JPS5831509A - 厚膜導体組成物 - Google Patents

厚膜導体組成物

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JPS5831509A
JPS5831509A JP13384882A JP13384882A JPS5831509A JP S5831509 A JPS5831509 A JP S5831509A JP 13384882 A JP13384882 A JP 13384882A JP 13384882 A JP13384882 A JP 13384882A JP S5831509 A JPS5831509 A JP S5831509A
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thick film
inorganic
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EI Du Pont de Nemours and Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は厚膜電極組成物、そして特に密對性セラミック
コンデンサー用端子として有用なそのような組成物に関
する。
厚膜伝導体は抵抗、コンデンサーおよび集積回路の間の
電気的な相互接続子として働く。厚膜導体はマイクロ回
路産業において典型的には基質上に導体パターンを焼成
させ、そして次いでその導体・セターンの一部分上に抵
抗またはコンデンサーパターンを印刷しそして次いで両
者を共に焼成させることによる抵抗またはコンデンサー
パターンの「端子形成」のために使用される。
その他の厚膜物質と、同様に、厚膜導体は共に微細に分
割され九形態でそして有機ベヒクル中に分散されている
活性(電気伝導性)金属および無機結合剤を包含してい
る。導体相は通常は金、パラジウム、銀、白金またはそ
の合金であり、その選択は希求されている特定の性能特
性、例えば抵抗率、はんだづけ性、はんだ浸出抵抗性、
移動(migration)抵抗性、結合性その他に依
存する。
厚膜技術は蒸発ま九はスパタリングによる粒子の沈着を
包含する薄膜技術とは対照的なものである。厚膜技術は
0.ム、 Harper氏編[HandbOokof 
Materimls and Processes f
Or KlectronicsJ(McGraw−H1
11社1970年版)第12章に論じられている。
厚膜伝導体の接着性能を決定する最も重要な7アクター
の一つは無機結合剤成分の化学である。厚膜伝導体中に
は3種の結合剤タイプ、すなわち(1)ガラス、(2)
酸化物、そして(3)ガラスおよび酸化物の混合物が一
般に使用されている。
−ガラス結合系においては、そのガラスは典型的には焼
成の間に基質と伝導体金員との間の界面に移行しそして
これらの表面をぬらす。ガラスの先端は基質から金属層
中に延び、そして時には金属層の表面まで圧さえも及ん
で機械的結合を形成せしめる。
はとんどのはんだづけ可能な厚膜伝導体系中における最
も一般的な結合剤成分は酸化ビスマスであり、これはは
んだづけ性および基質接着性を容易ならしめる。このよ
うにして酸化ビスマス(Bi20.)は「7ラツクス(
融剤)」作用を与えることによって不要の酸化物および
ガラスを除去する働きをなす。更にそれはその他の結合
剤成分例えばガラスおよび酸化物の流れおよび伝導体−
基質界面への移行を容易ならしめることによってそれら
の効率を改善する。
しかしながら例えばB1705のような多くの無機物質
は核形成しそして印刷および焼成された電極フィルムの
厚さよりもはるかによ重大なるサイズに生長することが
見出されている。
そのような生長物は上に印刷されたコンデンサーまたは
抵抗体層中に突出しうる。その結果、そのような結晶機
能はそれと共に伝導体が使用されている他の厚膜系の性
質を重大に阻害しうる。例えばこのタイプの伝導体がオ
ーバーレイ印刷コンデンサーの端子形成のために使用さ
れている場合には、コンデンサーフィルムは多分その密
封性の悪化またはその破壊さえも示す。
そのような結晶生長を示す伝導体層を使用して端子形成
せしめた抵抗体またはコンデンサ一層の性質の悪化は特
定の伝導体の組成によって変動する。それにもかかわら
ず、それはなかんずく下にある伝導体組成物中に存在す
る無機物質のイオン化−移動性質の関数であると考えら
れる。
誘電性の劣化および最終的破壊は誘電体物質中に存在す
る元素の再配向、イオン化およびイオン移動、または系
中に吸収されている不純物tiは電極端子中に存在する
イオン化可能成分のイオン化および移動、または前記す
べてのものに帰せられる。そのような無機イオンのイオ
