JPS5829567B2 - インキヨクセンカンノ セイゾウホウホウ - Google Patents

インキヨクセンカンノ セイゾウホウホウ

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JPS5829567B2
JPS5829567B2 JP49034920A JP3492074A JPS5829567B2 JP S5829567 B2 JPS5829567 B2 JP S5829567B2 JP 49034920 A JP49034920 A JP 49034920A JP 3492074 A JP3492074 A JP 3492074A JP S5829567 B2 JPS5829567 B2 JP S5829567B2
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vapor
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JP49034920A
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JPS50128457A (ja
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卓治 井上
昭 中山
紘治 鶴田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は陰極線管の製造方法に関するものであって、特
にカラーテレビジョン受像管に適用するのに最適な陰極
線管の製造方法を提供するものである。
従来此種の受像管においては、フェースプレートの内側
面に3色の蛍光体がドツト状又はストライブ状に塗布さ
れていて、この蛍光体上にAIIの薄膜層が被着形成さ
れている。
この薄膜層は、蛍光面の導電性を得ると共にこの蛍光面
から後方、即ち電子銃側への発光を前方へ反射してフェ
ースプレート前方への光量を増加させる役割を果してい
る。
また蛍光面の後方には電子ビームの蛍光体面へのランデ
ィング位置を規制するための色選別電極であるシャドウ
マスク又はアパーチャグリルが配置されており、これら
の電極は電子銃からの電子ビームの約20俤を蛍光体面
側に透過させかつその残りの約80多を遮蔽する。
従ってビーム量の約80%が色選別電極の温度上昇に関
与することになる。
更にまたこの温度上昇に伴って色選別電極からの熱輻射
が生じ、この輻射熱は最も近接した蛍光面上に集中して
この蛍光面上のA/薄膜層によってその大半が反射され
る。
この反射された熱は再び色選別電極に到達するために、
電極の温度上昇が一層助長される。
一般に、温度上昇に比例して色選別電極が熱膨張してし
まってその原型が変形し、この結果電子ビームのミスラ
ンディングが生じる恐れがある。
この場合、A7薄膜層の熱反射効率が良好であるから、
色選別電極からの輻射熱の大部分が反射されて色選別電
極に吸収されてしまい、これによって色選別電極の変形
量が更に増大することになる。
このような欠陥を是正するために、従来のテレビジョン
受像管においては、蛍光面のkl薄膜層表面にカーボン
塗料を塗布し、このカーボン塗料の熱吸収作用によって
色選別電極からの輻射熱を吸収するようにしている(米
国特許第3703401号)。
しかしながら、カーボン塗料を水等の溶媒に溶かしてか
らスプレーして塗布しなければならず、然もこの塗布工
程を蛍光体面へのAA蒸着工程とは別個に行う必要があ
るから、工程が面倒であると共に連続作業が不可能であ
る。
本発明は上述の如き欠陥を是正すべ〈発明されたもので
あって、陰極線管パネルの内側面に形成されている発光
体層上に導電材料を蒸着して第1蒸着層を形成し、次い
で炭素化合物を供給しつつ前記発光体層上に前記導電材
料を更に蒸着して第2蒸着層を形成し、この第2蒸着層
に前記導電材料と前記炭素化合物による炭素とを夫々含
有せしめるようにした陰極線管の製造方法に係るもので
ある。
この方法によって、熱吸収及び発光作用を良好に行い得
ることは勿論のこと、工程が極めて簡単となって連続作
業が可能となる。
なお上述の炭素化合物としては、メタン、エタン、プロ
パン等の直鎖状炭化水素及びこの誘導体、ベンゼン、ト
ルエン等の環状炭化水素及びこの誘導体、メタノール、
エタノール等のアルコール類、ポリスチレン、ポリメタ
クリル酸メチル等の高分子化合物が用いられてよい。
次に本発明をカラーテレビジョン受像管の製造方法に適
用した一実施例を図面に付き述べる。
まず第1図に付きこの実施例において用いられる蒸着装
置の構成を説明する。
この蒸着装置1は従来公知のものであって、真空容器2
を具備していてその内部ははゾ真空に保持される。
この真空容器にはメタンガスの導入口3と真空ポンプ(
図示せず)に通じる排気口4とが夫々設けられている。
また真空容器2内には、両側に電極5,6を夫々具備す
るタングステンフィラメント7が配置さされている。
