JPS5831585A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPS5831585A JPS5831585A JP56129836A JP12983681A JPS5831585A JP S5831585 A JPS5831585 A JP S5831585A JP 56129836 A JP56129836 A JP 56129836A JP 12983681 A JP12983681 A JP 12983681A JP S5831585 A JPS5831585 A JP S5831585A
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- JP
- Japan
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- electrode
- lead body
- lead
- photoreceptor
- semiconductor layer
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非単結晶半導体を具え′ｉｃ受元受光に関する
。
。
元に電気的ＶＣ検出する受光ｇｔｔｔ、所−尤竜ンサが
オプトエレクトロニクス技術の利用が活発になるにつ１
′Ｌ、多方ｏｋｌＶＣ＠豐が増大している・蕗１図は従
来この槌受光装置の正面図、第２図は第１図に於ける＾
−ムー断面図であって、（ｌ）はＰＮ接合（２）を具え
たシリコン単結ａ１から成る半導体基板、（３）に該半
導体基板（１）の−王［ＩＫ酸化処場に工９形ｒ！ｔさ
れた酸化シリコン８１ｏ２の反射防止膜、（４）に該反
射防止膜（３）を貫通して半導体基板１１１の一導電型
領域と結合したアルミニウムＡｆｆ ％の表面電極、（
５１に上記半導体基板（１１の他の一生面の逆導を型領
域とメーミツク接触した金Ａｕ等の裏面を極で、斯る半
導体基板ｉｌ＋乃至裏［ｆｉ電極１５１ ｖｈら新組フ
ォトダイオードの受光体（６）が形成されている。ニア
１ｔ８１Ｕリードフレームから成る鷹１・第２のリード
体で、第１のリード体（７１μ第６図に示す如くその先
端Ｖこ旗状部（７ａ）′ｆｔ肩し、この旗状部（７ａ）
に受光体（６）が４６！置固着さｒｔ−面１１１（ｍｔ
５１と第１のリード体（７１とが電気的に導通している
。一方表面電極（４１と第２のリード体（８１とｆｌｋ
ｕ等のワイヤリード＋９１（Ｈ介して′電気結合してい
る。（１（１４１元金透ｆｔ、せしめる透明エポキシ樹
脂から成るモールド体で、該モールド捧ｔｌｔｍμ均質
な透光性を必要とするためにトランスファモールドＶこ
より所足形状に形成さ几ている。
オプトエレクトロニクス技術の利用が活発になるにつ１
′Ｌ、多方ｏｋｌＶＣ＠豐が増大している・蕗１図は従
来この槌受光装置の正面図、第２図は第１図に於ける＾
−ムー断面図であって、（ｌ）はＰＮ接合（２）を具え
たシリコン単結ａ１から成る半導体基板、（３）に該半
導体基板（１）の−王［ＩＫ酸化処場に工９形ｒ！ｔさ
れた酸化シリコン８１ｏ２の反射防止膜、（４）に該反
射防止膜（３）を貫通して半導体基板１１１の一導電型
領域と結合したアルミニウムＡｆｆ ％の表面電極、（
５１に上記半導体基板（１１の他の一生面の逆導を型領
域とメーミツク接触した金Ａｕ等の裏面を極で、斯る半
導体基板ｉｌ＋乃至裏［ｆｉ電極１５１ ｖｈら新組フ
ォトダイオードの受光体（６）が形成されている。ニア
１ｔ８１Ｕリードフレームから成る鷹１・第２のリード
体で、第１のリード体（７１μ第６図に示す如くその先
端Ｖこ旗状部（７ａ）′ｆｔ肩し、この旗状部（７ａ）
に受光体（６）が４６！置固着さｒｔ−面１１１（ｍｔ
５１と第１のリード体（７１とが電気的に導通している
。一方表面電極（４１と第２のリード体（８１とｆｌｋ
ｕ等のワイヤリード＋９１（Ｈ介して′電気結合してい