ン化−移動は一般に、電極組成物のガラス/フリット成
分に原因がある。無機イオンのイオン化および移動は容
易にイオン化する無機酸化物の存在により、すなわちそ
れらがガラス/フリット成分として存在するのではなく
それらが別々の相として存在している場合に増大する。
ある種の厚膜組成物に関して共通の更に別の問題ははん
だづけの間の銀の損失すなわちはんだ洩れであ抄、これ
は伝導体の伝導性およびはんだづけ性の両方に強い悪影
響を与える。この問題は銀含有組成−の場合に特に重大
である。
便にこの問題はより高い銀濃度、より高いはんだづけ温
度の使用により、そして熱いはんだへのより長時間の曝
露により、悪化される。
従来技術の伝導体に関する前記の間4点は。
無機結合剤の注意深い遇択によって自由v′C移行性の
容易にイオン化する無機物質そしてまた4膜焼成条件の
間に核形成しそして生長する物質を除外した印刷伝導体
製造用パラジウム/錯金属化物に関する本発明によって
克服される。
更に詳しくは、本発明は下記すなわち 五 重量基準で (1)6〜60部のパラジウム金−および(2)  9
4〜40部の鋼金属または同一比率のその合金 を包含する微細分割金緘性者質粒子50〜95重量%、
および B 微細分−11されたビスマス不含低融点低粘度、 
の好ましくは失透可能なガラスの粒子5〜50重tS の混合物である、印刷亀子の製造に適当なパラジウム/
銀金属化吻に関する。
別の態様において、本発明は有機媒体中に分散せしめら
れた82〜97重量−の前記金部化物および3〜18重
量−の微細分割無機結合剤物質粒子を包含するスクリー
ン印刷可能なイーストに関する。更に本発明は、前記ス
クリーン印刷可能なイーストのパターンを印刷し、そし
てその印刷された基質を有機媒体を蒸発させるために焼
成しそして無機結合剤と金属化物とを焼結させることに
よって製造された伝導体ノ署ターンをその上に固定せし
めた非伝導性セラミック基質を包含する導性エレメント
に関する。更にその他の態様においては、本発明は(a
)非伝導性セラミック基質に前記スクリーン印刷可能な
ば一ストの/ぞターン形成された厚膜を適用すること、
(b)このフィルムを200℃以下の温度で乾燥せて無
機結合剤と金員化吻との焼結を行わせることを包含する
導体を製造する方法に関する。
ム 電気伝導性物質 本発明に使用される微細分割金属は厚膜導体における使
用に対して市場的に入手可能なパラジウムおよび銀の粉
末のいずれかでありうる。
前記全調性物質の粒子サイズは本発fy4ttcおける
その技術的有効性の観点からはさほど臨界的ではない。
しかしながら勿論それらは適用法(通常はスクリーン印
刷である)および焼成条件に適当なサイズのものである
べきである。すなわちこの金属性物質は10μ以上でお
るべきではなく、そしてこれは好ましくけ約5μm以下
であるべきである。実際的な問題として利用可能な金員
粒子サイズはパラジウムに対しては0.1μ程度の低い
ものであり、そしてこれは銀に対してはa1〜10μm
である。
?!/Ag金属粉末の比は006〜1.5の関好ましく
はCLO6〜CL5の間に変動させることかで龜る。
金員粉末はフレーク状または非フレーク形態を有しうる
。非フレーク粉末は不規則形状でありうるしまたは球形
でありうる。フレーク形態とはその主なる形状が走査電
子顕微鏡で測定した場合にフレークであるような金属粉
末を意味している。そのようなフレーク鋼は約1m27
tの平均表面積および約99〜100重量−の固体分含
量を有している。非フレーク銀粉末は典型的には1〜2
 m2 / fの平均表面積および約99〜100重量
−の固体分含量を有している。ノ(ラジウム金属粉末は
5.0〜1−OW%2/f好ましくけ。
7.0〜11.0解2/yの平均表面積および約99〜
100重量−固体分含量を有している。
B 無機結合剤 本発明の厚膜組成物中のガラス成分は重量基準で1〜2
0部水準、そして好ましくは5〜15NS水準の低軟化
点ガラスである。本明細書中に使用されている「低軟化
点ガラス」の表現は繊維伸長法(ム8TM−03!18
−57 )により測定して600℃以下、そして好まし
くは400℃以下の軟化点を有するものを意味している
。本発明に使用されているガラスは焼成温度においては
低い粘度を有していて、無機粒状物の液相焼結を助ける
ものでありそして好ましくは焼成サイクlしの終゛りに
冷却を完了させ九際に失透可能なものでなく【はならな
い。焼成温度におい16以下の比粘度(λOg/′η)
を有するガラスが特に好ましい、tたこのガラスが容易
にイオン化する無機物質をほとんどかまたは全く含有し
ていないと、とも好ましい。
前記基準を満足させる典型的な例は重量基準で50〜8
0 %(7)Pb504 オヨび10−50 % (’