そしてこのフィラメントの凹所8内に蒸着金属であるA
19が収容されている。
またこのフィラメントに対向して受像管のフェースプレ
ート10がその蒸着面を下側にして配置されている。
この蒸着面の周囲にはAl蒸着防止用のマスク11が配
されていて後述する蛍光面上にのみ蒸着が行われるよう
になっている。
次にこのように構成された蒸着装置を用いて受像管の製
造方法を第2A図〜第2C図に付き工程順に説明する。
第2A図に示す如く、フェースプレート10の内側面、
即ち後述する電子ビームランディング側表面には、緑色
発光用、青色発光用及び赤色発光用の蛍光体ドツト12
G、12B 、12Rが夫々形成され、またこれらの蛍
光体ドツト表面に導電性の中間膜層(図示せず)を形成
している。
これらの蛍光体ドツトは従来公知の方法によって形成さ
れてよい。
このフェースプレート10を上述した真空容器2内に配
置した状態で、この真空容器をガス吸引して10〜10
mmHgの真空度に保持しつつフライメント7をAl蒸
発温度以上の温度に加熱する。
この結果kl 9が蛍光体ドラt−12G。12B、1
2R表面に蒸着して第2B図に示す如くA1層13が2
000〜4000A 例えば3000A程度に形成さ
れる。
A7層13がこのような厚さに形成される時点で、真空
容器2のガス導入口3からCH4ガスをこの容器内に導
入する。
このときの真空容器2内の圧力を10〜10mmHgに
保持しておくのが好ましく、またフェースプレート10
の温度は常温にしておいてよい。
この結果、A7層表面には第2C図に示す如く厚さ10
00A〜数々、例えば3000A程度の黒色のAA−C
層14が蒸着形成される。
このA7−C層14は表面がCで被覆された細かいAA
粒子又は分子塊からなっている。
即ち、CH4ガスの雰囲気中でAlを蒸着することによ
り、A1粒子が飛行する間にこの人1粒子の周囲に附着
したCH4が熱分解して炭化しこの炭化により生成され
たCがM粒子を被覆してあたかもA1粒子が炭化された
形でA1層13上に蒸着するからであると考えられる。
この場合、真空容器2内の真空度があまり低すぎたり或
いは蒸着源であるkl 9の温度が低いと1粒子が互い
に附着し合ってその粒子が大きくなってしまう傾向があ
り、この結果粒度犬なるAl−Cが蒸着される。
このAl−CにおけるA1粒子上へのCの耐着力は非常
に弱くて実用に値しないものとなってしまう。
次にこのようにして製作されたフェースプレート10の
熱吸収効果を説明する。
即ちフェースプレート10のAl−C層14から約20
crIL隔てて125Wの赤外線ランプ(図示せず)を
対向配置し、この赤外線ランプによる赤外線をAl−C
層14に照射してこの照射によるフェースプレート10
、即ちAl−C層14の加熱時間と温度との関係を測定
する。
これによって第3図に示す折線aの如き結果が得られた
この図によれば、kl−C層14を形成した場合にこの
層による熱吸収作用が非常に良好であることが理解され
る。
即ち、折線すは上述の如きAI!−C層を形成しないと
きの結果であるが、この場合フェースプレート10の温
度は初期の温度とあまり大差なく、A7−C層14を有
するものより熱吸収効果が大巾に劣っていることが分る
また、CH4の導入量が少ない場合や真空度があまり高
すぎたりするとAlClC層中4中の含有量が低くなっ
てこの層の黒化の程度が少なくなるから好ましくない。
なお第4図には、AA−C層14を有するフェースプレ
ート10が組込まれたテレビジョン受像管15が概略的
に示されている。
フェースプレート10はガラス外管のファンネル部16
の端部に封着されていて、フェースプレート10の内周
面に取付けられたアパーチャグリル17も同時にガラス
外管内に組込まれる。
またこのガラス外管には簡略化のためにカソード18の
みが図示されており、このカソードからの電子ビーム1
9が加速、偏向を受けてアノ・−チャグリル17の開口
20又はスリットを通じて蛍光面上にランディングし得
るように構成されている。
この状態を第5図にて拡大図示すると、アパーチャグリ
ル17の開口20を通過する電子ビーム19はある角度
で以ってフェースプレート10のAl−C層14に到達
する。
しかし電子ビームの約80咎は遮蔽されてしまう。
しかしながら、上述した如くこの人l−C層の熱吸収効
果は極めて良好であるから、Al−C層14からアパー
チャグリル17側に反射されるこのアパーチャグリルの
輻射熱線20の量は著しく少なくなる。
この結果、アパーチャグリル17の温度上昇程度が少な
くなって熱によるドリフト量、即ち熱変形量が著しく低
減する。
これを第6図に付き説明すると、この図はアパーチャグ
リル17を正面から概略的にみた状態を示すものである
が、A7−C層14による熱線反射を考慮したとしても
、従来のものと較べてアパーチャグリルのドリフト量が
著しく減少していることが理解される。
即ち、従来のアパーチャグリルに較べてこの実施例にお
けるアパーチャグリル17の金属条線21のドリフト量