る。（１（１４１元金透ｆｔ、せしめる透明エポキシ樹
脂から成るモールド体で、該モールド捧ｔｌｔｍμ均質
な透光性を必要とするためにトランスファモールドＶこ
より所足形状に形成さ几ている。
然し乍ら、ｌｆｉる構造の受光装置の表面電極１３）汀
第２のリード体１８１ニ対しワイヤリード１９１ｔ−弁
して電気結合され−Ｃおり、大変作業性が急いば〃蔦り
かモールド体（１（ｉｋ？ランス７了モールドする際の
樹脂の圧入にエリ上記ワイヤリード（９）が断線する危
惧金有していた＠箇だ、元はモールド体部を透過して受
光体（６１のＰＮｒＩ！合（２１に入射するために、上
記モールド体層の入射ｌ１ｉｌｉｔ−鏡面加工しなけル
ばならなかった。
第２のリード体１８１ニ対しワイヤリード１９１ｔ−弁
して電気結合され−Ｃおり、大変作業性が急いば〃蔦り
かモールド体（１（ｉｋ？ランス７了モールドする際の
樹脂の圧入にエリ上記ワイヤリード（９）が断線する危
惧金有していた＠箇だ、元はモールド体部を透過して受
光体（６１のＰＮｒＩ！合（２１に入射するために、上
記モールド体層の入射ｌ１ｉｌｉｔ−鏡面加工しなけル
ばならなかった。
本発明は斯る点に鍾みて為さｎたもので、第４図以降を
参照しつつ本発明の実施例につき詳述する。
参照しつつ本発明の実施例につき詳述する。
第４図ａ本発明受元装置に於ける受光体であって、該受
尤体ｔｔｎａ、ガラス及びアクリル樹脂等の透光性基板
（ｌｚと、該基板１りの一生面に被着された酸化スズ（
ｓｎｏ２）ｒｉ１２化インジウム（Ｉ ｎ ２０１．酸
化インジウム・スズ（ｘｎ２ｏｓ−ｓｎｏ２）等の透明
電極ｕ３１と、＆ｆ透明電極［１３１の大部分を被覆す
る非晶質またに多結晶半導体勢のＰＨ１合、ＰＩＮＩＩ
合、ショットキ接合若しくはヘテロフェイス接合會有す
る非単結晶半導体層Ｉと、駁牛導体層圓上に設けらｎ７
ｔ＊ｌ＝銀入ｆ等の第１の電極ｔｔＳと、該第１の電極
ａ９と同時に形成さ庇透明電極（１３１の露出部（１３
ａ）と同一面上で結合する第２の″１ｌｌＥ極ｔｔ６＋
と。
尤体ｔｔｎａ、ガラス及びアクリル樹脂等の透光性基板
（ｌｚと、該基板１りの一生面に被着された酸化スズ（
ｓｎｏ２）ｒｉ１２化インジウム（Ｉ ｎ ２０１．酸
化インジウム・スズ（ｘｎ２ｏｓ−ｓｎｏ２）等の透明
電極ｕ３１と、＆ｆ透明電極［１３１の大部分を被覆す
る非晶質またに多結晶半導体勢のＰＨ１合、ＰＩＮＩＩ
合、ショットキ接合若しくはヘテロフェイス接合會有す
る非単結晶半導体層Ｉと、駁牛導体層圓上に設けらｎ７
ｔ＊ｌ＝銀入ｆ等の第１の電極ｔｔＳと、該第１の電極
ａ９と同時に形成さ庇透明電極（１３１の露出部（１３
ａ）と同一面上で結合する第２の″１ｌｌＥ極ｔｔ６＋
と。
から成っている。上記透明電極Ｇｌｊ電子ビーム蒸着法
で、また非単結晶半導体層Ｉが非晶質から成る場合框プ
ラズマ放電法若しくは高周波スパンタリング法によって
、多結晶構造の場合に蒸着、プリント、スプレー、気相
成長等の方法によってミクロンオーダに形成さｎ第１・
第２の電極ｑシｕｅ會略同−面上に配置せしめている＠ ＩＩ５図は本発明装置の平面図、第６図は第５図に於け
るＢ−Ｂｇｆｒ面図であって、住Ｂα槌に第７図に示す
即き２本−組の銅にニッケルメッキを施したリードフレ
ーム０９からなる第１・第２のリード体で２こｒｔ＠第
１命第２のリード体Ｑ７１Ｉ１８は受光体ａυの同−面
上に形成さ１１だ第１・第２の電極α９αｅに直２ペー
スト婢會介して電気的に結合すると共に受光体圓が両リ
ード体［１７１住ｓｖｃ跨がることに工って機械的にも
強固に支持さ几ることになる。山は透光性基板（１３の
一生面に堆積された非単結晶半導体層Ｉ、上記＠１・第
２の電極及びリード体ａ５＋ｔｔ６１゜（１７１（Ｉｌ
ｔ覆うエポキシ樹脂等のモールド体で、光照射に第６図
に於いて矢印で示す１０（透光性基板ｔ１２１の他の一
生面側から為さｎるので透明である必要ｒｚない〇 而して、本発明装置の特徴に上記＃１１・＠２のリード
体ａｎａａｔ、非単結晶半導体層Ｉの第１の電ｆｉ（Ｉ
