JPS5832023A - 光導電性硫化カドミウムの製造方法 - Google Patents
光導電性硫化カドミウムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5832023A JPS5832023A JP13108681A JP13108681A JPS5832023A JP S5832023 A JPS5832023 A JP S5832023A JP 13108681 A JP13108681 A JP 13108681A JP 13108681 A JP13108681 A JP 13108681A JP S5832023 A JPS5832023 A JP S5832023A
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- Japan
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- cds
- flux
- cooling rate
- firing
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- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電性硫化カドミウム粉体の製造法に関す
ることである。
ることである。
従来、ノｒ；導電性硫化カドミウム（以下、ＣｄＳとい
う）は、主にＣｄ塩溶液にＨ，Ｓを反応させＣ（Ｉｓの
沈澱を生成後これを焼成し、沈澱反応時か、あるいは焼
成時にＣｕ、 Ａｇ、 Ｃ１等の賦活剤を添加したもの
が用いられてきたが、この様にして得られるＣｄＳ粉体
は粒子の凝集が著しく、１）こ個々のＣｄＳ粒子の結晶
も多数の欠陥を有することが知られていた。これらのＣ
ｄ５ｆ実隙の複写機に適用すると、特性の環境依存性が
大きく、また長時間暗所中に保存後には画像が島くなる
等の現象が現われ易かった。
う）は、主にＣｄ塩溶液にＨ，Ｓを反応させＣ（Ｉｓの
沈澱を生成後これを焼成し、沈澱反応時か、あるいは焼
成時にＣｕ、 Ａｇ、 Ｃ１等の賦活剤を添加したもの
が用いられてきたが、この様にして得られるＣｄＳ粉体
は粒子の凝集が著しく、１）こ個々のＣｄＳ粒子の結晶
も多数の欠陥を有することが知られていた。これらのＣ
ｄ５ｆ実隙の複写機に適用すると、特性の環境依存性が
大きく、また長時間暗所中に保存後には画像が島くなる
等の現象が現われ易かった。
それに対しで、ＣｄＳ粒子の凝集性４・なくし、かつ個
々の粒子の結晶性を向上さゼーるｒ」的で、Ｃｕ ｒ
Ａｇ Ｉ Ｃｅ等の適尚量の賦活剤を含有させ／こＣｄ
Ｓ粉体を融剤と共に焼成処理したず麦、融剤を除去し、
ｌＩＪ度焼成することに依り、個々の粒子の結晶性が高
く表面が非常にｌ’１７らかで、かつ杓子間凝集が非常
に少ない光くり−＋ｇ件〔“＋］ＳがイＵられ、上記欠
点に対して良好な特性を示す。しかし乍ら、この任に多
ｉｔの融剤を用いる方法で製；’Ｉ”ｉされた光４嵐性
ＣｄＳは、従来のＣｄＳに比べて感度が劣る。
々の粒子の結晶性を向上さゼーるｒ」的で、Ｃｕ ｒ
Ａｇ Ｉ Ｃｅ等の適尚量の賦活剤を含有させ／こＣｄ
Ｓ粉体を融剤と共に焼成処理したず麦、融剤を除去し、
ｌＩＪ度焼成することに依り、個々の粒子の結晶性が高
く表面が非常にｌ’１７らかで、かつ杓子間凝集が非常
に少ない光くり−＋ｇ件〔“＋］ＳがイＵられ、上記欠
点に対して良好な特性を示す。しかし乍ら、この任に多
ｉｔの融剤を用いる方法で製；’Ｉ”ｉされた光４嵐性
ＣｄＳは、従来のＣｄＳに比べて感度が劣る。
而して本発明は、上記！ｌＩ！！取法（ζｊ？いて高感
度なＣｄＳを製造する方法を提供することを主たる目的
とする。
度なＣｄＳを製造する方法を提供することを主たる目的
とする。
本発明は硫化カドミウム粉体を融剤と共に焼□成処理し