は、例えばその4角の部分において50φ、−51優、
−30優、−37咎も夫々減少している。
なおこの場合、フェースプレート10上のA1層13へ
の印加電圧は24.2KV、カソード電流は1.1 m
Aであって、18℃にて測定し、受像管として18イン
チ、114°偏向のものを用いた。
上述した如く、この実施例においては、フェースプレー
ト10の蛍光面上へのAl蒸着を行いつつAl−C層を
形成し得るから、操作が極めて簡単であり然もフェース
プレートを常温にしたまN行えるという利点がある。
またAl−C層14の熱吸収作用は非常に良好であって
アパーチャグリル17の熱膨張による原型の変化を最小
限に抑えて電子ビームのミスランディングを大巾に減少
させることが可能となる。
以上本発明を一実施例に基いて説明したが、本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能であることが理解され
よう。
例えば蒸着金属としてAA以外の他の金属が用いられて
よい。
またAl−C層14の厚みはかなりの程度まで大きくし
てもよい。
本発明は上述の如く、陰極線パネルの蛍光面上に導電材
料の蒸着を行いつつ炭素化合物を導入するふうにしてい
るので、この炭素化合物からのCを前記導電材料からな
る第1蒸着層上に蒸着することが出来て熱吸収効果の良
好なる第2蒸着層を蛍光面上に形成出来、これによって
色選別電極からの輻射熱の反射が減少して色選別電極の
熱ドリフト量を少なくシ、電子ビームのミスランディン
グを大巾に減少させることが出来る。
また第1蒸着層を形成しているから、陰極線管後方への
発光をその前方へ反射させることが出来、従って発光作
用を向上させることが出来る。
こうした利点を有する上に、更に、第1蒸着層を形成し
つつ第2蒸着層を形成し得るから、従来のようにカーボ
ン塗料を別工程にて塗布する必要がなく、工程が極めて
簡単となって作業性が著しく向上する。
また2工程を連続して行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明をカラーテレビジョン受像管の製造方法に
適用した一実施例を示すものであって、第1図は蒸着装
置の概略断面図、第2A図〜第2C図は蒸着工程を示す
断面図、第3図はAA −C層の熱吸収効果を示す折線
図、第4図はフェースプレートを受像管に組込んだ状態
の概略図、第5図は第4図の部分拡大図、第6図はアパ
ーチャグリル熱ドリフト量を示す正面概略図である。 なお図面に用いられている符号において、1は蒸着装置
、2は真空容器、3はガス導入口、4は排気口、7はフ
ィラメント、9はAA、10はフェースプレート、12
G、12B、12Rは蛍光体ドツト、13はA7層、1
4はAA−C層、15は受像管、17はアパーヂャグリ
ル、18はカソード、19は電子ビーム、20は熱線で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 陰極線管パネルの内側面に形成されている発光体層
    上に導電材料を蒸着して第1蒸着層を形成し、次いでガ
    ス状炭素化合物を供給しつつそのガス状炭素化合物の雰
    囲気中で前記第1蒸着層上に前記導電材料を更に蒸着し
    て第2蒸着層を形成し、この第2蒸着層に前記導電材料
    と前記炭素化合物の分解による炭素とを夫々含有せしめ
    るようにしたことを特徴とする陰極線管の製造方法。
JP49034920A 1974-03-27 1974-03-27 インキヨクセンカンノ セイゾウホウホウ Expired JPS5829567B2 (ja)

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JP49034920A JPS5829567B2 (ja) 1974-03-27 1974-03-27 インキヨクセンカンノ セイゾウホウホウ

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JP49034920A JPS5829567B2 (ja) 1974-03-27 1974-03-27 インキヨクセンカンノ セイゾウホウホウ

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JPS50128457A JPS50128457A (ja) 1975-10-09
JPS5829567B2 true JPS5829567B2 (ja) 1983-06-23

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222015B2 (ja) * 1972-06-20 1977-06-14

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JPS50128457A (ja) 1975-10-09

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