JPS5831403Y2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS5831403Y2 JPS5831403Y2 JP6200476U JP6200476U JPS5831403Y2 JP S5831403 Y2 JPS5831403 Y2 JP S5831403Y2 JP 6200476 U JP6200476 U JP 6200476U JP 6200476 U JP6200476 U JP 6200476U JP S5831403 Y2 JPS5831403 Y2 JP S5831403Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- diffusion source
- semiconductor substrate
- substrate
- boat
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置の製造装置に係り、特にダイオード
、トランジスタ、集積回路等の半導体装置の製造に用い
る不純物拡散用ボードに関する。
、トランジスタ、集積回路等の半導体装置の製造に用い
る不純物拡散用ボードに関する。
従来、板状の不純物拡散源として例えばＢＮの円板を用
いてＳｉ基板中にボロン拡散を行う場合、第１図ａ及び
ｂの側面図及び正面図に示すように、拡散用石英ボード
１上にＢＮ板２．２’・・・・・とＳｉ基板３，３′・
・・・・・を平行に対向するように垂直に立てて行なっ
ている。
いてＳｉ基板中にボロン拡散を行う場合、第１図ａ及び
ｂの側面図及び正面図に示すように、拡散用石英ボード
１上にＢＮ板２．２’・・・・・とＳｉ基板３，３′・
・・・・・を平行に対向するように垂直に立てて行なっ
ている。
この場合ＢＮ板２．２’・・・・・Ｓｉ基板３．３′・
・・・・・どの間隙の上部４，４′・・・・・・ではキ
ャリアーガス（通常はＮ２）の動き得る自由度が大きい
。
・・・・・どの間隙の上部４，４′・・・・・・ではキ
ャリアーガス（通常はＮ２）の動き得る自由度が大きい
。
そのためこの部分４，４′・・・・・・でのＢ ２０３
の単位時間当りの蒸発量が下方の部分に比較して多い。
の単位時間当りの蒸発量が下方の部分に比較して多い。
そのため、ＢＮ板の表面にＢ２Ｏ３の層を形成するため
の酸化をした直後のＢＮ板を拡散源に用いると、第２図
ａの拡散層抵抗の基板内分布図（ＢＮ板の使用回数３回
目の場合の層抵抗の分布を示し、縦軸は層抵抗値、横軸
は半導体基板の上端からの位置を表わす）に示すように
、Ｓｉ基板上端部の層抵抗ρ５が下方の部分の層抵抗ρ
５に比べて低くなる。
の酸化をした直後のＢＮ板を拡散源に用いると、第２図
ａの拡散層抵抗の基板内分布図（ＢＮ板の使用回数３回
目の場合の層抵抗の分布を示し、縦軸は層抵抗値、横軸
は半導体基板の上端からの位置を表わす）に示すように
、Ｓｉ基板上端部の層抵抗ρ５が下方の部分の層抵抗ρ
５に比べて低くなる。
一方ＢＮ板を何回も拡散に使用すると、ＢＮ板の上端部
のＢ ２０ ａが涸渇して来る。
のＢ ２０ ａが涸渇して来る。
そのため逆にＳｉ基板上端部の層抵抗ρ５が下方の部分
のρ８に比べて高くなり始め（第２図すは使用回数２０
０回目ＢＮ板を用いた場合の層抵抗の分布図である）、
拡散に使用した回数の増加とともにこの傾向が激しくな
る（第２図Ｃは使用回数３００回目ＢＮ板を用いた場合
の層抵抗の分布図である）。
のρ８に比べて高くなり始め（第２図すは使用回数２０
０回目ＢＮ板を用いた場合の層抵抗の分布図である）、
拡散に使用した回数の増加とともにこの傾向が激しくな
る（第２図Ｃは使用回数３００回目ＢＮ板を用いた場合
の層抵抗の分布図である）。
そのためＳｉ基板内での層抵抗のバラツキが大きく且つ
頻繁にＢＮ板を酸化しなくてはならないという欠点があ
った。
頻繁にＢＮ板を酸化しなくてはならないという欠点があ
った。
本考案の目的は、ＢＮ等の固体拡散源を用いる拡散にお
いて、半導体基板内の層抵抗の分布を均一にし、かつ拡
散源の酸化頻度を減少させるように工夫された形状の不
純物拡散用ボートを提供することである。
いて、半導体基板内の層抵抗の分布を均一にし、かつ拡
散源の酸化頻度を減少させるように工夫された形状の不
純物拡散用ボートを提供することである。
本考案は、二本の平行に固定された棒状体のそれぞれの
同位置に、はぼ円板状の拡散源及び半導体基板の縁部を
挿入して支持するための互いに隣り合った溝を有する不
純物拡散用ボートにおいて前記互いに隣り合った二つの
溝が相対的に傾斜して設けられていることを特徴とする
