JPS5831076A - 物理的蒸着法による被膜形成方法及びその装置 - Google Patents
物理的蒸着法による被膜形成方法及びその装置Info
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- JPS5831076A JPS5831076A JP12841281A JP12841281A JPS5831076A JP S5831076 A JPS5831076 A JP S5831076A JP 12841281 A JP12841281 A JP 12841281A JP 12841281 A JP12841281 A JP 12841281A JP S5831076 A JPS5831076 A JP S5831076A
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- plated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/223—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating specially adapted for coating particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の物理的蒸着法によって被メッキ体の表面に被
膜を形成する方法、及び。
ィング等の物理的蒸着法によって被メッキ体の表面に被
膜を形成する方法、及び。
その装置に関するものであり、被メッキ体が粉体１粒体
、小部品といったように比較的小さい物の場合でも、均
一被膜を効率的に形成することができるようにすること
を目的としてなされたものである。
、小部品といったように比較的小さい物の場合でも、均
一被膜を効率的に形成することができるようにすること
を目的としてなされたものである。
従来、小物表面への物理的蒸着を均一になす□ 方法と
しては、ベルシア内にバレルを配置し。
しては、ベルシア内にバレルを配置し。
このバレルを回転させることにより、バレル内の被メッ
キ体たる小物を動か°し、蒸着源に対する被メッキ体の
面を変化させる方法が知られているが。
キ体たる小物を動か°し、蒸着源に対する被メッキ体の
面を変化させる方法が知られているが。
ωバレルの回転が連続的であっても、被メッキ体の動き
は、相互間の摩擦力の存在や凹凸的嵌り合いによって、
僅かながらも静止状態となることがあり、均一被膜形成
に悪影響を及ぼす。
は、相互間の摩擦力の存在や凹凸的嵌り合いによって、
僅かながらも静止状態となることがあり、均一被膜形成
に悪影響を及ぼす。
■バレルの回転の駆動をベルシア壁を通して行うので、
真空度の維持が煩わしく、さりとて。
真空度の維持が煩わしく、さりとて。
駆動源であるモーター等をベルシア内に配置することは
、ベルシア内の空間をいたずらに損うだけでなく、モー
ターがら発生するガスによる汚染や、モーター自体の能
力損傷の原因となり、決して好ましくない。
、ベルシア内の空間をいたずらに損うだけでなく、モー
ターがら発生するガスによる汚染や、モーター自体の能
力損傷の原因となり、決して好ましくない。
といった欠点を有していた。
本発明は、上述した点に僅みなされ次ものであり、以下
、添付図面に示す実施例に基づいて説明すると、第１図
において、参照符号Ａは。
、添付図面に示す実施例に基づいて説明すると、第１図
において、参照符号Ａは。
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
物理的蒸着装置のベルシア部の一部を示すが、排気孔１
を通しての排気系を阻害しないよう形成された試料台２
には、接着、螺子止め等による固定もしくは単に載置さ
れ次だけの振動体３が存し、この振動体５には、蒸着源
（もしくはターゲット）（図示ぜず）に対峙すルウステ
ンレス、タングステン、チタン、タンタル等よりなる容
器４が接着、螺子止め等により固着されている。ここで
、試料台２としては。
物理的蒸着装置のベルシア部の一部を示すが、排気孔１
を通しての排気系を阻害しないよう形成された試料台２
には、接着、螺子止め等による固定もしくは単に載置さ
れ次だけの振動体３が存し、この振動体５には、蒸着源
（もしくはターゲット）（図示ぜず）に対峙すルウステ
ンレス、タングステン、チタン、タンタル等よりなる容
器４が接着、螺子止め等により固着されている。ここで
、試料台２としては。
専用に誂えたものでもよいが、勿論、装置の一部として
もとより存するものを使用してよい。
