導電層の保護、感
光体の機械的強度の改善、暗減衰特性の改善、ま
たは、特定の電子写真プロセスに適用されるため
（更には無公害化の為）等の目的のために設けら
れるものである。このような絶縁層を有する感光
体または、絶縁層を有する感光体を用いる電子写
真プロセスの代表的な例は、例えば、米国特許第
2860048号公報、特公昭41−16429号公報、特公昭
38−15446号公報、特公昭46−3713号公報、特公
昭42−23910号公報、特公昭43−24748号公報、特
公昭42−19747号公報、特公昭36−4121号公報、
などに記載されている。
いは適用される電子写真プロセスの種類に応じて
種々の構成をとるものである。そして、電子写真
感光体の代表的なものとして、支持体上に光導電
層が形成されている感光体および表面に絶縁層を
備えた感光体があり、広く用いられている。支持
体と光導電層から構成される感光体は、最も一般
的な電子写真プロセスによる、即ち、帯電、画像
露光および現像、更に必要に応じて転写による画
像形成に用いられる。また、絶縁層を備えた感光
体について、この絶縁層は、光導電層の保護、感
光体の機械的強度の改善、暗減衰特性の改善、ま
たは、特定の電子写真プロセスに適用されるため
（更には無公害化の為）等の目的のために設けら
れるものである。このような絶縁層を有する感光
体または、絶縁層を有する感光体を用いる電子写
真プロセスの代表的な例は、例えば、米国特許第
2860048号公報、特公昭41−16429号公報、特公昭
38−15446号公報、特公昭46−3713号公報、特公
昭42−23910号公報、特公昭43−24748号公報、特
公昭42−19747号公報、特公昭36−4121号公報、
などに記載されている。
電子写真感光体は、当然のことであるが、適用
される電子写真プロセスに応じた所定の感度、電
気特性、更には光学特性を備えていることが要求
されるが、更により高感度で且つより耐久性に優
れていることが望まれるものである。
される電子写真プロセスに応じた所定の感度、電
気特性、更には光学特性を備えていることが要求
されるが、更により高感度で且つより耐久性に優
れていることが望まれるものである。
而して本発明は、高感度で耐久性に優れた光導
電層を有する電子写真感光体を提供することを主
たる目的とする。
電層を有する電子写真感光体を提供することを主
たる目的とする。
本発明の所期の目的は支持体および光導電層を
有する電子写真感光体において、前記光導電層が
二層から成り、前記支持体側よりCdS又はZnOを
樹脂結着剤中に分散させて形成した第一の光導電
層とアモルフアスシリコンからなる第二の光導電
層とをこの順で積層したことを特徴とする電子写
真感光体によつて達成される。
有する電子写真感光体において、前記光導電層が
二層から成り、前記支持体側よりCdS又はZnOを
樹脂結着剤中に分散させて形成した第一の光導電
層とアモルフアスシリコンからなる第二の光導電
層とをこの順で積層したことを特徴とする電子写
真感光体によつて達成される。
本発明による感光体は、従来汎用されている
CdS、ZnOなどの他の光導電材料を用いた感光体
に較べて機械的強度、耐熱性、耐湿性、耐コロナ
イオン性、等に優れたものである。
CdS、ZnOなどの他の光導電材料を用いた感光体
に較べて機械的強度、耐熱性、耐湿性、耐コロナ
イオン性、等に優れたものである。
本発明による感光体の最も基本的な構成は第１
図に示される。第１図において、１は支持体、２
はアモルフアスシリコン（以下「Ａ−Si」と称す
る）以外の無機光導電材料、即ち、CdS又はZnO
を樹脂結着剤中に分散に形成した第一の光導電層
および３はＡ−Si層である。
図に示される。第１図において、１は支持体、２
はアモルフアスシリコン（以下「Ａ−Si」と称す
る）以外の無機光導電材料、即ち、CdS又はZnO
を樹脂結着剤中に分散に形成した第一の光導電層
および３はＡ−Si層である。
感光体の製造に用いる支持体としては例えば、
ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、
Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金等の
導電性支持体、或いは、合成樹脂のフイルム又は
シート、又はガラス、セラミツク等の電気絶縁性
支持体であり、支持体上に光導電層が堆積される
前に、必要に応じて一連の清浄処理が施される。
なお電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じ
て、その表面を導電処理される。
ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、
Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金等の
導電性支持体、或いは、合成樹脂のフイルム又は
シート、又はガラス、セラミツク等の電気絶縁性
支持体であり、支持体上に光導電層が堆積される
前に、必要に応じて一連の清浄処理が施される。
なお電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じ
て、その表面を導電処理される。
例えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pd、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは適宜決められるが、可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば、可能な限り薄くされる。而
乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上と
される。
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pd、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは適宜決められるが、可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば、可能な限り薄くされる。而
乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上と
される。
第一の光導電層の暗抵抗は通常1013〜1016Ω・
cm、特には1014〜1016Ω・cmに設定するのが良好
である。また、第一の無機光導電層の厚さは、５
μ〜70μ、特には15μ〜60μに設定するのが好適
である。
cm、特には1014〜1016Ω・cmに設定するのが良好
である。また、第一の無機光導電層の厚さは、５
μ〜70μ、特には15μ〜60μに設定するのが好適
である。
第一の光導電層の形成に使用される樹脂結着剤
としては、後述する絶縁層形成用の樹脂が挙げら
れ、必要に応じて適当な溶剤を使用して層形成さ
れる。
としては、後述する絶縁層形成用の樹脂が挙げら
れ、必要に応じて適当な溶剤を使用して層形成さ
れる。
Ａ−Si層は通常、グロー放電法、スパツターリ
ング法、イオンプレーテイング法、真空蒸着法等
の堆積法によつて支持体上に形成される。グロー
放電法、スパツタリング法およびイオンプレーテ
イング法は放電現象を利用する堆積法であり、堆
積室内においてガラスプラズマ雰囲気を所定時間
維持して必要な厚さのＡ−Si層を形成する方法で
あり、特に有効である。Ａ−Si層の形成用物質と
しては、シリコン単体の外、堆積中に分解してシ
リコンを生ずるケイ素化合物が用いられる。この
ようなシリコン化合物として代表的なのは、
SiH4、Si2H6などのシリコン水素化合物である。
Ａ−Si層の形成については、Ａ−Si層の暗抵抗及
び光電利得の制御のために、必要に応じて水素
（Ｈ）、酸素、窒素およびまたは炭素などを加える
ことも有効である。
ング法、イオンプレーテイング法、真空蒸着法等
の堆積法によつて支持体上に形成される。グロー
放電法、スパツタリング法およびイオンプレーテ
イング法は放電現象を利用する堆積法であり、堆
積室内においてガラスプラズマ雰囲気を所定時間
維持して必要な厚さのＡ−Si層を形成する方法で
あり、特に有効である。Ａ−Si層の形成用物質と
しては、シリコン単体の外、堆積中に分解してシ
リコンを生ずるケイ素化合物が用いられる。この
ようなシリコン化合物として代表的なのは、
SiH4、Si2H6などのシリコン水素化合物である。
Ａ−Si層の形成については、Ａ−Si層の暗抵抗及
び光電利得の制御のために、必要に応じて水素
（Ｈ）、酸素、窒素およびまたは炭素などを加える
ことも有効である。
Ａ−Si層へのＨの含有の代表的な方法は、層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4、Si2H6等の化
合物及び又はH2の形で導入し、気体放電によつ
て、それらの化合物又はH2を分解して、Ａ−Si
層中に、層を成長に併せて含有させる。Ａ−Si層
形成材料としてSiH4、Si2H6などのシリコン水素
化合物を用いる場合には、この化合物中のシリコ
ンがＡ−Si層の形成主成分として利用できるの
で、通常シリコン単体又は他のシリコン化合物を
併用しなくてよいが、必要に応じて、これらのシ
リコン単体又は他のシリコン化合物を併用しても
よい。
形成する際、堆積装置系内にSiH4、Si2H6等の化
合物及び又はH2の形で導入し、気体放電によつ
て、それらの化合物又はH2を分解して、Ａ−Si
層中に、層を成長に併せて含有させる。Ａ−Si層
形成材料としてSiH4、Si2H6などのシリコン水素
化合物を用いる場合には、この化合物中のシリコ
ンがＡ−Si層の形成主成分として利用できるの
で、通常シリコン単体又は他のシリコン化合物を
併用しなくてよいが、必要に応じて、これらのシ
リコン単体又は他のシリコン化合物を併用しても
よい。
Ａ−Si層中に含有されるＨの量は通常の場合10
〜40atomic（原子）％、好適には15〜30atomic
％とされるのが望ましい。Ａ−Si層中へのＨの含
有は、例えば、グロー放電法では、Ａ−Siを形成
する出発物質がSiH4、Si2H6等の水素化合物を使
用するので、適切な所望条件下でSiH4、Si2H6等
の水素化合物が分解してＡ−Si層が形成される際
Ｈは自動的に層中に含有されるが、さらにＨの層
中への含有を一層効率良く行なうには、Ａ−Si層
を形成する際に、グロー放電を行なう装置系内に
H2ガスを導入してやれば良い。
〜40atomic（原子）％、好適には15〜30atomic
％とされるのが望ましい。Ａ−Si層中へのＨの含
有は、例えば、グロー放電法では、Ａ−Siを形成
する出発物質がSiH4、Si2H6等の水素化合物を使
用するので、適切な所望条件下でSiH4、Si2H6等
の水素化合物が分解してＡ−Si層が形成される際
Ｈは自動的に層中に含有されるが、さらにＨの層
中への含有を一層効率良く行なうには、Ａ−Si層
を形成する際に、グロー放電を行なう装置系内に
H2ガスを導入してやれば良い。
スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこのガスをベースとした混合ガス雰