ものである。
同位置に、はぼ円板状の拡散源及び半導体基板の縁部を
挿入して支持するための互いに隣り合った溝を有する不
純物拡散用ボートにおいて前記互いに隣り合った二つの
溝が相対的に傾斜して設けられていることを特徴とする
ものである。
本考案によれば、前記互いに隣り合う溝が相対的に傾斜
しているために、拡散源及び半導体基板も互いに傾斜し
て支持されるので、拡散源とそれ・に対向する半導体基
板との上部の間隙を狭くすることができ、拡散時におけ
るその部分のキャリアーガスの動き得る自由度が小さく
なり、上記の目的を達成することができる。
しているために、拡散源及び半導体基板も互いに傾斜し
て支持されるので、拡散源とそれ・に対向する半導体基
板との上部の間隙を狭くすることができ、拡散時におけ
るその部分のキャリアーガスの動き得る自由度が小さく
なり、上記の目的を達成することができる。
以下、実効例に基づき図面を参照して本考案を詳細に説
明する。
明する。
第３図ａ及びｂは本考案による拡散用ボートの第１の実
施例を示す斜視図及び側面図であり、第３図Ｃは該拡散
用ボートにＢＮ板及びＳｉ基板を立てた状態を示す側面
図である。
施例を示す斜視図及び側面図であり、第３図Ｃは該拡散
用ボートにＢＮ板及びＳｉ基板を立てた状態を示す側面
図である。
即ち、垂直に切り込まれた拡散源を立てるための溝６，
６′・・・・・・及び傾めに切り込まれたＳｉ基板を立
てるための溝７゜７′・・・・・・を有する二本の石英
棒８および８′がそれらよりも短かい石英棒９及び９′
によって平行に固定されている。
６′・・・・・・及び傾めに切り込まれたＳｉ基板を立
てるための溝７゜７′・・・・・・を有する二本の石英
棒８および８′がそれらよりも短かい石英棒９及び９′
によって平行に固定されている。
このような構造の拡散用ボートに拡散源及び該拡散源に
Ｓｉ基板の素子形成面を対向させて立てると、第３図Ｃ
（こ示すように、拡散源２゜２′・・・・・・（よ垂直
（こ立つが、Ｓｉｉ板３．３′・・・・・・は傾斜して
立つので、拡散源とＳｉ基板の素子形成面との間隙の上
方部分σ、４′・・・・・・を下方部分５，５′・・・
・・・に比較して狭くすることができる。
Ｓｉ基板の素子形成面を対向させて立てると、第３図Ｃ
（こ示すように、拡散源２゜２′・・・・・・（よ垂直
（こ立つが、Ｓｉｉ板３．３′・・・・・・は傾斜して
立つので、拡散源とＳｉ基板の素子形成面との間隙の上
方部分σ、４′・・・・・・を下方部分５，５′・・・
・・・に比較して狭くすることができる。
したがって、拡散時において、前叩上方部分におけるキ
ャリアーガスの動き得る自由度が押えられるので、Ｂ
２０３の蒸発量も押えられる。
ャリアーガスの動き得る自由度が押えられるので、Ｂ
２０３の蒸発量も押えられる。
・その結果ζ従来法における問題点が解決され、捗散後
のＳｉ基板内での層抵抗の均一性６−’極めて良、りな
る。
のＳｉ基板内での層抵抗の均一性６−’極めて良、りな
る。
又部分的に暮茜、が速いという現象が無ぐなるので、Ｂ
Ｎ酸化後の使用可能な回数が増加し１．ＢＮの酸化頻度
が減少する。
Ｎ酸化後の使用可能な回数が増加し１．ＢＮの酸化頻度
が減少する。
、第４図は本考案による拡散用ボートの第２の実施例で
あり、この場合はボートの構造を拡散源２゜２′・・・
・・・の両面・に（９）って２枚ずつの・Ｓｉ基板３．
３′・・・・・・が傾くように構成しである。
あり、この場合はボートの構造を拡散源２゜２′・・・
・・・の両面・に（９）って２枚ずつの・Ｓｉ基板３．
３′・・・・・・が傾くように構成しである。
、この場合も第３図の実施例と同じ効果が得られ、さら
に処理枚数の増加という効果が加わる。
に処理枚数の増加という効果が加わる。
第５図は本考案の第３の実施例を示す側面図である。
この場合はボートの構造をＳｉ基板３，３′・・・・・
・が垂直に立ち、・それに対して拡散源２．２′・・・
・・・が傾いて立つように構成しである。
・が垂直に立ち、・それに対して拡散源２．２′・・・
・・・が傾いて立つように構成しである。
；の構造でも第３図の場合と同様ρ効果が得られ、その
上この場合はＳｉ基板３．３′・・・・・・が垂直に立
っているためＳｉｉ板の立替えが容易であり、自動的な
立替えも可能となる。
上この場合はＳｉ基板３．３′・・・・・・が垂直に立
っているためＳｉｉ板の立替えが容易であり、自動的な
立替えも可能となる。
以上は拡散源としてＢＮ、半導体基板としてＳｉ及びボ
ートの材料として石英を用いた場合について述べたが、
他の拡散源（例えばＰ３Ｎ５）、他の半導体基板（Ｇｅ
、ＧａＡｓ 、ＧａＡｓＰ等）及ヒ他ノボート材料（