もとより存するものを使用してよい。
また、振動体５の振動が不要部分に伝わることを防止す
る為に、振動吸収材を適宜箇所に介在させてもよい。更
に、振動体５及び容器４の配置場所も、被メッキ体が振
動によって容器４円から飛び出さなければ、適宜箇所、
適宜向きで潰ってよいし、容器４に対する方向制御機構
が付加されていてもよい。
る為に、振動吸収材を適宜箇所に介在させてもよい。更
に、振動体５及び容器４の配置場所も、被メッキ体が振
動によって容器４円から飛び出さなければ、適宜箇所、
適宜向きで潰ってよいし、容器４に対する方向制御機構
が付加されていてもよい。
振動体３としては９種々の材料を選択することができる
。即ち、水晶、ロッシェル塩、ＡＤＰ。
。即ち、水晶、ロッシェル塩、ＡＤＰ。
チタン酸バリウム磁器、ジルコン酸ｌチタン酸。
鉛磁器、ニオブ酸系鉛磁器等の圧電形振動体。
ニッケル、アル７エロ、磁歪用フェライト磁器等の磁歪
形振動体、あるいは通常のスピーカーと同様原理を有す
る動電形振動体等である。これらをどのように選択し、
また、どのような大きさ、形状にするかは、被メッキ体
や処理条件等により適宜となる。
形振動体、あるいは通常のスピーカーと同様原理を有す
る動電形振動体等である。これらをどのように選択し、
また、どのような大きさ、形状にするかは、被メッキ体
や処理条件等により適宜となる。
また、振動体３の振動方向も例えば容器４に対し垂直あ
るいは水平とい−）たように適宜設定されるが、振動体
３の振動と容器４に入れられる被メッキ体の運動とは常
に一致しているものではない。即ち、第２図に拡大して
示したように１本実施例においては、容器４は局部を除
き平板状となっており、電極（例えば銀電極）５を介し
てはいるが、実質的に直接振動体５に取り付けられてい
るので、振動体３が図面において上下方向に振動すれば
、被メッキ体も同じく上下方向に運動する（跳ねる）が
、容器４が。
るいは水平とい−）たように適宜設定されるが、振動体
３の振動と容器４に入れられる被メッキ体の運動とは常
に一致しているものではない。即ち、第２図に拡大して
示したように１本実施例においては、容器４は局部を除
き平板状となっており、電極（例えば銀電極）５を介し
てはいるが、実質的に直接振動体５に取り付けられてい
るので、振動体３が図面において上下方向に振動すれば
、被メッキ体も同じく上下方向に運動する（跳ねる）が
、容器４が。
例えば、規則的もしくは不規則的な凹凸もしくは波状の
底面を有してい几り、茶碗状もしくは半球状であれば、
被メッキ体に与えられる運動方向は振動体３の振動方向
と異なることになる。
底面を有してい几り、茶碗状もしくは半球状であれば、
被メッキ体に与えられる運動方向は振動体３の振動方向
と異なることになる。
このことは、被メッキ体の運動が、各自の置かれた場所
の近傍だけでなく、被メツキ体全体が流れとしての運動
を有していてもよいことを示すものでもあフ、ま危、振
動体５と容器４との構造が１通常、製品の組立の際使用
されるパーツフィーダー（例えば直進フィーダー）のよ
うな工学的構造を有していてもよいことを示すものでも
ある。尚、振動体３自体５が一様振動しないものの場合
もある。
の近傍だけでなく、被メツキ体全体が流れとしての運動
を有していてもよいことを示すものでもあフ、ま危、振
動体５と容器４との構造が１通常、製品の組立の際使用
されるパーツフィーダー（例えば直進フィーダー）のよ
うな工学的構造を有していてもよいことを示すものでも
ある。尚、振動体３自体５が一様振動しないものの場合
もある。
さて、第１図に戻り、振動体３に対する電気的接続は、
ベルシア壁の７ランジ６に設けられた電流導入端子７を
介し、外部の波形発生器Ｂに接続している。ここで、電
流導入端子７を７ランジ６に設けたのは、市販の物理的
蒸着装置には通常いくつかのメクラフランジが設けられ
ており、かつ、このメクラ７ランジと同一規格の電流導
入端子７付きフランジ６も市販されているので、従来の
装置をそのまま活用し得るようなし几為であシ、勿論、
専用の装置とするならば、ベルシア壁におけるシールを
十分にした上、電線８を波形発生器Ｂに直接接続すれば
よい。
ベルシア壁の７ランジ６に設けられた電流導入端子７を
介し、外部の波形発生器Ｂに接続している。ここで、電
流導入端子７を７ランジ６に設けたのは、市販の物理的
蒸着装置には通常いくつかのメクラフランジが設けられ
ており、かつ、このメクラ７ランジと同一規格の電流導
入端子７付きフランジ６も市販されているので、従来の
装置をそのまま活用し得るようなし几為であシ、勿論、
専用の装置とするならば、ベルシア壁におけるシールを