囲気中で、シリコンをターゲツトとしてスパツタ
ーリングを行なう際に、H2ガスを導入してやる
か又はSiH4、Si2H6等のシリコン水素化合物ガ
ス、或いは、不順物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。
活性ガス又はこのガスをベースとした混合ガス雰
囲気中で、シリコンをターゲツトとしてスパツタ
ーリングを行なう際に、H2ガスを導入してやる
か又はSiH4、Si2H6等のシリコン水素化合物ガ
ス、或いは、不順物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。
Ａ−Si層に酸素、窒素および炭素を含有させる
場合についても、水素を含有させる場合と同様な
手法で行なうことができる。Ａ−Si層に酸素、窒
素および炭素を含有させるに用いられるものとし
ては、これらの単体およびこれらの元素の化合物
である。このような酸素化合物としては、
SiO2、Si3N4、CO、CO2など、窒素化合物として
はNO、NO2、NH3など、炭素化合物としては、
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。例えば、飽和炭化水素
としてはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、プロ
パン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、エチレ
ン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、プロ
ピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン−
２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（C2H2）、メチ
ルアセチレン（C3H4）が挙げられる。Ａ−Si層の
形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物、
炭化物等の化合物のガスをＡ−Siを形成する原料
ガスと共に内部を減圧にし得る堆積室内に導入し
て該堆積室内でグロー放電を生起させて光導電層
を形成すれば良い。又、例えば光導電層をスパツ
ターリング法で形成する場合には、例えば、（Si
＋Ｃ）、（Si＋SiO2）、（Si＋Si3N4）なる成分で混合
成形したスパツター用のターゲツトを使用する
か、SiウエハーとＣ、SiO2又はSi3N4ウエハーの
二枚のターゲツトを使用して、スパツターリング
を行うか、又は酸素ガスや窒素ガス又は炭素、酸
素、又は窒素を含んだ化合物のガスを、例えば
Arガス等のスパツター用のガスと共に堆積室内
に導入して、Siのターゲツトを使用してスパツタ
ーリングを行つてＡ−Siを形成すれば良い。酸
素、窒素又は炭素のＡ−Si層への含有量は、適宜
設定されるものであるが、通常の場合0.1〜
30atomic％、好適には0.1〜20atomic％、最適に
は、0.2〜15atomic％とされるのが望ましい。
場合についても、水素を含有させる場合と同様な
手法で行なうことができる。Ａ−Si層に酸素、窒
素および炭素を含有させるに用いられるものとし
ては、これらの単体およびこれらの元素の化合物
である。このような酸素化合物としては、
SiO2、Si3N4、CO、CO2など、窒素化合物として
はNO、NO2、NH3など、炭素化合物としては、
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。例えば、飽和炭化水素
としてはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、プロ
パン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、エチレ
ン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、プロ
ピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン−
２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（C2H2）、メチ
ルアセチレン（C3H4）が挙げられる。Ａ−Si層の
形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物、
炭化物等の化合物のガスをＡ−Siを形成する原料
ガスと共に内部を減圧にし得る堆積室内に導入し
て該堆積室内でグロー放電を生起させて光導電層
を形成すれば良い。又、例えば光導電層をスパツ
ターリング法で形成する場合には、例えば、（Si
＋Ｃ）、（Si＋SiO2）、（Si＋Si3N4）なる成分で混合
成形したスパツター用のターゲツトを使用する
か、SiウエハーとＣ、SiO2又はSi3N4ウエハーの
二枚のターゲツトを使用して、スパツターリング
を行うか、又は酸素ガスや窒素ガス又は炭素、酸
素、又は窒素を含んだ化合物のガスを、例えば
Arガス等のスパツター用のガスと共に堆積室内
に導入して、Siのターゲツトを使用してスパツタ
ーリングを行つてＡ−Siを形成すれば良い。酸
素、窒素又は炭素のＡ−Si層への含有量は、適宜
設定されるものであるが、通常の場合0.1〜
30atomic％、好適には0.1〜20atomic％、最適に
は、0.2〜15atomic％とされるのが望ましい。
Ａ−Si層を放電現象を利用する堆積法によつて