５１及びａＩｉ１１電極ｕ３倉介した纂２の電極σＱに
従来製置の如きワイヤリード（９）を介さず直接結合す
ると共に、上記第１・ｌｌＩ２のリード体ａｎｕｓで受
光体１１１を支持した点にある。即ち、非結晶半導体層
１４はガラス、アクリル１１脂勢の透光性基板ａり上に
直播ミクロンオーダで被着せしめることができ、しかも
光照射に対し悪影響を与えない裏＃Ｊｖｃ於いて同一面
上ＫＩｓ１・薦２の電極り９αＧが配置されるので％第
１−ｗＥ２のリード体（１７１（ＩＩによる上述の如き
結合及び支持が可能となる・ 次に、非結晶半導体層惺４として用いられる非晶質半導
体の製造方法ｔａ明する。
で、また非単結晶半導体層Ｉが非晶質から成る場合框プ
ラズマ放電法若しくは高周波スパンタリング法によって
、多結晶構造の場合に蒸着、プリント、スプレー、気相
成長等の方法によってミクロンオーダに形成さｎ第１・
第２の電極ｑシｕｅ會略同−面上に配置せしめている＠ ＩＩ５図は本発明装置の平面図、第６図は第５図に於け
るＢ−Ｂｇｆｒ面図であって、住Ｂα槌に第７図に示す
即き２本−組の銅にニッケルメッキを施したリードフレ
ーム０９からなる第１・第２のリード体で２こｒｔ＠第
１命第２のリード体Ｑ７１Ｉ１８は受光体ａυの同−面
上に形成さ１１だ第１・第２の電極α９αｅに直２ペー
スト婢會介して電気的に結合すると共に受光体圓が両リ
ード体［１７１住ｓｖｃ跨がることに工って機械的にも
強固に支持さ几ることになる。山は透光性基板（１３の
一生面に堆積された非単結晶半導体層Ｉ、上記＠１・第
２の電極及びリード体ａ５＋ｔｔ６１゜（１７１（Ｉｌ
ｔ覆うエポキシ樹脂等のモールド体で、光照射に第６図
に於いて矢印で示す１０（透光性基板ｔ１２１の他の一
生面側から為さｎるので透明である必要ｒｚない〇 而して、本発明装置の特徴に上記＃１１・＠２のリード
体ａｎａａｔ、非単結晶半導体層Ｉの第１の電ｆｉ（Ｉ
５１及びａＩｉ１１電極ｕ３倉介した纂２の電極σＱに
従来製置の如きワイヤリード（９）を介さず直接結合す
ると共に、上記第１・ｌｌＩ２のリード体ａｎｕｓで受
光体１１１を支持した点にある。即ち、非結晶半導体層
１４はガラス、アクリル１１脂勢の透光性基板ａり上に
直播ミクロンオーダで被着せしめることができ、しかも
光照射に対し悪影響を与えない裏＃Ｊｖｃ於いて同一面
上ＫＩｓ１・薦２の電極り９αＧが配置されるので％第
１−ｗＥ２のリード体（１７１（ＩＩによる上述の如き
結合及び支持が可能となる・ 次に、非結晶半導体層惺４として用いられる非晶質半導
体の製造方法ｔａ明する。
低臭９にさｒｔた反応炉の電極間に一生面に透明電極α
３が選択蒸着された透光性基板α３を設置した状態で、
モノシラン８１Ｈ４ガスを導入し、上記電極間で高周波
プラズマ放電を行なう・高周波で励起さｆ′した高いエ
ネルギーの電子が材料ガス［１５Ｊし、ガス材の分解や
活性化さｆ″Ｌにガス間の反応に工って非晶質シリコン
が透丸性基板（１２１上に析出して（る、原料のＳｉＨ
４に不純物としてジボランＢ２Ｈ６ｆ添７１Ｌｌ ｆ
几ばｐｉｊｌｖｃ、 ］ｔ：ｘフィンＰＨｓｆ添加丁ｎ
＃′ｉ′Ｎ型に上記非晶質シリコン會変えることができ
る。以−ドにＰＩＮ輸合型非晶實シリコンの基本的反し
５条件を１丁。
３が選択蒸着された透光性基板α３を設置した状態で、
モノシラン８１Ｈ４ガスを導入し、上記電極間で高周波
プラズマ放電を行なう・高周波で励起さｆ′した高いエ
ネルギーの電子が材料ガス［１５Ｊし、ガス材の分解や
活性化さｆ″Ｌにガス間の反応に工って非晶質シリコン
が透丸性基板（１２１上に析出して（る、原料のＳｉＨ
４に不純物としてジボランＢ２Ｈ６ｆ添７１Ｌｌ ｆ
几ばｐｉｊｌｖｃ、 ］ｔ：ｘフィンＰＨｓｆ添加丁ｎ
＃′ｉ′Ｎ型に上記非晶質シリコン會変えることができ
る。以−ドにＰＩＮ輸合型非晶實シリコンの基本的反し
５条件を１丁。
また、上記製造方法ＩＣよって導入ガスを適宜選択丁れ
ば、ｐ、１．Ｎ各層に水素、フン減、炭素。