た後、融剤を除去し、再度焼成処理する光導電性硫化カ
ドミウムの製造方法において、少くなくとも一方の焼成
処理における加熱後の冷却速度を１°Ｏ／ｍｉＨ以下で
行うことを特徴とするものである。
た後、融剤を除去し、再度焼成処理する光導電性硫化カ
ドミウムの製造方法において、少くなくとも一方の焼成
処理における加熱後の冷却速度を１°Ｏ／ｍｉＨ以下で
行うことを特徴とするものである。
即１ハ本発明においては、第１回目の融剤を使用する焼
成時か、第２回目の焼成時あるいはその両方の焼成時に
、焼成後の冷却速度をコントロールすることに依り、他
の特性を損うことなく感度を高めることを可能としたも
のである。
成時か、第２回目の焼成時あるいはその両方の焼成時に
、焼成後の冷却速度をコントロールすることに依り、他
の特性を損うことなく感度を高めることを可能としたも
のである。
址だ、焼成処理における加熱後の冷却速度を１ ’Ｑ
／ ｍｉｎ以下で行うのは常温までの全冷却工程である
必要はなく、少くなくとも、焼成温度と常温との中間の
温度まで１°０／ｍｌｎ以下で冷却すればよい。
／ ｍｉｎ以下で行うのは常温までの全冷却工程である
必要はなく、少くなくとも、焼成温度と常温との中間の
温度まで１°０／ｍｌｎ以下で冷却すればよい。
融剤を使用する第１回目の焼成温度は使用する融剤の融
点に依り異なるが、ＣｄＳの温度が２００°Ｃを切るま
では毎分１．０°Ｃ以下、特には０．２°Ｑ／ｍｉｎ以
下の速度で冷却するのが好ましく、その後室温までは２
．０°Ｑ／ｍｉｎ程度の冷却速度で良い。第２回目焼成
も、この条件に順じるが第２回目焼成後の冷却速度の影
響は第１回目に比較して若干少ない。仁の様に、焼成後
の冷却速度全コントロールするととしく依りＣｄＳの特
性を変えることができるのけ、冷却速度の遅速に依り、
ＣｄＳ結晶内部の欠陥が増減する／こめではないかと考
えられる。すなわち、ツ詩、成時間を単に長くするだけ
では」二δ１シの効果はｅγとんと表われないことなど
からも考えて、ＣｄＳ結晶中の欠陥は焼成時の茜温状足
（から冷却するときに結晶の歪みとして生じるものと、
ＩＲ（ｍされる。
点に依り異なるが、ＣｄＳの温度が２００°Ｃを切るま
では毎分１．０°Ｃ以下、特には０．２°Ｑ／ｍｉｎ以
下の速度で冷却するのが好ましく、その後室温までは２
．０°Ｑ／ｍｉｎ程度の冷却速度で良い。第２回目焼成
も、この条件に順じるが第２回目焼成後の冷却速度の影
響は第１回目に比較して若干少ない。仁の様に、焼成後
の冷却速度全コントロールするととしく依りＣｄＳの特
性を変えることができるのけ、冷却速度の遅速に依り、
ＣｄＳ結晶内部の欠陥が増減する／こめではないかと考
えられる。すなわち、ツ詩、成時間を単に長くするだけ
では」二δ１シの効果はｅγとんと表われないことなど
からも考えて、ＣｄＳ結晶中の欠陥は焼成時の茜温状足
（から冷却するときに結晶の歪みとして生じるものと、
ＩＲ（ｍされる。
第２回目焼成処理は、４００ ’０〜６００ ’Ｏ（７
） ｌ１ｌＪに融点を有する組成の融剤、例えばＣｄＣ
ｅｔ ｔＮｏＣｌ 、 ＫＣＩ！ 、 Ｋｌ 、 Ｃｄ
５０．等の１抽又は２４１１［以上の適当な組合せより
成る混合物を加え４００°Ｃ〜６００°Ｃの温度で行う
のが好適である。壕だ、融剤の添加器はＣｄＳに対して
１５ ｗｔ％以上が好適である。第２回目の焼成温度ｔ
ま４００°Ｃ〜６００ ”０の範囲が好適である。
） ｌ１ｌＪに融点を有する組成の融剤、例えばＣｄＣ
ｅｔ ｔＮｏＣｌ 、 ＫＣＩ！ 、 Ｋｌ 、 Ｃｄ
５０．等の１抽又は２４１１［以上の適当な組合せより
成る混合物を加え４００°Ｃ〜６００°Ｃの温度で行う
のが好適である。壕だ、融剤の添加器はＣｄＳに対して
１５ ｗｔ％以上が好適である。第２回目の焼成温度ｔ
ま４００°Ｃ〜６００ ”０の範囲が好適である。
実施例１
Ｃｕを０．５ Ｘ １０−’ｍｏｅｅ／ＣｄＳｍｏ／ｅ