形成する場合には、所望のプラズマ雰囲気を形成
するに有効な放電現象を堆積室内に生起させる
に、放電電流密度を、通常は0.1〜10ｍＡ／cm2好
適には１〜５ｍＡ／cm2としたAC又はDC電流とす
るのが良く、又充分なパワーを得る為には、通常
100〜500V、好適には300〜500Vの電圧に調整さ
れ、投入される電力としては、通常0.1〜50W、
好適には0.5〜10Wとされるのが良い。又、更に
は、ACの場合、その周波数は、通常0.2〜
30MHz、好適には５〜20MHzとされるのが望ま
しい。
形成する場合には、所望のプラズマ雰囲気を形成
するに有効な放電現象を堆積室内に生起させる
に、放電電流密度を、通常は0.1〜10ｍＡ／cm2好
適には１〜５ｍＡ／cm2としたAC又はDC電流とす
るのが良く、又充分なパワーを得る為には、通常
100〜500V、好適には300〜500Vの電圧に調整さ
れ、投入される電力としては、通常0.1〜50W、
好適には0.5〜10Wとされるのが良い。又、更に
は、ACの場合、その周波数は、通常0.2〜
30MHz、好適には５〜20MHzとされるのが望ま
しい。
Ａ−Si層は、製造時の不順物のドーピングによ
つて真性にし得、又その伝導型を制御することが
できる。Ａ−Si層中にドーピングされる不順物と
しては、Ａ−Si層をｐ型にするには、周期律表第
族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl、
等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合
には、周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、
Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げられ
る。
つて真性にし得、又その伝導型を制御することが
できる。Ａ−Si層中にドーピングされる不順物と
しては、Ａ−Si層をｐ型にするには、周期律表第
族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl、
等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合
には、周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、
Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げられ
る。
Ａ−Si層中にドーピングされる不順物の量は、
所望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不順物の場合には
通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-3〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの不順物の場合
には、通常10-8〜10-5atomic％、好適には10-8〜
10-7atomic％とされるのが望ましい。
所望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不順物の場合には
通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-3〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの不順物の場合
には、通常10-8〜10-5atomic％、好適には10-8〜
10-7atomic％とされるのが望ましい。
これ等不順物のＡ−Si層中へのドーピング方法
は、Ａ−Si層を形成する際に採用される製造方法
によつて各々異なるものである。
は、Ａ−Si層を形成する際に採用される製造方法
によつて各々異なるものである。
Ａ−Si系光導電層の層厚としては、所望される
電子写真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要
求されるか否か等に応じて適宜決定されるもので
あるが、通常の場合0.1〜５μ、好適には0.5〜４
μ、とされるのが望ましい。
電子写真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要
求されるか否か等に応じて適宜決定されるもので
あるが、通常の場合0.1〜５μ、好適には0.5〜４
μ、とされるのが望ましい。
本発明による感光体は、第１図に示される構成
を基本としてさらに他の技術的要件が付加されて
もよい。例えば、第１図および第２図に示される
構成において、支持体と第一の無機光導電層との
間に0.1〜５μ特には0.1〜２μ程度のＡ−Si層を
介在させてもよい。この場合には、支持体からの
電荷注入を良好にする。また、第２図に示すよう
に支持体１、第一の無機光導電層２およびＡ−Si
層からなる感光体にさらに絶縁層４を付与しても
よい。
を基本としてさらに他の技術的要件が付加されて
もよい。例えば、第１図および第２図に示される
構成において、支持体と第一の無機光導電層との
間に0.1〜５μ特には0.1〜２μ程度のＡ−Si層を
介在させてもよい。この場合には、支持体からの
電荷注入を良好にする。また、第２図に示すよう
に支持体１、第一の無機光導電層２およびＡ−Si
層からなる感光体にさらに絶縁層４を付与しても
よい。
一般に、感光体の保護及び耐久性、暗減衰特性
の改善等を主目的として絶縁層を付設する場合に
