JPS5829191A - レプリケ−トゲ−トの駆動法 - Google Patents
レプリケ−トゲ−トの駆動法Info
- Publication number
- JPS5829191A JPS5829191A JP56127710A JP12771081A JPS5829191A JP S5829191 A JPS5829191 A JP S5829191A JP 56127710 A JP56127710 A JP 56127710A JP 12771081 A JP12771081 A JP 12771081A JP S5829191 A JPS5829191 A JP S5829191A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pulse
- driving
- pattern
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入またはＹ！ＧＫよるバブル駆動層を
有する′磁気バブルメモリ素子のレグリケードゲートの
駆動法に関する。
有する′磁気バブルメモリ素子のレグリケードゲートの
駆動法に関する。
磁気バブルメモリ素子を利用して情報の蓄積、。
論理演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性、
高記憶密駄及び低消費電力等積々の特徴をもち、さらに
は機械的要素を全く含まない固体素子であることから非
常に高い信頼性を有している。
高記憶密駄及び低消費電力等積々の特徴をもち、さらに
は機械的要素を全く含まない固体素子であることから非
常に高い信頼性を有している。
このような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増
加、装置の／」・型化資求などによシ記憶密度の増加が
求められている。ところが従来の磁気パズルメモリに用
いられる素子は、パズルの転送／譬ターンが磁性薄膜上
に蒸着し九ノ譬−マロイを４真食刻によシ形成されてい
るため、その寸法精度が可視光による露光の精度に制限
され、／４ターンを小さくして記憶密度を増加すること
が困難になって来ている。このため最近、イオン注入法
又はＹＸＧ（イツトリウム鉄ガーネット）薄膜による転
送パターンの形成法が開発されている。代表してイオン
注入法によるデバイスについて鹸明すると、第１図の平
面図および第２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガ
リウム・ガーネ、）（ＧＧＧ）Ｊｋ板１の上にバブル用
結晶となる磁性ガーネットの薄膜２を液相エピタキシャ
ル成長させて形成し、この磁性薄ＪｇｌＩ［２に対しパ
ターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等のイ
オンを注入して・ダターン３を形成する。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンが注入された部分４の
磁化容異軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パタ
ーン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如くもとのまま
の面内方向と垂直である。従りてバブル５は回転磁界に
よりてパターン３０周縁に沿って矢印１の如く転送され
る。そしてこのパターン３はｂ形中四角形を連接した形
状であシ、従来のパーｉロイΔターンの如くギヤラグを
必要としないため寸法精ＩＥが緩くとも良く、従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現される。このような
磁気バブルメモリ素子のメジャーのマイナー構成の場合
、そのレグリケードゲートには第３図に示す如き構造の
ものが提案されている。これを図によシ説明すると、符
号６はメジャーライン、７はマイナールーフ、８はメジ
ャーラインとマイナールーフ”Ｋｔたがるヘアピン状の
コンダクタパターン、９はシェブロン形にイオン注入を
行なわなかったバブル切断用のパターンである。そして
マイナーループ７の先端ム部とメジャーライン６０カス
グ′Ｂとを対向さ場、この２点を結ぶ線Ｋａ２てコンダ
クタパターン８を配置し、メジャーライン６とマイナー
ルーグアの中間付近にパターン９を形成したものである
。このノ量ターン９０役５ｔｒａ第４図に示すようにダ
イヤ毫ンド型の非インシラΔターンｌＯを形成させ、こ
れに面内磁界を同図のように印加したとき、・り一ン１
０の上方にバブルを吸引するチャージドウオールが発生
したとすると、下方にはバブルを反撥切断する方向のチ
ャージドウオールが発生することを利用している。従っ
て第３図のヘアピン状コンダクタノターン８によってバ
ブルが引き伸ばされ、かつＡ・及びＢ部が吸引となる回
転磁界の位相のとき、パターン９のＥ及びＤ部には反撥
のチャージトウーオールが発生しバブルを切断する役割
を果している。このようなレゾリケー）ｆ−）の駆動に
は単に矩形状のパルス電流を用いても良いが、さらに高
