JPS5832446B2 - 撮像管タ−ゲットの製造方法 - Google Patents

撮像管タ−ゲットの製造方法

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JPS5832446B2
JPS5832446B2 JP52126141A JP12614177A JPS5832446B2 JP S5832446 B2 JPS5832446 B2 JP S5832446B2 JP 52126141 A JP52126141 A JP 52126141A JP 12614177 A JP12614177 A JP 12614177A JP S5832446 B2 JPS5832446 B2 JP S5832446B2
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JP
Japan
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thin film
film
filter
forming
transparent
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Expired
Application number
JP52126141A
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English (en)
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JPS5459029A (en
Inventor
治 江口
和美 貞松
慎司 藤原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、色分解線条フィルタを備えた小形カラーテレ
ビカメラに最適なカラーテレビジョン用等の撮像管ター
ゲットの製造方法に関する。
一般に、色分解線条フィルタを備えたカラーテレビジョ
ン用撮像管は、透光性基板と透明電極との間に種々の方
法で色分解線条フィルタを介在させ、次に透明電極上に
光導電膜を形成した色分解線条フィルタ内蔵ターゲット
部と、電子銃部とを管内に真空封止して構成される。
さらに、色分解線条フィルタ内蔵ターゲット部の構造お
よび製造方法について詳述する。
従来の色分解線条フィルタ内蔵ターゲット部の構造を第
1図に示す。
第1図において、11は透光性基板で線膨張係数45
X 10−7/℃のE−2ガラス(市原光学社製)や、
線膨張係数 46 X 10−7/’Cの7059ガラス(コーハン
グ社製)等が用いられている。
12は色分解線条フィルタである。
13は透光性薄膜で線膨張係数5、5 X 10−7/
℃の石英ガラスが主に用いられている。
透光性薄膜13が熱歪によりクラックを生じるような場
合、透光性基板11と同種のガラスが用いられる。
14は透明電極で、S n 02やIn2O3膜等が用
いられている。
15は光導電膜でSb2S3膜が用いられている。
次に、上記従来構造の製造方法について述べる。
第2図a、bは、その構造および製造工程を示したもの
である。
構造の各部の番号は、第1図示の各部の番号と対応して
いる。
まずイの色分解線条フィルタの形成工程で透光性基板1
1上に蒸着法とIC技術を用いて色分解線条フィルタ1
2を形成する。
次に口の透光性薄膜の形成工程で、透光性薄膜13を電
子ビーム蒸着法あるいはスパッタリング法等により、色
分解線条フィルタ12を被覆する。
次にハの平滑化工程で、透光性薄膜13の表面凹凸を研
摩法などにより平滑化する。
次に二の透明電極の形成工程で、S n 02膜あるい
はIn2O3膜などの透明導電膜14を吹き付は法ある
いは蒸着法あるいはスパッタリング法などにより形成す
る。
次にホの光導電膜の形成工程で、5b203の光導電膜
15を蒸着法により、基板温度室温のもとで形成する。
以上のような構造および製造工程によって、従来の色分
解線条フィルタ内蔵ターゲットは得られていた。
従来のターゲットにおいて、とくに、 (ZnxCdt−xTe)y(In2Te3)x−yを
含む光導電膜を用いると、製造工程において、この光導
電膜を300〜700℃で熱処理する工程が不可欠のた
め、フィルタ表面の汚れ、フィルタ内部への薬品の吸着
等により透光性薄膜にクラックが発生し、さらにそれが
光導電膜に影響をおよぼして、画質を悪化させたり、暗
電流を増大させる等の問題があり、良好な色分解線条フ
ィルタ内蔵ターゲットは得られなかった。
本発明は、透光性基板上に色分解線条フィルタ、透光性
薄膜、光導電膜を形成する撮像ターゲットにおいて、画
質の悪化、暗電流の増大を防止することのできる製造方
法を提供するものである。
次に、本発明について述べる。
第3図は、本発明の構造を示す色分解線条フィルタ内蔵
ターゲットの断面図である。
図において、31は透光性基板で線膨張係数が56 X
10−7/’C〜ll0XIO−、/’Cである。
32は色分解線条フィルタである。
33は透光性薄膜で線膨張係数が56 X 1 o−y
℃〜ll0XIO−7℃である。
34は透明電極である。
35は光導電膜で、たとえば(Zn Cd、−Te )
、 (In2Te3 ) IX X (0≦X≦1)、(0<y≦1)を含んでいる。
なお、第3図の構造において、透光性基板31および透
光性薄膜33ともに線膨張係数をs 6 X 10−’
/’C〜110×10−′//℃とすると画質、暗電流