含有させた、粒径５〜７μを有する硫化カドミウム粉末
１００）と、融剤として試薬特級粉末状塩化ナトリウム
３０Ｆの混合物（融点４２０〜４３０℃）を充分に混合
後、石英ルツボに充填し５３０°Ｃで３０分間焼成した
。その後、電気炉中で以下のパターンで冷却した。
含有させた、粒径５〜７μを有する硫化カドミウム粉末
１００）と、融剤として試薬特級粉末状塩化ナトリウム
３０Ｆの混合物（融点４２０〜４３０℃）を充分に混合
後、石英ルツボに充填し５３０°Ｃで３０分間焼成した
。その後、電気炉中で以下のパターンで冷却した。
冷却後、洗液の電導度が１．０μＶ／鑞以下となる丑で
水洗・脱イオン処理を行い、脱水後７０”０で２４ｈｒ
乾燥した。乾燥後、再度石英ルツボに充填し、４５０°
０．ｌｈｒ焼成し、各ｓ ａｍｐ ｌ ｅ共１０′Ｏ／
ｍｉｎの速度で冷却した。冷却後、同じく洗液の屯導度
が１．０μｚｒ／ｃｎＬ以下となるまで水洗・脱イオン
処理を行い、脱水後７０″Ｃで２４ｈｒ乾燥した。
水洗・脱イオン処理を行い、脱水後７０”０で２４ｈｒ
乾燥した。乾燥後、再度石英ルツボに充填し、４５０°
０．ｌｈｒ焼成し、各ｓ ａｍｐ ｌ ｅ共１０′Ｏ／
ｍｉｎの速度で冷却した。冷却後、同じく洗液の屯導度
が１．０μｚｒ／ｃｎＬ以下となるまで水洗・脱イオン
処理を行い、脱水後７０″Ｃで２４ｈｒ乾燥した。
このＣｄＳを電子顕微鏡で観察すると、原料ＣｄＳと大
きく形状が異なり、表面が非常に滑らかな粒径２〜５μ
の単粒子になっていることが認められた。これらの各ｓ
ａｍｐ ｌ ｅを塩化ビニル−鮎 酢酸ビニル共重合体系樹脂を粘％ｆｆ剤としてアルミ基
板上に４０μの厚さに塗布し、更に上に厚さ３０μのポ
リエチレンテレフタレート」：り成る絶縁層を設けて測
定用感光体とｊ〜だ。この感光体を、−次帯屯（＋）→
ＡＣ除′亀同時像露光→全面露光を基本プロセスとする
接写機を用いて特性を評価した。
きく形状が異なり、表面が非常に滑らかな粒径２〜５μ
の単粒子になっていることが認められた。これらの各ｓ
ａｍｐ ｌ ｅを塩化ビニル−鮎 酢酸ビニル共重合体系樹脂を粘％ｆｆ剤としてアルミ基
板上に４０μの厚さに塗布し、更に上に厚さ３０μのポ
リエチレンテレフタレート」：り成る絶縁層を設けて測
定用感光体とｊ〜だ。この感光体を、−次帯屯（＋）→
ＡＣ除′亀同時像露光→全面露光を基本プロセスとする
接写機を用いて特性を評価した。
実施例２
実施例１と同じ原料ＣｄＳを用いて、５３０ ”０ 。
３０分Ｉ′Ｉ］］第１１ｎＪＵ Ｉｔ成を行い、Ｉ Ｏ
’０／＋ｎｆｎ テ冷却・水洗・脱イオンを行い７０″
”＋２４１ｉｒ乾燥した。その後、石英ルツボに充填し
第２回目の焼成４５０°０．ｌｈｒを行い以下の速度で
冷却した〇冷却後、同様に洗液の電導度が１．０μ７ａ
以下となる゛まで水洗、脱イオン処理を行い、脱水後７
０℃、２４ｈｒ乾燥した。以下、実施例１と同様に感光
板として評価した。
’０／＋ｎｆｎ テ冷却・水洗・脱イオンを行い７０″
”＋２４１ｉｒ乾燥した。その後、石英ルツボに充填し
第２回目の焼成４５０°０．ｌｈｒを行い以下の速度で
冷却した〇冷却後、同様に洗液の電導度が１．０μ７ａ
以下となる゛まで水洗、脱イオン処理を行い、脱水後７
０℃、２４ｈｒ乾燥した。以下、実施例１と同様に感光
板として評価した。
実施例３
実施例１と実施例２との組合せを実施した。
冷却後、同様に洗液の電導度が１．０μＵ／Ｃｒｎ以丁
となるーまで水洗、脱イオン処理を行い、乾燥後実施例
１と同様に感光板とし評価した。
となるーまで水洗、脱イオン処理を行い、乾燥後実施例
１と同様に感光板とし評価した。
以Ｊ：、１０ ｓａｍｐｌｅについて評価した結果を下
第１ 人 表よりわかる様に、除冷したもの＆ｆ、 ｌ夕］らかに
他の特性、例えば暗所放置後の１ｄ位立上り現象等、を
損うことなく感度が改善されている。また、ｓａｍｐｌ