ば、ｐ、１．Ｎ各層に水素、フン減、炭素。
窒素、ｌｌ素等【含有せしめた非晶質シリコンを得るこ
とができる・ 更に、非晶質半導体としてセレン、カルコゲン化合物等
が考えられる。
とができる・ 更に、非晶質半導体としてセレン、カルコゲン化合物等
が考えられる。
この様にして形成さｆ′Ｌｒｃ非晶質半導体の厚みは１
ンクロンＶｃも満たな＾為にＩＥｌ・第２の電極ａ９１
１・間の幌！框上配置（クロン以下となり、第１・第２
のリード体（１７１１８に噌差加工金施こさなくても良
く加工性に富む。
ンクロンＶｃも満たな＾為にＩＥｌ・第２の電極ａ９１
１・間の幌！框上配置（クロン以下となり、第１・第２
のリード体（１７１１８に噌差加工金施こさなくても良
く加工性に富む。
第８図［ａ）乃至（Ｃ）μ本発明装置に於ける第１・第
２のリード体ロア１α鴫の変形例である。即ち、先の実
施例に於いてはＷＸｌ・第２のリード体ａ７１鵠の幅に
互いに等しくまた同一面で第１・第２の電極ｕ９αＱと
結合するので受光体１１１１ｉｌ−支持するに十分な支
持力を祷ることができるが、必要とあれば第１のリード
体σηの先端ｒｃｔｉｔｓ図に示した如き旗状部（７ａ
）を含め１円状（１７＆）、四角形状（１７ｂ）及び＋
Ｊ！１のリード体αｎそのものｔ−幅広（１７ｃ）＆Ｃ
２１ａ工しても良い。
２のリード体ロア１α鴫の変形例である。即ち、先の実
施例に於いてはＷＸｌ・第２のリード体ａ７１鵠の幅に
互いに等しくまた同一面で第１・第２の電極ｕ９αＱと
結合するので受光体１１１１ｉｌ−支持するに十分な支
持力を祷ることができるが、必要とあれば第１のリード
体σηの先端ｒｃｔｉｔｓ図に示した如き旗状部（７ａ
）を含め１円状（１７＆）、四角形状（１７ｂ）及び＋
Ｊ！１のリード体αｎそのものｔ−幅広（１７ｃ）＆Ｃ
２１ａ工しても良い。
纂９図ば本発明装置の他の実施例であって、透明電極１
１３１を透光性基板（１２＋の側面［延在ぜしめ、斯る
側面にて第２の電極（ｌ麹と第２のリード体（ｌルとの
結合を行なわしめている♂この構造によると、透光性基
板ｕｚ−王面に於いて第２の電極（１ｅが占ゼしていた
透明電極ｕ３の繍出部（１ｓａ）ｋも非単結晶半導体層
■で覆うことかでセ、受光面積の拡大が図ルる反面、上
記側面に透明１惨（１３１及び第２の電極１１Ｆ９を被
着する工程が増加する。この場合、第１のリード体（１
７１ｒｘ第３図及びａｌｌ！８図に示す如き旗状（７ａ
）、円状（１７ａ）、四角形状（１７ｂ）若しくに幅広
（１７ｃ）の形状？為し、第２のリード体０υが受光体
１ｎｔ−側面で支持することに起因する支持力の低下を
補なっている。
１３１を透光性基板（１２＋の側面［延在ぜしめ、斯る
側面にて第２の電極（ｌ麹と第２のリード体（ｌルとの
結合を行なわしめている♂この構造によると、透光性基
板ｕｚ−王面に於いて第２の電極（１ｅが占ゼしていた
透明電極ｕ３の繍出部（１ｓａ）ｋも非単結晶半導体層
■で覆うことかでセ、受光面積の拡大が図ルる反面、上
記側面に透明１惨（１３１及び第２の電極１１Ｆ９を被
着する工程が増加する。この場合、第１のリード体（１
７１ｒｘ第３図及びａｌｌ！８図に示す如き旗状（７ａ
）、円状（１７ａ）、四角形状（１７ｂ）若しくに幅広
（１７ｃ）の形状？為し、第２のリード体０υが受光体
１ｎｔ−側面で支持することに起因する支持力の低下を
補なっている。
本発明装置に以上の説明から明らかな如く、透光性基板
の一生而に堆積さｆ’した非単結晶半導体層を具えた受
光体に少なくとも２本のリード体に電気的ＩＣ接続さ几
ると共に、該２本のリード体で機械的にも支持されるの
で、従来の単結晶半導体力・らなる受光装置に於けるワ
イヤリードを削除することができ、断るワイヤリードの
存在に起因する作業性の煩雑さ及び断＊亭故を回避する
ことができるーまた１党は透光性基板を介して半導体層
【隙封するので、従来装置の如く入射面を鏡面加工する
必要がない。罠に本発明によれば従来の単結晶半導体よ