の点でより好ましい。
第4図a、bは、本発明の製造工程を示した一実施例で
ある。
構造の各部の番号は、前記本発明の構造を示す第3図の
各部の番号と対応している。
イの色分解線条フィルタの形成工程で、透光性基板31
上に色分解線条フィルタ用材料を蒸着し、IC技術を用
いてフィルタ32をパターン形成する。
次に口の熱処理工程で、空気中または酸素を含む不活性
ガス中すなわち酸素雰囲気中で300℃〜6000G、
30分〜iso分熱処理を施して、無機材料からなる多
層膜で構成されるフィルタ32の表面の清浄化、吸着成
分の除去等を行う。
次にへの透光性薄膜の形成工程で、透光性薄膜33をス
パッタリング法により数μ〜10μの厚さに形成する。
次に二の平滑化工程で、透光性薄膜33の表面凹凸を研
摩法により平滑化する。
次にホの透明電極の形成工程でS n 02膜からなる
透明電極34を吹き付は法により形成する。
次にべの光導電膜の形成工程で、第1層がZn5e膜で
、第2層が(Zn077CdO,3T e )0.95
(I n2 T e3 )0.05からなる光導電膜
35を蒸着法により形成する。
次にトの熱処理工程で、真空中550℃数分〜数十分間
熱処理する。
以上のようにして撮像管ターゲットは製造される。
第2図の従来の製造工程と第4図の本発明の製造工程と
の対比かられかるように、本発明の製造方法は、透光性
薄膜33の形成工程前に、酸素雰囲気中での熱処理工程
を備えている。
この工程を備えていないと、画質が非常に低下し、暗電
流も幾分増加の傾向を示す。
このような、熱処理工程を備えることによって、画質、
暗電流などが向上したのは、無機材料からなるフィルタ
の熱処理効果として、前述のごとく、表面の清浄化、フ
ィルタの結晶性の安定化などが考えられ、特に画質に影
響するようなフィルタ32上に形成される透光性薄膜3
3のクラックなどが減少し、良好な透光性薄膜、さらに
は良好な光導電膜が形成できるようになったためと思わ
れる。
そして酸素の存在により、フィルタ32のパターン形成
時に使用されるレジスト等の有機成分を有効に除去でき
る。
なお、透光性薄膜33の表面凹凸は、透明電極34の断
線や光導電膜35の特性劣化のため、平滑化が必要であ
る。
通常この凹凸は1μ前後で平滑化は研摩法により実施さ
れる。
この時、研摩は低速度で行なうのが一般的であり、透光
性薄膜の材料によって、研摩時間が非常に違う。
例えば、石英ガラスやサファイアなどは、平滑化に数時
間を要する。
これらに対し、クラウンガラスやフリントガラス、さら
にはクラウンおよびフリントガラスは、数十分で平滑化
でき、非常に製造が容易である。
以上説明したように、本発明は透光性基板上に無機材料
からなる色分解線条フィルタを形成後、酸素雰囲気中で
熱処理したのち透光性薄膜、光導電膜を形成するもので
あり、画質、暗電流の向上を行うことができ、高品質な
撮像管ターゲットの製造に大きく寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の色分解線条フィルタ内蔵ターゲットの断
面図、第2図a、bは各々従来の色分解線条フィルタ内
蔵ターゲット製造工程図およびその説明図、第3図は本
発明の一実施例の方法により作成された色分解線条フィ
ルタ内蔵ターゲットの断面図、第4図a、bは同ターゲ
ットの製造工程図および説明図である。 31・・・・・・透光性基板、32・・・・・・色分解
線条フィルタ、33・・・・・・透光性薄膜、34・・
・・・・透明電極、35・・・・・・光導電膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 透光性基板上に無機材料よりなる色分解線条フィル
    タを形成後、酸素雰囲気中で熱処理する工程と、前記基
    板およびフィルタ上に透光性薄膜を形成する工程と、前
    記薄膜上に透明電極および光導電膜を形成する工程とを
    備えたことを特徴とする撮像管ターゲットの製造方法。
JP52126141A 1977-10-19 1977-10-19 撮像管タ−ゲットの製造方法 Expired JPS5832446B2 (ja)

Priority Applications (1)

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Publication Number Publication Date
JPS5459029A JPS5459029A (en) 1979-05-12
JPS5832446B2 true JPS5832446B2 (ja) 1983-07-13

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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS524405B2 (ja) * 1972-10-12 1977-02-03
JPS5138232B2 (ja) * 1973-09-18 1976-10-20
JPS5227013B2 (ja) * 1973-12-03 1977-07-18

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5459029A (en) 1979-05-12

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