十分にした上、電線８を波形発生器Ｂに直接接続すれば
よい。
電線８が短絡予防の為、碍子やテフロン等による被覆を
施されているのが好ましいのは勿論であるが、装置の汎
用性を高める為に、振動体３や容器４等を取りはずし可
能にすることが好ましいので、電線８の電流導入端子７
に対する取ｐ付けは、半田付けでもよいけれど、適宜コ
ネクター等を用いて着脱可能とされている方がよい。
施されているのが好ましいのは勿論であるが、装置の汎
用性を高める為に、振動体３や容器４等を取りはずし可
能にすることが好ましいので、電線８の電流導入端子７
に対する取ｐ付けは、半田付けでもよいけれど、適宜コ
ネクター等を用いて着脱可能とされている方がよい。
ま几、波形発生器Ｂは通常のものを使用すればよいが、
波形スイープ部を設けておくのが好ましい場合がある。
波形スイープ部を設けておくのが好ましい場合がある。
即ち、容器４に付与される振動は容器４の各部分におい
て−ｔ６６ Ｉ＆輻の大小を生じ、被メッキ体の被膜が
不均一化する場合もあるので２ これを防止する為のも
のであり。
て−ｔ６６ Ｉ＆輻の大小を生じ、被メッキ体の被膜が
不均一化する場合もあるので２ これを防止する為のも
のであり。
前記したように、容器４内における被メッキ体の位置を
経時変化させるような【また場合でも。
経時変化させるような【また場合でも。
作動させたからといって決して損はない。
次に、処理について説明するが、物理的蒸着としての処
理自体には、従来と比べ何ら特殊性を必要としない。例
えば、スパッタリングの一例を述べると、ベルシア内を
１×・１０ ’ Ｔｏｒｒ以上の真空とした後、アル
ゴンガスを導入して１×１０ 〜１×１０″′５Ｔｏｒ
ｒ程度の真空とし。
理自体には、従来と比べ何ら特殊性を必要としない。例
えば、スパッタリングの一例を述べると、ベルシア内を
１×・１０ ’ Ｔｏｒｒ以上の真空とした後、アル
ゴンガスを導入して１×１０ 〜１×１０″′５Ｔｏｒ
ｒ程度の真空とし。
２
高周波もしくは直流電源によりアルゴンガスをイオン化
し、スパッタリング処理する。勿論。
し、スパッタリング処理する。勿論。
他のスパッタリング処理や、真空蒸着、イオンブレーテ
ィング等についても特殊性はないし。
ィング等についても特殊性はないし。
必要に応じての被メツキ体加熱等の手段も採用されてよ
い。
い。
要点は、処理を行うに際して、被メッキ体には、容器を
振動させることによって運動を与えておくことである。
振動させることによって運動を与えておくことである。
前記したようにこの運動は与えられるエネルギーやその
方向等適宜設定され、またその為に、前記装置を用い穴
場合、波形発生器ＢによＶ、正弦波、方形波、三角波等
を発生し１例えば５０〜１０００■ぐらいまで昇圧され
る波形制御をなし、また、その周波数を、使用する振動
体３の共振周波数（例えば１０〜１’０Ｏ００Ｈ２）に
同調させ几り、スイープし九すする。容器４の形状等が
寄与することも前記した通りである。
方向等適宜設定され、またその為に、前記装置を用い穴
場合、波形発生器ＢによＶ、正弦波、方形波、三角波等
を発生し１例えば５０〜１０００■ぐらいまで昇圧され
る波形制御をなし、また、その周波数を、使用する振動
体３の共振周波数（例えば１０〜１’０Ｏ００Ｈ２）に
同調させ几り、スイープし九すする。容器４の形状等が
寄与することも前記した通りである。
如何なる手段に依ろうと、容器を振動させ。
これを被メッキ体に伝えると、被メッキ体の運動は蒸着
源（もしくはターゲット）に対する面を連続的に変化す
ることになる。従って、被メッキ体の表面には均一被膜
を形成することができる。
源（もしくはターゲット）に対する面を連続的に変化す
ることになる。従って、被メッキ体の表面には均一被膜
を形成することができる。
尤も、被メッキ体が比較的平らなものの場合。
平らな底面を有する容器に並べ入れ、この容器を底面に
平行に振動させると、被メッキ体の蒸着源（もしくはタ
ーゲット）に対する面が変化しない場合もあるので、こ
のような場合には。
平行に振動させると、被メッキ体の蒸着源（もしくはタ
ーゲット）に対する面が変化しない場合もあるので、こ
のような場合には。
要はある。
〈実施例１〉
第１図に示したベルシア部を有する真空蒸着装置で蒸着
処理を施した。振動体５は直径５０鶴、厚さ５襲のチタ
ン酸バリウム磁器製、また。
処理を施した。振動体５は直径５０鶴、厚さ５襲のチタ
ン酸バリウム磁器製、また。
容器４は底面が直径１００１Ｂのステンレス製で。
底面にはわずかの碗状を付与しておいた。容器４に、そ
れぞれ約０．４）ＩＩＢの径を有するガラス粒を、２〜