り安価な非単結晶半導体を使用するので、上述の即き作
業工程の簡略化及び歩留りの向上と相俟ってエリ一層の
コストダウンを図ることができる。
の一生而に堆積さｆ’した非単結晶半導体層を具えた受
光体に少なくとも２本のリード体に電気的ＩＣ接続さ几
ると共に、該２本のリード体で機械的にも支持されるの
で、従来の単結晶半導体力・らなる受光装置に於けるワ
イヤリードを削除することができ、断るワイヤリードの
存在に起因する作業性の煩雑さ及び断＊亭故を回避する
ことができるーまた１党は透光性基板を介して半導体層
【隙封するので、従来装置の如く入射面を鏡面加工する
必要がない。罠に本発明によれば従来の単結晶半導体よ
り安価な非単結晶半導体を使用するので、上述の即き作
業工程の簡略化及び歩留りの向上と相俟ってエリ一層の
コストダウンを図ることができる。
第１図に従来装置の正面図、第２図に第１図に於けるム
ーム線断１１ＷＡ、ｌＫ３図に従来装置の要部の正１ｍ
図、纂４図框本発明装置の要部である受光体の斜視図、
第５１１は本発明装置の正面図、第６図に第５図に於け
るＢ−Ｂ＠断面図、第７図μ本発明ｉｔ置の要部の正ｔ
ｉｉａ、 ｇｓ図（ａ）、（ｂｌ、 （ｃ）Ｈ第７図の
要部の他の実施例を示す正面図、 ｌｌ９１５ｉ！２に
本発明装置の他の実施例の断面図、を夫々示している。 Ｕυ・・・受光体、 （１３・・・透尤性基板、 （１
４１・・・非単結晶半導体層、 （１５１（ｌ岨・・Ｗ
Ｘｌ・第２の電極、住ηαｅ・・・第１書第２のリード
体。 出願人三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐野静天 昭和５７年 １月２ｚ日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第 １２９８５６号２、発明の名
称 受 光 装 置 ３、補正をする者 特許出願人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 名称（１８８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許七ンター
駐在＃田５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第８頁第１３行と同頁第１４行との間に下記の文
章を挿入します。 記 「また以上の説明に於ける非単結晶半導体層ＩはＰ工Ｎ
接合、ショットキ接合等の接合形態を有し、光照射に対
し光起電力を発生せしめる光起電力効果を利用したもの
であったが、斯る接合形態を持たず光照射によって導電
率が上昇する光導電効果を利用したものであっても本発
明の作用効果を妨げるものではない。」
ーム線断１１ＷＡ、ｌＫ３図に従来装置の要部の正１ｍ
図、纂４図框本発明装置の要部である受光体の斜視図、
第５１１は本発明装置の正面図、第６図に第５図に於け
るＢ−Ｂ＠断面図、第７図μ本発明ｉｔ置の要部の正ｔ
ｉｉａ、 ｇｓ図（ａ）、（ｂｌ、 （ｃ）Ｈ第７図の
要部の他の実施例を示す正面図、 ｌｌ９１５ｉ！２に
本発明装置の他の実施例の断面図、を夫々示している。 Ｕυ・・・受光体、 （１３・・・透尤性基板、 （１
４１・・・非単結晶半導体層、 （１５１（ｌ岨・・Ｗ
Ｘｌ・第２の電極、住ηαｅ・・・第１書第２のリード
体。 出願人三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐野静天 昭和５７年 １月２ｚ日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第 １２９８５６号２、発明の名
称 受 光 装 置 ３、補正をする者 特許出願人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 名称（１８８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許七ンター