は絶縁層は比較的薄く設定され、感光体を特定の
電子写真プロセスに用いる場合に設けられ絶縁層
は比較的厚く設定される。
の改善等を主目的として絶縁層を付設する場合に
は絶縁層は比較的薄く設定され、感光体を特定の
電子写真プロセスに用いる場合に設けられ絶縁層
は比較的厚く設定される。
通常、絶縁層の厚さは、0.1〜100μ、特には、
0.1〜50μに設定される。
0.1〜50μに設定される。
絶縁層の形成に用いられる樹脂としては、通常
の樹脂が適宜用いられるものである。例えば、ポ
リエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリ塩化ビニール、ポリ酢酸ビニー
ル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、シリコン
樹脂、弗素樹脂、エポキシ樹脂等などである。
の樹脂が適宜用いられるものである。例えば、ポ
リエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリ塩化ビニール、ポリ酢酸ビニー
ル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、シリコン
樹脂、弗素樹脂、エポキシ樹脂等などである。
実施例 １
Alドラムの表面に浸漬法により塗膜形成し、
更に170℃で30分間加熱処理してCdS光導電層
（CdS：結着樹脂＝100：20重量部、結着樹脂＝熱
硬化性ウレタン樹脂−商品名：トアウレタン、東
亜ウレタン製）を30μ厚に形成した。次に、第３
図に示す装置を用いて、CdS光導電層上にＡ−Si
層を形成させた。即ち、CdS光導電層が形成され
たAlドラム５をグロー放電堆積室６内の所定位
置にある固定部材７の所定位置にヒーター８とは
約10cm程度離して堅固に固定した。
更に170℃で30分間加熱処理してCdS光導電層
（CdS：結着樹脂＝100：20重量部、結着樹脂＝熱
硬化性ウレタン樹脂−商品名：トアウレタン、東
亜ウレタン製）を30μ厚に形成した。次に、第３
図に示す装置を用いて、CdS光導電層上にＡ−Si
層を形成させた。即ち、CdS光導電層が形成され
たAlドラム５をグロー放電堆積室６内の所定位
置にある固定部材７の所定位置にヒーター８とは
約10cm程度離して堅固に固定した。
次いで、メインバルブ９を全開して堆積室６内
の空気を排気し、約５×10-5torrの真空度にし
た。その後ヒーター８を点火してAlドラムを均
一に加熱して150℃に上昇させ、この温度に保つ
た。その後、バルブ１０を全開し、引続いてボン
ベ１１のバルブ１２、ボンベ１３のバルブ１４を
全開した後、流量調節バルブ１５及び１６を徐々
に開いて、ボンベ１１よりArガスを、ボンベ１
３よりSiH4ガスを堆積室６内に導入した。この
時、メインバルブ９を調節して堆積室６内の真空
度が約0.75torrに保持される様にした。
の空気を排気し、約５×10-5torrの真空度にし
た。その後ヒーター８を点火してAlドラムを均
一に加熱して150℃に上昇させ、この温度に保つ
た。その後、バルブ１０を全開し、引続いてボン
ベ１１のバルブ１２、ボンベ１３のバルブ１４を
全開した後、流量調節バルブ１５及び１６を徐々
に開いて、ボンベ１１よりArガスを、ボンベ１
３よりSiH4ガスを堆積室６内に導入した。この
時、メインバルブ９を調節して堆積室６内の真空
度が約0.75torrに保持される様にした。
続いて、高周波電源１７のスイツチをonにし
て、電極１８，１８′間に13.56MHzの高周波を
印加してグロー放電を起し、CdS光導電層上に２
μ厚のＡ−Si層を形成した。
て、電極１８，１８′間に13.56MHzの高周波を
印加してグロー放電を起し、CdS光導電層上に２
μ厚のＡ−Si層を形成した。
次に流量調節バルブ１５，１６を閉じて、高周
波電源１７のスイツチをOFFしグロー放電を中
止した。
波電源１７のスイツチをOFFしグロー放電を中
止した。
このようにして製造された感光体をＡとし、ま
た参照として、Ａ−Si層を形成しなかつた感光体
をＢとし、両感光体に、負のコロナ帯電、画像露
光、乾式現像、転写、ブレードクリーニングから
なる電子写真プロセスを感光体の回転速度400
mm／secで繰返し施して感光体の諸特性を調べ
た。その結果、感光体Ａについては、18万回の繰
返し実施に対しても感光体表面に機械的損傷は殆
んど発生しなかつたのに対して、感光体Ｂでは３
万回の繰返し実施において感光体表面に画質に影
響を与える機械的損傷が生じた。また、感光体Ａ
適正画像を形成するための必要露光量は2lux・
secであるのに対して感光体Ｂでは５ lux・sec
であり、感光体Ａの方が高感度であつた。また、
電子写真プロセスを、湿度90％RH（25℃）の高
湿下で実施した結果、形成される画像の静電コン
トラストは640Vから530Vに低下したに止まつた
のに対して、感光体Ｂでは650Vから350Vになり
大幅な低下が認められた。又、感光体Ｂの感度波
長ピークは550ｍμであつたのに対して、感光体
Ａは620ｍμであり、感光波長領域も広いことが
認められた。
た参照として、Ａ−Si層を形成しなかつた感光体
をＢとし、両感光体に、負のコロナ帯電、画像露
光、乾式現像、転写、ブレードクリーニングから
なる電子写真プロセスを感光体の回転速度400
mm／secで繰返し施して感光体の諸特性を調べ
た。その結果、感光体Ａについては、18万回の繰
返し実施に対しても感光体表面に機械的損傷は殆
んど発生しなかつたのに対して、感光体Ｂでは３
万回の繰返し実施において感光体表面に画質に影