) Goo2を含有する鉛ゲルミネートのビスマス不含
ガラスである。特に好ましいガラスは7a5%のPI)
504および21.5%のGeO2を含有している。
このガラスは通常のガラス製造技術によって所望の比率
で所望の成分を混合し、そしてこの混合物を加熱して溶
融物を生成させることによって製造される。当技術分野
では周知のように、加熱はピーク温度まで、そして溶融
物が完全に液体となりそして均質となるような時間の間
実施される。この操作においては、成分をポリエチレン
ジャー中でプラスチックボールと共に振盪することによ
って予め混合させ、そして次いで825〜850℃で白
金るつぼ中で溶融させる。
この溶融物を1〜1z時間の間ピーク温度に加熱する。
次いでこの溶融物を冷水中に注ぐ。急冷の間、溶融物に
対する水の容量比を増大させることKよって、水の最高
温度を町及的低く保つ。水から分離させた後、この粗製
の7リツトを空気中で乾燥させるかまたはメタノールで
洗ってその水を置換させることによって残存水から除去
する。次いでこの粗製フリットをアルミナ容器中でアル
ミナボールを使用して3〜5時間ボールイル処理する。
この物質がピックアップするアルミナはもし存在するに
してもX線回折(IRD)分析による測定の観察限界内
にはない。
ミル処理した7リツトスラリーをミルから流出させた後
、過剰の溶媒を傾瀉により除去させ、そしてスリット粉
末を好ましくは100℃で乾燥させる。次いでこの乾燥
粉末を325メツシユスクリーンを通してスクリーンが
けしてすべての大形粒子を除去する。
この7リツトの二つの重要な性質は、それが無機結晶性
粒状物質の液相焼結を助けるということ、そして厚農組
成豐の製造における加熱−冷却サイクル(焼成サイクル
)の間の失透(devitriflcation) K
よって非結晶性(無晶形)または結晶性物質を形成する
ということである。
この失透過程は前駆体たる非結晶性(ガラス状)物質と
同一組成を有する檗−結晶相または前駆ガラス状物質の
ものとけ異った組成を有する多結晶性相のどちらかを生
成させうる。
0 金属酸化物 前記のように本発明の組成物はほとんどの適用に対して
非常に満足すべき接着を有している。
それにもかかわらず、この金属化物のはんだおよび基質
に対する接着性はある種の金w4酸化物(MeO)の添
加によって更に改善させうろことが発見された。従って
多くの応用に対しては、その組成物中に全固体基準すな
わち伝導性物質、無機結合剤、および金属酸化物の合計
重量基準でα1〜10重量饅のM・0を包含させるのが
好ましい。はとんどの適用に対しては1〜5mm%のM
eOが好ましい。
本発明の実施に対して適当な金属酸化物は本発明の組成
物を焼成させた場合にAj!205と反応してスピネル
構造を形成しうるものである(MeJ204χこれら金
WI4酸化物の正確な作用機構は知られていないけれど
も、この金属酸化物はガラス相を通してセラミック基質
に輸送され、そこでそれらがムtt2o5基質の表面と
相互作用して機械的に強いスピネル構造を形成すると信
じられている。
適当な無機酸化物はzJ”、Mg 2 +、002+、
N12+、Fθ2+およびMn2+各イオンに基くもの
である。
焼成条件下に分解して相当す・る金属酸化物を生成する
金鴫酸化物前駆体例えば炭酸塩および蓚酸塩を使用して
比肩しうる有効性を得ることができるi結論としては本
明細書中で使用されている場合には[MeoJおよび「
金員酸化物」の表現はそのような前駆体をも同様に包含
する。
金員酸化物およびその前駆体の粒子サイズは、通常はス
クリーン印刷である本発明の組成物が適用される方法に
適当なサイズのものであるべきである。すなわちこの粒
子サイズは約15μ以上であるべきではなく、そしてこ
れは好ましくは約5μm以下であるべきである。
D 有機媒体 無機粒子を機械的混合(例えばロールミル上で)によっ
て不活性液体媒体(ベヒクル)と混合してスクリーン印
刷に適当なコンシスチンシーおよびレオロジーを有する
ペースト様組成物を生成せしめる。後者を「厚膜」とし
て通常の方法で通常のセラミック基質に印刷する。
すべての不活性液体をベヒクルとして使用することがで
きる。濃厚化剤(シックナー)および/または安定剤お
よび/またはその他の一般的添加剤を加えたかまたはこ
れを含有しない種々の有機液体をベヒクルとして使、用
することができる。使用しうる有機液体の例は脂肪族ア
ルコール、そのようなアルコール、のエステル例えばア
セテートおよびプロピオネート、チルRン例えば松根油
、テルピネオールその他、溶媒例えば松根油中の樹脂例
えば低級アルコールのポリメタアクリレートの溶液およ
びエチルセルロースの溶液およびエチレングリコールモ
ノアセテートのモツプチルエーテルである。好ましいベ