ＳｉＣ、Ｓｉ等）の場合にも適用可能なことはもちろん
である。
ートの材料として石英を用いた場合について述べたが、
他の拡散源（例えばＰ３Ｎ５）、他の半導体基板（Ｇｅ
、ＧａＡｓ 、ＧａＡｓＰ等）及ヒ他ノボート材料（
ＳｉＣ、Ｓｉ等）の場合にも適用可能なことはもちろん
である。
以上のよう（９本考案（こよ、、る、ｌ−’−） ｅ用
いれば、極めて均一な拡散層坤、抗が得られると同時に
拡散源の酸化頻度を、大幅に減少できるという大きい効
果が得られる。
いれば、極めて均一な拡散層坤、抗が得られると同時に
拡散源の酸化頻度を、大幅に減少できるという大きい効
果が得られる。
第１図ａ及びｂは、従来の拡散用ボートに拡散源とＳｉ
基板を立てた状態、を示す側面図・及び正面図、第２図
ａ、ないしＣは従来の搏散用ボートを用いた場合の拡散
層抵抗の、半導体基板内分布を示す曲線図、第３図ａ及
びｂはそれぞれ本考案による拡散用ボートの第１の実婢
例＠、、４．．すす祝図尽び側図、第３図Ｃ，第４図及
び第、５甲はそ斗ぞれ本考案の第１、第２、第３の実施
例を拡散源とＳｉ基板を立てた状態で示す側面図である
。 。、：、１図に於て、１，１′・・・・・・（ジ拡散用
ｆ−ｐ、、’２．．’２’、・・・・、・・は拡散源、
３．３′・・・・・・は半導体基板、４．４′・・・・
・・・（≠拡散層と半導体基板の間隙の上方部分、５．
５′・・・・・・は拡散源と半導体基板の間隙の７方、
部分、６．６’・・・・・は拡散源を立てるための溝、
７．７’・・・・・は＋、、導体基俸を立てるための溝
、８．８’、９．９’・・・・・、・は石英棒である。
基板を立てた状態、を示す側面図・及び正面図、第２図
ａ、ないしＣは従来の搏散用ボートを用いた場合の拡散
層抵抗の、半導体基板内分布を示す曲線図、第３図ａ及
びｂはそれぞれ本考案による拡散用ボートの第１の実婢
例＠、、４．．すす祝図尽び側図、第３図Ｃ，第４図及
び第、５甲はそ斗ぞれ本考案の第１、第２、第３の実施
例を拡散源とＳｉ基板を立てた状態で示す側面図である
。 。、：、１図に於て、１，１′・・・・・・（ジ拡散用
ｆ−ｐ、、’２．．’２’、・・・・、・・は拡散源、
３．３′・・・・・・は半導体基板、４．４′・・・・
・・・（≠拡散層と半導体基板の間隙の上方部分、５．
５′・・・・・・は拡散源と半導体基板の間隙の７方、
部分、６．６’・・・・・は拡散源を立てるための溝、
７．７’・・・・・は＋、、導体基俸を立てるための溝
、８．８’、９．９’・・・・・、・は石英棒である。
Claims (1)
- 拡散源と半導体基板の素子形成面とを所定の間隔をおい
て互いに対向させる手段と、該拡散源から該半導体基板
へ不純物を拡散させる手段とを備えた半導体装置の製造
装置において、前記拡散源と前記半導体基板の素子形成
面との所定の間隔は下部よりも上部の方が狭くなってい
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200476U JPS5831403Y2 (ja) | 1976-05-14 | 1976-05-14 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200476U JPS5831403Y2 (ja) | 1976-05-14 | 1976-05-14 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52152676U JPS52152676U (ja) | 1977-11-18 |
| JPS5831403Y2 true JPS5831403Y2 (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=28523982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6200476U Expired JPS5831403Y2 (ja) | 1976-05-14 | 1976-05-14 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831403Y2 (ja) |
-
1976
- 1976-05-14 JP JP6200476U patent/JPS5831403Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52152676U (ja) | 1977-11-18 |
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