３層となるよう敷き入れ、蒸着源（銅球を入れたコニカ
ルバスケット状タングステン線）の下方２００謡にその
表面が位置するよう設置後、真空度３ＸＩＤ Ｔｏ
ｒｒ にて銅を蒸着した。
れぞれ約０．４）ＩＩＢの径を有するガラス粒を、２〜
３層となるよう敷き入れ、蒸着源（銅球を入れたコニカ
ルバスケット状タングステン線）の下方２００謡にその
表面が位置するよう設置後、真空度３ＸＩＤ Ｔｏ
ｒｒ にて銅を蒸着した。
この際、振動体の振動方向は垂直とし、容器４に与える
振動は３００Ｖに昇圧され次男形波をスイープ−するこ
とで、容器４に発生する定常波の節と腹とを経時変化さ
せた。これによって。
振動は３００Ｖに昇圧され次男形波をスイープ−するこ
とで、容器４に発生する定常波の節と腹とを経時変化さ
せた。これによって。
設定したガラス粒の最大跳ね量的５１ｍ１が得られ次Ｏ
約１０秒間の蒸着後、各々のガラス粒表面には一様に銅
被膜が形成されておＶ、未蒸着部分は観察されなかっ次
。
被膜が形成されておＶ、未蒸着部分は観察されなかっ次
。
〈実施例２〉
第１図に示し九ベルシア部を有するスノくツ、タリング
装置（２００Ｗ、高周波電源）でスパッタリグ処理を施
し友。振動体３及び容器４は実施例１と同様のものを用
いた。容器４に平均粒径α０５ｗｋのアルミナ粉を３語
根度の厚さになるよう入れ、ターゲット（銅）の下方５
０１ｓにその表面が位置するよう設置後、いったん真空
度を５×１０−６Ｔｏｒｒにした後、アルゴンガスを導
入し、 ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒでスパッタリング処
理した。
装置（２００Ｗ、高周波電源）でスパッタリグ処理を施
し友。振動体３及び容器４は実施例１と同様のものを用
いた。容器４に平均粒径α０５ｗｋのアルミナ粉を３語
根度の厚さになるよう入れ、ターゲット（銅）の下方５
０１ｓにその表面が位置するよう設置後、いったん真空
度を５×１０−６Ｔｏｒｒにした後、アルゴンガスを導
入し、 ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒでスパッタリング処
理した。
この際、容器４に与える振動は６００ｖに昇圧された６
ＫＨ２の方形波によ−）ｆ１６約３０分間のスパッタリ
ング処理後、各々のアルミナ粉表面には一様に銅被膜が
形成されており、容器４に発生する定常波の影響は実質
的に見られなかった。
ＫＨ２の方形波によ−）ｆ１６約３０分間のスパッタリ
ング処理後、各々のアルミナ粉表面には一様に銅被膜が
形成されており、容器４に発生する定常波の影響は実質
的に見られなかった。
以上述べ九ように９本発明によると、極めて小さな被メ
ッーキ体に対しても均一被膜を効率的に形成することが
できるので、ボールペンのボ□ −ル、電子部品等の各
種セラミック材料、腕時計の部品、ボルト、ナツト等の
表面処理、らるいは、顔料の表面処理、Ｓ料化、焼結材
料用粉体の表面処理といつ几ように９種々の工業材料に
適用することができる。
ッーキ体に対しても均一被膜を効率的に形成することが
できるので、ボールペンのボ□ −ル、電子部品等の各
種セラミック材料、腕時計の部品、ボルト、ナツト等の
表面処理、らるいは、顔料の表面処理、Ｓ料化、焼結材
料用粉体の表面処理といつ几ように９種々の工業材料に
適用することができる。
第１図は本発明の装置の一実施例を示す要部縦断面図、
第２図は第１図の振動体部分の拡大図である。 ３・・・・・・振動体、 ４・・・・・・容器、
５・・・・・・電極。 ６・・・・・・フランジ、 ７・・・・・・電流導入
端子、 Ａ・・・・・・ベルシア部。 Ｂ・・・・・・波形発生器 特許出願人 ぺんてる株式会社
第２図は第１図の振動体部分の拡大図である。 ３・・・・・・振動体、 ４・・・・・・容器、
５・・・・・・電極。 ６・・・・・・フランジ、 ７・・・・・・電流導入
端子、 Ａ・・・・・・ベルシア部。 Ｂ・・・・・・波形発生器 特許出願人 ぺんてる株式会社
Claims (3)
- （１）被メッキ体を動かしながら物理的蒸着法により前
記被メッキ体に被膜を形成する方法において、ペルシア
内に配置され比容器を振動することにより、前記容器内
の被メッキ体にその振動を伝え、この状態で被膜を形成
することを特徴とする物理的蒸攬。込による被膜形成方
法。 し〕 - （２）被メッキ体を入れる容器を固着し九電磁気的振動
体をベルシア内に配置し、ま穴、前記振動体に駆動波形
を付与す′る波形発生器をペルシア外に配置したことを
特徴とする物理的蒸着装置。 - （３）前記振動体と前記□波形発生器との電気的接続を
、ペルシア壁のフランジに設けられ次電流導入端子を介