ヒクルはエチルセルロースおよびβ−テルピネオールに
基くものである。このベヒクルは基質への適用後の迅速
な固化を促進させるために揮発性液体を含有しうる。
分散液中の固体に対するベヒクルの比はかなり変動させ
ることができ、そしてこれは分散液を適用すべき方法お
よび使用されるベヒクルの種類に依存する。通常良好な
被覆を達成させる丸めには、分散液は相補的に60〜9
0−の固体分および40〜10−のばヒクルを含有して
いる。
本発明の組成物は、勿論その有利なIf!I性に悪影響
を与えない他の物質の添加によって修正させることがで
きる。そのような処方は当業者の技術範囲内にある。
R−ストは便利には3本ロールミル上で製造される。こ
れら組成物の好ましい粘度は10RPMで◆5スピンド
ルを使用してブルックフィールドHBT粘度計上で測定
して約100〜150Pa8であり、そして使用される
ベヒクル量は最終的な所望処方粘度によって決定される
処方および適用 本発明の組成物の製造においては、粒状無機固体を有機
担体と混合し、そして適当な装置例えば3本ロールミル
を使用して分散させて得られる懸濁液の粘度が、4秒−
1の剪断速度で約100〜150パスカル秒の範囲であ
るような組成物を生成させる。
後記の実施例においては処方は以下のようにして実施さ
れた。
ぼ−、スト成分から約5−の有機成分を減じたものを容
器中に一緒に秤量する。次いで成分を激しく混合して均
一なブレンドを生成させる。
次いでこのブレンドを分散装置例えは3本ロールミルに
送って粒子の良好な分散を達成せしめる。ヘゲマンゲー
ジを使用してイースト中の粒子の分散状態を測定する。
この機械は一方の喝で25μm深さく約1tV)、そし
て他方の端でO′深さまで盛9上っているスチールブロ
ック中のチャンネルよねなっている。ブレードを使用し
てこのチャンネル長さに沿っては−ストを引きおろす。
集塊の直径がチャンネル深さよりも大であるところでは
チャンネル中にスクラッチ(引掻き)が出現する。満足
すべ色分散液は典型的には10〜18μmのAのスクラ
ッチ点を与える。良好に分散されたペーストでチャンネ
ルの半分が覆われないような点は典型的には3〜8μm
の間である。〉20μmの%スフ2ツチ測定値および〉
10μmの「半チャンネル(half−channel
) J測定値は劣悪な分散の懸濁液を意味する。
次いでイーストの有機成分を構成する残りの5−を加え
、そして樹脂含量を調整して完全に処方し九場合の粘度
が4秒−1の剪断で100〜150Pa8の間となるよ
うにする。
次いでこの組成物を通常はスクリーン印刷法によって基
質例えばアルミナセラミックに約10〜30μ好ましく
は10〜15μの湿時厚さに適用する。本発明の電極組
成物は通常の方法で自動プリンターを使用するかまたは
ハンドプリンターを使用して基質上に印刷することかで
睡る。好ましくは200〜525メツシユスクリーンを
使用する自動スクリーンステンフル技術が採用される。
次いで印刷パターンを200L以下、例えば約150℃
で約5〜15分間乾燥させ、そしてその後で焼成させる
。無機結合剤および金属の微細分割粒子の両方の焼結を
行わせるための焼成は約500〜600℃における有機
物質の焼却、約5〜15分間続く約800〜950℃の
最高温度期間、それに続く過焼結、中間温度における望
ましくない化学反応または急速にすぎる冷却から生じう
る基質の破壊を防ぐだめの制御された冷却サイクルを可
能ならしめる温度プロフィルを使用して、好ましくは良
好に排気されているベルトコンベア炉中で実施される。
全焼成過程は好ましくは焼成温度に達するまでの20〜
25分、焼成温度における約10分および冷却における
約20〜25分を有する約1時間の時間にわたる。
導体の焼成厚さは固体外−1組成物印刷に使用されるス
クリーンのタイプ、印刷機のセットアツプおよび無機固
体分の焼結度によって約6〜約15J1の範囲でありう
る。
定義および試験法 1、 はんだ接着性 本発明の電極組成物のけんだ接着性は次のようKして評
価される。
(a)  電極組成物を自動印刷機および200メツシ
ュ接着・モターンスクリーンを使用して印刷し、高温例
えば125℃で約15分乾燥させ、そして空気中でベル
ト炉中で10分間850℃のピーク温度で焼成せしめる
(b)錫でコーティングした銅導線をこのパターン上に
置きそして5nlpBΔgまたはsry’pbはんだ中
に浸す。
(C)、初期はんだ接着引張り値を20インチ/分の引
張り速度で「インストロン[F]」装置を使用して測定
する。導線を引き離すに要するボンド(lba)で表わ
した力が接着の尺度としてとられる。
@)アルミナ基質上に印刷された前記電極接着パターン
をはんだづけしそして種々の時間の間オーブン中に10