ｅ ＤとＥ 、 Ｉ■と１とを比較すると完全に常温と
なるまで除冷する必要はなく、中間温度程度まで除冷し
、後は冷却速度を速めても同程度の効果が得られること
が認められる。
第１ 人 表よりわかる様に、除冷したもの＆ｆ、 ｌ夕］らかに
他の特性、例えば暗所放置後の１ｄ位立上り現象等、を
損うことなく感度が改善されている。また、ｓａｍｐｌ
ｅ ＤとＥ 、 Ｉ■と１とを比較すると完全に常温と
なるまで除冷する必要はなく、中間温度程度まで除冷し
、後は冷却速度を速めても同程度の効果が得られること
が認められる。
なし、上記火しＣおいＣ，「感度」は、感光板を＋４０
０ Ｖ ＶＣ螢ｈｔ Ｌ、除′亀と同時に露光してＯＶ
になるに必要な露光−１１ｉ （１ｕｘ−ＦＩｅｃ ）
で測定された。また「１００００枚コピー後の電位シフ
トＪは、１００００枚コピー後、暗所に１２ｈｒ放置し
てから、１〜５０枚のコピーをとり、このときの１枚Ｌ
」のコピーと５０枚目のコピーの暗部（画＠ ７’ｌ≦
）の電位の差である。このときのプロセスは、実施例１
と同じである。
０ Ｖ ＶＣ螢ｈｔ Ｌ、除′亀と同時に露光してＯＶ
になるに必要な露光−１１ｉ （１ｕｘ−ＦＩｅｃ ）
で測定された。また「１００００枚コピー後の電位シフ
トＪは、１００００枚コピー後、暗所に１２ｈｒ放置し
てから、１〜５０枚のコピーをとり、このときの１枚Ｌ
」のコピーと５０枚目のコピーの暗部（画＠ ７’ｌ≦
）の電位の差である。このときのプロセスは、実施例１
と同じである。
出願人 ギヤノン株式会社
Claims (1)
- １、 硫化カドミウム粉体を融剤と共に焼成処理しｆｃ
後、融剤を除去し、再度焼成処理する光４ ”＋Ｉｉ
、 仕儀化カドミウムの製造方法において、少くなくと
も一方の焼成処理における加熱後の冷却速度？ｆ−１°
Ｏ／ｍｉｎ以下で行うことを特徴とする光導電性硫化カ
ドミウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13108681A JPS5832023A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13108681A JPS5832023A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832023A true JPS5832023A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15049648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13108681A Pending JPS5832023A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4767153A (en) * | 1986-01-09 | 1988-08-30 | Nissan Motor Co., Ltd. | Safety structure of vehicle body adjacent instrument panel |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13108681A patent/JPS5832023A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4767153A (en) * | 1986-01-09 | 1988-08-30 | Nissan Motor Co., Ltd. | Safety structure of vehicle body adjacent instrument panel |
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