して雇したことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の物理的蒸着装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12841281A JPS5831076A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 物理的蒸着法による被膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12841281A JPS5831076A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 物理的蒸着法による被膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831076A true JPS5831076A (ja) | 1983-02-23 |
Family
ID=14984126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12841281A Pending JPS5831076A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 物理的蒸着法による被膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831076A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483660A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Tdk Corp | Vacuum film formation |
| DE19757681C2 (de) * | 1996-12-25 | 2003-06-26 | Nat Ind Res I Of Nagoya Nagoya | Auf kubischem Bornitrid basierendes Sintermaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2016122750A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社島津製作所 | ワークホルダ及び成膜装置 |
| RU179897U1 (ru) * | 2017-10-17 | 2018-05-28 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") | Устройство подвода энергоносителей к технологическому распылителю |
| CN110359014A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-10-22 | 惠科股份有限公司 | 一种蒸镀设备和坩埚装置 |
| JP2020520871A (ja) * | 2017-04-20 | 2020-07-16 | ロレックス・ソシエテ・アノニムＲｏｌｅｘ Ｓａ | セラミック部品の製造方法 |
| CN116288211A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 西安工程大学 | 利用磁控溅射制备包覆粉体的装置及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4836082A (ja) * | 1971-09-09 | 1973-05-28 |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12841281A patent/JPS5831076A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| JPS4836082A (ja) * | 1971-09-09 | 1973-05-28 |
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| CN116288211A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 西安工程大学 | 利用磁控溅射制备包覆粉体的装置及方法 |
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