0〜150℃で保存し、その後で老化接着値を測定する
2、 誘電定数(6)) 誘電定数(dielectric conatant)
は電場の影響下に電位を保存する誘電物質の能力の尺度
である。すなわち誘電体として物質(この場合は、セラ
ミック)を使用したコンデ−ンサーの静電容量(キャパ
シタンス)の誘電体として真空を使用した場合の静電容
量に対する比である。
五 誘電物質 篩篭物質は電荷を分離させそして結果として電荷の保存
を与えうる非伝4性物質または絶縁体である。
4、散逸係数(DIF) 散逸係数(d1asi’pation factor)
は一方の導線から他の導線への誘電体を通しての伝導に
よる内部損失の尺度である。この電力損失はそれが装置
の温度を上昇させるが故に望ましくない電気エネルギー
の熱散逸の結果となる。
1 絶縁抵抗(IR) 絶縁抵抗は誘電体を通しての電気の洩れの尺度である。
DO抵抗は回路の端子間に適用されたある電圧において
測定される。
静電容量おiび散逸係数はヒユーレット・・ぞツカード
HP4274ム多周波数LORメーターを使用して測定
され、他方絶縁抵抗はスーパーメグオームメーター型式
RM 170(Biddle工natrumantsム
VOLt(1,製品)を使用して測定される。絶縁抵抗
の測定は、コンデンサーK 100 VIMRヲ負荷さ
せた後に実施される。各々の数字は少くとも10回の測
定の平均である。n電体層の厚さはグールドサー7アナ
ライザー(GouIIi E?uゴanalyaar)
150/し:ff−1’−250を使用して測定される
。誘電定数は方程式 %式% (式中、Cはコンデンサーの静電容量であり、ムけ誘電
体層に接触している小形電極の面積であ抄、tは置型体
層の厚さである)を使用して計算される。
すべてのコンデンサーは焼成後、少くとも15時間老化
させ、そしてその後で電気的測定が実施された。この老
化時間の間にその散逸係数(D?) 耐α5〜21減少
するのが普通である。しかしながら静電容量は一般にこ
の期間の間影脣を受けない。
& 密封性(ヘルメチシティ) コンデンサーの高いD?および低い工Rを招来する水の
可逆的吸収は水含浸試験を使用して評価される。この試
験はコンデンサーの密封性の尺度として使用される。3
組のコンデンサーを50℃の温度の水に浸しそして最I
iI+10日間水中に保つ。試験のためにはr 209
5パス・アンド・ナーキュレータ−(Bath la 
01rculator) J(マスターライン、フォル
マ・サイエンティフィック)が使用される。第1の組の
コンデンサーは24時間vkVC1第2 f)1ml’
i 5 B後に、−tして第6組は10日後に増り出さ
れる。表面の水をマイクロワイプを使用して拭き申り、
そしてその絶縁抵抗を100ポル)(DC)をこのコン
デンサーに負荷した後に測定する。コンデンサーを再び
回復させそしてその絶縁抵抗を再測定する。同一の組の
コンデンサーを更に10日間水中に浸しそしてその絶縁
抵抗を再び測定する。
水の中で老化せしめられたコンデンサーは絶縁抵抗にほ
とんど低下を示さ々い。これを密画シールの尺度として
とる。
1 ts電相容性 本発明の電極組成物の相客性を誘電体組成物を使用して
評価した。厚膜コンデンサーの製造に対しては次の方法
が使用された。
1、 後述の電極組成物を自動印刷機を使用して印刷し
、120℃で約15分乾燥させそして空気中でベルト炉
中で10分間約829〜925℃のピーク温度および1
〜1.5時間の全焼成サイクルで焼成させて得た焼成厚
さはサーファナライザーで測定した場合10〜14μm
であった。
’1.@電体組成物の1個の層をスクイージ−による二
重ウェット/セスを使用して電極編上に印刷しそして1
25℃で約15分乾燥させた。
& 誘電体組成物の第2の層を第1の層の上に印刷し、
そしてそれもまた15分間125℃で乾燥させた。
4、最後に霞電体層上に電極組成物を印刷しそして12
5℃で約15分間乾燥させた。この2個の誘電体層およ
び頂部電極を次いで空気中でベルト炉中で10分間約8
25〜950℃のピーク温度および1〜1.5時間の全
焼成サイクルを使用して焼成させた。2個の誘電体層の
合した焼成厚さはサーフアナライザーで測定して30〜
60μmであった。
& はんだ洩れ抵抗性 はんだ洩れ抵抗試験は次のようにして実施され九。焼成
部品を中等度に活性なフラックス例えばアルファ611
に浸し1次いでセラミックチップの端縁部を溶融はんだ
に5秒間浸漬させることによって加熱し九。次いでこの
チップを10秒間はんだに沈め、次いで引き出し、清浄
にしそして検査した。20ミル幅のす−にンタイン伝導
体ラインに破壊を生ぜしめるに必要な浸漬回数によって
破壊を測定した。伝導体の再湿潤化および伝導体ライン