響を与える機械的損傷が生じた。また、感光体Ａ
適正画像を形成するための必要露光量は2lux・
secであるのに対して感光体Ｂでは５ lux・sec
であり、感光体Ａの方が高感度であつた。また、
電子写真プロセスを、湿度90％RH（25℃）の高
湿下で実施した結果、形成される画像の静電コン
トラストは640Vから530Vに低下したに止まつた
のに対して、感光体Ｂでは650Vから350Vになり
大幅な低下が認められた。又、感光体Ｂの感度波
長ピークは550ｍμであつたのに対して、感光体
Ａは620ｍμであり、感光波長領域も広いことが
認められた。
実施例 ２
実施例１において、CdSの代りにZnOを用いて
感光体Ａと同様に製造された感光体についても、
ZnO光導電層上に形成されたＡ−Si層による感光
体の耐久性、感度、耐湿性、並びに感度波長領域
についての顕著な改善が認められた。
感光体Ａと同様に製造された感光体についても、
ZnO光導電層上に形成されたＡ−Si層による感光
体の耐久性、感度、耐湿性、並びに感度波長領域
についての顕著な改善が認められた。
第１図および第２図は各々本発明による電子写
真感光体の模式的説明図である。第３図は本発明
による電子写真感光体の製造に用いる光導電層製
造用装置の模式的説明図である。 １……支持体、２……Ａ−Si以外の無機光導電
層、３……Ａ−Si層、４……絶縁層。
真感光体の模式的説明図である。第３図は本発明
による電子写真感光体の製造に用いる光導電層製
造用装置の模式的説明図である。 １……支持体、２……Ａ−Si以外の無機光導電
層、３……Ａ−Si層、４……絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体および光導電層を有する電子写真感光
体において、前記光導電層が二層から成り、前記
支持体側よりCdS又はZnOを樹脂結着剤中に分散
させて形成した第一の光導電層とアモルフアスシ
リコンからなる第二の光導電層とがこの順で積層
されていることを特徴とする電子写真感光体。 ２ 前記第一の光導電層の厚さが５〜70μであ
り、前記第二の光導電層の厚さが0.1〜５μであ
る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16232978A JPS5587155A (en) | 1978-12-23 | 1978-12-23 | Electrophotographic receptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16232978A JPS5587155A (en) | 1978-12-23 | 1978-12-23 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587155A JPS5587155A (en) | 1980-07-01 |
| JPS6161106B2 true JPS6161106B2 (ja) | 1986-12-24 |
Family
ID=15752463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16232978A Granted JPS5587155A (en) | 1978-12-23 | 1978-12-23 | Electrophotographic receptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5587155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10967437B2 (en) | 2011-12-27 | 2021-04-06 | Franz Haimer Maschinenbau Kg | Tool holder and clamping system |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57179859A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| JPS58221848A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-23 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS60205457A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0810332B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1996-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1978
- 1978-12-23 JP JP16232978A patent/JPS5587155A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10967437B2 (en) | 2011-12-27 | 2021-04-06 | Franz Haimer Maschinenbau Kg | Tool holder and clamping system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587155A (en) | 1980-07-01 |
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