速かつ安定した駆動法の開発が要求されている。本発明
はとの要求に基づいて案出されたものである。
加、装置の／」・型化資求などによシ記憶密度の増加が
求められている。ところが従来の磁気パズルメモリに用
いられる素子は、パズルの転送／譬ターンが磁性薄膜上
に蒸着し九ノ譬−マロイを４真食刻によシ形成されてい
るため、その寸法精度が可視光による露光の精度に制限
され、／４ターンを小さくして記憶密度を増加すること
が困難になって来ている。このため最近、イオン注入法
又はＹＸＧ（イツトリウム鉄ガーネット）薄膜による転
送パターンの形成法が開発されている。代表してイオン
注入法によるデバイスについて鹸明すると、第１図の平
面図および第２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガ
リウム・ガーネ、）（ＧＧＧ）Ｊｋ板１の上にバブル用
結晶となる磁性ガーネットの薄膜２を液相エピタキシャ
ル成長させて形成し、この磁性薄ＪｇｌＩ［２に対しパ
ターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等のイ
オンを注入して・ダターン３を形成する。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンが注入された部分４の
磁化容異軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パタ
ーン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如くもとのまま
の面内方向と垂直である。従りてバブル５は回転磁界に
よりてパターン３０周縁に沿って矢印１の如く転送され
る。そしてこのパターン３はｂ形中四角形を連接した形
状であシ、従来のパーｉロイΔターンの如くギヤラグを
必要としないため寸法精ＩＥが緩くとも良く、従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現される。このような
磁気バブルメモリ素子のメジャーのマイナー構成の場合
、そのレグリケードゲートには第３図に示す如き構造の
ものが提案されている。これを図によシ説明すると、符
号６はメジャーライン、７はマイナールーフ、８はメジ
ャーラインとマイナールーフ”Ｋｔたがるヘアピン状の
コンダクタパターン、９はシェブロン形にイオン注入を
行なわなかったバブル切断用のパターンである。そして
マイナーループ７の先端ム部とメジャーライン６０カス
グ′Ｂとを対向さ場、この２点を結ぶ線Ｋａ２てコンダ
クタパターン８を配置し、メジャーライン６とマイナー
ルーグアの中間付近にパターン９を形成したものである
。このノ量ターン９０役５ｔｒａ第４図に示すようにダ
イヤ毫ンド型の非インシラΔターンｌＯを形成させ、こ
れに面内磁界を同図のように印加したとき、・り一ン１
０の上方にバブルを吸引するチャージドウオールが発生
したとすると、下方にはバブルを反撥切断する方向のチ
ャージドウオールが発生することを利用している。従っ
て第３図のヘアピン状コンダクタノターン８によってバ
ブルが引き伸ばされ、かつＡ・及びＢ部が吸引となる回
転磁界の位相のとき、パターン９のＥ及びＤ部には反撥
のチャージトウーオールが発生しバブルを切断する役割
を果している。このようなレゾリケー）ｆ−）の駆動に
は単に矩形状のパルス電流を用いても良いが、さらに高
速かつ安定した駆動法の開発が要求されている。本発明
はとの要求に基づいて案出されたものである。
このため本発明においては、磁気バブル用結晶基板上に
イオン注入によるバブル駆動層あるいはＹＩＧ等の面内
異方性を有するバブル駆動層を形成し九磁気バブルメモ
リ素子のレノリケ−１”−）の駆動法において、レグリ
ケードの；ンダクタパターンにはバブルを伸長させるパ
ルス電流と、それに！Ｉ続くバブル切断用の逆極性のパ
ルス−流とを組合わせ九Δルス電流を流すことを特徴と
するものである。
イオン注入によるバブル駆動層あるいはＹＩＧ等の面内
異方性を有するバブル駆動層を形成し九磁気バブルメモ
リ素子のレノリケ−１”−）の駆動法において、レグリ
ケードの；ンダクタパターンにはバブルを伸長させるパ
ルス電流と、それに！Ｉ続くバブル切断用の逆極性のパ
ルス−流とを組合わせ九Δルス電流を流すことを特徴と
するものである。
一以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細Ｋ
ｌ！明する。
ｌ！明する。
第５ＷＪに本発明法に用いる／ｌｌスス流の波形図を示
す、第５図（畠）に示す波形はｆ−）内に入りたバブル
をスト２イグ状磁区に引き伸ばしてマイナールーフとメ
ジャーラインとの間にまえがせる九め０／＃ルス１１と
、その後に続くバブル切断用の逆極性のΔルス１２とが
組合わされている。なおこのバブル切断用ＯΔルス１２
は第５図（ｂ）のようにバブルを伸長させるパルス１１
の中間Ｋ ｈ −ｚ ”Ｃ％ｊＬ％ｆｈ０ このようなパルスを第３図に示したレグリケー）ｒ−）
に用い九ときの動作特性を第６図乃至第９図に示す。な
おノヤルス紘第５図（荀の波形を用い、そのパルスの台
幅は、τ＠ ｍ４ Ａｍ ｅ ＴＨ＝Ｏ，ＯＳハ＃ち−