損失ははんだ洩れが生じたことを示す。
本発明は次の実施例を参照することによって更に理解さ
れよう。
例  1 本発明によって一連の導体を製造しそして帥記試験法を
使用して結合剤成分中に包含されたビスマスを含有する
従来技術導体と比較した。
本発明および従来技術導体の種々の組合せを使用して3
種の異った誘電体組成物を端子形成させそして水中に1
0日装いた俵のそのXRを測定した。
市場的に入手可能々従来技術の導体組成物は次の組成を
有してい友。
銀粉末          44.3重量慢ノラジウム
粉末      17.8#無機結合剤       
 15.9#有機媒体        残量 無機結合剤組成物は次の組成を有する通常のビスマス含
有ガラスであった。
Bi2O575,1チ(重量) PbOIQ、9 sio2          9.5 0aO2,4 B20S           1.2ム髪203  
       1.1 合計           100 次の組成を有する本発明の2種の組成物を製ノラジウム
粉末     17.8チ(重量)   16.5チ(
重量)銀粉末        44.5     45
.5無機結合剤(pb5(至)!!011)  15.
9     15.9有機媒体       残量  
  残量はんだ接着性に関してこれら3種の導体′を比
較した場合、本発明の組成物は大約同−の初期はんだ接
着性および135℃で24時間老化させ九場合の接着性
を有していることが見出された。
しかしながらそれらは150℃で老化させた俵では許容
はされうるけれども従来技術導体物質よ抄もいくらかよ
り低かった。
このことは次の表1に要約されている試験データを参照
することによって知ることができる。
表  1 相対的はんだ接着値 はんだ接着(ポンド)   1  2 商業的電極開始
時(単一焼成)    &7  7.7  7.413
5℃24時間老化  4.7  5.4  5.015
0℃24時間老化  2.9   五75.0開始時(
2重焼成)    6.6  7.9  7.9135
℃24時間老化  4.0  4.4  4.7150
℃24時間老化  2.0   五44.7例  2 前記試験法7を使用して試料ムおよび従来技術導体(P
)(例1記載)の誘電相容性をそれら両方を別々にかま
たは組合せて使用して異ったコンデンサーを端子形成さ
せることによって測定した。
次の4種の構造物が使用された。
情   造     1 2 5 4 上@電極   PPA  ム 下側電極   PAP  ム 各構造体を、10日間50℃の水中に浸した後にその絶
縁抵抗(工R)を試験した。比較のために構造体1の初
期lR41た試験した。5檜のコンデンサーはそれらの
誘電定a@)および散逸係数(DF )により特性づけ
られている。これらデータは以下の!!2に与えられて
いる。
表 2 絶縁抵抗性 構造1 K       59   97  156DF饅) 
    1.o    1.3  1.4IR,初期(
Q)    )1010   >109   >101
0工R110日後型    >1o’     >1o
6   >1a6構造2 IN、  l0EI後1)    >1oa     
>1o6  >106慣造5 IR,10El後1)   >10”    >108
   >108構造4 IR,jQ日後型)    >1o9    >1o9
   >1o9構造2に対するデータは、下II鑞極に
対して本発明の組成向を使用すると、それ*aで坂も低
い誘電性の物質に対するIR低下の改善を与えることを
示す。しかしながら構造5においては、水中で10日問
おいた後のIRの低下はすべての5種のコンデンサーに
対して実質的に改善され丸。最後に本発明の組成物が上
側および下側電極の両方に使用された場合(構造4)で
はXR低下の更にそれ以上の改善が5種のすべてのコン
デンサー物質に対して観察された。
例  3 前記試験法を使用してスピネル形成性金属酸化物を含有
しそして種々のパラジウム/銀比を有するS種の本発明
の厚膜ペースト組成物から一連の導体を製造し九。これ
らは−ストの各々は74重tSの固体分および26重量
−の有機媒体を含有していた。この導体を850℃で1
回また線3回焼成させ、そして初期および150℃で4
8時間老化後の両方のそのはんだ接着性を2種のはんだ
組成物を使用して試験した。更に各試料のはんだ洩れ抵
抗を試験した。このペースト組成物の組成およびそれか
ら製造された導体の性質は以下の表3に与えられている
表   3 はんだ接着性に及ぼすpa/Ag比の効果銀粉末   
  70,5    75.0      77.0パ
ラジウム粉末 1 !、、5     10.8   
    6.8酸化亜鉛    2.7     2.