駐在＃田５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第８頁第１３行と同頁第１４行との間に下記の文
章を挿入します。 記 「また以上の説明に於ける非単結晶半導体層ＩはＰ工Ｎ
接合、ショットキ接合等の接合形態を有し、光照射に対
し光起電力を発生せしめる光起電力効果を利用したもの
であったが、斯る接合形態を持たず光照射によって導電
率が上昇する光導電効果を利用したものであっても本発
明の作用効果を妨げるものではない。」
Claims (1)
- １１１ 透元性基板、鈑基板の一生面に堆積さｒｔた
非単結晶半導体層、ｔ−具えた受光体？、少なくとも２
本のリード体に電気的に＊ｄすると共ｖｃ、ｇ２本のリ
ード体で機械的に支持することを特徴としに受５を装置
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129836A JPS5831585A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 受光装置 |
| GB08223216A GB2104727B (en) | 1981-08-19 | 1982-08-12 | Light sensitive device |
| US06/759,496 US4613880A (en) | 1981-08-19 | 1985-07-26 | Light sensitive apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129836A JPS5831585A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831585A true JPS5831585A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15019428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129836A Pending JPS5831585A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 受光装置 |
Country Status (3)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS5831585A (ja) |
| GB (1) | GB2104727B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755666A (en) * | 1986-06-16 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photosensor frame |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-07-26 US US06/759,496 patent/US4613880A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755666A (en) * | 1986-06-16 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photosensor frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2104727B (en) | 1986-04-30 |
| US4613880A (en) | 1986-09-23 |
| GB2104727A (en) | 1983-03-09 |
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