Ｑ、３μＳとム駆動磁界は５００・、駆動周波数は１０
０ ｋＨｚとした。そして第６崗ｕ／４ルス１１０電流
値■１を１２０ａＡに一定とし、／ｆルス先端の位相θ
とバブル切断用のｄルス１２の電流！宜とを変化させた
ときの動作特性であル、第７図はＩｌ ｍｌ ２０ｍＡ
ａ Ｉｌ ｍ７０ｍＡに一定し、位相０とバイアス磁界
Ｈ，とを変化させ九′２−きの動作特性である。
す、第５図（畠）に示す波形はｆ−）内に入りたバブル
をスト２イグ状磁区に引き伸ばしてマイナールーフとメ
ジャーラインとの間にまえがせる九め０／＃ルス１１と
、その後に続くバブル切断用の逆極性のΔルス１２とが
組合わされている。なおこのバブル切断用ＯΔルス１２
は第５図（ｂ）のようにバブルを伸長させるパルス１１
の中間Ｋ ｈ −ｚ ”Ｃ％ｊＬ％ｆｈ０ このようなパルスを第３図に示したレグリケー）ｒ−）
に用い九ときの動作特性を第６図乃至第９図に示す。な
おノヤルス紘第５図（荀の波形を用い、そのパルスの台
幅は、τ＠ ｍ４ Ａｍ ｅ ＴＨ＝Ｏ，ＯＳハ＃ち−
Ｑ、３μＳとム駆動磁界は５００・、駆動周波数は１０
０ ｋＨｚとした。そして第６崗ｕ／４ルス１１０電流
値■１を１２０ａＡに一定とし、／ｆルス先端の位相θ
とバブル切断用のｄルス１２の電流！宜とを変化させた
ときの動作特性であル、第７図はＩｌ ｍｌ ２０ｍＡ
ａ Ｉｌ ｍ７０ｍＡに一定し、位相０とバイアス磁界
Ｈ，とを変化させ九′２−きの動作特性である。
また第８図はθユ０’、Ｉ雪諺１２０ｍＡに一定し、バ
ブル切断用の電流■、とバイアス磁界Ｈ１どを変化させ
たときの動作特性である。第９図はＨ，−Ｈ８の動作マ
ージンを本発明法と従来法とを比軟して示したもので、
本発明法はＬ二〇”ｍ Ｉｌ 罵７０−１１．■１２０
ｍＡの場合の上限を曲線ム、下限をにで示し、従来法の
矩形波を用いた場合の上限をａＷｉｉ Ｂ ｓ下限をＢ
′で示しえ。以上の第６図乃至第９図よ多本発明法は広
い動作特性と、安定し九動作が得られることがわかる。
ブル切断用の電流■、とバイアス磁界Ｈ１どを変化させ
たときの動作特性である。第９図はＨ，−Ｈ８の動作マ
ージンを本発明法と従来法とを比軟して示したもので、
本発明法はＬ二〇”ｍ Ｉｌ 罵７０−１１．■１２０
ｍＡの場合の上限を曲線ム、下限をにで示し、従来法の
矩形波を用いた場合の上限をａＷｉｉ Ｂ ｓ下限をＢ
′で示しえ。以上の第６図乃至第９図よ多本発明法は広
い動作特性と、安定し九動作が得られることがわかる。
以上説明した如く本発明のレプリケー）ｆ−）の駆動法
はバブル引き伸゛し用パルスとバブル切断用パルスとを
組合わせることにより、広くかつ安定な動作特性が得ら
れ、これによシ従来イオン注入バブルデバイスにおいて
行なわれていなかったプロ、フレグリケートを実現する
ことが可能となシアクセスタイムの短い高密度バブルデ
バイスが達成できる効果がある。
はバブル引き伸゛し用パルスとバブル切断用パルスとを
組合わせることにより、広くかつ安定な動作特性が得ら
れ、これによシ従来イオン注入バブルデバイスにおいて
行なわれていなかったプロ、フレグリケートを実現する
ことが可能となシアクセスタイムの短い高密度バブルデ
バイスが達成できる効果がある。
第１図はイオン注入法によ多形成される磁気バブルメ篭
り素子の千面自、第２図は第１図の■−璽線における断
面図、第３図はイオン注入法によ〕形成された磁気バブ
ルメモリ素子のレグリケードダートの平′ｒＭ図、第４
図はそのバブル切断用パターンの動作原理を説明する説
明図、第５図は本発明Ｋかかるレプリケートゲートの駆
動法に用いるパルスの実施例Ｏ波形図、第６図乃至第９
図は本発明法の実施例の動作特性図であって、第６図は
一−■８、第７図は一−Ｈい第８図はＩ雪−Ｈい第９図
祉Ｈ１−Ｈ，の各特性図である。 ６−メシヤーライン、７−！イナーループ、８−コンダ
クタΔターン、９−バブル切断用／ｆターン、１１−バ
ブル引！伸り用パルス、１２−バブル切断用パルス。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 藺 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第５面 第６図 位相ｅ（度）
り素子の千面自、第２図は第１図の■−璽線における断
面図、第３図はイオン注入法によ〕形成された磁気バブ
ルメモリ素子のレグリケードダートの平′ｒＭ図、第４
図はそのバブル切断用パターンの動作原理を説明する説
明図、第５図は本発明Ｋかかるレプリケートゲートの駆
動法に用いるパルスの実施例Ｏ波形図、第６図乃至第９
図は本発明法の実施例の動作特性図であって、第６図は
一−■８、第７図は一−Ｈい第８図はＩ雪−Ｈい第９図
祉Ｈ１−Ｈ，の各特性図である。 ６−メシヤーライン、７−！イナーループ、８−コンダ
クタΔターン、９−バブル切断用／ｆターン、１１−バ
ブル引！伸り用パルス、１２−バブル切断用パルス。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 藺 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第５面 第６図 位相ｅ（度）