7       2.7(Ax/Pa)    (5,
2)     (6,8)      (11,5)[
62/36/2 BolPし総〕   接着性(ポンド
)脚W、5x   6.8  3.1   6.6  
 !Ll   7.0  4.4[10/90 Pb/
an ] 焼成1x  5.3 4.4  5.2 4.5 4A
  42焼成5x  4.9 4.0  5.1 4.
6 4.9 3.7前記データは本発明の組成物の接着
性が両タイプの1よんだ(′こ関して全く満足されるも
のであること、そして老化による接着の劣什は許容の限
度内K 6ることを示す、更に単−回および多数回焼成
導体の間には有意な傾向の差は認められなかった。
例  4 同一の銀/パラジウム比を有するがしかし一方のみがス
ピネル形成性金属を含有している東に2種の導体組成物
を製造した。それから一連の導体を製造しこれを前記の
ようにしてその接着性およびはんだ洩れ抵抗性に関して
試験した。
それぞれ26重量−の有機媒体を含有するに一スト組成
吻の組成およびそれから製造された導体の性質は以下の
表4に与えられている。
表   4 銀粉末      77.3   790パラジウム粉
末       8・08・2酸化亜鉛       
   2・7    −無機結合却[Pb5Ge30+
1)    12−0    12.3(Ag/Pd 
)         (9,7)    (9,7)焼
成IX      8.6 5.6 6.0 0.5ス
ピネル形成性金属酸化物を含有する厚膜組成物から製造
された導体の接着性はその物質を全く含有しないものよ
りも顕著に優れていた。
更に亜鉛酸化物含有導体のはんだ洩れ抵抗性はそのスピ
ネル形成性物質を全く含有していないもの工りも少くと
も5倍良好であることが観察され九。
厚膜コンデンサー中の密封性を与えるために必要な正確
なパラメーターは確実には知られていない。しかしなが
らある種の機構を仮定することができる。例えばコンデ
ンサーを湿気K11g出させた場合の絶縁抵抗の低下は
多分イオン化および粒子境界、孔および空隙を経てカソ
ード電極方向に向ってアノード電極から誘電体中に陽イ
オンが拡散することに関係している。このイオン化およ
びイオン移動過程は容易にイオン化性の酸化物例えばB
i2O5を含有する電極組成物の場合に強調される。第
2の相としての水活性無機物質の存在はそのようなイオ
ン化過糧の速度を上昇させる。また端子の孔度は水接触
に対してより大なる表面積を与えることKよってこの過
程を活性化しうる−0 本発明の電極は(1)pb5e・5011ガラスの粒子
境界に沿っての液相焼結およびガラス性消失(失透)お
よび(2)易イオン化性無機物の不存在の故に完全に密
である。従って、湿った条件下にこの電極は移動性イオ
ンに寄与せず、そして/または誘電体中へのプロトンの
移行も許さない。
Bt2o5様物質は水の存在下には高度にイオン化性で
ありそしてBig+は移動性なのであるから、Bi2O
5および同類の物質の系からの除去はイオン移動のほと
んどを減少させる。
通常のコンデンサーにおいては満足すべき密封性を得る
ためにはガラスまたは有機封入コーティングが必要であ
る。しかしながらこのデータはそのような例外的封入法
は本発明の組成物に対しては不要であることを示してい
る。
特許出願人  イー・アイ・デュポン・ド・ネモアース
・アンド・コンパ二一 手続補正書 昭和57年/7月−)1」 特許庁長官 若 杉和 夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第135848号 2、発明、の名称 厚膜導体組成物 3、補正をする者 事件との関係 譬許出麗人 名称 イー・アイ・デュポン・ド・ネモアース・アンド
・コンAニー 4、代理人 5、補正命令の日付(自発) 昭和  年  月  日(発送日 昭       )
tmm正対対象明細書cn許請求own囲の欄特許請求
の範囲を別紙のとお夛補正します。
以上 2、##!F晴求の範囲 IXA)  50〜95重量−の (1)6〜60重量部のパラジウム金属および (2)  94〜40重量部の銀金員または同一比率の
その合金 を包含する微細分割金属性物質粒子、およびφ) 5〜
50重量−の微細分割されたビスマス不含低融点低粘度
の失透可能なガラスの粒子 の混合物であることを特徴とする、印刷端子の製造に適
当なパラジウム/銀金属化吻。
2)  Pd/ムg重量比が106〜1.5である、前
記特許請求の範囲第1項記載の金属化物。
3)ガラスが重量基準テ5o−so *(i’)Pb5
04オよび10〜50 ’4 GeO2を含有している
。前記特許請求の範囲第1項記載の金属化物。
4)ム1t2o5と反応してスピネル構造を形成しうる
無機金域鈑化吻(L1〜10重瀘チを重量九官有してい
る、前記特許請求の範囲is1項記載の金属化物。
5)スピネル形成性成分がZn、 Mg、 00、N1
、FeおよびMnよりなる群から選ばれた二価の金属の
酸化物または酸化物前駆体である、前記特許請求の範囲
第4項記載の金属化物。
6)金属化物が有機媒体中に分散された状7 である、
前記特許請求の範囲41〜5項記載の金属化物。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)(4) 50〜95重量−の (1)6〜60重量部のパラジウム金員および (2)  94〜40重量部の鋼金属または同一比率の
    その合金 を包含する微細分割金属性物質粒子、およびψ) 5〜
    50重量%の微細分割されたビスマス不含低融点低粘度
    の失透可能なガラスの粒子 の混合物であることを特徴とする、印刷端子の製造に適
    当なパラジウム金属化物。 2)  pa/ムg重量比がα06〜1.5である、前
    記特許請求の範囲第1項記載の金属化物。 3)ガラスが電歇基準で50〜80チのPb3O4およ
    び10〜30%G602を含有している、前記特許請求
    の範囲第1項記載の全島化物。 4)  hBloBと反応してスピネル構造を形成しう
    る無機金員酸化物0.1〜10重量−をもまた含有して
    いる、前記特許請求の範囲第1項記載の金員化物。 5)スピネル形成性成分がZn、 Mg、OO,Ni、
    FeおよびMnよ抄なる群から選ばれ九二価の金属の酸
    化物または酸化物前駆体である、前記特許請求の範囲i
    s4項記載の金員化物。 6)5〜18重量−の有機媒体中に分散させた前記特許
    請求の範囲第1項記載の金属化面82〜97重量%を包
    含する、スクリーン印刷可能なイースト。 7)有機媒体がエチルセルロースおよびβ−テルピネオ
    ールの溶液である、前記If!1軒請求の範囲第6項記
    載のスクリーン印刷可能なに−スト。 s)  P(1/Ag1i量比が0.06〜1.5でお
    る、前記特許請求の範囲第6項記載のスクリーン印刷可
    能なペースト。 9)ガラスが重量基準で50〜80チのpb3o4 オ
    よび10〜50−G・02を含有している、前記特許請
    求の範囲第6項記載のスクリーン印刷可能なペースト。 和)  An2o5と反応してスピネル構造を形成しう
    る焦損金属酸化物α1〜10重量%をもまた含有してい
    る、前記特許請求の範囲8J6項記載のスクリーン印刷
    可能なR−スト。 11)スピネル形成性成分がZn、 Mg、 Oo、 
    Ni、FeおよびMnよりなる群から選ばれ九二価の金
    属の酸化物または酸化物前駆体である、前記特許請求の
    範囲第10項記載のスクリーン印刷可能なば一スト。 12)前記特#!F請求の範囲第6項記載のスクリーン
    印刷可能なは−ストのパターン形成された厚膜層を印刷
    し、そして印刷された基質を焼成させて有機媒体の蒸発
    および無機結合剤と金属化物との焼結を行わせることに
    よって形成された導体パターンをその上に固定せしめた
    非伝導性セラミック基質を包含する導体エレメント。 15)(a)前記特許請求の範囲第6項記載のスクリー
    ン印刷可能なイーストのパターン形成された厚膜を非伝
    導性セラミック基質に適用すること、(b)その膜を2
    00℃以下の温度で乾燥させること、そして(0)この
    乾燥膜を焼成させて、無機結合剤と金属化物の焼結を行
    わせることを包含する、導体の製造法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61228178A (ja) * 1985-04-03 1986-10-11 Kyowa Eng Kk バルブ
EP0713357A1 (en) 1994-11-21 1996-05-22 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Thick film paste
US6681437B1 (en) 1999-04-30 2004-01-27 Ntt Advanced Technology Corporation Cleaning tool for optical fiber connectors
JP2006344938A (ja) * 2005-04-25 2006-12-21 E I Du Pont De Nemours & Co 厚膜導体組成物ならびにltcc回路およびデバイスにおけるその使用

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JP2006344938A (ja) * 2005-04-25 2006-12-21 E I Du Pont De Nemours & Co 厚膜導体組成物ならびにltcc回路およびデバイスにおけるその使用

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