Claims (1)
- １、 ９気バブル用結晶基板上にイオン注入によるパズ
ル駆動層あるいはＹＩＧ（イットリクム鉄ガーネ、ド）
勢の面内異方性を有するバブル駆動層を形成した磁気バ
ブルメモリ素子のレグリケードｒ−）の駆動法において
、レプリケー）？−）のコンダクタ−ターンにはバブル
を伸長させるパルス電流と、それに引続くバブル切断用
の逆極性のパルス電流とを組合わせたパルス電流を流す
ことを特徴とするレグリケードｒ−Ｆの駆動法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127710A JPS5829191A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | レプリケ−トゲ−トの駆動法 |
| CA000409485A CA1187175A (en) | 1981-08-17 | 1982-08-16 | Magnetic bubble memory device and method for operating the same |
| EP82304326A EP0072696A3 (en) | 1981-08-17 | 1982-08-17 | Method for operating a magnetic bubble memory device |
| US06/408,849 US4434476A (en) | 1981-08-17 | 1982-08-17 | Magnetic bubble memory device and method for operating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127710A JPS5829191A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | レプリケ−トゲ−トの駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829191A true JPS5829191A (ja) | 1983-02-21 |
| JPS611831B2 JPS611831B2 (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=14966789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127710A Granted JPS5829191A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | レプリケ−トゲ−トの駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829191A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174263A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-09-07 | ダナ、コ−パレイシヤン | 相互に溶接した第１及び第２のアルミニウム駆動軸部品で作られたアルミニウム駆動軸 |
| JPH0287115U (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-10 | ||
| US10132361B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-11-20 | Hino Motors, Ltd. | Method for manufacturing propeller shaft |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP56127710A patent/JPS5829191A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174263A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-09-07 | ダナ、コ−パレイシヤン | 相互に溶接した第１及び第２のアルミニウム駆動軸部品で作られたアルミニウム駆動軸 |
| JPH0287115U (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-10 | ||
| US10132361B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-11-20 | Hino Motors, Ltd. | Method for manufacturing propeller shaft |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS611831B2 (ja) | 1986-01-20 |
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